本技術(shù)涉及半導體領(lǐng)域中晶圓表面蝕刻的裝置，具體來說，涉及一種提高晶圓表面蝕刻均勻性的裝置。

背景技術(shù)：

1、在半導體晶圓生產(chǎn)中，干法蝕刻機臺屬于核心工藝角色，其主要功能是在晶圓經(jīng)涂膠、光刻、顯影后，對晶圓進行干法蝕刻，讓晶圓表面形成工藝所需圖案。干法蝕刻采用等離子體方式去對材料蝕刻。

2、在半導體領(lǐng)域中，現(xiàn)有的干法蝕刻機臺電壓源設(shè)計，可以達到讓等離子與晶圓表面材料進行快速化學和物理反應(yīng)，但是受到氣體流動影響，晶圓蝕刻后，其中心位置要比邊緣位置蝕刻的多，導致中心位置偏薄，邊緣位置偏厚，影響其蝕刻均勻性。通常解決方案是調(diào)節(jié)上部金屬線圈的電流來優(yōu)化蝕刻均勻性，但優(yōu)化程度有限。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本實用新型提供一種提高晶圓表面蝕刻均勻性的裝置，可以提高晶圓表面蝕刻均勻性。

2、為解決上述技術(shù)問題，本實用新型采用以下技術(shù)方案：

3、一種提高晶圓表面蝕刻均勻性的裝置，所述裝置包括：呈真空密封狀的腔體、上部射頻發(fā)生器、下部射頻發(fā)生器、側(cè)部射頻發(fā)生器、側(cè)部金屬導電線圈、上部金屬導電線圈和承載臺，其中，所述承載臺位于腔體中，上部射頻發(fā)生器和上部金屬導電線圈連接，上部金屬導電線圈位于腔體上方；下部射頻發(fā)生器位于腔體下方，且通過導線與承載臺連接；側(cè)部金屬導電線圈通過導軌單元連接在腔體的內(nèi)壁上，且側(cè)部金屬導電線圈和位于腔體外部的側(cè)部射頻發(fā)生器連接。

4、作為優(yōu)選例，所述承載臺用于盛放晶圓。

5、作為優(yōu)選例，所述側(cè)部金屬導電線圈和晶圓位于同一水平面上，或者側(cè)部金屬導電線圈位于晶圓上方。

6、作為優(yōu)選例，所述側(cè)部金屬導電線圈為一圈或者兩圈。

7、作為優(yōu)選例，所述上部金屬導電線圈呈螺旋式分布，且位于同一水平面上；所述上部金屬導電線圈與承載臺頂面正對。

8、作為優(yōu)選例，所述導軌單元包括豎向?qū)к?、滑塊、緊固件和卡扣件，所述豎向?qū)к壓颓惑w內(nèi)壁固定連接，滑塊通過緊固件和豎向?qū)к夁B接，卡扣件和滑塊固定連接，所述側(cè)部金屬導電線圈和卡扣件連接。

9、作為優(yōu)選例，所述緊固件和豎向?qū)к壙刹鹦哆B接，所述側(cè)部金屬導電線圈可沿豎向?qū)к壣舷乱苿印?/p>

10、作為優(yōu)選例，所述導軌單元為兩個或三個，且沿周向均勻布設(shè)在腔體內(nèi)壁上。

11、作為優(yōu)選例，所述滑塊的一側(cè)與豎向?qū)к夁B接，滑塊的另一側(cè)與承載臺相對，卡扣件和滑塊的另一側(cè)連接，所述卡扣件的卡口朝向承載臺。

12、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型裝置可以提高晶圓表面蝕刻均勻性。本實用新型的裝置，包括腔體、上部射頻發(fā)生器、下部射頻發(fā)生器、側(cè)部射頻發(fā)生器、上部金屬導電線圈、側(cè)部金屬導電線圈和承載臺，側(cè)部金屬導電線圈固定在腔體的內(nèi)壁上，且側(cè)部金屬導電線圈和位于腔體外部的側(cè)部射頻發(fā)生器連接。

技術(shù)特征：

1.一種提高晶圓表面蝕刻均勻性的裝置，其特征在于，所述裝置包括：呈真空密封狀的腔體（1）、上部射頻發(fā)生器（2）、下部射頻發(fā)生器（3）、側(cè)部射頻發(fā)生器（4）、側(cè)部金屬導電線圈（5）、上部金屬導電線圈（6）和承載臺（7），其中，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述承載臺（7）用于盛放晶圓（8）。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述側(cè)部金屬導電線圈（5）和晶圓（8）位于同一水平面上，或者側(cè)部金屬導電線圈（5）位于晶圓（8）上方。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述側(cè)部金屬導電線圈（5）為一圈或者兩圈。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述上部金屬導電線圈（6）呈螺旋式分布，且位于同一水平面上；所述上部金屬導電線圈（6）與承載臺（7）頂面正對。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述導軌單元包括豎向?qū)к?、滑塊、緊固件和卡扣件，所述豎向?qū)к壓颓惑w（1）內(nèi)壁固定連接，滑塊通過緊固件和豎向?qū)к夁B接，卡扣件和滑塊固定連接，所述側(cè)部金屬導電線圈（5）和卡扣件連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述緊固件和豎向?qū)к壙刹鹦哆B接，所述側(cè)部金屬導電線圈（5）可沿豎向?qū)к壣舷乱苿印?/p>

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述導軌單元為兩個或三個，且沿周向均勻布設(shè)在腔體（1）內(nèi)壁上。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述滑塊的一側(cè)與豎向?qū)к夁B接，滑塊的另一側(cè)與承載臺（7）相對，卡扣件和滑塊的另一側(cè)連接，所述卡扣件的卡口朝向承載臺（7）。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)屬于半導體領(lǐng)域中晶圓的蝕刻裝置，公開了一種提高晶圓表面蝕刻均勻性的裝置，可以提高晶圓表面蝕刻均勻性。該裝置包括：呈真空密封狀的腔體、上部射頻發(fā)生器、下部射頻發(fā)生器、側(cè)部射頻發(fā)生器、側(cè)部金屬導電線圈、上部金屬導電線圈和承載臺，承載臺位于腔體中，上部射頻發(fā)生器和上部金屬導電線圈連接，上部金屬導電線圈位于腔體上方；下部射頻發(fā)生器位于腔體下方，且通過導線與承載臺連接；側(cè)部金屬導電線圈通過導軌單元連接在腔體的內(nèi)壁上，且側(cè)部金屬導電線圈和位于腔體外部的側(cè)部射頻發(fā)生器連接。

技術(shù)研發(fā)人員：陳剛
受保護的技術(shù)使用者：南京云極芯半導體科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240715
技術(shù)公布日：2025/1/2