專(zhuān)利名稱(chēng):平版印刷設(shè)備、器件制造方法以及由此制造的器件的制作方法
發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及平版印刷投射設(shè)備，包括-用于供給輻射投射束的輻射系統(tǒng)；-用于支撐圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)，根據(jù)所要求的圖案所述圖案形成裝置可用來(lái)對(duì)投射束形成圖案；-用于支持基片的基片臺(tái)；以及-用于將已形成圖案的束投射到所述基片的目標(biāo)部的投射系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
在此所應(yīng)用的術(shù)語(yǔ)“圖案形成裝置”應(yīng)該被廣泛地解釋成涉及這樣的裝置，對(duì)應(yīng)于即將在所述基片目標(biāo)部要建立的圖案，所述裝置可以用來(lái)給進(jìn)入輻射束賦予一個(gè)已形成圖案的橫斷面；術(shù)語(yǔ)“光閥”也可以用在此上下文中?？傮w上，所述圖案將對(duì)應(yīng)于在即將在所述目標(biāo)部被建立的器件，如集成電路或其它器件(見(jiàn)下面)中的特定功能層。這樣的圖案形成裝置實(shí)例包括-掩模。掩模的概念在平版印刷中是眾所周知的，且它包括如二進(jìn)制、交替相移和衰減相移，以及各種混合掩模類(lèi)型等掩模類(lèi)型。根據(jù)掩模上的圖案，在輻射束中放置這種掩模引起撞擊到掩模上輻射的選擇性透射(在透射性掩模的情況下)或反射(在反射性掩模的情況下)。在掩模情況下，支撐結(jié)構(gòu)將總體上是掩模臺(tái)，其確保掩?？梢员恢С诌M(jìn)入輻射束內(nèi)所要求的位置處，并且若需要的話，它可以相對(duì)于所述束被移動(dòng)。
-可編程的鏡陣列。這種器件的一個(gè)實(shí)例是一個(gè)具有粘彈性控制層的矩陣-可編址表面和一個(gè)反射表面。這種設(shè)備后面的基本原理是(例如)所述反射表面的被編址區(qū)將入射光作為衍射光而反射，而未編址區(qū)將入射光作為非衍射光而反射。通過(guò)使用一個(gè)適當(dāng)?shù)臑V光器，所述非衍射光可以從被反射束中被濾出，只留下衍射光；通過(guò)這種方式，根據(jù)所述矩陣-可編址表面的編址圖案，所述束被形成圖案?？删幊嚏R陣列的另一實(shí)施例采用微小鏡的矩陣布置，通過(guò)施加一個(gè)適當(dāng)被局部化的電場(chǎng)，或者通過(guò)采用壓電執(zhí)行裝置，每個(gè)鏡可以被單個(gè)地沿著軸傾斜。再次，所述鏡為矩陣-可編址的，這樣被編址的鏡將以不同的方向?qū)⑦M(jìn)入的輻射束反射到未編址的鏡上；以這種方式，根據(jù)矩陣-可編址鏡的編址圖案，經(jīng)反射的束形成了圖案。所要求的矩陣編址可以使用適當(dāng)?shù)碾娮友b置來(lái)執(zhí)行。在上述所說(shuō)明的兩種情形下，所述形成圖案裝置可以包括一個(gè)或多個(gè)可編程的鏡陣列。有關(guān)在此所提及的鏡陣列的更多信息可以從例如美國(guó)專(zhuān)利US5,296,891和US5,523,193，以及PCT專(zhuān)利申請(qǐng)WO98/38597和WO98/33096獲得，所述專(zhuān)利在此被引入作為參考。在可編程鏡陣列的情況下，所述支撐結(jié)構(gòu)可以被具體化為一個(gè)框或臺(tái)，例如，按需要，其可以是固定的或可移動(dòng)的。
-可編程的LCD陣列。這種結(jié)構(gòu)的一個(gè)實(shí)例在美國(guó)專(zhuān)利US5,229,872中給出，所述專(zhuān)利在此引用作為參考。同上，在這種情況下的支撐結(jié)構(gòu)可以被具體化為一個(gè)框或臺(tái)，例如，按需要，其可以是固定的或可移動(dòng)的。
為了簡(jiǎn)化的目的，在某些地方，本文的其余部分可能本身具體地指向涉及掩模和掩模臺(tái)的實(shí)例；然而，應(yīng)該在如上所闡明的圖案形成裝置的更廣泛上下文中來(lái)看這樣例子中所討論的總原則。
平版印刷投射設(shè)備可以被用在例如集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，形成圖案裝置可以產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于IC單個(gè)層的電路圖案，且這個(gè)圖案可以被成像到基片(硅片)上的目標(biāo)部(例如包括一個(gè)或多個(gè)電路小片)上，所述基片已經(jīng)被涂有一層輻射敏感材料(抗蝕劑)?？傮w上，一個(gè)單晶片將包含相鄰目標(biāo)部的整個(gè)網(wǎng)絡(luò)，所述目標(biāo)部在某時(shí)經(jīng)由投射系統(tǒng)被連續(xù)地照射一次。在當(dāng)前設(shè)備中，通過(guò)應(yīng)用由掩模臺(tái)上的掩模所進(jìn)行的圖案形成，可以區(qū)分兩個(gè)不同類(lèi)型的機(jī)器。在一種類(lèi)型的平版印刷投射設(shè)備中，每個(gè)目標(biāo)部通過(guò)一下子將整個(gè)掩模圖案曝光到目標(biāo)部上而得以照射；這種設(shè)備通常被稱(chēng)為晶片分檔器。在另一設(shè)備中——通常被稱(chēng)為步進(jìn)-和-掃描設(shè)備——通過(guò)在一給定參考方向(“掃描方向”)上在投射束下漸進(jìn)地掃描掩模圖案，而同時(shí)平行于或半平行于這個(gè)方向，同步地掃描基片臺(tái)，則每個(gè)目標(biāo)部得到照射；因?yàn)椋傮w上，投射系統(tǒng)將具有放大系數(shù)M(總體上，＜1)，基片臺(tái)被掃描的這個(gè)速度V將是為掩模臺(tái)被掃描速度M倍的一個(gè)系數(shù)。有關(guān)在此所說(shuō)明的平版印刷器件的更多信息可以例如從US6,064,792中獲得，所述專(zhuān)利在此引入作為參考。
