本技術(shù)涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，尤其涉及用于銅引線鍵合封裝的半導(dǎo)體芯片的焊盤(pán)結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、在現(xiàn)有的芯片封裝技術(shù)中，引線鍵合以工藝實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單、成本低廉，適用多種封裝形式而在半導(dǎo)體的連接方式中占主導(dǎo)地位。而引線鍵合又分為球形鍵合和楔形鍵合，采用的鍵合線的材料主要有金、銀、鋁和銅，因?yàn)殂~具有更高的導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性以及金材質(zhì)高昂成本問(wèn)題，引線鍵合大多使用銅和銅合金為鍵合線材料，如常見(jiàn)的鈀涂層銅線。

2、但是，在引線鍵合時(shí)，由于銅線的材質(zhì)比金和鋁都硬，在引線鍵合打線封裝銅線時(shí)，會(huì)因?yàn)殂~比較硬和打線封裝過(guò)程中的各種參數(shù)影響，而導(dǎo)致銅線在焊盤(pán)上擠壓出現(xiàn)彈坑對(duì)芯片底下的結(jié)構(gòu)造成影響，或擠壓造成焊盤(pán)中al材質(zhì)濺出至鈍化保護(hù)膜上造成兩個(gè)焊盤(pán)之間短路。

3、因此，如何避免引線鍵合對(duì)芯片結(jié)構(gòu)損傷或引起電性能下降成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟須解決的技術(shù)問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型提供一種用于銅引線鍵合封裝的半導(dǎo)體芯片的焊盤(pán)結(jié)構(gòu)，以解決引線鍵合對(duì)芯片結(jié)構(gòu)損傷或引起電性能下降等問(wèn)題。

2、根據(jù)本實(shí)用新型的第一方面，提供了一種用于銅引線鍵合封裝的半導(dǎo)體芯片的焊盤(pán)結(jié)構(gòu)，包括：

3、金屬焊盤(pán)，矩形結(jié)構(gòu)，為所述半導(dǎo)體芯片的引出端；

4、鈍化層，覆蓋于所述半導(dǎo)體芯片的表面，對(duì)應(yīng)所述金屬焊盤(pán)的位置設(shè)置有與所述金屬焊盤(pán)大小接近的開(kāi)口；所述開(kāi)口的內(nèi)側(cè)壁表面設(shè)置有若干凸起的凸塊，以增大內(nèi)側(cè)壁表面積。

5、可選的，所述金屬焊盤(pán)為方形焊盤(pán)，對(duì)應(yīng)的所述開(kāi)口為方形開(kāi)口，所述方形開(kāi)口的四個(gè)頂角處保留所述鈍化層并與兩側(cè)相垂直的凸塊拼接成階梯狀凸塊。

6、可選的，若干所述凸塊等間距分布于所述方形開(kāi)口的四邊內(nèi)側(cè)壁上。

7、可選的，若干所述凸塊等間距分布于所述方形開(kāi)口內(nèi)切圓之外的內(nèi)側(cè)壁上。

8、可選的，所述凸塊的高度等于所述鈍化層的厚度。

9、可選的，所述凸塊的形狀近似為長(zhǎng)方體或者立方體。

10、可選的，相鄰的所述凸塊之間的間距為2um～4um；所述凸塊相對(duì)內(nèi)側(cè)壁表面凸出的長(zhǎng)度為：2um～6um。

11、可選的，所述金屬焊盤(pán)的主體金屬成分為鋁。

12、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：

13、本實(shí)用新型提供的一種用于銅引線鍵合封裝的半導(dǎo)體芯片的焊盤(pán)結(jié)構(gòu)，通過(guò)在原有的平整的鈍化層的側(cè)壁設(shè)置若干凸起的凸塊，以增大鈍化層的內(nèi)側(cè)壁的表面積，并提供金屬液滴飛濺撞擊鈍化層的緩沖，從而消除了金屬濺出金屬焊盤(pán)的開(kāi)口的現(xiàn)象。進(jìn)一步地，還可以避免金屬濺出金屬焊盤(pán)而導(dǎo)致的與其他金屬焊盤(pán)之間發(fā)生短路的現(xiàn)象。另外，相對(duì)于傳統(tǒng)的為了避免短路而設(shè)置較大各金屬焊盤(pán)間距的方案，本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案中，由于避免了短路的問(wèn)題，因此可以設(shè)置更小的金屬焊盤(pán)之間的排布間距，優(yōu)化了排布設(shè)計(jì)。

