本技術屬于真空滅弧室，具體涉及一種真空滅弧室包覆結構。

背景技術：

1、真空滅弧室是一個電真空器件，被安裝在高壓開關設備上。戶外高壓開關有一類是將真空滅弧室包覆硅橡膠后壓入絕緣筒中，實現(xiàn)耐高電壓的絕緣能力，滿足真空開關的機械性能參數(shù)要求和電性能參數(shù)要求。

2、現(xiàn)有真空滅弧室包硅橡膠外形結構，如專利號為cn201020542901.0的實用新型專利所公開的一種真空滅弧室，其包括真空滅弧室本體和外包硅膠緩沖層。該技術方案的外包硅膠緩沖層為帶裙邊結構，現(xiàn)代輸配電行業(yè)中，真空滅弧室固封結構越來越廣泛應用，此種結構有效的增加了其表面與固封技術的粘合效果，防止了因真空滅弧室固封不到位而出現(xiàn)擊穿的現(xiàn)象。

3、但諸如上述技術方案的現(xiàn)有真空滅弧室的包覆結構的結構存在設計不合理、適用性不好的問題，導致真空滅弧室包硅膠后受力不良產生漏氣現(xiàn)象，也導致與絕緣筒的匹配性不好，裝配到高壓開關上后性能不夠穩(wěn)定，時而出現(xiàn)觸頭合閘彈跳值偏大、高電壓擊穿等問題。

技術實現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本實用新型的目的在于提供一種真空滅弧室包覆結構，以解決現(xiàn)有真空滅弧室的包覆結構與絕緣筒的適配性差且在觸頭合閘時彈跳值偏高的問題。

2、為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用以下技術方案：

3、一種真空滅弧室包覆結構，包括真空滅弧室和包覆于真空滅弧室外側的硅橡膠包覆層，其特征在于，所述硅橡膠包覆層具有沿軸向分布的上裙邊和主體包覆部；所述上裙邊的頂端向內側延伸形成頂部裙邊，頂部裙邊的頂面從內向外設有2-4個呈周向分布且相互間隔的凸起；所述主體包覆部的外周面沿軸向分布有若干相互間隔的波棱。

4、在可能的實現(xiàn)方式中，每一所述波棱的外徑從所述主體包覆部靠近所述上裙邊的一端到另一端逐漸遞增且使主體包覆部整體呈錐狀結構。

5、在可能的實現(xiàn)方式中，所述錐狀結構使所述主體包覆部整體相對于軸向具有1°-3°的錐度。

6、在可能的實現(xiàn)方式中，所述波棱具有厚度k和外端倒圓弧re，其中，厚度k為2-4mm，外端倒圓弧re為1-2mm。

7、在可能的實現(xiàn)方式中，所述錐狀結構使所述主體包覆部具有小徑端和大徑端，小徑端的波棱最小外徑φb為80-100mm，外徑端的波棱最大外徑φg為90-110mm。

8、在可能的實現(xiàn)方式中，所述大徑端最大外徑的波棱與相鄰波棱的間距j均大于其余相鄰波棱的間距，且間距j為4-8mm。

9、在可能的實現(xiàn)方式中，所述主體包覆部的厚度c為2-4mm；

10、所述上裙邊與所述頂部裙邊之間設有倒角圓弧ra，倒角圓弧ra為5-7mm。

11、在可能的實現(xiàn)方式中，所述頂部裙邊的凸起的高度從外到內依次遞增，且凸起的截面為三角形。

12、在可能的實現(xiàn)方式中，所述凸起設有兩個，且位于內側的凸起高度m為1-2mm，位于外側的凸起高度n為1.5-2.5mm。

13、在可能的實現(xiàn)方式中，所述硅橡膠包覆層還具有與所述主體包覆部一體的下裙邊，下裙邊的底端向內側延伸的收縮部。

14、與現(xiàn)有技術相比，本實用新型具有以下有益效果：

15、本實用新型的真空滅弧室包覆結構，能夠減小真空滅弧室所受的剪切外力，更好地適配絕緣筒，耐電壓強度高，高壓開關整機的合閘彈跳值小。

技術特征：

1.一種真空滅弧室(1)包覆結構，包括真空滅弧室(1)和包覆于真空滅弧室(1)外側的硅橡膠包覆層(2)，其特征在于，所述硅橡膠包覆層(2)具有沿軸向分布的上裙邊(22)和主體包覆部(21)；所述上裙邊(22)的頂端向內側延伸形成頂部裙邊(221)，頂部裙邊(221)的頂面從內向外設有2-4個呈周向分布且相互間隔的凸起(222)；所述主體包覆部(21)的外周面沿軸向分布有若干相互間隔的波棱(211)。

2.如權利要求1所述的一種真空滅弧室(1)包覆結構，其特征在于，每一所述波棱(211)的外徑從所述主體包覆部(21)靠近所述上裙邊(22)的一端到另一端逐漸遞增且使主體包覆部(21)整體呈錐狀結構。

3.如權利要求2所述的一種真空滅弧室(1)包覆結構，其特征在于，所述錐狀結構使所述主體包覆部(21)整體相對于軸向具有1°-3°的錐度。

4.如權利要求2所述的一種真空滅弧室(1)包覆結構，其特征在于，所述波棱(211)具有厚度k和外端倒圓弧re，其中，厚度k為2-4mm，外端倒圓弧re為1-2mm。

5.如權利要求2所述的一種真空滅弧室(1)包覆結構，其特征在于，所述錐狀結構使所述主體包覆部(21)具有小徑端和大徑端，小徑端的波棱(211)最小外徑φb為80-100mm，外徑端的波棱(211)最大外徑φg為90-110mm。

6.如權利要求5所述的一種真空滅弧室(1)包覆結構，其特征在于，所述大徑端最大外徑的波棱(211)與相鄰波棱(211)的間距j均大于其余相鄰波棱(211)的間距，且間距j為4-8mm。

7.如權利要求1所述的一種真空滅弧室(1)包覆結構，其特征在于，所述主體包覆部(21)的厚度c為2-4mm；

8.如權利要求1所述的一種真空滅弧室(1)包覆結構，其特征在于，所述頂部裙邊(221)的凸起(222)的高度從外到內依次遞增，且凸起(222)的截面為三角形。

9.如權利要求8所述的一種真空滅弧室(1)包覆結構，其特征在于，所述凸起(222)設有兩個，且位于內側的凸起(222)高度m為1-2mm，位于外側的凸起(222)高度n為1.5-2.5mm。

10.如權利要求1-9任一項所述的一種真空滅弧室(1)包覆結構，其特征在于，所述硅橡膠包覆層(2)還具有與所述主體包覆部(21)一體的下裙邊(23)，下裙邊(23)的底端向內側延伸的收縮部(231)。

技術總結
本技術屬于真空滅弧室領域，公開了一種真空滅弧室包覆結構，包括真空滅弧室和包覆于真空滅弧室外側的硅橡膠包覆層，其特征在于，所述硅橡膠包覆層具有沿軸向分布的上裙邊和主體包覆部；所述上裙邊的頂端向內側延伸形成頂部裙邊，頂部裙邊的頂面從內向外設有2?4個呈周向分布且相互間隔的凸起；所述主體包覆部的外周面沿軸向分布有若干相互間隔的波棱。本技術能夠減小真空滅弧室所受的剪切外力，更好地適配絕緣筒，耐電壓強度高，高壓開關整機的合閘彈跳值小。

技術研發(fā)人員：王強,楊洋
受保護的技術使用者：成都凱賽爾科技有限公司
技術研發(fā)日：20240523
技術公布日：2025/1/9