在使用平版印刷投射設(shè)備的制造過(guò)程中，一個(gè)圖案(例如在掩模中)被成像到至少被輻射敏感材料(抗蝕劑)層所部分覆蓋的基片上。在這個(gè)成像步驟之前，所述基片可能經(jīng)歷各種程序，如打底漆、抗蝕劑涂鍍及軟烘焙。在曝光之后，所述基片可能要經(jīng)歷其它程序，如曝光后烘焙(PEB)、顯影、硬烘焙及對(duì)所成像特點(diǎn)的測(cè)量/檢測(cè)。程序的這個(gè)陣列作為對(duì)器件(例如IC)單個(gè)層形成圖案的基礎(chǔ)。然后，這種已形成圖案的層可能經(jīng)歷各種過(guò)程，如蝕刻、離子注入(摻雜)、金屬化、氧化、化學(xué)-機(jī)械拋光等，上述所有這些旨在完成一個(gè)單個(gè)層。如果需要幾個(gè)層的話，則將不得不針對(duì)每個(gè)新的層重復(fù)整個(gè)程序，或其中的變型。最終，器件陣列將被呈現(xiàn)在基片(晶片)上。然后通過(guò)如切成小方塊或鋸切等技術(shù)，這些器件被彼此分離，據(jù)此單個(gè)器件可以被安裝在載體上、被連接到插腳上等。有關(guān)這些過(guò)程的進(jìn)一步信息可以從例如由Peter van Zant所著、1997年McGraw Hill PublishingCo.，出版的書(shū)籍“Microchip FabricationA Practical Guide toSemiconductor Processing”第三版ISBN 0-07-067250-4中獲得，所述書(shū)籍在些引入作為參考。
為簡(jiǎn)化起見(jiàn)，此后所述投射系統(tǒng)被稱(chēng)為“透鏡”；然而，這個(gè)術(shù)語(yǔ)應(yīng)該被廣泛地解釋為包含各種類(lèi)型的投射系統(tǒng)，例如包括折射光學(xué)裝置、反射光學(xué)裝置、以及反折射系統(tǒng)。所述輻射系統(tǒng)也可能包括按照任何這些設(shè)計(jì)類(lèi)型而操作的用于導(dǎo)引、成形或控制輻射投射束的元件、并且這些元件還可能共同地或單個(gè)地被如下稱(chēng)為“透鏡”。此外，所述平版印刷設(shè)備可能是具有兩個(gè)或多個(gè)基片臺(tái)(以及/或兩個(gè)或多個(gè)掩模臺(tái))的類(lèi)型。在這種“多臺(tái)”器件中，可能平行地使用附加的臺(tái)，或在一個(gè)或多個(gè)臺(tái)上可能進(jìn)行準(zhǔn)備步驟，而一個(gè)或多個(gè)其它臺(tái)被用于曝光。例如在US5,969,441和WO98/40791中說(shuō)明了雙級(jí)平版印刷設(shè)備，所述專(zhuān)利在此引入作為參考。
為了將基片臺(tái)正確定位在投射透鏡焦平面內(nèi)，則使用一個(gè)水平傳感器。用在平版印刷投射設(shè)備中的所述水平傳感器要遭受至少兩種類(lèi)型的過(guò)程依賴(lài)性。過(guò)程依賴(lài)性是一種類(lèi)型的誤差，其中根據(jù)被測(cè)量的基片是如何得到處理的，水平傳感器的測(cè)量提供出不同的結(jié)果。例如，當(dāng)事實(shí)上具有抗蝕劑涂層的基片完全是平的(即沒(méi)有傾斜)時(shí)候，對(duì)于水平傳感器其可能看上去是傾斜的。同樣，甚至在抗蝕劑表面與裸的基片表面具有完全相同的高度情況下，水平傳感器可能測(cè)量出所述兩個(gè)基片具有不同的高度。所述第一類(lèi)型的誤差被公知為傾斜過(guò)程依賴(lài)性且所述第二類(lèi)型誤差被公知為高度過(guò)程依賴(lài)性。
此外，對(duì)于一個(gè)給定的過(guò)程，甚至顯然相同的晶片處理機(jī)器可能展示出不同的傾斜過(guò)程依賴(lài)性及/或高度過(guò)程依賴(lài)性。即，對(duì)于一個(gè)已經(jīng)根據(jù)一特定過(guò)程被處理的特定基片，所測(cè)量的高度和/或傾斜過(guò)程依賴(lài)性可能隨機(jī)器到機(jī)器而變化。同樣這對(duì)于不同類(lèi)型的機(jī)械也是如此。在制造設(shè)施中，常見(jiàn)的是讓許多機(jī)器工作來(lái)執(zhí)行一個(gè)特定的過(guò)程。測(cè)量并且校正這種機(jī)器到機(jī)器依賴(lài)性的可用方法是針對(duì)每個(gè)機(jī)器針對(duì)每個(gè)過(guò)程來(lái)完成FEM(focus energy matrix焦點(diǎn)能量矩陣)。FEM(以及在外部器件上的其讀出)是耗費(fèi)時(shí)間的，且針對(duì)每個(gè)機(jī)器針對(duì)每個(gè)過(guò)程執(zhí)行一次則導(dǎo)致所不希望的機(jī)器停機(jī)時(shí)間量。因此，有益地是將機(jī)器到機(jī)器過(guò)程依賴(lài)性的差異特征化，而沒(méi)必要針對(duì)每個(gè)機(jī)器針對(duì)每個(gè)過(guò)程測(cè)量完整的焦點(diǎn)能量矩陣。
發(fā)明簡(jiǎn)述本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種方法，其校準(zhǔn)至少兩個(gè)平版印刷設(shè)備的水平傳感器，以校正機(jī)器到機(jī)器的水平傳感器過(guò)程依賴(lài)性的差異，而不針對(duì)每個(gè)機(jī)器針對(duì)每個(gè)過(guò)程來(lái)執(zhí)行FEM。
根據(jù)本發(fā)明，在如開(kāi)始段落中所規(guī)定的平版印刷設(shè)備中，這個(gè)及其它目的得以實(shí)現(xiàn)，其特征在于所述方法包括通過(guò)使用第一平版印刷投射設(shè)備，測(cè)量基準(zhǔn)基片的第一組調(diào)平數(shù)據(jù)的裝置；通過(guò)使用所述第一設(shè)備，測(cè)量根據(jù)所選擇過(guò)程而處理的基片的第二組調(diào)平數(shù)據(jù)的裝置；通過(guò)使用所述第二設(shè)備，測(cè)量所述基準(zhǔn)基片的第三組調(diào)平數(shù)據(jù)的裝置；通過(guò)使用所述第二設(shè)備，測(cè)量根據(jù)所選擇過(guò)程而處理的基片的第四組調(diào)平數(shù)據(jù)的裝置；以及使用所述第一、第二、第三及第四組調(diào)平數(shù)據(jù)來(lái)計(jì)算一組水平傳感器參數(shù)的裝置，所述參數(shù)對(duì)應(yīng)于所選擇過(guò)程的機(jī)器到機(jī)器的水平傳感器差異。
