本揭露的實施例實質是關于一種影像感測裝置。

背景技術：

1、互補金氧半導體(complementary?metal?oxide?semiconductor；cmos)影像感測器可以包含多個像素感測器。cmos影像感測器的像素感測器可以包含轉移柵極晶體管，其可以包含光電二極管和轉移柵極，其中光電二極管配置以將入射光的光子轉換為電子的光電流，轉移柵極配置以控制光電二極管和漏極區(qū)之間的光電流的流動。可以配置漏極區(qū)以接收光電流，使得光電流可以被測量和/或被轉移至cmos影像感測器的其他區(qū)域。

技術實現(xiàn)思路

1、一種影像感測裝置包含感測晶粒以及電路晶粒。電路晶粒與感測晶粒在接合界面接合，以及其中感測晶粒包含像素感測器，像素感測器包含感測區(qū)以及控制電路區(qū)。感測區(qū)包含位于感測晶粒的裝置區(qū)的光電二極管?？刂齐娐穮^(qū)位于裝置區(qū)的下方，包含轉移柵極晶體管、重置柵極晶體管、多個源極隨耦晶體管、電容器以及列選擇晶體管。重置柵極晶體管與轉移柵極晶體管電性連接，多個源極隨耦晶體管與轉移柵極晶體管和重置柵極晶體管電性連接，電容器與此些源極隨耦晶體管電性連接，列選擇晶體管與電容器電性連接。

2、一種影像感測裝置包含感測晶粒、電路晶粒及電容器。感測晶粒包含像素感測器的感測區(qū)中的光電二極管，其中像素感測器包含在像素感測器陣列中；轉移柵極晶體管，包含在感測晶粒的第一控制電路區(qū)中，與光電二極管電性連接；重置柵極晶體管，包含在第一控制電路區(qū)中，與轉移柵極晶體管電性連接；以及列選擇晶體管，包含在第一控制電路區(qū)中。電路晶粒包含多個源極隨耦晶體管，包含在與像素感測器相關的第二控制電路區(qū)中。電容器包含在感測晶?；螂娐肪Я５闹辽僖徽咧?，其中電容器與列選擇晶體管和此些源極隨耦晶體管電性連接。

3、一種影像感測裝置包含感測晶粒以及電路晶粒。感測晶粒包含像素感測器。像素感測器包含感測區(qū)以及第一控制電路區(qū)。感測區(qū)包含感測晶粒的裝置區(qū)中的光電二極管。第一控制電路區(qū)位于感測區(qū)下方，包含轉移柵極晶體管、重置柵極晶體管、多個源極隨耦晶體管以及列選擇晶體管。重置柵極晶體管與轉移柵極晶體管電性連接。多個源極隨耦晶體管與轉移柵極晶體管和重置柵極晶體管電性連接。電路晶粒與感測晶粒在接合界面接合，包含第二控制電路區(qū)。第二控制電路區(qū)包含電容器，此電容器與此些源極隨耦晶體管和此列選擇晶體管電性連接。

技術特征：

1.一種影像感測裝置，其特征在于，包含：

2.一種影像感測裝置，其特征在于，包含：

3.一種影像感測裝置，其特征在于，包含：

4.如權利要求1、2或3所述的影像感測裝置，其特征在于，其中該電容器包含于該感測晶粒的一后段工藝區(qū)中。

5.如權利要求4所述的影像感測裝置，其特征在于，其中所述多個源極隨耦晶體管和該電容器與該感測晶粒的該后段工藝區(qū)中的一相同金屬化層電性連接。

6.如權利要求4所述的影像感測裝置，其特征在于，其中所述多個源極隨耦晶體管與該感測晶粒的該后段工藝區(qū)中的一第一金屬化層電性連接；

7.如權利要求1或3所述的影像感測裝置，其特征在于，其中該感測晶粒還包含：

8.如權利要求7所述的影像感測裝置，其特征在于，其中該感測晶粒還包含：

9.如權利要求1、2或3所述的影像感測裝置，其特征在于，其中該電容器垂直地位于所述多個源極隨耦晶體管的下方。

10.如權利要求1、2或3所述的影像感測裝置，其特征在于，其中該感測晶粒還包含：

技術總結
一種影像感測裝置，包含：包含多個像素感測器的像素感測器陣列。多個晶體管可以與影像感測裝置的后段工藝區(qū)電性連接。影像感測裝置還可以包含接合焊墊區(qū)，其中包含接合焊墊。介電插塞可以圍繞接合焊墊的一部分，且可以完全地延伸穿過半導體裝置區(qū)，以為像素感測器陣列的像素感測器提供電性、熱和/或光隔離。另外地和/或替代地，影像感測裝置的BEOL區(qū)中的一個或多個電容器。一個或多個電容器可以使由一個或多個像素感測器所產(chǎn)生的光電流，能夠直接從一個或多個源極隨耦晶體管轉移至一個或多個電容器以用于儲存。

技術研發(fā)人員：謝豐鍵,鄭允瑋,胡維禮,李國政,吳振銘
受保護的技術使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術研發(fā)日：20240507
技術公布日：2025/1/2