本技術(shù)屬于電子元器件，尤其是涉及一種低溫升高絕緣一體灌封逆變器功率電感。

背景技術(shù)：

1、差模電感，一種對差模高頻干擾感抗顯著增大的電感，亦稱差模扼制線圈。其磁芯材料豐富多樣，其中鐵硅鋁磁粉芯以其單位體積成本最低的特性，成為民用差模電感制作的首選。然而，這種材料鐵損較大，電感工作時(shí)溫升明顯。相對而言，低鐵損鐵鎳50和鐵鎳鉬磁粉芯雖然單位體積成本較高，但它們在軍用和一些對體積與性能要求嚴(yán)格的場合中，展現(xiàn)出了無可替代的優(yōu)勢。

2、在交流電的應(yīng)用中，差模電感的表現(xiàn)尤為關(guān)鍵。當(dāng)交流電頻率保持恒定，電感量越大，對交流電的阻礙能力便越強(qiáng)；反之，電感量小，阻礙能力則減弱。而在電感量保持一定的情況下，交流電的頻率與電感的阻礙能力成正比，頻率越高，阻礙能力越強(qiáng)；頻率越低，阻礙能力則減弱。因此，電感具有阻止交流電通過而讓直流電通過的特性。理想中的電感純凈無瑕，不含電容成分使交流電通過，也不含電阻使直流電通過，且無損耗，能夠完全阻止交流電的通過。

3、然而，在現(xiàn)實(shí)的電感制作中，傳統(tǒng)的做法是使用異性塊狀磁芯組合，然后裝入鋁殼內(nèi)并灌封導(dǎo)熱膠。這種方式雖然能夠?qū)崿F(xiàn)電感的散熱，但由于導(dǎo)熱硅膠的導(dǎo)熱系數(shù)較低，通常僅在0.8至2.0w范圍內(nèi)，導(dǎo)致電感磁芯中柱內(nèi)部的熱量難以有效導(dǎo)出，進(jìn)而使得電感溫升較高。為了解決這個(gè)問題，通常需要降低電感的工況以滿足溫升要求，或者選擇使用導(dǎo)熱系數(shù)更高的硅膠和更低損耗的磁材。但這些方案都會(huì)增加電感的成本，不利于實(shí)現(xiàn)電感的低成本生產(chǎn)。

4、為此，本實(shí)用新型提供一種低溫升高絕緣一體灌封逆變器功率電感。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、鑒于現(xiàn)有的技術(shù)存在的上述問題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種低溫升高絕緣一體灌封逆變器功率電感，在同樣電感體積下，具有溫升低、損耗低以及成本低的優(yōu)點(diǎn)。

2、本實(shí)用新型的目的可通過下列技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)：

3、一種低溫升高絕緣一體灌封逆變器功率電感，包括鋁殼，所述鋁殼內(nèi)裝有電感，所述電感設(shè)置有磁芯，所述磁芯包括上顎磁芯和下顎磁芯，所述上顎磁芯和下顎磁芯之間通過兩組中柱磁芯連接，所述磁芯呈“口”字型的磁芯結(jié)構(gòu)；

4、所述上顎磁芯、下顎磁芯和兩組中柱磁芯的左側(cè)和右側(cè)均固定有一散熱件，所述散熱件還與鋁殼緊貼，所述兩組中柱磁芯和散熱件包繞有線圈，所述線圈上端和下端均設(shè)有隔離板。

5、作為本實(shí)用新型進(jìn)一步優(yōu)選的技術(shù)方案，所述上顎磁芯和下顎磁芯的橫截面呈跑道形或者長方形。

6、作為本實(shí)用新型進(jìn)一步優(yōu)選的技術(shù)方案，所述中柱磁芯的橫截面呈圓形或者橢圓形。

7、作為本實(shí)用新型進(jìn)一步優(yōu)選的技術(shù)方案，所述隔離板的外廓呈跑道形或者長方形，所述隔離板上還開設(shè)有兩組用于與中柱磁芯嵌套的圓形或者橢圓形通孔。

