本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體封裝，具體涉及一種封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、ic(integrated?circuit，集成電路)產(chǎn)業(yè)常用的模塑封裝有兩大類(lèi)，即轉(zhuǎn)注成型(transfer?molding，t-molding)和壓塑成型(compression?molding，c-molding)。

2、參考圖1，圖1是目前的t-molding方案的示意圖。如圖1中的(a)所示，該方案是將封裝體01放在模具02內(nèi)，然后從模具02的一側(cè)注入環(huán)氧樹(shù)脂模塑料(epoxy?moldingcompound，emc)，透過(guò)單方向的擠壓、加熱，使emc流動(dòng)而產(chǎn)生的模流由封裝體01一側(cè)沿模流方向包覆至另一側(cè)。如圖1中的(a)所示，模具02內(nèi)裝有5個(gè)封裝體01，中央?yún)^(qū)域少放了一個(gè)封裝體01，模具02內(nèi)模流的方向大致如圖中箭頭所示，缺少封裝體01的中央?yún)^(qū)域的模流速度最快，兩邊的封裝體01所在的區(qū)域的模流速度最慢，兩側(cè)邊緣的模流速度位于前兩者之間。

3、參考圖1中的(b)，其示出了模具02內(nèi)裝滿封裝體01的情況下的模流情況，模流的方向大致如圖中的箭頭所示，為使模流方向更清楚，圖中省略了封裝體01。如圖1中的(b)所示，中間的模流速度較慢，兩側(cè)邊緣的模流速度較快，因此兩側(cè)的模流抵達(dá)另一側(cè)后會(huì)進(jìn)行回包，而在回包的區(qū)域容易產(chǎn)生空泡03。

4、t-molding方案的缺點(diǎn)是，當(dāng)封裝體01的尺寸增大，模流的距離增長(zhǎng)，在末端的模流就無(wú)法如一開(kāi)始的順利流動(dòng)，容易產(chǎn)生空泡03和填充材(filler)不均勻的問(wèn)題。另外，也需要考慮封裝體01的電子元件受到模流壓力是否導(dǎo)致?lián)p壞。還需要考慮模具02內(nèi)封裝體01分布不均勻和/或封裝體01的電子元件分布不均勻?qū)е履Ａ鞯牧魉俨罹?，而影響模封效果?/p>

5、參考圖2，圖2是目前的c-molding方案的示意圖。該方案是先將emc?04置于模具02內(nèi)并熔融，然后將封裝體01由上往下浸潤(rùn)在熔融的emc?04中，達(dá)成模封。此方法避開(kāi)了模流距離的問(wèn)題，但其問(wèn)題是如果封裝體01是裸晶產(chǎn)品，裸晶產(chǎn)品在經(jīng)過(guò)c-molding后不能直接露出，無(wú)法雙面出i/o(輸入輸出端子)，或是emc?04會(huì)包覆在產(chǎn)品表面導(dǎo)致產(chǎn)品表面無(wú)法露出。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)?zhí)岢鲆环N封裝結(jié)構(gòu)。

2、本申請(qǐng)?zhí)岢龅囊环N封裝結(jié)構(gòu)，包括：下基板；電子元件，包括第一電子元件，所述第一電子元件電性連接所述下基板；上基板，電性連接所述第一電子元件；模封層，包覆所述第一電子元件，且包含一下表面，所述模封層的下表面暴露出所述第一電子元件，且所述模封層的下表面與所述下基板之間存在間隙。

3、在一些可選的實(shí)施方式中，所述上基板的上表面具有第一焊墊，所述下基板的下表面具有第二焊墊，所述第一焊墊的寬度大于所述第二焊墊。

4、在一些可選的實(shí)施方式中，所述第一焊墊被配置成用于電源供應(yīng)，所述第二焊墊被配置成用于信號(hào)傳導(dǎo)。

5、在一些可選的實(shí)施方式中，所述電子元件還包括第二電子元件，所述第二電子元件的垂直高度小于所述第一電子元件。

6、在一些可選的實(shí)施方式中，還包括連接于所述第二電子元件和所述上基板之間的墊高件。

7、在一些可選的實(shí)施方式中，所述墊高件為具有具備導(dǎo)熱效果的金屬件。

8、在一些可選的實(shí)施方式中，所述模封層包括多個(gè)填充材。

9、在一些可選的實(shí)施方式中，所述第二電子元件的下表面與所述模封層的下表面的垂直距離小于兩個(gè)所述填充材的直徑之和。

10、在一些可選的實(shí)施方式中，還包括電連接件，連接所述電子元件和所述下基板。

11、在一些可選的實(shí)施方式中，所述封裝結(jié)構(gòu)的尺寸的大于7mm×7mm。

12、在一些可選的實(shí)施方式中，所述模封層包覆所述上基板的下表面。

13、在一些可選的實(shí)施方式中，所述電連接件為焊球或焊料凸塊。

14、在一些可選的實(shí)施方式中，所述第一電子元件為無(wú)源器件。

15、在一些可選的實(shí)施方式中，所述第二電子元件為有源器件，主動(dòng)面朝向所述下基板。

16、在一些可選的實(shí)施方式中，所述上基板的上表面包括阻焊劑，和/或，所述下基板的下表面包括阻焊劑。

17、為了解決c-molding方案中裸晶產(chǎn)品會(huì)被emc包覆而不能直接露出的技術(shù)問(wèn)題，本申請(qǐng)?zhí)岢隽艘环N封裝結(jié)構(gòu)，將模封材(例如emc)設(shè)置在下基板和上基板之間以包覆電子元件，并且模封層的下表面與下基板之間存在間隙，并且模封層的下表面露出第一電子元件，該種封裝結(jié)構(gòu)適于采用c-molding方式進(jìn)行模封，具體為將電子元件設(shè)置到上基板上之后進(jìn)行模封，此時(shí)可以通過(guò)研磨(grinding)方式使電子元件從模封層露出，然后再連接下基板，且模封層與下基板之間存在縫隙，以此，可以方便的完成模封封裝，對(duì)電子元件進(jìn)行包覆保護(hù)，同時(shí)可以使產(chǎn)品的一側(cè)主動(dòng)面(上基板的上表面)露出、供電連接。

技術(shù)特征：

1.一種封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述上基板的上表面具有第一焊墊，所述下基板的下表面具有第二焊墊，所述第一焊墊的寬度大于所述第二焊墊。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一焊墊被配置成用于電源供應(yīng)，所述第二焊墊被配置成用于信號(hào)傳導(dǎo)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電子元件還包括第二電子元件，所述第二電子元件的垂直高度小于所述第一電子元件。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括連接于所述第二電子元件和所述上基板之間的墊高件。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述墊高件為具有具備導(dǎo)熱性的金屬件。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述模封層包括多個(gè)填充材。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二電子元件的下表面與所述模封層的下表面的垂直距離小于兩個(gè)所述填充材的直徑之和。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括電連接件，連接所述電子元件和所述下基板。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)的尺寸的大于7mm×7mm。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)?zhí)岢隽艘环N封裝結(jié)構(gòu)，該封裝結(jié)構(gòu)包括：下基板；電子元件，包括第一電子元件，所述第一電子元件電性連接所述下基板；上基板，電性連接所述第一電子元件；模封層，包覆所述第一電子元件，且包含一下表面，所述模封層的下表面暴露出所述第一電子元件，且所述模封層的下表面與所述下基板之間存在間隙。本申請(qǐng)封裝結(jié)構(gòu)適于采用壓塑成型方式進(jìn)行模封，具體為將電子元件設(shè)置到上基板上之后進(jìn)行模封，此時(shí)可以通過(guò)研磨方式使電子元件從模封層露出，然后再連接下基板，且模封層與下基板之間存在縫隙，以此，可以方便的完成模封封裝，對(duì)電子元件進(jìn)行包覆保護(hù)，同時(shí)可以使產(chǎn)品的一側(cè)主動(dòng)面(上基板的上表面)露出、供電連接。

技術(shù)研發(fā)人員：謝濠至
受保護(hù)的技術(shù)使用者：日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240510
技術(shù)公布日：2025/1/6