專(zhuān)利名稱(chēng):導(dǎo)電性防反射膜、導(dǎo)電性防反射膜的制造方法及陰極射線管的制作方法
本發(fā)明涉及一種具有防反射膜的功能、且可防止AEF(Alternating electricfield，交變電場(chǎng))發(fā)生的導(dǎo)電性防反射膜、該導(dǎo)電性防反射膜的制造方法及在其熒光屏面板(face panel)的外表面上具有該導(dǎo)電性防反射膜的陰極射線管。
已有技術(shù)近年來(lái)，有人指出，在用于電視機(jī)的布勞恩管及計(jì)算機(jī)的CRT(Cathod RayTube陰極射線管)等上的陰極射線管，發(fā)生于其內(nèi)部的電子槍及偏轉(zhuǎn)線圈近旁的電磁波漏泄到陰極射線管的外部，可能給設(shè)置于其周?chē)碾娮觾x器等帶來(lái)不利影響。
為此，為防止所述電磁波(電場(chǎng))從陰極射線管漏泄，在特開(kāi)昭61-1188932號(hào)、特開(kāi)昭61-1188946號(hào)、特開(kāi)昭63-160140號(hào)公報(bào)等上公開(kāi)了為防止面板帶電，而對(duì)該面板所進(jìn)行的各種表面處理方法?？梢哉J(rèn)為，應(yīng)用這些方法，確可防止漏電場(chǎng)(AEF)的發(fā)生。
在以防止帶電為目的的場(chǎng)合，導(dǎo)電膜的表面電阻在1×107Ω/□則足夠。然而，上述的表面電阻值并不能防止AEF的發(fā)生。為了防止AEF的發(fā)生，須將處理膜的表面電阻值再進(jìn)一步降低至5×102Ω/□以下。
以往，作為形成表面電阻值低的導(dǎo)電性薄膜的方法，有PVD、CVD法、噴鍍法等的氣相形成方法，例如，在特開(kāi)平1-242769號(hào)公報(bào)上公開(kāi)了一種由噴鍍法形成低電阻導(dǎo)電膜的形成方法。然而，上述氣相方法在形成導(dǎo)電膜時(shí)須使用大型裝置，其設(shè)備投資大，且其大批量生產(chǎn)也有困難。
另外，由于構(gòu)成導(dǎo)電膜的導(dǎo)電材料的比電阻越小，則越可得到良好的導(dǎo)電性，所以，已知籍由含有金屬微粒的膜作為導(dǎo)電膜的使用，可以有效地防止AEF的發(fā)生。
然而，通常，含有金屬微粒的膜既使很薄，對(duì)可見(jiàn)光也具有吸收，因此，當(dāng)膜厚增大，則光的透過(guò)率、特別是波長(zhǎng)短的藍(lán)色領(lǐng)域光的透過(guò)率下降，導(dǎo)致陰極射線管的亮度低下。又，在不摻入粘結(jié)劑，僅以金屬微粒形成導(dǎo)電膜的場(chǎng)合，由于金屬微粒的膠粘力不充分，膜強(qiáng)度低下；另一方面，在將粘結(jié)劑與金屬微粒一起混合加入時(shí)，也有導(dǎo)電膜的電阻值增高，不能得到充分的導(dǎo)電性的問(wèn)題。
再有，將含有導(dǎo)電性微粒的導(dǎo)電層作為顯示高折射率的第一層(其折射率在2以上)，在第一層上設(shè)置折射率在2以下的低折射率二氧化硅層等，由此構(gòu)成二層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電性防反射膜。在該導(dǎo)電性防反射膜上，混合加入如色素等的光吸收物質(zhì)，即可使反射顏色成中性，抑制著色(特開(kāi)平6-208003號(hào)公報(bào)所載)。但是，含有金屬微粒的導(dǎo)電層折射率大，且反射率高，如果僅僅是利用光吸收物質(zhì)的光吸收特性，很難抑制反射顏色的著色。
作為透明導(dǎo)電膜的形成方法，有在基材上涂布透明、且分散有導(dǎo)電性微粒的涂布液，形成涂膜后，再干燥、硬化及燒結(jié)的方法(涂布法或濕法)。例如，將混合分散有Sb的氧化錫(ATO)及含有In的氧化錫(ITO)的微粒和二氧化硅(SiO2)系粘結(jié)劑的溶液涂布于基材上，形成涂膜后，干燥、硬化及燒結(jié)，由此得到透明的導(dǎo)電膜。在如此形成的透明導(dǎo)電膜上，可籍導(dǎo)電性微粒(ATO及ITO微粒)的相互接觸而產(chǎn)生導(dǎo)電性。可以認(rèn)為，此時(shí)，各個(gè)導(dǎo)電性微粒按下述機(jī)理相互接觸。
