本技術(shù)涉及一種電感器件，尤其涉及一種有助于drmos元件散熱的電感器及其面向pcb板的裝接結(jié)構(gòu)，屬于基本電子元器件。

背景技術(shù)：

1、電感是電子設(shè)備中最為常用的一種元器件，被廣泛地使用于各類電路中，可以達到濾波、儲能、匹配、諧振之功用。在電子產(chǎn)品日趨小型化，便攜式，組件高密度裝配下，電感組件得以快速發(fā)展；且在電磁兼容的考慮下，電子產(chǎn)品的抗電磁干擾能力更成為基本的設(shè)計要求，由此加重了電感需求及應(yīng)用。

2、三合一封裝的drmos元件面積是分離mosfet的四分之一，功率密度是分離mosfet的三倍，增加了超電壓和超頻的潛力。應(yīng)用drmos元件的主板能擁有節(jié)能、高效能超頻、低溫等特色。它能夠在主板高負荷運作時，實現(xiàn)主板更高的用電效率，減少能源浪費，進而達到省電的效果。此外，系統(tǒng)在高負荷運作時，drmos元件的發(fā)熱量低，溫度要比傳統(tǒng)供電部分的mosfet溫度約低一半。但是，drmos元件工作狀態(tài)下發(fā)熱的溫度依舊維持在65℃以上，這將不利于帶來更穩(wěn)定的工作效率。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、鑒于現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺陷，本實用新型的目的是提出一種有助于drmos元件散熱的電感器，致力于提升直流壓降電路的轉(zhuǎn)化效率。

2、本實用新型實現(xiàn)上述目的的技術(shù)解決方案是：一種有助于drmos元件散熱的電感器，為具有金屬電芯的一體封裝成型體，其特征在于：所述電感器的底部設(shè)置凹槽，且所述凹槽適于pcb板所接設(shè)的任一drmos元件相容其中，所述電感器接設(shè)于pcb板并疊置于drmos元件上，且所述drmos元件與凹槽之間由導(dǎo)熱膠連接在一起。

3、進一步地，所述電感器中的金屬電芯為由扁平線纜彎折成型的倒u型線圈，且倒u型線圈的兩端朝下成型為電極接腳。

4、進一步地，所述電感器中的金屬電芯為由圓線繞卷成型的閉環(huán)線圈，且閉環(huán)線圈的兩端同向彎折延伸、成型為電極接腳。

5、進一步地，所述電感器在金屬電芯外部設(shè)有經(jīng)冷壓或熱壓及烘烤固化的、長方體形的封裝外殼。

6、進一步地，所述電感器在金屬電芯外部設(shè)有經(jīng)高溫?zé)Y(jié)及退火的、長方體形的封裝外殼。

7、更進一步地，所述封裝外殼的成型模具在對應(yīng)電感器的電極接腳之間設(shè)有用于成型凹槽的凸臺。

8、進一步地，所述drmos元件為包含開關(guān)mos與驅(qū)動晶片的塑封芯片或芯體。

9、與現(xiàn)有技術(shù)相比，應(yīng)用本實用新型電感器的優(yōu)點體現(xiàn)于：利用電感器與pcb板上的drmos元件上下疊置，并通過導(dǎo)熱膠將兩者表面連接成一體，使得drmos元件的發(fā)熱通過電感器快速散逸，該控溫結(jié)構(gòu)更有利于提升dc-dc降壓式變壓器電路的轉(zhuǎn)化效率。

技術(shù)特征：

1.有助于drmos元件散熱的電感器，為具有金屬電芯的一體封裝成型體，其特征在于：所述電感器的底部設(shè)置凹槽，且所述凹槽適于pcb板所接設(shè)的任一drmos元件相容其中，所述電感器接設(shè)于pcb板并疊置于drmos元件上，且所述drmos元件與凹槽之間由導(dǎo)熱膠連接在一起。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述有助于drmos元件散熱的電感器，其特征在于：所述電感器中的金屬電芯為由扁平線纜彎折成型的倒u型線圈，且倒u型線圈的兩端朝下成型為電極接腳。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述有助于drmos元件散熱的電感器，其特征在于：所述電感器中的金屬電芯為由圓線繞卷成型的閉環(huán)線圈，且閉環(huán)線圈的兩端同向彎折延伸、成型為電極接腳。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述有助于drmos元件散熱的電感器，其特征在于：所述電感器在金屬電芯外部設(shè)有經(jīng)冷壓或熱壓及烘烤固化的、長方體形的封裝外殼。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述有助于drmos元件散熱的電感器，其特征在于：所述電感器在金屬電芯外部設(shè)有經(jīng)高溫?zé)Y(jié)及退火的、長方體形的封裝外殼。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述有助于drmos元件散熱的電感器，其特征在于：所述封裝外殼的成型模具在對應(yīng)電感器的電極接腳之間設(shè)有用于成型凹槽的凸臺。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述有助于drmos元件散熱的電感器，其特征在于：所述drmos元件為包含開關(guān)mos與驅(qū)動晶片的塑封芯片或芯體。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)揭示了一種有助于DrMOS元件散熱的電感器，為具有金屬電芯的一體封裝成型體。該電感器的底部設(shè)置凹槽，且該凹槽適于PCB板所接設(shè)的任一DrMOS元件相容其中，該電感器接設(shè)于PCB板并疊置于DrMOS元件上，且該DrMOS元件與凹槽之間由導(dǎo)熱膠連接在一起，由表面積數(shù)倍增大的電感器表面輔助散熱。應(yīng)用本技術(shù)該電感器結(jié)構(gòu)，隨著DrMOS元件的發(fā)熱通過電感器快速散逸而得到有效控溫，從而更有利于提升DC?DC降壓式變壓器電路的轉(zhuǎn)化效率。

技術(shù)研發(fā)人員：饒金火,林伙利,王俊文,魏大韋
受保護的技術(shù)使用者：三積瑞科技（蘇州）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240510
技術(shù)公布日：2025/1/9