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高色域LED光源模組及顯示器的制作方法

文檔序號(hào):40521240發(fā)布日期:2024-12-31 13:30閱讀:11來源:國(guó)知局
高色域LED光源模組及顯示器的制作方法

本申請(qǐng)涉及l(fā)ed,尤其涉及高色域led光源模組及顯示器。


背景技術(shù):

1、色域(color?space)是對(duì)顏色進(jìn)行編碼從而表示顏色范圍或區(qū)域的一種方法,色域主要用于表示屏幕能夠真實(shí)還原顏色的能力。簡(jiǎn)單來說,一款顯示裝置的色域越廣,色彩越艷麗,色彩還原度越高,人眼看到的畫面也會(huì)越豐富真實(shí)。隨著lcd顯示技術(shù)、oled顯示技術(shù)和led顯示技術(shù)的不斷提升,高色域面板成為產(chǎn)品的關(guān)鍵賣點(diǎn)。

2、lcd面板本身不發(fā)光,必須由背光源提供照明方可正常顯示內(nèi)容。lcd面板的背光源,主要有熒光燈和led光源。led因?yàn)榫邆涑錾陌l(fā)光效率與及壽命長(zhǎng)、體積小、節(jié)能環(huán)保、響應(yīng)快等優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)是lcd屏幕的主流背光源。由于led白光大部分都是采用藍(lán)光led晶片激發(fā)熒光粉而形成的,且熒光粉的半波寬較寬,導(dǎo)致正常情況下顯示裝置的ntsc色域一般不超過72%。即使采用半波寬較窄ksf熒光粉,其色域一般也不超過90%。

3、oled面板和led面板為自發(fā)光自顯示,不需要背光源。主流的led面板顯示技術(shù)主要有mini-led和micro-led。隨著mini-led和micro-led的高速發(fā)展,led面板顯示技術(shù)也越來越成熟。但由于led原生的發(fā)光光譜純度不足,導(dǎo)致其色域普遍偏低。

4、現(xiàn)有的裝置為了提高色域,內(nèi)部增加低濃度量子點(diǎn)擴(kuò)散板與量子膜,但低濃度量子點(diǎn)擴(kuò)散板與量子膜成本較高,導(dǎo)致產(chǎn)品整體成本升高。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)所要解決的技術(shù)問題是現(xiàn)有的裝置為了提高色域,采用led配合低濃度量子點(diǎn)擴(kuò)散板的方式或者采用led光源配合量子膜的方式來實(shí)現(xiàn)高色域,但低濃度量子點(diǎn)擴(kuò)散板與量子膜成本較高,導(dǎo)致產(chǎn)品整體成本升高。

2、為了解決上述技術(shù)問題或者至少部分地解決上述技術(shù)問題,本申請(qǐng)?zhí)峁┝烁呱騦ed光源模組及顯示器。

3、第一方面,本實(shí)用新型公開了一種高色域led光源模組,其包括至少一個(gè)led晶片、發(fā)光件,所述發(fā)光件安裝在所述led晶片發(fā)光方向上;

4、所述led晶片包括第一量子阱層、第二量子阱層、第三量子阱層;所述第一量子阱層分別連接所述第二量子阱層與所述第三量子阱層;

5、所述第一量子阱層為電致發(fā)光,所述第二量子阱層與所述第三量子阱層為光致發(fā)光。

6、優(yōu)選地,所述發(fā)光件包裹所述led晶片;

7、或所述led晶片陣列排布,所述發(fā)光件懸空設(shè)置于所述led晶片發(fā)光面的上方。

8、優(yōu)選地,所述第一量子阱層發(fā)射的光譜為紫外線或藍(lán)光,發(fā)射波長(zhǎng)為310-490nm,cie-1931色品坐標(biāo)x值為0.05-0.25,cie-1931色品坐標(biāo)y值為0.01-0.2。

9、優(yōu)選地,所述第二量子阱層發(fā)射的光譜為綠光,發(fā)射波長(zhǎng)為510-560nm,cie-1931色品坐標(biāo)x值為0.01-0.4,cie-1931色品坐標(biāo)y值為0.3-0.9。

10、優(yōu)選地,所述第三量子阱層發(fā)射的光譜為紅光,發(fā)射波長(zhǎng)為610-680nm,cie-1931色品坐標(biāo)x值為0.3-0.8,cie-1931色品坐標(biāo)y值為0.1-0.5。

11、優(yōu)選地,所述發(fā)光件包括膠水、綠色粉體和紅色粉體,所述紅色粉體與所述綠色粉體通過膠水混合。

12、優(yōu)選地,所述綠色粉體包括綠色量子點(diǎn)熒光粉和綠色基粉;

13、所述綠色量子點(diǎn)熒光粉的顆粒直徑為1nm-30nm,所述綠色基粉的顆粒直徑為1um-50um,所述綠色量子點(diǎn)熒光粉與所述綠色基粉為光致發(fā)光;