比較好的是，在上述方法中，所述基準(zhǔn)基片包括一個(gè)其上具有校準(zhǔn)抗蝕劑的基片。
比較好的是，在上述方法中進(jìn)一步包括通過(guò)使用第三設(shè)備，測(cè)量出基準(zhǔn)基片的第五組調(diào)平數(shù)據(jù)；通過(guò)使用所述第三設(shè)備，測(cè)量出根據(jù)所述所選擇的過(guò)程被處理的基片的第六組調(diào)平數(shù)據(jù)，以執(zhí)行附加的測(cè)量；以及利用所述第一和第二組調(diào)平數(shù)據(jù)，及/或所述第三和第四組調(diào)平數(shù)據(jù)，以及所述第五和第六組調(diào)平數(shù)據(jù)來(lái)計(jì)算一組水平傳感器參數(shù)，所述參數(shù)對(duì)應(yīng)于所選擇過(guò)程的機(jī)器到機(jī)器的水平傳感器差異。
比較好的是，在上述方法中，所述測(cè)量包括在所述被測(cè)量基片上多個(gè)點(diǎn)的每一點(diǎn)上進(jìn)行多個(gè)測(cè)量。
比較好的是，在上述方法中，所述測(cè)量進(jìn)一步包括在所測(cè)量基片上的每個(gè)測(cè)量點(diǎn)處進(jìn)行多個(gè)測(cè)量，且其中所述基片在測(cè)量之間被交替。
比較好的是，在上述方法中，所述測(cè)量進(jìn)一步包括在測(cè)量期間所述基片被裝載在卡盤(pán)上，且在測(cè)量之間所述基片被再裝載到所述卡盤(pán)上。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供有一種器件制造方法，其包括下述步驟-提供至少由一層輻射敏感材料所部分覆蓋的基片；-通過(guò)使用輻射系統(tǒng)提供輻射投射束；-使用圖案形成裝置，以在所述投射束的橫斷面上賦予一個(gè)圖案；-將已形成圖案的輻射束投射到輻射敏感材料層的目標(biāo)部上，其特征在于在所述成像之前，提供一組過(guò)程相關(guān)參數(shù)，用于調(diào)節(jié)成像，通過(guò)下述步驟所述參數(shù)得以確定通過(guò)使用第一平版印刷投射設(shè)備，測(cè)量基準(zhǔn)基片的第一組調(diào)平數(shù)據(jù)，通過(guò)使用所述第一設(shè)備，測(cè)量根據(jù)所選擇過(guò)程而處理的基片的第二組調(diào)平數(shù)據(jù)；通過(guò)使用所述第二設(shè)備，測(cè)量所述基準(zhǔn)基片的第三組調(diào)平數(shù)據(jù)；通過(guò)使用所述第二設(shè)備，測(cè)量根據(jù)所選擇過(guò)程而處理的基片的第四組調(diào)平數(shù)據(jù)；以及使用所述第一、第二、第三及第四組調(diào)平數(shù)據(jù)來(lái)計(jì)算一組水平傳感器參數(shù)，所述水平傳感器參數(shù)對(duì)應(yīng)于所選擇過(guò)程的機(jī)器到機(jī)器的水平傳感器差異。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種器件，其按照上述制造方法制造。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種平版印刷透射設(shè)備，其包括-用于供給輻射投射束的輻射系統(tǒng)；-用于支撐圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)，根據(jù)所要求的圖案所述圖案形成裝置可用來(lái)對(duì)投射束形成圖案；-用于支持基片的基片臺(tái)；-用于將已形成圖案的束投射到所述基片的目標(biāo)部的投射系統(tǒng)，其特征在于所述設(shè)備進(jìn)一步包括通過(guò)使用第一平版印刷投射設(shè)備，用于測(cè)量基準(zhǔn)基片的第一組調(diào)平數(shù)據(jù)的裝置；通過(guò)使用所述第一設(shè)備，用于測(cè)量根據(jù)所選擇過(guò)程而處理的基片的第二組調(diào)平數(shù)據(jù)的裝置；通過(guò)使用所述第二設(shè)備，用于測(cè)量所述基準(zhǔn)基片的第三組調(diào)平數(shù)據(jù)的裝置；通過(guò)使用所述第二設(shè)備，用于測(cè)量根據(jù)所述所選擇過(guò)程而處理的基片的第四組調(diào)平數(shù)據(jù)的裝置；以及使用所述第一、第二、第三及第四組調(diào)平數(shù)據(jù)，用于計(jì)算一組水平傳感器參數(shù)的裝置，所述參數(shù)對(duì)應(yīng)于所選擇過(guò)程的機(jī)器到機(jī)器的水平傳感器差異。
雖然在本文中可能具體提及在制造IC中使用根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備，但是應(yīng)該清楚地理解到這種設(shè)備具有許多其它可能的應(yīng)用。例如，它可以被應(yīng)用到集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲(chǔ)器的制導(dǎo)及檢測(cè)圖案、液晶顯示面板、薄膜磁頭等的制造中。熟練技工將理解到在這種另外應(yīng)用的上下文中，在本文中任何術(shù)語(yǔ)“reticle”(標(biāo)線片)、“wafer”(晶片)或“die”(電路小片)的使用應(yīng)該被似為分別由更通用的術(shù)語(yǔ)“mask”(掩模)、“substrate”(基片)及“target portion”(目標(biāo)部)來(lái)取代。
