本申請(qǐng)屬于集成電路，具體涉及一種高密度dfn1006引線框架。

背景技術(shù)：

1、隨著智能手機(jī)的高速發(fā)展，超薄手機(jī)逐漸成為市場(chǎng)的主流選擇，華為、歐珀、小米、蘋(píng)果等知名手機(jī)廠商所制作的手機(jī)全部向超薄的趨勢(shì)發(fā)展，超薄手機(jī)將會(huì)引領(lǐng)手機(jī)時(shí)尚。相對(duì)于傳統(tǒng)的smd器件，dfn器件可以做到更薄，體積更小，對(duì)于超薄手機(jī)的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)更加明顯。

2、而對(duì)于手機(jī)主板中用于esd(e?l?ectro-stat?ic?d?i?scharge)保護(hù)的常用二極管封裝形式dfn1006，超薄是其必須做到的基本屬性，同時(shí)需求量大，功能單一也是這種產(chǎn)品的顯著特點(diǎn)，這個(gè)特點(diǎn)決定了這種產(chǎn)品在超薄的同時(shí)需要具備成本低廉，可靠性高的要求。dfn1006封裝是dfn區(qū)域最主要的封裝類型，被廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)的靜電保護(hù)領(lǐng)域，引線框架是其重要的組成部分之一，主要用于散熱和傳遞信號(hào)的作用，需求量也在逐步提升。

3、如圖1所示，為現(xiàn)有dfn1006引線框架，可見(jiàn)，現(xiàn)有dfn1006引線框架的產(chǎn)品排列數(shù)量較少，排列較為松散，不僅材料利用率較為低下，同時(shí)生產(chǎn)效率較低，無(wú)法滿足現(xiàn)有的對(duì)dfn1006引線框架的市場(chǎng)需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)實(shí)施例的目的是提供一種高密度dfn1006引線框架，其可以解決現(xiàn)有dfn1006引線框架產(chǎn)品排列數(shù)量較少、排布較為松散、材料利用率低、材料成本高，且生產(chǎn)容易產(chǎn)生變形和側(cè)彎，從而嚴(yán)重影響產(chǎn)品生產(chǎn)效率的技術(shù)問(wèn)題。

2、為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本申請(qǐng)是這樣實(shí)現(xiàn)的：

3、本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種高密度dfn1006引線框架，包括框架整體，所述框架整體上設(shè)有間隔設(shè)置的第一大單元和第二大單元，所述第一大單元和所述第二大單元之間設(shè)有貫穿所述框架整體的透氣孔，所述第一大單元內(nèi)縱橫排列有多個(gè)第一小單元，沿所述框架整體的橫向方向上的所述第一小單元之間通過(guò)第一連接筋連接；所述第二大單元內(nèi)縱橫排列有多個(gè)第二小單元，沿所述框架整體的橫向方向上的所述第二小單元之間通過(guò)第二連接筋連接。

4、作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選改進(jìn)，所述框架整體的上下兩側(cè)分別設(shè)有若干定位孔。

5、作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選改進(jìn)，所述定位孔包括定位圓孔和定位橢圓孔。

6、作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選改進(jìn)，所述框架整體的背面還設(shè)有用于防止膠帶粘貼偏移的防呆框。

7、作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選改進(jìn)，所述防呆框包括設(shè)置于所述框架整體上側(cè)的第一防呆框、第二防呆框和第三防呆框，和設(shè)置于所述框架整體下側(cè)的第四防呆框、第五防呆框以及第六防呆框。

8、作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選改進(jìn)，所述框架整體的左右兩側(cè)分別設(shè)有便于撕下膠帶的第一凹口和第二凹口。

9、作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選改進(jìn)，所述第一大單元和所述第二大單元的長(zhǎng)度均為124mm，寬度均為68mm。

10、作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選改進(jìn)，所述第一大單元包括56排154列所述第一小單元；所述第二大單元包括56排154列所述第二小單元。

11、作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選改進(jìn)，所述第一小單元包括小單元正面和與所述小單元正面相對(duì)設(shè)置的小單元背面，所述小單元正面包括正面基島和設(shè)置于所述正面基島表面的鍍銀；所述小單元背面包括背面半蝕刻區(qū)域、背面基島和與所述連接筋相連的第一座柱和第二座柱。

12、作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選改進(jìn)，所述高密度dfn1006引線框架的長(zhǎng)度為258mm，寬度為78mm。

