本技術(shù)涉及集成電路制造，尤其涉及一種具有鏤空基板的封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、隨著各技術(shù)行業(yè)對(duì)半導(dǎo)體器件的集成度和電性能的要求越來(lái)越高，封裝技術(shù)也需要適應(yīng)性的不斷發(fā)展和創(chuàng)新。多芯片堆疊封裝結(jié)構(gòu)是通過(guò)在封裝基板上設(shè)置多個(gè)功能芯片的封裝結(jié)構(gòu)。為了減小封裝結(jié)構(gòu)的尺寸，通常需要在封裝結(jié)構(gòu)最底部的封裝基板上設(shè)置通孔，使得用于電連接所述功能芯片與所述封裝基板的橋接芯片至少部分能夠位于所述通孔內(nèi)。而且，在所述封裝基板中設(shè)置通孔，還能加強(qiáng)所述封裝結(jié)構(gòu)的散熱效果，確保所述封裝結(jié)構(gòu)能夠持續(xù)、穩(wěn)定的運(yùn)行。但是，在多芯片封裝結(jié)構(gòu)中，需要確保多個(gè)所述功能芯片的高度一致，才能將多個(gè)所述功能芯片與所述橋接芯片電連接。這就限制了不同高度功能芯片的封裝適用，從而不利于封裝結(jié)構(gòu)性能的改進(jìn)和功能的擴(kuò)展。

2、因此，如何避免打破不同高度的功能芯片對(duì)多芯片封裝的限制，從而改善封裝結(jié)構(gòu)的性能并擴(kuò)展封裝結(jié)構(gòu)的功能，是當(dāng)前亟待解決的技術(shù)問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型提供一種具有鏤空基板的封裝結(jié)構(gòu)，以解決不同高度的功能芯片無(wú)法與橋接芯片電連接的問(wèn)題，從而改善封裝結(jié)構(gòu)的性能并擴(kuò)展封裝結(jié)構(gòu)的功能。

2、根據(jù)一些實(shí)施例，本實(shí)用新型提供了一種具有鏤空基板的封裝結(jié)構(gòu)，包括：

3、基板，所述基板內(nèi)具有沿第一方向貫穿所述基板的通孔，所述第一方向與所述基板的頂面垂直；

4、橋接芯片，至少部分位于所述通孔內(nèi)；

5、第一芯片結(jié)構(gòu)，位于所述基板的頂面上，所述第一芯片結(jié)構(gòu)包括第一功能芯片和位于所述第一功能芯片背離所述橋接芯片的表面上的高度補(bǔ)償層，所述第一功能芯片電連接所述橋接芯片和所述基板；

6、第二芯片結(jié)構(gòu)，位于所述基板的頂面上，所述第二芯片結(jié)構(gòu)包括第二功能芯片，所述第二功能芯片電連接所述橋接芯片和所述基板，所述第一芯片結(jié)構(gòu)與所述第二芯片結(jié)構(gòu)沿第二方向排布，所述第一芯片結(jié)構(gòu)的高度與所述第二芯片結(jié)構(gòu)的高度相等，所述第二方向與所述基板的頂面平行。

7、在一些實(shí)施例中，所述第一功能芯片包括第一芯片本體和位于所述第一芯片本體朝向所述基板的表面上的第一導(dǎo)電連接柱；

8、所述第二功能芯片包括第二芯片本體和位于所述第二芯片本體朝向所述基板的表面上的第二導(dǎo)電連接柱，所述高度補(bǔ)償層、所述第一芯片本體和所述第一導(dǎo)電連接柱三者沿所述第一方向的高度之和與所述第二芯片本體和所述第二導(dǎo)電連接柱二者沿所述第一方向的高度之和相等。

9、在一些實(shí)施例中，還包括：

10、第一散熱蓋，所述第一散熱蓋覆蓋所述高度補(bǔ)償層背離所述第一功能芯片的表面和所述第二功能芯片背離所述基板的表面。

11、在一些實(shí)施例中，還包括：

12、塑封層，塑封所述第一芯片結(jié)構(gòu)、所述第二芯片結(jié)構(gòu)和所述橋接芯，所述塑封層背離所述基板的表面與所述高度補(bǔ)償層背離所述第一功能芯片的表面以及所述第二功能芯片背離所述基板的表面平齊。

13、在一些實(shí)施例中，還包括：

14、第二散熱蓋，位于所述通孔內(nèi)，且覆蓋于所述橋接芯片背離所述第一功能芯片的表面上，所述第二散熱蓋的側(cè)壁與所述通孔的側(cè)壁接觸連接。

15、在一些實(shí)施例中，所述第二散熱蓋的尺寸與所述通孔的尺寸相同，且所述橋接芯片的尺寸小于所述通孔的尺寸。

16、在一些實(shí)施例中，所述通孔包括第一通孔以及沿所述第一方向位于所述第一通孔下方且與所述第一通孔連通的第二通孔，所述第二通孔的內(nèi)徑大于所述第一通孔的內(nèi)徑，所述橋接芯片位于所述第一通孔內(nèi)；所述具有鏤空基板的封裝結(jié)構(gòu)還包括：

17、第二散熱蓋，位于所述第二通孔內(nèi)，且覆蓋于所述橋接芯片背離所述第一功能芯片的表面上。

18、在一些實(shí)施例中，所述第二散熱蓋背離所述橋接芯片的表面與所述基板的底面平齊；或者，

19、所述第二散熱蓋全部位于所述第二通孔內(nèi)，在沿所述第一方向上，所述第二散熱蓋背離所述橋接芯片的表面與所述基板的底面之間具有一間隙。

20、在一些實(shí)施例中，還包括：

21、支撐結(jié)構(gòu)，位于所述橋接芯片朝向所述第一功能芯片和所述第二功能芯片的表面上；

22、第三導(dǎo)電連接柱，位于所述橋接芯片朝向所述第一功能芯片的表面上，且所述第三導(dǎo)電連接柱沿所述第一方向貫穿所述支撐結(jié)構(gòu)，所述第三導(dǎo)電連接柱電連接所述橋接芯片和所述第一功能芯片；