即，在剛涂布于基材上的涂膜上，各導(dǎo)電性微粒并不馬上相互接觸，而是在各個(gè)導(dǎo)電性微粒之間介入存在作為粘結(jié)劑的凝膠狀二氧化硅。而且，該涂膜在約200℃的溫度下燒結(jié)時(shí)，由此使硅膠成為二氧化硅(SiO2)，并致密化乃至高密度化?？梢哉J(rèn)為，在此過(guò)程中，各個(gè)導(dǎo)電性微粒相互接觸，其結(jié)果，得到產(chǎn)生自導(dǎo)電性微粒的導(dǎo)電性。
然而，如此形成的透明導(dǎo)電膜雖具有一定的導(dǎo)電性，但是，由于在各個(gè)導(dǎo)電性微粒之間存在著大量高密度化了的二氧化硅等絕緣性粘結(jié)劑成分，所以，無(wú)法得到可充分用于防止AEF發(fā)生的足夠?qū)щ娦浴?br>為此，也有文獻(xiàn)提出了如下形成導(dǎo)電膜的方法將不含有聚合物類(lèi)粘結(jié)劑成分的導(dǎo)電性微粒的分散液涂布于基材上，形成含有導(dǎo)電性微粒的第一涂膜之后，再在該涂膜上形成含有二氧化硅系粘結(jié)劑等的第二涂膜，將該第一及第二涂膜同時(shí)進(jìn)行燒結(jié)，由此，得到具有可用于防止AEF發(fā)生的導(dǎo)電性透明導(dǎo)電膜(特開(kāi)平8-102227號(hào)公報(bào))。該方法用燒結(jié)方法使含于第二涂膜中的硅膠高密度化，同時(shí)，在此高密度化的過(guò)程中，也使第一涂膜高密度化，籍此，使導(dǎo)電性微粒相互接觸，得到充分的導(dǎo)電性。又，在將二氧化硅系粘結(jié)劑等的溶液涂布于基材上時(shí)，粘結(jié)劑對(duì)于第一涂膜內(nèi)部存在一定的滲透，但比起將導(dǎo)電性微粒和二氧化硅系粘結(jié)劑的混合液涂布于基材上的場(chǎng)合來(lái)，滲透、介入于各個(gè)導(dǎo)電性微粒之間的二氧化硅的量很少，所以，可期望導(dǎo)電性的提高。
不過(guò)，根據(jù)上述方法，在燒結(jié)時(shí)，第二涂膜因第一涂膜而大大收縮，所以，含于第一涂膜的導(dǎo)電性微粒成不均勻的高密度化，其結(jié)果，在所得的導(dǎo)電膜上發(fā)生各個(gè)導(dǎo)電性微?；ゲ唤佑|的部分。作為整個(gè)導(dǎo)電膜，其具有不能得到足夠大的導(dǎo)電性的問(wèn)題。
本發(fā)明系為解決上述問(wèn)題而作，本發(fā)明的目的在于，提供一種具有優(yōu)異的耐水性及耐藥劑性等的導(dǎo)電性防反射膜，所述的導(dǎo)電性防反射膜在幾乎可防止AEF發(fā)生的同時(shí)，也可抑制反射光的著色。
又，本發(fā)明的目的在于，提供一種具有優(yōu)異的耐水性及耐藥劑性等的導(dǎo)電性防反射膜的制造方法，所述的導(dǎo)電性防反射膜在幾乎可完全防止AEF發(fā)生的同時(shí)，也可抑制反射光的著色。
又，本發(fā)明的目的在于，提供一種在幾乎可完全防止AEF發(fā)生的同時(shí)，也可長(zhǎng)期顯示高畫(huà)面質(zhì)量圖象的陰極射線管。
發(fā)明綜述本發(fā)明的導(dǎo)電性防反射膜包括含有導(dǎo)電性微粒的第一層，及設(shè)置于該第一層之上、含有由(1)SiO2及(2)以通式RnSiO(4-n)/2(R為取代或非取代的有機(jī)基團(tuán)，n為1～3的整數(shù))表示的結(jié)構(gòu)單元中的至少一種所構(gòu)成的高分子化合物的第二層。
又，本發(fā)明的導(dǎo)電性防反射膜包括含有導(dǎo)電性微粒的第一層，及設(shè)置于該第一層之上、含有由(1)SiO2、(2)ZrO2及(3)以通式RnSiO(4-n)/2(R為取代或非取代的有機(jī)基團(tuán)，n為1～3的整數(shù))表示的結(jié)構(gòu)單元中的至少一種所構(gòu)成的高分子化合物的第二層。