在本文件中，術(shù)語(yǔ)“radiation”(輻射)及“beam”(束)被用來(lái)包含所有類(lèi)型的電磁輻射，包括紫外線輻射(例如具有365、248、193、157或126nm的波長(zhǎng))和EUV(遠(yuǎn)紫外線輻射，例如具有在5-20nm范圍內(nèi)的波長(zhǎng))，以及粒子束，如離子束或電子束。
參考附圖，本發(fā)明的實(shí)施例僅以實(shí)例的形式給予描述。



圖1示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)平版印刷設(shè)備的一個(gè)實(shí)施例。
圖2示出對(duì)水平傳感器誤差的不同貢獻(xiàn)。
圖3a-c示意性地示例出過(guò)程依賴(lài)性。
在所述圖中，對(duì)應(yīng)的參考符號(hào)表示對(duì)應(yīng)的部件。
本發(fā)明的實(shí)施例圖1示意性地描繪了根據(jù)本發(fā)明特定實(shí)施例的一種平版印刷投射設(shè)備1。所述設(shè)備包括-用于供給輻射(例如EUV、DUV、電子束或x-射線輻射)投射束PB的輻射系統(tǒng)Ex，IL。在這個(gè)特定情況下，所述輻射系統(tǒng)還包括輻射源LA；-第一對(duì)象臺(tái)(掩模臺(tái))MT，其被提供有用于支持掩模MA(例如標(biāo)線片)的掩模支持架，并且被連接到用于精確地將掩模相對(duì)于物件PL定位的第一定位裝置上；-第二對(duì)象臺(tái)(基片臺(tái))WT，其被提供有用于支持基片W(例如涂有抗蝕劑的硅片)的基片支持架，并且被連接到用于精確地將基片相對(duì)于物件PL定位的第二定位裝置上；-投射系統(tǒng)(“透鏡”)PL(例如反折射、折射、反射以及/或衍射單元)，其用于將掩模MA的被照射部成像到基片W的目標(biāo)部C(例如包括一個(gè)或多個(gè)電路小片)上。
如在此所描述的那樣，所述設(shè)備為透射類(lèi)型(即具有一個(gè)透射掩模)。然而，總體上，它還可能是例如反射類(lèi)型(具有反射掩模)。作為另一選擇，所述設(shè)備可能應(yīng)用另一種類(lèi)型的形成圖案裝置，如如上所提及的可編程鏡陣列類(lèi)型。
所述源LA(例如激光器、燈、x-射線、離子或電子源)產(chǎn)生輻射束。這個(gè)束或者被直接地、或者在已經(jīng)穿過(guò)調(diào)節(jié)裝置如例如束擴(kuò)展器Ex后，被送入照明系統(tǒng)(照明器)IL。所述照明器IL可以包括調(diào)節(jié)裝置AM，用于設(shè)定束內(nèi)強(qiáng)度分布的外部和/或內(nèi)部徑向范圍(通常分別被稱(chēng)為σ-外部和σ-內(nèi)部)。此外，它將總體上包括各種其它的元件，如積分器IN和聚光器CO。以這種方式，撞擊到掩模MA上的束PB在其橫斷面上具有所要求的均勻性和強(qiáng)度分布。
應(yīng)該注意到關(guān)于圖1，源LA可以在平版印刷投射設(shè)備的外殼內(nèi)(如同經(jīng)常在源LA是例如汞燈的情況下)，但是它還可能遠(yuǎn)離所述平版印刷設(shè)備，它產(chǎn)生的輻射束被引入所述設(shè)備(例如借助于適宜的導(dǎo)向鏡)；這后一方案經(jīng)常是當(dāng)源LA為準(zhǔn)分子激光器的這種情況。本發(fā)明和權(quán)利要求
包含這兩種方案。
隨后所述束PB相交被支持在掩模臺(tái)MT上的掩模MA。已經(jīng)穿過(guò)掩模MA后，束PB經(jīng)過(guò)將其聚焦到基片W的目標(biāo)部C上的透鏡PL。借助于所述第二定位裝置(以及干涉測(cè)量的測(cè)量裝置IF)，基片臺(tái)WT可以被精確地移動(dòng)，例如以便于將不同的目標(biāo)部定位在束PB的路徑上。類(lèi)似地，例如在來(lái)自掩模庫(kù)的掩模MA的機(jī)械檢索之后，或在掃描期間，所述第一定位裝置可以被用來(lái)精確地將掩模MA相對(duì)于束PB的路徑定位?？傮w上，對(duì)象臺(tái)MT、WT的運(yùn)動(dòng)將借助于長(zhǎng)行程模塊(粗略定位)及短行程模塊(精細(xì)定位)來(lái)實(shí)現(xiàn)，這將圖1中未被明確地加以描述。然而，在晶片分檔器(stepper)(與步進(jìn)-和-掃描設(shè)備相反)情況下，掩模臺(tái)MT就可以只被連接到短行程執(zhí)行器上，或者可能被固定。在成像期間，利用標(biāo)線片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志M1、M2以及基片對(duì)準(zhǔn)標(biāo)志P1、P2可以將標(biāo)線片和基片對(duì)準(zhǔn)。
所描述的設(shè)備可以在兩個(gè)不同的模式下被使用1。在步進(jìn)模式(step mode)中，掩模臺(tái)MT基本上被保持靜止，并且一個(gè)完整的掩模圖像被一下子(即一個(gè)單“閃光”)投射到目標(biāo)部C上。然后基片臺(tái)WT在x和/或y方向上被移位，以便于不同的目標(biāo)部C可以被束PB照射；2。在掃描模式中，除了已知目標(biāo)部C未被曝光于單“閃光”以外，基本上應(yīng)用同樣的方案。取而代之的是，掩模臺(tái)MT在已知方向(所謂的“掃描方向”，例如所述的y方向)上以速度υ移動(dòng)，這樣使投射束PB掃描過(guò)掩模圖像；與此同時(shí)，基片臺(tái)WT同時(shí)地在相同或相反方向上以速度V＝Mυ移動(dòng)，其中M是透鏡PL的放大率(典型地，M＝1/4或1/5)。以這種方法，一個(gè)相對(duì)大的目標(biāo)部C可以被曝光，而不必使分辨率妥協(xié)。