8、作為本實(shí)用新型進(jìn)一步優(yōu)選的技術(shù)方案，所述散熱件兩端設(shè)置有第一散熱部，所述第一散熱部呈矩形，所述第一散熱部內(nèi)側(cè)面緊貼上顎磁芯或下顎磁芯，所述第一散熱部外側(cè)面緊貼鋁殼，所述散熱件中部設(shè)為第二散熱部，所述第二散熱部呈長方形，所述第二散熱部內(nèi)側(cè)面緊貼中柱磁芯，所述第一散熱部的厚度大于所述第二散熱部，所述散熱件的橫截面呈“凵”字型的散熱結(jié)構(gòu)。

9、作為本實(shí)用新型進(jìn)一步優(yōu)選的技術(shù)方案，所述鋁殼開設(shè)有用于裝載電感的具有前側(cè)開口的容置腔室，所述容置腔室的外廓與電感外廓嵌合相仿，所述容置腔室底部還設(shè)有一與電感外廓嵌合相仿的弧形凸起，所述鋁殼前側(cè)開口的外周環(huán)邊上開設(shè)有一環(huán)形沉槽，所述環(huán)形沉槽的內(nèi)側(cè)四角設(shè)有連接孔或連接凸起，所述鋁殼外表面密布著排列整齊的鰭片。

10、作為本實(shí)用新型進(jìn)一步優(yōu)選的技術(shù)方案，所述上顎磁芯、下顎磁芯以及中柱磁芯為鐵硅或者鐵硅鋁制成的一體件，所述上顎磁芯與中柱磁芯之間點(diǎn)環(huán)氧樹脂單組份膠固定，所述下顎磁芯與中柱磁芯之間也點(diǎn)環(huán)氧樹脂單組份膠固定。

11、作為本實(shí)用新型進(jìn)一步優(yōu)選的技術(shù)方案，所述散熱件為95氧化鋁陶瓷材質(zhì)制成的一體件。

12、作為本實(shí)用新型進(jìn)一步優(yōu)選的技術(shù)方案，所述線圈為兩層nomex材質(zhì)制成，所述線圈采用扁平線立繞。

13、作為本實(shí)用新型進(jìn)一步優(yōu)選的技術(shù)方案，所述隔離板為環(huán)氧fr4板。

14、如上所述，本實(shí)用新型提供的一種低溫升高絕緣一體灌封逆變器功率電感，具有以下有益效果：

15、本實(shí)用新型利用上述的一種低溫升高絕緣一體灌封逆變器功率電感，與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于采用這樣的結(jié)構(gòu)，所述上顎磁芯、下顎磁芯和兩組中柱磁芯的左側(cè)和右側(cè)均固定有一散熱件，所述散熱件還與鋁殼緊貼，所述上顎磁芯、下顎磁芯以及兩組中柱磁芯在作業(yè)時(shí)產(chǎn)生的熱量通過散熱件傳遞到鋁殼散熱，而散熱件與鋁殼直接接觸可更好的傳遞熱量，并且所述上顎磁芯、下顎磁芯以及中柱磁芯為鐵硅或者鐵硅鋁制成的一體件，而所述散熱件為95氧化鋁陶瓷材質(zhì)制成的一體件。故本實(shí)用新型的低溫升高絕緣一體灌封逆變器功率電感，在同樣電感體積下，具有溫升低、損耗低以及成本低的優(yōu)點(diǎn)。

16、本實(shí)用新型的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本實(shí)用新型的實(shí)踐了解到。

