本技術(shù)涉及射頻開(kāi)關(guān)，尤其是涉及一種多通道寬帶高隔離低插損雙頻吸收式射頻開(kāi)關(guān)。

背景技術(shù)：

1、射頻開(kāi)關(guān)是一種在射頻信號(hào)傳輸路徑中用于切換信號(hào)的電子組件。它們能夠在不同的通道之間快速切換信號(hào)，從而在接收和發(fā)送、不同頻段、不同天線之間進(jìn)行選擇。

2、在現(xiàn)代無(wú)線通信系統(tǒng)中，對(duì)于射頻開(kāi)關(guān)的性能要求日益提高。當(dāng)前市場(chǎng)上存在類似產(chǎn)品，但在指標(biāo)上往往難以滿足行業(yè)日益增長(zhǎng)的性能需求。尤其在雙頻段，對(duì)于模塊的隔離度有著更高的需求，現(xiàn)有射頻開(kāi)關(guān)存在帶寬不足抑或是隔離度低等問(wèn)題，為了達(dá)到指標(biāo)通常做成不同頻段的模塊來(lái)組合，導(dǎo)致組件整體較大，占用很大的空間,同時(shí)增加了成本。

3、因此，有必要提供一種多通道寬帶高隔離低插損雙頻吸收式射頻開(kāi)關(guān)來(lái)解決上述技術(shù)問(wèn)題。本實(shí)用新型通過(guò)優(yōu)化匹配網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計(jì)，使得模塊在微波與毫米波頻段內(nèi)均能實(shí)現(xiàn)良好的匹配，顯著提高系統(tǒng)的響應(yīng)速度、隔離度，降低插入損耗，在需要微波與毫米波開(kāi)關(guān)同時(shí)使用的場(chǎng)合中提高了集成度，節(jié)省了成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本部分的目的在于概述本實(shí)用新型的實(shí)施例的一些方面以及簡(jiǎn)要介紹一些較佳實(shí)施例，在本部分以及本申請(qǐng)的說(shuō)明書(shū)摘要和發(fā)明名稱中可能會(huì)做些簡(jiǎn)化或省略以避免使本部分、說(shuō)明書(shū)摘要和發(fā)明名稱的目的模糊，而這種簡(jiǎn)化或省略不能用于限制本實(shí)用新型的范圍。

2、因此，本實(shí)用新型所要解決的是射頻開(kāi)關(guān)工作效率不高的問(wèn)題。

3、為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：一種多通道寬帶高隔離低插損雙頻吸收式射頻開(kāi)關(guān)，其特征在于，所述射頻開(kāi)關(guān)包括殼體、印制板、饋電控制板、電源接口、輸入接口及輸出接口；所述印制板與所述饋電控制板設(shè)置安裝在所述殼體內(nèi)部，所述輸入接口與所述電源接口設(shè)置安裝在前面板上，四個(gè)所述輸出接口為若干個(gè)呈一定角度分布在所述射頻開(kāi)關(guān)上，所述殼體上設(shè)有貫穿的通孔，所述通孔在所述殼體的邊緣處。

4、作為本實(shí)用新型所述多通道寬帶高隔離低插損雙頻吸收式射頻開(kāi)關(guān)的一種優(yōu)選方式，所述輸出接口設(shè)置為四個(gè)，呈角度的分布在所述射頻開(kāi)關(guān)的四個(gè)方向。

5、作為本實(shí)用新型所述多通道寬帶高隔離低插損雙頻吸收式射頻開(kāi)關(guān)的一種優(yōu)選方式，所述通孔設(shè)置為三個(gè)，呈三角形分布在所述殼體邊緣處起到定位的作用。