影響平版印刷設(shè)備成像質(zhì)量的重要因素是精確度，借此精確度掩模圖像被聚焦在基片上。實(shí)際上，因?yàn)橛糜谡{(diào)節(jié)投射系統(tǒng)PL焦平面位置的范圍受到限制，且那個(gè)系統(tǒng)的景深小，所以這意味著晶片(基片)的曝光面積必須被準(zhǔn)確地定位在投射系統(tǒng)PL的焦平面上內(nèi)。為此，需要知道投射系統(tǒng)PL的焦平面位置以及晶片的頂表面位置。晶片被拋光以達(dá)到一個(gè)非常高的平直程度，但盡管如此還可能出現(xiàn)顯著地影響聚焦精確性的足夠量值的晶片表面與完美平直的偏差(被稱(chēng)為“不平直度”)。不平直度例如可能由晶片厚度的變化、晶片形狀的變形或在晶片支持架上的污物所引起。因先前過(guò)程步驟所導(dǎo)致結(jié)構(gòu)的存在還顯著地影響晶片的高度(平直度)。在本發(fā)明中，不平直度的原因很大程度上是不相關(guān)的。除非上下文另外有所要求，否則下面所提及的“晶片表面”是指其上將被投射掩模圖像的晶片的頂表面。
在水平傳感器操作的一個(gè)實(shí)例中，所述水平傳感器在多個(gè)點(diǎn)測(cè)量出物理參考表面的垂直(Z)位置，以及晶片表面的垂直位置，ZLS，并且第二傳感器，例如Z-干涉儀，在同樣點(diǎn)上同時(shí)測(cè)量出基片臺(tái)的垂直位置，ZIF。晶片表面高度被確定為ZWafer＝ZLS-ZIF。然后，載有晶片的基片臺(tái)被傳輸?shù)狡毓庹?，且物理參考表面的垂直位置被再次加以確定。然后，在曝光過(guò)程期間在將晶片定位于正確的垂直位置時(shí)，可以要查閱高度地圖。根據(jù)本發(fā)明可以使用的水平傳感器的一個(gè)實(shí)例被公開(kāi)于在2000年3月6日提交的美國(guó)專(zhuān)利號(hào)5,191,200及美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?9/519,875，所述兩個(gè)專(zhuān)利在此引入作為參考。
如圖2所示，在水平傳感器測(cè)量時(shí)存在許多對(duì)測(cè)量誤差的影響。在所示例的實(shí)例中，氣動(dòng)支點(diǎn)20被坐在底座22上。所述底座本身可能具有固有的傾角。此外，取決于所述氣動(dòng)支點(diǎn)20是如何坐在所述座座上，底座不平直度24(外形)可以導(dǎo)致附加的局部?jī)A斜。氣動(dòng)支點(diǎn)20經(jīng)由一組卡盤(pán)執(zhí)行器(未示出)被耦合到卡盤(pán)上。所述卡盤(pán)執(zhí)行器本身可能具有一些傾角26，如果一些執(zhí)行器未被適當(dāng)?shù)丶右詧?zhí)行時(shí)，所述傾角可能會(huì)進(jìn)一步增加?？ūP(pán)28本身可能在外形30及在傾斜方面均不完全平直。如果卡盤(pán)28不是完全平直，這可以被轉(zhuǎn)化為晶片32的不平直度。此外，晶片32本身可能不是平直的，它可能具有楔形形狀或其它外形。由于所有這些影響的結(jié)果，水平傳感器可能測(cè)量出晶片表面具有與其實(shí)際高度ha不同的高度hm。此外，它可以測(cè)量出不同于實(shí)際傾角ta的傾角tm。這種在高度和傾角測(cè)量中的誤差可以導(dǎo)致成像輻射的焦平面被置于錯(cuò)誤的平面上，從而降低了成像設(shè)備的分辨率。此外，正如從圖2中可能看到的，如果所測(cè)量的傾角與基片實(shí)際傾角相反，則施加到卡盤(pán)上的任何傾角校正將實(shí)際上加重了這種局面，而不是對(duì)它進(jìn)行校正。
圖3a-c示意性地示出兩種類(lèi)型過(guò)程依賴(lài)性的實(shí)例。第一裸基片40被放置在物理高度h上，而一被處理的基片42被放置在同一物理高度h上，在這種情況下所述基片42被涂有一層光致抗蝕劑44。理論上理想的高度測(cè)量系統(tǒng)應(yīng)該確定出所述裸基片正好處于與所述被處理基片的抗蝕劑表面相同的高度。然而，實(shí)際上，已經(jīng)觀察到裸基片40的測(cè)量高度ha通常將不同于被處理的基片42的測(cè)量高度hb(注意ha被示出略微不同于h，以表示非過(guò)程依賴(lài)性的測(cè)量誤差)。此外，如圖3c所示例，有可能被處理基片42′的測(cè)量m將進(jìn)一步示出一些程度的傾角，且導(dǎo)致一個(gè)平均高度Hc，這再次還是不同于物理高度h。
在圖3a-c中示出座標(biāo)，以便于平直基片位于XY平面且Z方向垂直于所述XY平面而延伸。通過(guò)使用這個(gè)座標(biāo)系統(tǒng)，利用三個(gè)參數(shù)，即在Z方向上的位移、沿Y軸的旋轉(zhuǎn)以及沿X軸的旋轉(zhuǎn)，過(guò)程依賴(lài)性可能被特征化。這三個(gè)參數(shù)可以在基片表面上的多點(diǎn)處被測(cè)量，以便于產(chǎn)生對(duì)基片總體上進(jìn)行特征化的一組參數(shù)。所測(cè)量的點(diǎn)的數(shù)目可以被加以選擇，以提供所要求的分辨率，并且可以例如對(duì)應(yīng)于基片上的眾多拍攝區(qū)。
在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例方法的一個(gè)實(shí)例中，針對(duì)一對(duì)機(jī)器，一個(gè)特定的過(guò)程被特征化。對(duì)于每個(gè)機(jī)器(MA和MB)，基準(zhǔn)基片的高度測(cè)量z1、以及根據(jù)被特征化的過(guò)程而被處理的基片的第二高度測(cè)量z2得到測(cè)量。所述測(cè)量可以針對(duì)基片表面上的一系列點(diǎn)(x，y)而進(jìn)行，并且針對(duì)每個(gè)點(diǎn)(x，y)通過(guò)簡(jiǎn)單地從z2中減去z1，可以計(jì)算出一組Δz(x，y)。這個(gè)組對(duì)應(yīng)于那個(gè)機(jī)器的高度過(guò)程依賴(lài)性(包括非理想晶片的晶片厚度差)地圖。同樣，針對(duì)每臺(tái)機(jī)器可以得到一組Rx和Ry測(cè)量。雖然在此說(shuō)明了數(shù)據(jù)組，但是在一單點(diǎn)x，y而不是在一系列的這樣點(diǎn)上執(zhí)行測(cè)量也可能是足夠的。這樣的單點(diǎn)應(yīng)該被似為一個(gè)僅具有一個(gè)項(xiàng)的組。