13、本申請(qǐng)相較于現(xiàn)有技術(shù)具有如下有益效果：

14、1、引線框架的尺寸由250mmx70mm變?yōu)?58mmx78mm，可以更加充分使用材料，減少材料的浪費(fèi)；

15、2、通過(guò)由三個(gè)大單元變?yōu)閮蓚€(gè)大單元減少一列注膠孔，提高框架整體數(shù)量；

16、3、通過(guò)在框架整體的橫向方向的小單元之間增加連接筋來(lái)提高框架的整體強(qiáng)度，減少生產(chǎn)過(guò)程中材料薄弱易變形的問(wèn)題，提高產(chǎn)品的整體良率；

17、4、每個(gè)小單元的縱向方向與連接筋相連的座柱設(shè)計(jì)為雙半蝕區(qū)域，增強(qiáng)產(chǎn)品的強(qiáng)度，減少生產(chǎn)過(guò)程產(chǎn)生每個(gè)小單元的變形問(wèn)題。

技術(shù)特征：

1.一種高密度dfn1006引線框架，其特征在于，包括框架整體，所述框架整體上設(shè)有間隔設(shè)置的第一大單元和第二大單元，所述第一大單元和所述第二大單元之間設(shè)有貫穿所述框架整體的透氣孔，所述第一大單元內(nèi)縱橫排列有多個(gè)第一小單元，沿所述框架整體的橫向方向上的所述第一小單元之間通過(guò)第一連接筋連接；所述第二大單元內(nèi)縱橫排列有多個(gè)第二小單元，沿所述框架整體的橫向方向上的所述第二小單元之間通過(guò)第二連接筋連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高密度dfn1006引線框架，其特征在于，所述框架整體的上下兩側(cè)分別設(shè)有若干定位孔。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高密度dfn1006引線框架，其特征在于，所述定位孔包括定位圓孔和定位橢圓孔。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高密度dfn1006引線框架，其特征在于，所述框架整體的背面還設(shè)有用于防止膠帶粘貼偏移的防呆框。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高密度dfn1006引線框架，其特征在于，所述防呆框包括設(shè)置于所述框架整體上側(cè)的第一防呆框、第二防呆框和第三防呆框，和設(shè)置于所述框架整體下側(cè)的第四防呆框、第五防呆框以及第六防呆框。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高密度dfn1006引線框架，其特征在于，所述框架整體的左右兩側(cè)分別設(shè)有便于撕下膠帶的第一凹口和第二凹口。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高密度dfn1006引線框架，其特征在于，所述第一大單元和所述第二大單元的長(zhǎng)度均為124mm，寬度均為68mm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高密度dfn1006引線框架，其特征在于，所述第一大單元包括56排154列所述第一小單元；所述第二大單元包括56排154列所述第二小單元。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高密度dfn1006引線框架，其特征在于，所述第一小單元包括小單元正面和與所述小單元正面相對(duì)設(shè)置的小單元背面，所述小單元正面包括正面基島和設(shè)置于所述正面基島表面的鍍銀；所述小單元背面包括背面半蝕刻區(qū)域、背面基島和與所述連接筋相連的第一座柱和第二座柱。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高密度dfn1006引線框架，其特征在于，所述高密度dfn1006引線框架的長(zhǎng)度為258mm，寬度為78mm。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開(kāi)了一種高密度DFN1006引線框架，屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域。該模具包括框架整體，所述框架整體上設(shè)有間隔設(shè)置的第一大單元和第二大單元，第一大單元和第二大單元之間設(shè)有貫穿框架整體的透氣孔，第一大單元內(nèi)縱橫排列有多個(gè)第一小單元，沿框架整體的橫向方向上的第一小單元之間通過(guò)第一連接筋連接；第二大單元內(nèi)縱橫排列有多個(gè)第二小單元，沿框架整體的橫向方向上的第二小單元之間通過(guò)第二連接筋連接。本申請(qǐng)有益效果：可以更加充分使用材料，減少材料的浪費(fèi)；增加連接筋來(lái)提高框架的整體強(qiáng)度，減少生產(chǎn)過(guò)程中材料薄弱易變形的問(wèn)題，提高產(chǎn)品的整體良率；座柱設(shè)計(jì)為雙半蝕區(qū)域，增強(qiáng)產(chǎn)品的強(qiáng)度，減少生產(chǎn)過(guò)程產(chǎn)生每個(gè)小單元的變形問(wèn)題。

技術(shù)研發(fā)人員：廖邦雄,丁銀光,任賀陽(yáng),徐君,邱鳴森,呂學(xué)會(huì),楊樹(shù)森
受保護(hù)的技術(shù)使用者：廣東杰信半導(dǎo)體材料股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240522
技術(shù)公布日：2025/1/6