14、所述綠色基粉采用β-sialon熒光粉、硅酸鹽熒光粉、鋁酸鹽熒光粉、鈣鈦礦熒光粉任一種綠色熒光粉。

15、優(yōu)選地,所述紅色粉體包括紅色量子點(diǎn)熒光粉和紅色基粉;

16、所述紅色量子點(diǎn)熒光粉顆粒直徑為1nm-30nm,所述紅色基粉顆粒直徑為1um-50um,所述紅色量子點(diǎn)熒光粉與所述紅色基粉為光致發(fā)光;

17、所述紅色基粉采用氮化物熒光粉、氮氧化物熒光粉、ksf熒光粉、硫化物熒光粉、鈣鈦礦熒光粉任一種紅色熒光粉。

18、優(yōu)選地,包括基板或支架,所述支架或所述基板連接所述led晶片,所述支架或所述基板用于承載所述led晶片。

19、第二方面,本實(shí)用新型公開了一種顯示器,其包括上述任一項(xiàng)所述的高色域led光源模組。

20、本申請(qǐng)?zhí)峁┑纳鲜黾夹g(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下優(yōu)點(diǎn):

21、本申請(qǐng)?zhí)峁┑母呱騦ed光源模組及顯示器,高色域led光源模組中,第一量子阱層通電發(fā)射藍(lán)光,激發(fā)第二量子阱層發(fā)出綠光以及激發(fā)第三量子阱層發(fā)出紅光,最終發(fā)出的藍(lán)光、紅光、綠光組成白光光譜;led晶片總體發(fā)射出的光譜,會(huì)激發(fā)發(fā)光件,可補(bǔ)充led晶片發(fā)光光譜,使高色域led光源模組具有更廣的色域,且無需增加量子膜以及量子點(diǎn)擴(kuò)散板,降低整體成本。

22、另外,顯示器采用高色域led光源模組,由于其內(nèi)部采用led晶片以及發(fā)光件進(jìn)行發(fā)出白光,在具有高色域的同時(shí),還避免采用量子膜以及量子點(diǎn)擴(kuò)散板,降低整體成本。



技術(shù)特征:

1.一種高色域led光源模組,其特征在于,包括至少一個(gè)led晶片、發(fā)光件,所述發(fā)光件安裝在所述led晶片發(fā)光方向上;

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高色域led光源模組,其特征在于,所述發(fā)光件包裹所述led晶片;

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高色域led光源模組,其特征在于,所述第一量子阱層發(fā)射的光譜為紫外線或藍(lán)光,發(fā)射波長(zhǎng)為310-490nm,cie-1931色品坐標(biāo)x值為0.05-0.25,cie-1931色品坐標(biāo)y值為0.01-0.2。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高色域led光源模組,其特征在于,所述第二量子阱層發(fā)射的光譜為綠光,發(fā)射波長(zhǎng)為510-560nm,cie-1931色品坐標(biāo)x值為0.01-0.4,cie-1931色品坐標(biāo)y值為0.3-0.9。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高色域led光源模組,其特征在于,所述第三量子阱層發(fā)射的光譜為紅光,發(fā)射波長(zhǎng)為610-680nm,cie-1931色品坐標(biāo)x值為0.3-0.8,cie-1931色品坐標(biāo)y值為0.1-0.5。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高色域led光源模組,其特征在于,包括基板或支架,所述支架或所述基板連接所述led晶片,所述支架或所述基板用于承載所述led晶片。

7.一種顯示器,其特征在于,包括上述權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的高色域led光源模組。


技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開了高色域LED光源模組及顯示器,高色域LED光源模組包括至少一個(gè)LED晶片、發(fā)光件,發(fā)光件安裝在LED晶片發(fā)光方向上;LED晶片包括第一量子阱層、第二量子阱層、第三量子阱層;第一量子阱層分別連接第二量子阱層與第三量子阱層;第一量子阱層為電致發(fā)光,第二量子阱層與第三量子阱層為光致發(fā)光。高色域LED光源模組中,第一量子阱層通電發(fā)射藍(lán)光,激發(fā)第二量子阱層發(fā)出綠光以及激發(fā)第三量子阱層發(fā)出紅光,最終發(fā)出的藍(lán)光、紅光、綠光組成白光光譜;LED晶片總體發(fā)射出的光譜,會(huì)激發(fā)發(fā)光件,可補(bǔ)充LED晶片發(fā)光光譜,使高色域LED光源模組具有更廣的色域,且無需增加量子膜以及量子點(diǎn)擴(kuò)散板,降低整體成本。

技術(shù)研發(fā)人員:李二成
受保護(hù)的技術(shù)使用者:微納光子(深圳)有限公司
技術(shù)研發(fā)日:20240410
技術(shù)公布日:2024/12/30
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