在一個(gè)實(shí)例中，基準(zhǔn)基片可以是一個(gè)裸基片，或是具有校準(zhǔn)涂層的基片，因?yàn)樗鼘⒈黄谕麨楦静痪哂羞^(guò)程依賴(lài)性。作為另一選擇，基準(zhǔn)基片可以是已經(jīng)通過(guò)一些預(yù)定方法被處理的基片，通過(guò)使用另一方法，如例如FEM，所述預(yù)定方法已經(jīng)被特征化。對(duì)于這種被處理的基準(zhǔn)基片，一旦那個(gè)基片的過(guò)程依賴(lài)性是公知的，則就象另一類(lèi)型基準(zhǔn)基片將被使用那樣，它可以被加以使用。在下面的等式中，術(shù)語(yǔ)“未經(jīng)處理的”得到使用，然而所述等式應(yīng)該被理解為包括在此所討論的任何其它種類(lèi)的基準(zhǔn)基片。
一個(gè)已知水平傳感器具有一個(gè)相應(yīng)的斑尺寸，在某些設(shè)備中所述斑尺寸可能是變化的。因?yàn)楣氖撬絺鞲衅鲾?shù)據(jù)在某些情況下隨斑尺寸而變化，所以本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例采用這樣的水平傳感器，所述水平傳感器在即將被特征化的每個(gè)平版印刷設(shè)備中具有基本上相同的斑尺寸。在一些例子中，斑尺寸將不具備大的效應(yīng)，且每個(gè)平版印刷設(shè)備可能具有不同的水平傳感器斑尺寸。
根據(jù)下述等式1-3，所收集的數(shù)據(jù)則可以被理解，Zreference-Zprocessed＝thicknessprocessed-thicknessreference+HPDprocess+εnoise+εdrift[等式1]Rxreference-Rxprocessed＝wedgeRxprocessed-wedgeRxreference[等式2]+TPDRxprocassed+εnoise+εdriftRyreference-Ryprocessed＝wedgeRyprocessed-wedgeRyreference[等式3]+TPDRyprocessed+εnoise+εdrift等式1表明對(duì)于一對(duì)基片，即一個(gè)被處理的和一個(gè)未經(jīng)處理的，所測(cè)量的ΔZ等于厚度差、加上被處理基片的水平傳感器測(cè)量的高度過(guò)程依賴(lài)性、加上兩上誤差因子，一個(gè)因子與探測(cè)器噪聲有關(guān)，另一個(gè)因子與漂移有關(guān)。等式2和3相似，且示出所測(cè)量的繞軸旋轉(zhuǎn)的變化等于被處理基片的楔形、減去未經(jīng)處理基片的楔形、加上傾斜過(guò)程依賴(lài)性以及噪聲和漂移的誤差因子。
等式4、5和6則可以被用來(lái)將所述兩臺(tái)機(jī)器關(guān)系到所測(cè)量的過(guò)程
ΔHPDM1-M2＝(Zreference-Zprocess)M1-(Zreference-Zprocess)M2+εprocessed_M1-εprocessed_M2+εreference_M2-εreference_M1[等式4]+εnoise_M1-εnoiss_M2+εdrift_M1-εdrift_M2在等式4中，εprocessed和εreference是在所測(cè)量厚度中的全部誤差，且其每個(gè)對(duì)于每個(gè)機(jī)器，M1、M2，具有一值。
ΔTPDRxM1-M2＝(Rxreference-Rxprocess)M1-(Rxreference-Rxprocess)M2+εRyprocessed_M1-εRyprocessed_M2+εRxreference_M2-εRxreference_M1[等式5]+εRxnoise_M1-εRxnoise_M2+εRxdrift_M1-εRrdrift_M2ΔTPDRyM1-M2＝(Ryreference-Ryprocess)M1-(Ryreference-Ryprocess)M2+εRyprocessed_M1-εRyprocessed_M2+εRyreference_M2-εRyreference_M1[等式6]+εRynoise_M1-εRynoise_M2+εRydrift_M1-εRydrift_M2同樣，在對(duì)一組機(jī)器中的每個(gè)進(jìn)行了兩組測(cè)量之后，使用等式4、5和6可以對(duì)任何兩個(gè)機(jī)器進(jìn)行比較。一旦所述數(shù)據(jù)組被收集，且對(duì)等式加以評(píng)估，則結(jié)果可以被用來(lái)調(diào)節(jié)所述設(shè)備的焦平面，以便于每一曝光處于或接近最佳的焦平面。可以針對(duì)附加的設(shè)備測(cè)量出每個(gè)參考和被處理基片的額外數(shù)據(jù)組，以便于兩種以上設(shè)備可以用同樣的方式被特征化。在對(duì)多個(gè)設(shè)備進(jìn)行特征化時(shí)，例如，第三設(shè)備可以與第一和第二設(shè)備之一相比較，或者與這兩者的組合相比較。
在某些情形下，高度過(guò)程依賴(lài)性比兩個(gè)傾斜過(guò)程依賴(lài)性中任何之一導(dǎo)致更大的問(wèn)題。在這種情況下，可以采用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的方法，針對(duì)每個(gè)測(cè)量的點(diǎn)僅測(cè)量出高度測(cè)量。本發(fā)明者已經(jīng)確定出通過(guò)使用具有波長(zhǎng)小于約950nm的光，水平傳感器過(guò)程依賴(lài)性可以得到進(jìn)一步降低。
