本技術(shù)涉及合金電阻，特別是涉及一種高精度低阻值合金電阻結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、現(xiàn)有合金電阻低阻產(chǎn)品內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計一般使用三刀口設(shè)計，但針對5毫歐以下阻值的成品在測量過程中，由于刀口為奇數(shù)型刀口，使得電流走向是固定的，若料的位置發(fā)生180°調(diào)轉(zhuǎn)時，測量位置就會發(fā)生偏差，從而使得測量的誤差增大，導(dǎo)致量測不準(zhǔn)。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、為解決上述技術(shù)問題，本實用新型采用的一個技術(shù)方案是：

2、提供一種高精度低阻值合金電阻結(jié)構(gòu)，其包括：電阻主體、第一避讓導(dǎo)向槽、第二避讓導(dǎo)向槽、檢測插孔、第一外修阻口、第二外修阻口以及若干對內(nèi)修阻口組，

3、所述第一避讓導(dǎo)向槽和所述第二避讓導(dǎo)向槽分別設(shè)置于所述電阻主體的兩側(cè)，所述第一外修阻口和所述第二外修阻口分別設(shè)置于所述電阻主體的兩端，且以電阻主體的中心點中心對稱，所述檢測插孔設(shè)置于外修阻口外側(cè)的電阻主體上，所述內(nèi)修阻口組均布于第一外修阻口與第二外修阻口之間的電阻主體上，且每對內(nèi)修阻口包括相對且間隔設(shè)置的第一內(nèi)修阻口和第二內(nèi)修阻口。

4、在本實用新型一個較佳實施例中，當(dāng)電阻主體上設(shè)置有一組內(nèi)修阻口組時，所述第一內(nèi)修阻口和所述第二內(nèi)修阻口以電阻主體的中心點中心對稱。

5、在本實用新型一個較佳實施例中，所述第一避讓導(dǎo)向槽和所述第二避讓導(dǎo)向槽沿電阻主體的豎直中軸線鏡像設(shè)置。

6、在本實用新型一個較佳實施例中，外修阻口和內(nèi)修阻口的開口朝外設(shè)置。

7、在本實用新型一個較佳實施例中，每個修阻口的外側(cè)開口與避讓導(dǎo)向槽相連通。

8、在本實用新型一個較佳實施例中，所述電阻主體的兩端各設(shè)置有兩個檢測插孔。

9、本實用新型的有益效果是：在不增加成本的同時,優(yōu)化了產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，使產(chǎn)品阻值更加精密且具有更高的精度穩(wěn)定性。

技術(shù)特征：

1.一種高精度低阻值合金電阻結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：電阻主體、第一避讓導(dǎo)向槽、第二避讓導(dǎo)向槽、檢測插孔、第一外修阻口、第二外修阻口以及若干對內(nèi)修阻口組，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高精度低阻值合金電阻結(jié)構(gòu)，其特征在于，當(dāng)電阻主體上設(shè)置有一組內(nèi)修阻口組時，所述第一內(nèi)修阻口和所述第二內(nèi)修阻口以電阻主體的中心點中心對稱。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高精度低阻值合金電阻結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一避讓導(dǎo)向槽和所述第二避讓導(dǎo)向槽沿電阻主體的豎直中軸線鏡像設(shè)置。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高精度低阻值合金電阻結(jié)構(gòu)，其特征在于，外修阻口和內(nèi)修阻口的開口朝外設(shè)置。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高精度低阻值合金電阻結(jié)構(gòu)，其特征在于，每個修阻口的外側(cè)開口與避讓導(dǎo)向槽相連通。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高精度低阻值合金電阻結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電阻主體的兩端各設(shè)置有兩個檢測插孔。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了一種高精度低阻值合金電阻結(jié)構(gòu)，包括：電阻主體、第一外修阻口、第二外修阻口、第一內(nèi)修阻口、第二內(nèi)修阻口、第一避讓導(dǎo)向槽、第二避讓導(dǎo)向槽、檢測插孔。通過上述方式，本技術(shù)一種高精度低阻值合金電阻結(jié)構(gòu)，在不增加成本的同時,優(yōu)化了產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，使產(chǎn)品阻值更加精密且具有更高的精度穩(wěn)定性。

技術(shù)研發(fā)人員：李俊,馬歡
受保護的技術(shù)使用者：元暉電子科技（江蘇）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240410
技術(shù)公布日：2025/1/9