本揭露是關于一種晶圓堆疊。

背景技術(shù)：

1、半導體裝置用于諸如個人計算機、手機、數(shù)字相機及其他電子裝備的各種電子應用程式中。通常通過以下步驟來制造半導體裝置：在半導體基板上方按順序沉積絕緣或介電層、導電層及半導電材料層以及使用微影技術(shù)來使各種材料層圖案化以在這些材料層上形成電路元件及組件。通常在單個半導體晶圓上制造數(shù)十或數(shù)百個集成電路。

2、隨著半導體技術(shù)的進一步進階，已經(jīng)出現(xiàn)了堆疊式半導體裝置，例如三維集成電路，以進一步減小半導體裝置的實體大小。在堆疊式半導體裝置中，在不同的半導體晶圓上制造各種電路。半導體晶圓接著可彼此疊置，以實現(xiàn)半導體裝置的較小形狀因子。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、根據(jù)一些實施例，提供了晶圓堆疊，晶圓堆疊包含具有前側(cè)及背側(cè)的第一晶圓元件。晶圓堆疊亦包含具有前側(cè)及背側(cè)的第二晶圓元件，使得第二晶圓元件的前側(cè)接合至第一晶圓元件的前側(cè)。此外，晶圓堆疊包含具有前側(cè)及背側(cè)的第三晶圓元件，使得第三晶圓元件的前側(cè)接合至第二晶圓元件的背側(cè)。第一晶圓元件為系統(tǒng)晶片，且至少一光電二極管形成于第一晶圓元件的背側(cè)上。

2、根據(jù)一些實施例，提供了晶圓堆疊，晶圓堆疊包含具有前側(cè)及背側(cè)的第一晶圓元件。晶圓堆疊亦包含具有前側(cè)及背側(cè)的第二晶圓元件，使得第二晶圓元件的前側(cè)接合至第一晶圓元件的前側(cè)。至少一金屬層元件設置于第二晶圓元件的該背側(cè)。此外，晶圓堆疊包含具有前側(cè)及背側(cè)的第三晶圓元件，使得第三晶圓元件的前側(cè)接合至第二晶圓元件的背側(cè)。第三晶圓元件進一步包括設置于金屬層元件上的至少一晶體管及至少一金屬-絕緣體-金屬元件，金屬-絕緣體-金屬元件電接觸晶體管，其中晶體管為三維晶體管或平面晶體管。

3、根據(jù)一些實施例，提供了晶圓堆疊，晶圓堆疊包含具有前側(cè)及背側(cè)的第一晶圓元件。晶圓堆疊亦包含具有前側(cè)及背側(cè)的第二晶圓元件，使得第二晶圓元件的前側(cè)接合至第一晶圓元件的前側(cè)。此外，晶圓堆疊包含具有前側(cè)及背側(cè)的第三晶圓元件，使得第三晶圓元件的前側(cè)接合至第二晶圓元件的背側(cè)。第二晶圓元件包括具有位于基板的前側(cè)與背側(cè)之間的前側(cè)層及背側(cè)層基板、設置于基板上的前側(cè)介電層、設置于基板上的背側(cè)介電層。至少一金屬層元件設置于前側(cè)介電層中，至少一金屬層元件設置于背側(cè)介電層中。第二晶圓元件包括至少一通孔及至少一晶體管，通孔經(jīng)由基板接觸至少一前側(cè)金屬層元件及至少一背側(cè)金屬層元件，晶體管位于基板的背側(cè)層上且接觸設置于背側(cè)介電層中的金屬層元件。

技術(shù)特征：

1.一種晶圓堆疊，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的晶圓堆疊，其特征在于，其中該第二晶圓元件包括：

3.如權(quán)利要求2所述的晶圓堆疊，其特征在于，進一步包括電接觸該至少一晶體管的至少一金屬-絕緣體-金屬元件。

4.如權(quán)利要求3所述的晶圓堆疊，其特征在于，其中該至少一晶體管為一三維晶體管或一平面晶體管。

5.如權(quán)利要求4所述的晶圓堆疊，其特征在于，其中該第一晶圓元件進一步包括：

6.如權(quán)利要求5所述的晶圓堆疊，其特征在于，其中該第一晶圓元件進一步包括：

7.如權(quán)利要求5所述的晶圓堆疊，其特征在于，其中該第三晶圓元件進一步包括：

8.一種晶圓堆疊，其特征在于，包括：

9.一種晶圓堆疊，其特征在于，包括：

10.如權(quán)利要求9所述的晶圓堆疊，其特征在于，其中該第二晶圓元件進一步包括：

技術(shù)總結(jié)
本揭露揭示一種晶圓堆疊。晶圓堆疊包含第一晶圓元件、第二晶圓元件及第三晶圓元件的晶圓堆疊。第一晶圓元件包含前側(cè)及背側(cè)。晶圓堆疊亦包含具有前側(cè)及背側(cè)的第二晶圓元件，使得第二晶圓元件的前側(cè)接合至第一晶圓元件的前側(cè)。此外，晶圓堆疊包含具有前側(cè)及背側(cè)的第三晶圓元件，使得第三晶圓元件的前側(cè)接合至第二晶圓元件的背側(cè)。第一晶圓元件包含一或多個光電二極管形成于背側(cè)上的復合金屬網(wǎng)格陣列。

技術(shù)研發(fā)人員：楊明憲,周俊豪,魏嘉余,李國政,程仲良,陳昇照
受保護的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240430
技術(shù)公布日：2025/1/2