可以進(jìn)行漂移校準(zhǔn)，以便于校正機(jī)器的漂移。同樣，通過(guò)將一系列測(cè)量平均化，噪聲誤差可以得到降低。通過(guò)采用兩項(xiàng)技術(shù)，每個(gè)等式的誤差(ε)部分可以被降低到一個(gè)非常低的水平，從而留下基本上捕獲了過(guò)程依賴(lài)性的測(cè)量。實(shí)際上，這些校正可以提供比FEM具有更高精確度等級(jí)的測(cè)量，而同時(shí)大大降低了進(jìn)行測(cè)量所必須的總時(shí)間。在漂移校正方法的一個(gè)實(shí)例中，在每個(gè)設(shè)備上針對(duì)每個(gè)基片進(jìn)行了多個(gè)測(cè)量，且兩個(gè)基片在測(cè)量之間被交替。所生成的數(shù)據(jù)可以被繪出，以示出一個(gè)漂移曲線。經(jīng)實(shí)驗(yàn)確定的曲線可以被用來(lái)推斷漂移數(shù)據(jù)，或者在一些情況下，一函數(shù)可以適配于所述曲線且被用來(lái)計(jì)算所預(yù)計(jì)的漂移。
可以進(jìn)一步設(shè)想可以采用多個(gè)基準(zhǔn)基片，以提供降低的誤差。同樣，可以設(shè)想即將被測(cè)量的基片在調(diào)平之前可以在多個(gè)不同的角度下被對(duì)準(zhǔn)。
雖然上述已經(jīng)說(shuō)明了本發(fā)明的具體實(shí)施例，但是將理解到本發(fā)明可以不按照上面所述被實(shí)踐。所述說(shuō)明并不旨在對(duì)本發(fā)明進(jìn)行限制。
權(quán)利要求
1.一種對(duì)至少兩個(gè)平版印刷投射設(shè)備的水平傳感器進(jìn)行校正的方法，以校正機(jī)器到機(jī)器的水平傳感器過(guò)程依賴(lài)性，所述校正包括，通過(guò)使用第一平版印刷投射設(shè)備，測(cè)量基準(zhǔn)基片的第一組調(diào)平數(shù)據(jù)；通過(guò)使用所述第一設(shè)備，測(cè)量根據(jù)一所選擇過(guò)程而處理的基片的第二組調(diào)平數(shù)據(jù)；通過(guò)使用所述第二設(shè)備，測(cè)量所述基準(zhǔn)基片的第三組調(diào)平數(shù)據(jù)；通過(guò)使用所述第二設(shè)備，測(cè)量根據(jù)所述所選擇過(guò)程而處理的基片的第四組調(diào)平數(shù)據(jù)；以及使用所述第一、第二、第三及第四組調(diào)平數(shù)據(jù)來(lái)計(jì)算一個(gè)水平傳感器參數(shù)組，所述水平傳感器參數(shù)對(duì)應(yīng)于所選擇過(guò)程的機(jī)器到機(jī)器的水平傳感器差異。
2.根據(jù)權(quán)利要求
1的方法，其中所述基準(zhǔn)基片是一個(gè)裸基片。
3.根據(jù)權(quán)利要求
1的方法，其中所述基準(zhǔn)基片包括一個(gè)其上具有校準(zhǔn)抗蝕劑的基片。
4.根據(jù)權(quán)利要求
1的方法，其中所述基準(zhǔn)基片是一個(gè)根據(jù)預(yù)定過(guò)程已經(jīng)被處理的基片，所述方法進(jìn)一步包括利用一組用于定位基片的參數(shù)將預(yù)定過(guò)程的機(jī)器到機(jī)器的過(guò)程依賴(lài)性特征化，該組參數(shù)包括Z方向上的位移、沿Y軸的旋轉(zhuǎn)以及沿X軸的旋轉(zhuǎn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求
1的方法進(jìn)一步包括通過(guò)使用第三設(shè)備，測(cè)量出基準(zhǔn)基片的第五組調(diào)平數(shù)據(jù)；通過(guò)使用所述第三設(shè)備，測(cè)量出根據(jù)所述所選擇的過(guò)程被處理的基片的第六組調(diào)平數(shù)據(jù)，以執(zhí)行附加的測(cè)量；以及利用所述第一和第二組調(diào)平數(shù)據(jù)，及/或所述第三和第四組調(diào)平數(shù)據(jù)，以及所述第五和第六組調(diào)平數(shù)據(jù)來(lái)計(jì)算一組水平傳感器參數(shù)，所述參數(shù)對(duì)應(yīng)于所選擇過(guò)程的機(jī)器到機(jī)器的水平傳感器差異。
6.根據(jù)任何一項(xiàng)上述權(quán)利要求
的方法，其中所述測(cè)量包括在所述被測(cè)量基片上多個(gè)點(diǎn)的每一點(diǎn)上進(jìn)行多個(gè)測(cè)量。
7.根據(jù)權(quán)利要求
1～5中任意一項(xiàng)的方法，其中所述測(cè)量進(jìn)一步包括在所測(cè)量基片上的每個(gè)測(cè)量點(diǎn)處進(jìn)行多個(gè)測(cè)量，且其中所述基片在測(cè)量之間被交替。
8.根據(jù)權(quán)利要求
6的方法，其中所述測(cè)量進(jìn)一步包括在所測(cè)量基片上的每個(gè)測(cè)量點(diǎn)處進(jìn)行多個(gè)測(cè)量，且其中所述基片在測(cè)量之間被交替。
9.根據(jù)權(quán)利要求
1-5中任意一項(xiàng)的方法，其中所述測(cè)量進(jìn)一步包括在測(cè)量期間所述基片被裝載在卡盤(pán)上，且在測(cè)量之間所述基片被再裝載到所述卡盤(pán)上。
10.根據(jù)權(quán)利要求
6的方法，其中所述測(cè)量進(jìn)一步包括在測(cè)量期間所述基片被裝載在卡盤(pán)上，且在測(cè)量之間所述基片被再裝載到所述卡盤(pán)上。
11.根據(jù)權(quán)利要求
7的方法，其中所述測(cè)量進(jìn)一步包括在測(cè)量期間所述基片被裝載在卡盤(pán)上，且在測(cè)量之間所述基片被再裝載到所述卡盤(pán)上。
12.根據(jù)權(quán)利要求
8的方法，其中所述測(cè)量進(jìn)一步包括在測(cè)量期間所述基片被裝載在卡盤(pán)上，且在測(cè)量之間所述基片被再裝載到所述卡盤(pán)上。
13.根據(jù)權(quán)利要求
1～5的方法，其中所述測(cè)量進(jìn)一步包括使用每個(gè)設(shè)備的水平傳感器，每個(gè)所述水平傳感器具有一個(gè)相應(yīng)的斑尺寸，且每個(gè)相應(yīng)的斑尺寸具有相同的尺寸。
14.根據(jù)權(quán)利要求