14、進(jìn)一步地，本實(shí)用新型提供的用于銅引線鍵合封裝的半導(dǎo)體芯片的焊盤(pán)結(jié)構(gòu)，針對(duì)線徑較大的銅線，通過(guò)僅在內(nèi)切圓以外的內(nèi)側(cè)壁上設(shè)置凸塊的方式，在不增加金屬焊盤(pán)面積的前提下，提供了有效地緩沖熔質(zhì)狀銅金屬向金屬焊盤(pán)的鈍化層側(cè)壁沖擊的速度，從而起到一定防濺射的作用，且便于在金屬焊盤(pán)上進(jìn)行鍵合工藝。

技術(shù)特征：

1.一種用于銅引線鍵合封裝的半導(dǎo)體芯片的焊盤(pán)結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于銅引線鍵合封裝的半導(dǎo)體芯片的焊盤(pán)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬焊盤(pán)為方形焊盤(pán)，對(duì)應(yīng)的所述開(kāi)口為方形開(kāi)口，所述方形開(kāi)口的四個(gè)頂角處保留所述鈍化層并與兩側(cè)相垂直的凸塊拼接成階梯狀凸塊。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于銅引線鍵合封裝的半導(dǎo)體芯片的焊盤(pán)結(jié)構(gòu)，其特征在于，若干所述凸塊等間距分布于所述方形開(kāi)口的四邊內(nèi)側(cè)壁上。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于銅引線鍵合封裝的半導(dǎo)體芯片的焊盤(pán)結(jié)構(gòu)，其特征在于，若干所述凸塊等間距分布于所述方形開(kāi)口內(nèi)切圓之外的內(nèi)側(cè)壁上。

5.根據(jù)權(quán)利要求2至4任一所述的用于銅引線鍵合封裝的半導(dǎo)體芯片的焊盤(pán)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸塊的高度等于所述鈍化層的厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于銅引線鍵合封裝的半導(dǎo)體芯片的焊盤(pán)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸塊的形狀近似為長(zhǎng)方體或者立方體。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于銅引線鍵合封裝的半導(dǎo)體芯片的焊盤(pán)結(jié)構(gòu)，其特征在于，相鄰的所述凸塊之間的間距為2um～4um；所述凸塊相對(duì)內(nèi)側(cè)壁表面凸出的長(zhǎng)度為：2um～6um。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于銅引線鍵合封裝的半導(dǎo)體芯片的焊盤(pán)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬焊盤(pán)的主體金屬成分為鋁。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)提供了一種用于銅引線鍵合封裝的半導(dǎo)體芯片的焊盤(pán)結(jié)構(gòu)，包括：金屬焊盤(pán)，矩形結(jié)構(gòu)，為所述半導(dǎo)體芯片的引出端；鈍化層，覆蓋于所述半導(dǎo)體芯片的表面，對(duì)應(yīng)所述金屬焊盤(pán)的位置設(shè)置有與所述金屬焊盤(pán)大小接近的開(kāi)口；所述開(kāi)口的內(nèi)側(cè)壁表面設(shè)置有若干凸起的凸塊，以增大內(nèi)側(cè)壁表面積。本技術(shù)提供的技術(shù)方案，解決了引線鍵合對(duì)芯片結(jié)構(gòu)損傷或電性能下降的問(wèn)題。

技術(shù)研發(fā)人員：羅倩如
受保護(hù)的技術(shù)使用者：廣州增芯科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240411
技術(shù)公布日：2025/1/2