本申請涉及一種導(dǎo)電凸塊結(jié)構(gòu)，尤指一種形成于半導(dǎo)體基板上的導(dǎo)電凸塊結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、相較于打線接合(wire?bond)技術(shù)，倒裝芯片封裝(flip?chip?package)的特征在于半導(dǎo)體芯片與封裝基板間的電性連接通過金屬凸塊而非一般的金線。利用金屬凸塊作為電性連接的元件，具有縮短電性傳導(dǎo)路徑、提升效能、提供散熱路徑及縮小封裝件體積等優(yōu)點(diǎn)，因而成為封裝的趨勢。

2、然而，當(dāng)半導(dǎo)體芯片通過該金屬凸塊以倒裝方式熱壓于封裝基板上時，常因熱應(yīng)力使封裝基板對該金屬凸塊產(chǎn)生下拉的剝離力，造成半導(dǎo)體芯片內(nèi)部的介電層及/或金屬層斷裂毀損，嚴(yán)重影響封裝件的信賴性及可靠度。

3、因此，如何克服上述現(xiàn)有技術(shù)的問題，實(shí)已成目前亟欲解決的課題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的缺失，本申請?zhí)峁┮环N導(dǎo)電凸塊結(jié)構(gòu)，其形成于半導(dǎo)體基板的焊墊上，其包括：保護(hù)層，設(shè)于該半導(dǎo)體基板上，并對應(yīng)該焊墊處形成有開孔，以外露出該焊墊；絕緣層，對應(yīng)該開孔周圍設(shè)于該保護(hù)層上，該絕緣層定義有接近該開孔的第一區(qū)塊及遠(yuǎn)離該開孔的第二區(qū)塊，其中，該第一區(qū)塊具有第一厚度及第一寬度，該第二區(qū)塊具有第二厚度及第二寬度，且該第二厚度大于第一厚度，該第二寬度大于第一寬度；以及金屬凸塊，其對應(yīng)該開孔處形成于該焊墊及該絕緣層上，其中，該金屬凸塊覆蓋該焊墊及該絕緣層的第一區(qū)塊，而未覆蓋該絕緣層的第二區(qū)塊。

2、前述的導(dǎo)電凸塊結(jié)構(gòu)中，還包括金屬層，其形成于該金屬凸塊與該焊墊的間。

3、前述的導(dǎo)電凸塊結(jié)構(gòu)中，該金屬層覆蓋該焊墊、部分該保護(hù)層以及該絕緣層的第一區(qū)塊，但未覆蓋該絕緣層的第二區(qū)塊。

4、前述的導(dǎo)電凸塊結(jié)構(gòu)中，該金屬層為凸塊底下金屬層。

5、前述的導(dǎo)電凸塊結(jié)構(gòu)中，該保護(hù)層為鈍化層。

6、前述的導(dǎo)電凸塊結(jié)構(gòu)中，該絕緣層為聚酰亞胺層。

7、前述的導(dǎo)電凸塊結(jié)構(gòu)中，該絕緣層為封閉的環(huán)形結(jié)構(gòu)。

8、前述的導(dǎo)電凸塊結(jié)構(gòu)中，該絕緣層為具有開槽的環(huán)形結(jié)構(gòu)。

9、前述的導(dǎo)電凸塊結(jié)構(gòu)中，該第二厚度為第一厚度的至少二倍。

10、前述的導(dǎo)電凸塊結(jié)構(gòu)中，該第二寬度為第一寬度的至少二倍。

11、由上可知，本申請的導(dǎo)電凸塊結(jié)構(gòu)主要在半導(dǎo)體基板的焊墊上依序形成有保護(hù)層、絕緣層、金屬層及金屬凸塊，其中，該絕緣層未被該金屬凸塊所覆蓋的第二區(qū)塊的厚度及寬度分別大于被該金屬凸塊所覆蓋的第一區(qū)塊的厚度及寬度，據(jù)此，可降低半導(dǎo)體基板所受應(yīng)力，避免于熱制程時造成半導(dǎo)體基板內(nèi)部斷損問題。

技術(shù)特征：

1.一種導(dǎo)電凸塊結(jié)構(gòu)，形成于半導(dǎo)體基板的焊墊上，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該結(jié)構(gòu)還包括形成于該金屬凸塊與該焊墊之間的金屬層。

3.如權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該金屬層覆蓋該焊墊、部分該保護(hù)層以及該絕緣層的第一區(qū)塊，但未覆蓋該絕緣層的第二區(qū)塊。

4.如權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該金屬層為凸塊底下金屬層。

5.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該保護(hù)層為鈍化層。

6.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該絕緣層為聚酰亞胺層。

7.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該絕緣層為封閉的環(huán)形結(jié)構(gòu)。

8.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該絕緣層為具有開槽的環(huán)形結(jié)構(gòu)。

9.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二厚度為第一厚度的至少二倍。

10.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二寬度為第一寬度的至少二倍。

技術(shù)總結(jié)
一種導(dǎo)電凸塊結(jié)構(gòu)，主要在半導(dǎo)體基板的焊墊上依序形成有保護(hù)層、絕緣層、金屬層及金屬凸塊，其中，該絕緣層未被該金屬凸塊所覆蓋的第二區(qū)塊的厚度及寬度分別大于被該金屬凸塊所覆蓋的第一區(qū)塊的厚度及寬度，據(jù)此降低半導(dǎo)體基板所受應(yīng)力。

技術(shù)研發(fā)人員：曾姿綺,林志生,施智元
受保護(hù)的技術(shù)使用者：矽品精密工業(yè)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240507
技術(shù)公布日：2024/12/30