本揭露關(guān)于一種堆疊式半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體晶片可以由多個(gè)裸晶組成。為了減少多個(gè)裸晶所占用的面積并提高晶片的性能，而開(kāi)發(fā)了將裸晶堆疊和整合在一起的技術(shù)?？梢允褂酶鞣N鍵合技術(shù)來(lái)形成堆疊結(jié)構(gòu)，例如晶圓與晶圓鍵合、裸晶與晶圓鍵合、裸晶與裸晶鍵合、熔融鍵合、混合鍵合(例如，包括同時(shí)進(jìn)行金屬與金屬鍵合及介電質(zhì)與介電質(zhì)鍵合)等。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、根據(jù)本揭露的一些實(shí)施例的堆疊式半導(dǎo)體裝置，包括：第一裸晶、接合至第一裸晶的第二裸晶、接合至第一裸晶的第三裸晶及散熱元件。散熱元件為一體成型，且接合至第一裸晶。并且，散熱元件鄰近于第二裸晶的至少二邊緣，且散熱元件鄰近于與第三裸晶的至少二邊緣。

2、根據(jù)本揭露的一些實(shí)施例的堆疊式半導(dǎo)體裝置，包括：第一裸晶、接合至第一裸晶的第二裸晶及散熱帽元件。并且，散熱帽元件接合至第一裸晶并覆蓋第二裸晶。另外，散熱帽元件包括覆蓋部，且覆蓋部設(shè)置在第二裸晶上方，且覆蓋部在第二裸晶上方形成有通孔。

3、根據(jù)本揭露的一些實(shí)施例的一種堆疊式半導(dǎo)體裝置，包括基板、中介層、多個(gè)裸晶及散熱元件。中介層設(shè)置在基板上方。裸晶接合至中介層，且多個(gè)裸晶通過(guò)中介層電性連接至基板。散熱元件接合至多個(gè)裸晶的至少其中一者，且散熱元件包括覆蓋部，且覆蓋部設(shè)置在多個(gè)裸晶的至少其中一者上方。

技術(shù)特征：

1.一種堆疊式半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的堆疊式半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中該散熱元件包括一覆蓋部，且該覆蓋部覆蓋該第二裸晶或該第三裸晶的至少其中一者。

3.如權(quán)利要求1所述的堆疊式半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中該散熱元件環(huán)繞該第二裸晶及該第三裸晶，且形成具有容置該第二裸晶的一第一空間及容置該第三裸晶的一第二空間；以及

4.如權(quán)利要求1所述的堆疊式半導(dǎo)體裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括：

5.如權(quán)利要求4所述的堆疊式半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中該散熱元件包括一覆蓋部，且該覆蓋部覆蓋該第二裸晶或該第三裸晶中的至少一者，且該覆蓋部設(shè)置于該散熱元件與該第二裸晶和該第三裸晶之間的該散熱膠層分別具有一第一延伸部，且該第一延伸部延伸穿過(guò)該覆蓋部。

6.一種堆疊式半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：

7.如權(quán)利要求6所述的堆疊式半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中該散熱帽元件于該覆蓋部與該散熱帽元件的一側(cè)表面的其中一者中形成有一開(kāi)口，且該開(kāi)口通過(guò)該第二裸晶所在的一空間在空間上與該覆蓋部的一通孔連通。

8.如權(quán)利要求6所述的堆疊式半導(dǎo)體裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括：

9.一種堆疊式半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：

10.如權(quán)利要求9所述的堆疊式半導(dǎo)體裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括：

技術(shù)總結(jié)
堆疊式半導(dǎo)體裝置包括第一裸晶，及接合至第一裸晶的第二裸晶、第三裸晶及散熱元件。散熱元件為一體成型，且分別鄰近于第二裸晶與第三裸晶的至少二邊緣。

技術(shù)研發(fā)人員：張任遠(yuǎn)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240430
技術(shù)公布日：2025/1/2