本技術的實施例涉及一種集成芯片。

背景技術：

1、現(xiàn)代集成芯片使用范圍廣泛的元件來實現(xiàn)不同的功能。一般來說，集成芯片包括有源元件和無源元件。有源元件包括晶體管(例如，金屬氧化物半導體場效應晶體管(mosfet))，而無源元件包括電感、電容和電阻。電阻廣泛用于電阻電容(rc)電路、電源驅(qū)動器、功率放大器、射頻(rf)應用等許多應用中。

技術實現(xiàn)思路

1、在本實用新型的一些實施例中，集成芯片包括：半導體襯底；介電結(jié)構(gòu)，設置在半導體襯底上方；電阻結(jié)構(gòu)，設置在介電結(jié)構(gòu)內(nèi)，其中電阻結(jié)構(gòu)包括薄膜電阻(tfr)層以及設置在薄膜電阻層上的第一覆蓋結(jié)構(gòu)；以及第一孔穴，設置在介電結(jié)構(gòu)內(nèi)且鄰接第一覆蓋結(jié)構(gòu)的第一側(cè)壁。

2、在本實用新型的另一些實施例中，集成芯片包括：半導體襯底；介電結(jié)構(gòu)，設置在半導體襯底上方；電阻結(jié)構(gòu)，設置在介電結(jié)構(gòu)內(nèi)，其中電阻結(jié)構(gòu)包括薄膜電阻(tfr)層、第一覆蓋結(jié)構(gòu)以及第二覆蓋結(jié)構(gòu)，其中第一覆蓋結(jié)構(gòu)和第二覆蓋結(jié)構(gòu)分別設置在薄膜電阻層的相對側(cè)；多個導通孔，設置在介電結(jié)構(gòu)內(nèi)且設置在第一覆蓋結(jié)構(gòu)和第二覆蓋結(jié)構(gòu)上方；第一空氣間隙，設置在介電結(jié)構(gòu)中且與第一覆蓋結(jié)構(gòu)相鄰；以及第二空氣間隙，設置在介電結(jié)構(gòu)中且與第二覆蓋結(jié)構(gòu)相鄰。

技術特征：

1.一種集成芯片，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的集成芯片，其特征在于，所述薄膜電阻層的第一熱膨脹系數(shù)小于所述第一覆蓋結(jié)構(gòu)的第二熱膨脹系數(shù)。

3.根據(jù)權利要求2所述的集成芯片，其特征在于，所述第一孔穴的第三熱膨脹系數(shù)大于所述第二熱膨脹系數(shù)。

4.根據(jù)權利要求1所述的集成芯片，其特征在于，所述第一孔穴橫向延伸超過所述薄膜電阻層的上表面。

5.根據(jù)權利要求1所述的集成芯片，其特征在于，所述電阻結(jié)構(gòu)還包括：

6.一種集成芯片，其特征在于，包括：

7.根據(jù)權利要求6所述的集成芯片，其特征在于，所述第一覆蓋結(jié)構(gòu)以及所述第二覆蓋結(jié)構(gòu)包括導電材料。

8.根據(jù)權利要求6所述的集成芯片，其特征在于，所述第一空氣間隙橫向包覆所述第一覆蓋結(jié)構(gòu)的外周邊。

9.根據(jù)權利要求6所述的集成芯片，其特征在于，還包括：

10.根據(jù)權利要求6所述的集成芯片，其特征在于，所述第一覆蓋結(jié)構(gòu)以及所述第二覆蓋結(jié)構(gòu)的熱膨脹系數(shù)不同于所述薄膜電阻層的熱膨脹系數(shù)，且其中所述第一空氣間隙以及所述第二空氣間隙的熱膨脹系數(shù)大于所述第一覆蓋結(jié)構(gòu)以及所述第二覆蓋結(jié)構(gòu)的所述熱膨脹系數(shù)。

技術總結(jié)
本技術的各種實施例針對包括設置在半導體襯底上的電阻結(jié)構(gòu)的集成芯片。介電結(jié)構(gòu)設置在半導體襯底上方。電阻結(jié)構(gòu)設置在介電結(jié)構(gòu)內(nèi)。電阻結(jié)構(gòu)包括薄膜電阻(TFR)層以及設置在薄膜電阻層上的第一覆蓋結(jié)構(gòu)。第一孔穴設置在介電結(jié)構(gòu)內(nèi)且鄰接第一覆蓋結(jié)構(gòu)的第一側(cè)壁。

技術研發(fā)人員：陳俊纮,吳錫榮,黃俊杰,蕭茹雄,梁育瑋,張寓鈞
受保護的技術使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術研發(fā)日：20240410
技術公布日：2025/1/9