23、第四導(dǎo)電連接柱，位于所述橋接芯片朝向所述第二功能芯片的表面上，且所述第四導(dǎo)電連接柱沿所述第一方向貫穿所述支撐結(jié)構(gòu)，所述第四導(dǎo)電連接柱電連接所述橋接芯片和所述第二功能芯片。

24、在一些實(shí)施例中，所述支撐結(jié)構(gòu)包括絕緣支撐網(wǎng)體、填充于所述絕緣支撐網(wǎng)體內(nèi)的填充膠、以及均貫穿所述絕緣支撐網(wǎng)體的第一通孔和第二通孔，所述第三導(dǎo)電連接柱位于所述第一通孔內(nèi)，所述第四導(dǎo)電連接柱位于所述第二通孔內(nèi)。

25、在一些實(shí)施例中，所述支撐結(jié)構(gòu)還包括填充于所述絕緣支撐網(wǎng)體內(nèi)的導(dǎo)熱粒子，且所述導(dǎo)熱粒子在所述絕緣支撐網(wǎng)體內(nèi)均勻分布。

26、本實(shí)用新型提供的具有鏤空基板的封裝結(jié)構(gòu)，通過(guò)在基板的頂面上設(shè)置包括第一功能芯片的第一芯片結(jié)構(gòu)和包括第二功能芯片的第二芯片結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)多芯片封裝，從而提高了封裝結(jié)構(gòu)的集成度。同時(shí)，通過(guò)在所述第一功能芯片背離所述基板的一側(cè)設(shè)置高度補(bǔ)償層，所述第一芯片結(jié)構(gòu)的高度與所述第二芯片結(jié)構(gòu)的高度相等，即所述第一功能芯片的高度與所述高度補(bǔ)償層的高度之和與所述第二功能芯片的高度相等，從而使得經(jīng)高度補(bǔ)償后的所述第一功能芯片和所述第二功能芯片能夠同時(shí)與所述橋接芯片電連接，實(shí)現(xiàn)了不同高度的功能芯片與橋接芯片的電連接，打破了功能芯片的高度對(duì)多芯片封裝的限制，從而改善封裝結(jié)構(gòu)的性能并擴(kuò)展封裝結(jié)構(gòu)的功能。

技術(shù)特征：

1.一種具有鏤空基板的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有鏤空基板的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一功能芯片包括第一芯片本體和位于所述第一芯片本體朝向所述基板的表面上的第一導(dǎo)電連接柱；

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有鏤空基板的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有鏤空基板的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有鏤空基板的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的具有鏤空基板的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二散熱蓋的尺寸與所述通孔的尺寸相同，且所述橋接芯片的尺寸小于所述通孔的尺寸。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有鏤空基板的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述通孔包括第一通孔以及沿所述第一方向位于所述第一通孔下方且與所述第一通孔連通的第二通孔，所述第二通孔的內(nèi)徑大于所述第一通孔的內(nèi)徑，所述橋接芯片位于所述第一通孔內(nèi)；所述具有鏤空基板的封裝結(jié)構(gòu)還包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有鏤空基板的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二散熱蓋背離所述橋接芯片的表面與所述基板的底面平齊；或者，

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有鏤空基板的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的具有鏤空基板的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述支撐結(jié)構(gòu)包括絕緣支撐網(wǎng)體、填充于所述絕緣支撐網(wǎng)體內(nèi)的填充膠、以及均貫穿所述絕緣支撐網(wǎng)體的第一通孔和第二通孔，所述第三導(dǎo)電連接柱位于所述第一通孔內(nèi)，所述第四導(dǎo)電連接柱位于所述第二通孔內(nèi)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的具有鏤空基板的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述支撐結(jié)構(gòu)還包括填充于所述絕緣支撐網(wǎng)體內(nèi)的導(dǎo)熱粒子，且所述導(dǎo)熱粒子在所述絕緣支撐網(wǎng)體內(nèi)均勻分布。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及一種具有鏤空基板的封裝結(jié)構(gòu)。所述具有鏤空基板的封裝結(jié)構(gòu)包括：基板，基板內(nèi)具有沿第一方向貫穿基板的通孔；橋接芯片，至少部分位于通孔內(nèi)；第一芯片結(jié)構(gòu)，位于基板的頂面上，第一芯片結(jié)構(gòu)包括第一功能芯片和位于第一功能芯片背離橋接芯片的表面上的高度補(bǔ)償層，第一功能芯片電連接橋接芯片和基板；第二芯片結(jié)構(gòu)，位于基板的頂面上，第二芯片結(jié)構(gòu)包括第二功能芯片，第二功能芯片電連接橋接芯片和基板，第一芯片結(jié)構(gòu)與第二芯片結(jié)構(gòu)沿第二方向排布，第一芯片結(jié)構(gòu)的高度與第二芯片結(jié)構(gòu)的高度相等。本技術(shù)實(shí)現(xiàn)了不同高度的功能芯片與橋接芯片的電連接，打破了功能芯片的高度對(duì)多芯片封裝的限制。

技術(shù)研發(fā)人員：韓陽(yáng)陽(yáng),王亞琴
受保護(hù)的技術(shù)使用者：長(zhǎng)電科技管理有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240430
技術(shù)公布日：2024/12/30