6、作為本實(shí)用新型所述多通道寬帶高隔離低插損雙頻吸收式射頻開(kāi)關(guān)的一種優(yōu)選方式，所述射頻開(kāi)關(guān)還包括單刀切換部件、四擲輸出端口部件、寬帶匹配網(wǎng)絡(luò)部件、電容及電感；所述單刀切換部件包括單刀單擲開(kāi)關(guān)芯片、單刀多擲吸收式開(kāi)關(guān)、單刀單擲信號(hào)控制芯片及單刀四擲開(kāi)關(guān)芯片，所述電容與所述電感均設(shè)置若干個(gè)。

7、作為本實(shí)用新型所述多通道寬帶高隔離低插損雙頻吸收式射頻開(kāi)關(guān)的一種優(yōu)選方式，所述第一電容的一端作為單刀多擲吸收式開(kāi)關(guān)的輸入端in端與所述輸入接口相連，第一電容的另一端分別與第一電感、單刀四擲開(kāi)關(guān)芯片的輸入端連接。

8、作為本實(shí)用新型所述多通道寬帶高隔離低插損雙頻吸收式射頻開(kāi)關(guān)的一種優(yōu)選方式，第一電感的另一端與第二電容連接，所述第二電容金絲接地。

9、作為本實(shí)用新型所述多通道寬帶高隔離低插損雙頻吸收式射頻開(kāi)關(guān)的一種優(yōu)選方式，第二電感與第三電容連接，所述第三電容與饋電板相連；第四電容另一端與第三電感及單刀單擲信號(hào)控制芯片11連接。

10、作為本實(shí)用新型所述多通道寬帶高隔離低插損雙頻吸收式射頻開(kāi)關(guān)的一種優(yōu)選方式，第三電感與第五電容相連，第五電容另一端與單刀單擲信號(hào)控制芯片控制端連接形成回路，回路上與饋電板相連。

11、作為本實(shí)用新型所述多通道寬帶高隔離低插損雙頻吸收式射頻開(kāi)關(guān)的一種優(yōu)選方式，第四電感連接第六電容，第六電容另一端口金絲到地。

12、作為本實(shí)用新型所述多通道寬帶高隔離低插損雙頻吸收式射頻開(kāi)關(guān)的一種優(yōu)選方式，所述單刀多擲吸收式開(kāi)關(guān)采用圓形結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，每個(gè)輸出支路線長(zhǎng)度一致。

13、本實(shí)用新型的有益效果：1、本實(shí)用新型單刀切換部件在結(jié)構(gòu)布局上采用圓形結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，每個(gè)支路線長(zhǎng)度一致，實(shí)現(xiàn)了很高的幅相一致性；2、采用高性能隔直電容，用良好的隔離度；3、本實(shí)用新型在電路設(shè)計(jì)上采取優(yōu)化匹配網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計(jì)，使得模塊在微波與毫米波頻段內(nèi)均能實(shí)現(xiàn)良好的匹配，從而保證了高帶寬的性能。

14、本實(shí)用新型通過(guò)優(yōu)化匹配網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計(jì)，使得模塊在微波與毫米波頻段內(nèi)均能實(shí)現(xiàn)良好的匹配，該模塊采用特殊設(shè)計(jì)的電路結(jié)構(gòu)，結(jié)合高性能的吸收材料，實(shí)現(xiàn)了高帶寬和高隔離度的性能，同時(shí)兼容微波與毫米波頻段，顯著提高系統(tǒng)的響應(yīng)速度、隔離度，降低插入損耗，在需要微波與毫米波開(kāi)關(guān)同時(shí)使用的場(chǎng)合中提高了集成度，節(jié)省了成本。