6的方法，其中所述測(cè)量進(jìn)一步包括使用每個(gè)設(shè)備的水平傳感器，每個(gè)所述水平傳感器具有一個(gè)相應(yīng)的斑尺寸，且每個(gè)相應(yīng)的斑尺寸具有相同的尺寸。
15.根據(jù)權(quán)利要求
7的方法，其中所述測(cè)量進(jìn)一步包括使用每個(gè)設(shè)備的水平傳感器，每個(gè)所述水平傳感器具有一個(gè)相應(yīng)的斑尺寸，且每個(gè)相應(yīng)的斑尺寸具有相同的尺寸。
16.根據(jù)權(quán)利要求
8的方法，其中所述測(cè)量進(jìn)一步包括使用每個(gè)設(shè)備的水平傳感器，每個(gè)所述水平傳感器具有一個(gè)相應(yīng)的斑尺寸，且每個(gè)相應(yīng)的斑尺寸具有相同的尺寸。
17.根據(jù)權(quán)利要求
9的方法，其中所述測(cè)量進(jìn)一步包括使用每個(gè)設(shè)備的水平傳感器，每個(gè)所述水平傳感器具有一個(gè)相應(yīng)的斑尺寸，且每個(gè)相應(yīng)的斑尺寸具有相同的尺寸。
18.根據(jù)權(quán)利要求
10的方法，其中所述測(cè)量進(jìn)一步包括使用每個(gè)設(shè)備的水平傳感器，每個(gè)所述水平傳感器具有一個(gè)相應(yīng)的斑尺寸，且每個(gè)相應(yīng)的斑尺寸具有相同的尺寸。
19.根據(jù)權(quán)利要求
11的方法，其中所述測(cè)量進(jìn)一步包括使用每個(gè)設(shè)備的水平傳感器，每個(gè)所述水平傳感器具有一個(gè)相應(yīng)的斑尺寸，且每個(gè)相應(yīng)的斑尺寸具有相同的尺寸。
20.根據(jù)權(quán)利要求
12的方法，其中所述測(cè)量進(jìn)一步包括使用每個(gè)設(shè)備的水平傳感器，每個(gè)所述水平傳感器具有一個(gè)相應(yīng)的斑尺寸，且每個(gè)相應(yīng)的斑尺寸具有相同的尺寸。
21.使用平版印刷投射設(shè)備的器件制造方法，包括將形成圖案的輻射束成像到具有一層輻射敏感材料的基片的目標(biāo)區(qū)；其特征在于在所述成像之前，提供用于調(diào)節(jié)所述成像的一組過(guò)程相關(guān)參數(shù)，所述參數(shù)由下述來(lái)確定通過(guò)使用第一平版印刷投射設(shè)備，測(cè)量一未經(jīng)處理基片的第一組調(diào)平數(shù)據(jù)，通過(guò)使用所述第一設(shè)備，測(cè)量根據(jù)一所選擇過(guò)程而處理的基片的第二組調(diào)平數(shù)據(jù)；通過(guò)使用所述第二設(shè)備，測(cè)量所述未經(jīng)處理基片的第三組調(diào)平數(shù)據(jù)；通過(guò)使用所述第二設(shè)備，測(cè)量所述被處理的基片的第四組調(diào)平數(shù)據(jù)；以及使用所述第一、第二、第三及第四組調(diào)平數(shù)據(jù)來(lái)計(jì)算一組水平傳感器參數(shù)，所述水平傳感器參數(shù)對(duì)應(yīng)于所選擇過(guò)程的機(jī)器到機(jī)器的水平傳感器差異。
22.根據(jù)權(quán)利要求
21所制造的器件。
23.平版印刷投射設(shè)備，包括-用于供給輻射投射束的輻射系統(tǒng)；-用于支撐圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)，根據(jù)所要求的圖案所述圖案形成裝置可用來(lái)對(duì)投射束形成圖案；-用于支持基片的基片臺(tái)；-用于將已形成圖案的束投射到所述基片的目標(biāo)部的投射系統(tǒng)，其特征在于所述設(shè)備進(jìn)一步包括通過(guò)使用第一平版印刷投射設(shè)備，用于測(cè)量基準(zhǔn)基片的第一組調(diào)平數(shù)據(jù)的裝置；通過(guò)使用所述第一設(shè)備，用于測(cè)量根據(jù)所選擇過(guò)程而處理的基片的第二組調(diào)平數(shù)據(jù)的裝置；通過(guò)使用所述第二設(shè)備，用于測(cè)量所述基準(zhǔn)基片的第三組調(diào)平數(shù)據(jù)的裝置；通過(guò)使用所述第二設(shè)備，用于測(cè)量根據(jù)所述所選擇過(guò)程而處理的基片的第四組調(diào)平數(shù)據(jù)的裝置；以及使用所述第一、第二、第三及第四組調(diào)平數(shù)據(jù)，用于計(jì)算一組水平傳感器參數(shù)的裝置，所述參數(shù)對(duì)應(yīng)于所選擇過(guò)程的機(jī)器到機(jī)器的水平傳感器差異。
專(zhuān)利摘要
一種對(duì)至少兩個(gè)平版印刷投射設(shè)備的水平傳感器進(jìn)行校正，以校正機(jī)器到機(jī)器的水平傳感器過(guò)程依賴(lài)性的方法，其包括通過(guò)使用第一平版印刷投射設(shè)備，測(cè)量基準(zhǔn)基片的第一組調(diào)平數(shù)據(jù)；通過(guò)使用所述第一設(shè)備，測(cè)量根據(jù)所選擇過(guò)程而處理的基片的第二組調(diào)平數(shù)據(jù)；通過(guò)使用所述第二設(shè)備，測(cè)量所述基準(zhǔn)基片的第三組調(diào)平數(shù)據(jù)；通過(guò)使用所述第二設(shè)備，測(cè)量根據(jù)所選擇過(guò)程而處理的基片的第四組調(diào)平數(shù)據(jù)；以及使用所述第一、第二、第三及第四組調(diào)平數(shù)據(jù)來(lái)計(jì)算一組水平傳感器參數(shù)，所述水平傳感器參數(shù)對(duì)應(yīng)于所選擇過(guò)程的機(jī)器到機(jī)器的水平傳感器差異。
文檔編號(hào)G03F7/207GKCN1251305SQ03123208
公開(kāi)日2006年4月12日 申請(qǐng)日期2003年4月22日
發(fā)明者R·M·G·J·奎因斯, P·A·A·托尼森 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan