本技術涉及一種抑制漏極電壓過沖的碳化硅vdmos。

背景技術：

1、碳化硅vdmos作為碳化硅功率器件中的代表性器件，在電動汽車、航空航天、電力轉換等領域有廣泛的應用。溝槽柵的碳化硅vdmos導通電阻低，但是柵極可靠性一直以內沒能完美解決；在高壓應用中，反向漏電隨著電壓等級的提高越發(fā)嚴重，抑制反向漏電成為特高壓輸電用器件亟需解決的問題。

技術實現(xiàn)思路

1、本實用新型要解決的技術問題，在于提供一種抑制漏極電壓過沖的碳化硅vdmos，有效抑制漏極的電壓過沖，避免漏極泄露過來的電流對碳化硅vdmos的柵極產生大電場而出現(xiàn)失效的情況。

2、本實用新型是這樣實現(xiàn)的：一種抑制漏極電壓過沖的碳化硅vdmos，包括：

3、碳化硅襯底，

4、漂移層，所述漂移層的下側面連接至所述碳化硅襯底的上側面；

5、漏電抑制區(qū)，所述漏電抑制區(qū)下側面連接至所述漂移層上側面；

6、導電區(qū)，所述導電區(qū)穿過所述漏電抑制區(qū)，且所述導電區(qū)下側面連接至所述漂移層上側面；

7、柵介質層，所述柵介質層下側面連接至所述漏電抑制區(qū)上側面，所述柵介質層一側面連接至所述導電區(qū)的側面；所述柵介質層內設有溝槽；

8、柵極金屬層，所述柵極金屬層設于所述溝槽內；

9、漏極金屬層，所述漏極金屬層下側面連接至所述導電區(qū)上側面；

10、以及，漏極金屬層，所述漏極金屬層連接至所述碳化硅襯底的下側面。

11、本實用新型的優(yōu)點在于：

12、一、器件內部包含漏電抑制區(qū)，可以有效抑制漏極的電壓過沖，避免漏極泄露過來的電流對碳化硅vdmos的柵極產生大電場而出現(xiàn)失效的情況；二、漏電抑制區(qū)可以有效抑制器件關斷時，漏極高壓產生的反向電流，減小反向漏電，降低關態(tài)損耗；三、器件柵極采用的是溝槽柵，溝槽柵底部柵介質直接與漏電抑制區(qū)相接，底部柵介質厚度是增加了漏電抑制區(qū)厚度，器件柵極拐角處的電場集中問題由等效更厚的底部柵介質解決，提高了柵極的可靠性；四、器件的源極金屬直接與導電區(qū)相接，其jfet區(qū)的導通電阻更小，降低了器件的導通電阻；五、器件在柵極為負壓-10v時關斷，在0v時導通，為負壓控制器件。

技術特征：

1.一種抑制漏極電壓過沖的碳化硅vdmos，其特征在于，包括：

2.如權利要求1所述的一種抑制漏極電壓過沖的碳化硅vdmos，其特征在于，所述漏電抑制區(qū)和柵介質層均為二氧化硅。

3.如權利要求1所述的一種抑制漏極電壓過沖的碳化硅vdmos，其特征在于，所述碳化硅襯底、漂移層、導電區(qū)均為n型。

技術總結
本技術提供了一種抑制漏極電壓過沖的碳化硅VDMOS，包括：漂移層的下側面連接至碳化硅襯底的上側面；漏電抑制區(qū)下側面連接至漂移層上側面；導電區(qū)，導電區(qū)穿過漏電抑制區(qū)，且導電區(qū)下側面連接至漂移層上側面；柵介質層，柵介質層下側面連接至漏電抑制區(qū)上側面，柵介質層一側面連接至導電區(qū)的側面；柵介質層內設有溝槽；柵極金屬層，柵極金屬層設于溝槽內；漏極金屬層，漏極金屬層下側面連接至導電區(qū)上側面；以及，漏極金屬層，漏極金屬層連接至碳化硅襯底的下側面，有效抑制漏極的電壓過沖，避免漏極泄露過來的電流對碳化硅VDMOS的柵極產生大電場而出現(xiàn)失效的情況。

技術研發(fā)人員：李昀佶,張長沙,陳彤,張瑜潔
受保護的技術使用者：泰科天潤半導體科技（北京）有限公司
技術研發(fā)日：20240510
技術公布日：2025/1/2