本技術(shù)實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體封裝件。

背景技術(shù)：

1、由于各種電子元件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度不斷提高，半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)歷了快速增長。在大多數(shù)情況下，集成密度的提高源于最小特征尺寸的迭代減小，這允許將更多元件整合到給定的區(qū)域中。隨著對縮小電子裝置的需求不斷增長，出現(xiàn)了對更小、更具創(chuàng)意的半導(dǎo)體管芯封裝技術(shù)的趨勢。

2、隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，堆疊和接合半導(dǎo)體裝置已成為進(jìn)一步減小半導(dǎo)體裝置的物理尺寸的有效替代方案。在堆疊半導(dǎo)體裝置中，諸如邏輯、存儲器、處理器電路等的主動電路至少部分地制造在分開的襯底上，然后物理和電性接合在一起以形成功能裝置。這種接合工藝?yán)脧?fù)雜的技術(shù)，并且需要改進(jìn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、在一實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝件包括：第一晶體管，在第一襯底的前側(cè)之上；第一導(dǎo)通孔，從第一襯底的前側(cè)延伸到背側(cè)，第一導(dǎo)通孔有在第一襯底的前側(cè)處測得的第一寬度以及在第一襯底的背側(cè)處測得的第二寬度，第一寬度大于第二寬度；第二導(dǎo)通孔，從第一襯底的前側(cè)延伸到背側(cè)，第二導(dǎo)通孔有在第一襯底的前側(cè)處測得的第三寬度以及在第一襯底的背側(cè)處測得的第四寬度，第三寬度大于第四寬度，第三寬度大于第一導(dǎo)通孔的第一寬度；第三導(dǎo)通孔，從第一晶體管延伸到第一襯底的背側(cè)，第三導(dǎo)通孔有在第一晶體管處測得的第五寬度以及在第一襯底的背側(cè)處測得的第六寬度，第五寬度小于第六寬度；第一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，在第一晶體管和第一襯底的前側(cè)之上；第一接合墊，在第一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)之上，第一接合墊與第一管芯的第二接合墊接合；第二內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，在第一襯底的背側(cè)之上，第三導(dǎo)通孔電連接第二內(nèi)連線結(jié)構(gòu)至第一晶體管；第三接合墊，在第二內(nèi)連線結(jié)構(gòu)之上，第三接合墊與第二管芯的第四接合墊接合；以及外部連接件，沿著第二管芯的背側(cè)，第二管芯的背側(cè)相對于第四接合墊。

2、在一實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝件包括：第一主動裝置，在第一襯底的前側(cè)之上；第一導(dǎo)通孔，從第一襯底的前側(cè)延伸到背側(cè)，第一導(dǎo)通孔在第一襯底的前側(cè)處測得的寬度大于第一導(dǎo)通孔在第一襯底的背側(cè)處測得的寬度；層間介電質(zhì)，位于第一襯底的前側(cè)上，且圍繞第一主動裝置；第二導(dǎo)通孔，延伸穿過層間介電質(zhì)以及第一襯底，且從第一襯底的前側(cè)延伸到背側(cè)，第二導(dǎo)通孔在第一襯底的前側(cè)處測得的寬度大于第二導(dǎo)通孔在第一襯底的背側(cè)處測得的寬度；第三導(dǎo)通孔，從第一主動裝置延伸到第一襯底的背側(cè)，第三導(dǎo)通孔在第一主動裝置處測得的寬度小于第三導(dǎo)通孔在第一襯底的背側(cè)處測得的寬度；第一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，在第一主動裝置和第一襯底的前側(cè)之上；第一接合墊，在第一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)之上，第一接合墊與第一管芯的第二接合墊接合；第二內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，在第一襯底的背側(cè)之上，第三導(dǎo)通孔電連接第二內(nèi)連線結(jié)構(gòu)至第一主動裝置；以及第三接合墊，在第二內(nèi)連線結(jié)構(gòu)之上，第三接合墊與第二管芯的第四接合墊接合。在其他實(shí)施例中，半導(dǎo)體封裝件，更包括：埋入式接點(diǎn)，嵌入第一襯底的前側(cè)中，且層間介電質(zhì)覆蓋埋入式接點(diǎn)；以及第四導(dǎo)通孔，從埋入式接點(diǎn)延伸到第一襯底的背側(cè)，第四導(dǎo)通孔在埋入式接點(diǎn)處測得的寬度小于第四導(dǎo)通孔在第一襯底的背側(cè)處測得的寬度。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述第一管芯包括在第二襯底的主動側(cè)之上的第二晶體管，所述第二襯底的所述主動側(cè)面向所述第一襯底的所述前側(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述第二管芯包括在第三襯底的主動側(cè)之上的第三晶體管，所述第三襯底的所述主動側(cè)面向所述第一襯底的所述背側(cè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述第一導(dǎo)通孔的所述第一寬度大于所述第三導(dǎo)通孔的所述第六寬度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，更包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述第三導(dǎo)通孔的所述第六寬度與所述第四導(dǎo)通孔的所述第八寬度相同。

7.一種半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝件，更包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述第二導(dǎo)通孔在所述層間介電質(zhì)的頂表面處測得的寬度大于所述第二導(dǎo)通孔在所述第一襯底的所述背側(cè)處測得的寬度。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝件，其中所述第一導(dǎo)通孔在所述第一襯底的所述前側(cè)處測得的寬度等于或小于所述第二導(dǎo)通孔在所述層間介電質(zhì)的頂表面處測得的寬度。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)實(shí)施例的各種實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體封裝件包括：第一晶體管、第一導(dǎo)通孔、第二導(dǎo)通孔、第三導(dǎo)通孔、第一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)以及第二內(nèi)連線結(jié)構(gòu)外部連接件。第一導(dǎo)通孔及第二導(dǎo)通孔從第一襯底的前側(cè)延伸到背側(cè)。第三導(dǎo)通孔從第一晶體管延伸到第一襯底的背側(cè)。第一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)在第一晶體管和第一襯底的前側(cè)之上。第二內(nèi)連線結(jié)構(gòu)在第一襯底的背側(cè)之上，第三導(dǎo)通孔電連接第二內(nèi)連線結(jié)構(gòu)至第一晶體管。

技術(shù)研發(fā)人員：黃靖祐,柯亭竹
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240328
技術(shù)公布日：2024/12/30