技術(shù)特征：

1.一種低溫升高絕緣一體灌封逆變器功率電感，其特征在于，包括鋁殼，所述鋁殼內(nèi)裝有電感，所述電感設(shè)置有磁芯，所述磁芯包括上顎磁芯和下顎磁芯，所述上顎磁芯和下顎磁芯之間通過兩組中柱磁芯連接，所述磁芯呈“口”字型的磁芯結(jié)構(gòu)；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低溫升高絕緣一體灌封逆變器功率電感，其特征在于，所述上顎磁芯和下顎磁芯的橫截面呈跑道形或者長方形。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低溫升高絕緣一體灌封逆變器功率電感，其特征在于，所述中柱磁芯的橫截面呈圓形或者橢圓形。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低溫升高絕緣一體灌封逆變器功率電感，其特征在于，所述隔離板的外廓呈跑道形或者長方形，所述隔離板上還開設(shè)有兩組用于與中柱磁芯嵌套的圓形或者橢圓形通孔。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低溫升高絕緣一體灌封逆變器功率電感，其特征在于，所述散熱件兩端設(shè)置有第一散熱部，所述第一散熱部呈矩形，所述第一散熱部內(nèi)側(cè)面緊貼上顎磁芯或下顎磁芯，所述第一散熱部外側(cè)面緊貼鋁殼，所述散熱件中部設(shè)為第二散熱部，所述第二散熱部呈長方形，所述第二散熱部內(nèi)側(cè)面緊貼中柱磁芯，所述第一散熱部的厚度大于所述第二散熱部，所述散熱件的橫截面呈“凵”字型的散熱結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低溫升高絕緣一體灌封逆變器功率電感，其特征在于，所述鋁殼開設(shè)有用于裝載電感的具有前側(cè)開口的容置腔室，所述容置腔室的外廓與電感外廓嵌合相仿，所述容置腔室底部還設(shè)有一與電感外廓嵌合相仿的弧形凸起，所述鋁殼前側(cè)開口的外周環(huán)邊上開設(shè)有一環(huán)形沉槽，所述環(huán)形沉槽的內(nèi)側(cè)四角設(shè)有連接孔或連接凸起，所述鋁殼外表面密布著排列整齊的鰭片。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的一種低溫升高絕緣一體灌封逆變器功率電感，其特征在于，所述上顎磁芯、下顎磁芯以及中柱磁芯為鐵硅或者鐵硅鋁制成的一體件，所述上顎磁芯與中柱磁芯之間點(diǎn)環(huán)氧樹脂單組份膠固定，所述下顎磁芯與中柱磁芯之間也點(diǎn)環(huán)氧樹脂單組份膠固定。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的一種低溫升高絕緣一體灌封逆變器功率電感，其特征在于，所述散熱件為95氧化鋁陶瓷材質(zhì)制成的一體件。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的一種低溫升高絕緣一體灌封逆變器功率電感，其特征在于，所述線圈為兩層nomex材質(zhì)制成，所述線圈采用扁平線立繞。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的一種低溫升高絕緣一體灌封逆變器功率電感，其特征在于，所述隔離板為環(huán)氧fr4板。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)屬于電子元器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種低溫升高絕緣一體灌封逆變器功率電感。本技術(shù)包括鋁殼，所述鋁殼內(nèi)裝有電感，所述電感設(shè)置有磁芯，所述磁芯包括上顎磁芯和下顎磁芯，所述上顎磁芯和下顎磁芯之間通過兩組中柱磁芯連接，所述磁芯呈“口”字型的磁芯結(jié)構(gòu)；所述上顎磁芯、下顎磁芯和兩組中柱磁芯的左側(cè)和右側(cè)均固定有一散熱件，所述散熱件還與鋁殼緊貼，所述兩組中柱磁芯和散熱件包繞有線圈，所述線圈上端和下端均設(shè)有隔離板。本技術(shù)提供的一種低溫升高絕緣一體灌封逆變器功率電感，在同樣電感體積下，具有溫升低、損耗低以及成本低的優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：李光榮,楊成,孟創(chuàng)園
受保護(hù)的技術(shù)使用者：廣東聯(lián)達(dá)銘磁科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240516
技術(shù)公布日：2024/12/30