技術(shù)特征：

1.一種多通道寬帶高隔離低插損雙頻吸收式射頻開(kāi)關(guān)，其特征在于，所述射頻開(kāi)關(guān)包括殼體、印制板、饋電控制板、電源接口、輸入接口及輸出接口；所述印制板與所述饋電控制板設(shè)置安裝在所述殼體內(nèi)部，所述輸入接口與所述電源接口設(shè)置安裝在前面板上，所述輸出接口為若干個(gè)呈一定角度分布在所述射頻開(kāi)關(guān)上，所述殼體上設(shè)有貫穿的通孔，所述通孔在所述殼體的邊緣處。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述多通道寬帶高隔離低插損雙頻吸收式射頻開(kāi)關(guān)，其特征在于，所述輸出接口設(shè)置為四個(gè)，呈角度的分布在所述射頻開(kāi)關(guān)的四個(gè)方向。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述多通道寬帶高隔離低插損雙頻吸收式射頻開(kāi)關(guān)，其特征在于，所述通孔設(shè)置為三個(gè)，呈三角形分布在所述殼體邊緣處起到定位的作用。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述多通道寬帶高隔離低插損雙頻吸收式射頻開(kāi)關(guān)，其特征在于，所述射頻開(kāi)關(guān)還包括單刀切換部件、四擲輸出端口部件、寬帶匹配網(wǎng)絡(luò)部件、電容及電感；所述單刀切換部件包括單刀單擲開(kāi)關(guān)芯片、單刀多擲吸收式開(kāi)關(guān)、單刀單擲信號(hào)控制芯片及單刀四擲開(kāi)關(guān)芯片，所述電容與所述電感均設(shè)置若干個(gè)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述多通道寬帶高隔離低插損雙頻吸收式射頻開(kāi)關(guān)，其特征在于，第一電容(1)的一端作為單刀多擲吸收式開(kāi)關(guān)的輸入端in端與所述輸入接口相連，第一電容(1)的另一端分別與第一電感(2)、單刀四擲開(kāi)關(guān)芯片(4)的輸入端連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述多通道寬帶高隔離低插損雙頻吸收式射頻開(kāi)關(guān)，其特征在于，第一電感(2)的另一端與第二電容(3)連接，所述第二電容(3)金絲接地。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述多通道寬帶高隔離低插損雙頻吸收式射頻開(kāi)關(guān)，其特征在于，第二電感(7)與第三電容(6)連接，所述第三電容(6)與饋電板相連；第四電容(8)另一端與第三電感(9)及單刀單擲信號(hào)控制芯片(11)連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述多通道寬帶高隔離低插損雙頻吸收式射頻開(kāi)關(guān)，其特征在于，第三電感(9)與第五電容(10)相連，第五電容(10)另一端與單刀單擲信號(hào)控制芯片(11)控制端連接形成回路，回路上與饋電板相連。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述多通道寬帶高隔離低插損雙頻吸收式射頻開(kāi)關(guān)，其特征在于，第四電感(12)連接第六電容(13)，所述第六電容(13)另一端口金絲到地。

10.根據(jù)權(quán)利要求4所述多通道寬帶高隔離低插損雙頻吸收式射頻開(kāi)關(guān)，其特征在于，所述單刀多擲吸收式開(kāi)關(guān)采用圓形結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，每個(gè)輸出支路線長(zhǎng)度一致。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開(kāi)了一種多通道寬帶高隔離低插損雙頻吸收式射頻開(kāi)關(guān)，其特征在于，所述射頻開(kāi)關(guān)包括殼體、印制板、饋電控制板、電源接口、輸入接口及輸出接口；所述印制板與所述饋電控制板設(shè)置安裝在所述殼體內(nèi)部，所述輸入接口與所述電源接口設(shè)置安裝在前面板上，四個(gè)所述輸出接口為若干個(gè)呈一定角度分布在所述射頻開(kāi)關(guān)上，所述殼體上設(shè)有貫穿的通孔，所述通孔在所述殼體的邊緣處。本技術(shù)解決了現(xiàn)有開(kāi)關(guān)帶寬低、隔離度低、插損高，開(kāi)關(guān)時(shí)間長(zhǎng)，集成度低的問(wèn)題。

技術(shù)研發(fā)人員：萬(wàn)星陽(yáng),盛翊席,楊蓉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：南京華航微電科技發(fā)展股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240527
技術(shù)公布日：2025/1/2