又，本發(fā)明的導(dǎo)電性防反射膜包括含有導(dǎo)電性微粒的第一層，及設(shè)置于該第一層之上、含有由(1)SiO2及(2)ZrO2的第二層。
又，本發(fā)明的導(dǎo)電性防反射膜的制造方法包括將含有導(dǎo)電材料、在第一條件下具有第一膨脹率的第一涂膜形成于基材上的工序；和在上述第一條件下，將具有上述第一膨脹率或具有與上述第一膨脹率幾近相等的第二膨脹率的第二涂膜形成于上述形成的第一涂膜上的工序；和上述形成的第一及第二涂膜的燒結(jié)工序。
再有，本發(fā)明的導(dǎo)電性防反射膜的制造方法包括在基材上形成含有導(dǎo)電性材料的第一涂膜的工序；及在上述形成的第一涂膜之上，形成含有由通式RnSi(OH)(4-n)(R為取代或非取代的有機(jī)基團(tuán)，n為1～3的整數(shù))表示的至少一種化合物的第二涂膜的工序；和上述形成的第一及第二涂膜的燒結(jié)工序。
又，本發(fā)明的導(dǎo)電性防反射膜的制造方法包括在基材上形成含有導(dǎo)電性材料的第一涂膜的工序；及在上述已形成的第一涂膜之上，形成含有(1)選自由通式RnSi(OH)(4-n)(R為取代或非取代的有機(jī)基團(tuán)，n為1～3的整數(shù))表示的至少一種化合物及(2)選自Zr的無(wú)機(jī)酸鹽、Zr的有機(jī)酸鹽、Zr的醇鹽、Zr的配位化合物及其水解產(chǎn)物的至少一種化合物的第二涂膜的工序；和上述形成的第一及第二涂膜的燒結(jié)工序。
再有，本發(fā)明的導(dǎo)電性防反射膜的制造方法包括在基材上形成含有導(dǎo)電性材料的第一涂膜的工序；及在上述已形成的第一涂膜之上，形成含有(1)選自Si的無(wú)機(jī)酸鹽、Si的有機(jī)酸鹽、Si的醇鹽、Si的配位化合物(絡(luò)合物)及其水解產(chǎn)物的至少一種化合物及(2)選自Zr的無(wú)機(jī)酸鹽、Zr的有機(jī)酸鹽、Zr的醇鹽、Zr的配位化合物及其水解產(chǎn)物的至少一種化合物的第二涂膜的工序；和上述形成的第一及第二涂膜的燒結(jié)工序。
又，本發(fā)明的陰極射線管包括包括含有熒光物質(zhì)的第一面的熒光屏板；形成于與所述熒光屏板的第一面對(duì)向而置的第二面之上、含有導(dǎo)電性微粒的第一層；及設(shè)置于上述第一層之上、含有由(1)SiO2及(2)以通式RnSiO(4-n)/2(R為取代或非取代的有機(jī)基團(tuán)，n為1～3的整數(shù))表示的結(jié)構(gòu)單元中的至少一種所構(gòu)成的高分子化合物的第二層。
再有，本發(fā)明的陰極射線管包括包括含有熒光物質(zhì)的第一面的熒光屏板；形成于與所述熒光屏板的第一面對(duì)向而置的第二面之上、含有導(dǎo)電性微粒的第一層，及設(shè)置于上述第一層之上、含有由(1)SiO2、(2)ZrO2及(3)以通式RnSiO(4-n)/2(R為取代或非取代的有機(jī)基團(tuán)，n為1～3的整數(shù))表示的結(jié)構(gòu)單元中的至少一種所構(gòu)成的高分子化合物的第二層。
再有，本發(fā)明的陰極射線管包括包括含有熒光物質(zhì)的第一面的熒光屏板；形成于與所述熒光屏板的第一面對(duì)向而置的第二面之上、含有導(dǎo)電性微粒的第一層；及設(shè)置于上述第一層之上、含有(1)SiO2及(2)ZrO2的第二層。
在本發(fā)明中，作為含于第一層中的導(dǎo)電性微?？梢允褂眠x自銀、銀化合物、銅及銅化合物中的至少一種物質(zhì)的超微粒子。此處，作為銀化合物，可舉出如氧化銀、硝酸銀、醋酸銀、苯甲酸銀、溴酸銀、溴化銀、碳酸銀、氯化銀、鉻酸銀、檸檬酸銀、環(huán)己烷丁酸銀。但是，從其可以更穩(wěn)定的狀態(tài)存在于第一層的觀點(diǎn)考慮，最好是使用如由Ag-Pd、Ag-Pt、Ag-Au等合金名稱(chēng)所代表的銀合金。又，作為銅化合物，可舉出如硫酸銅、硝酸銅、酞箐銅等。而且，可以選擇使用由這些化合物和銀的單體組成的一種或二種以上的微粒。銀、銀化合物、銅及銅化合物微粒的大小最好是其粒徑(將粒子換算為同一體積的圓球值)在200nm以下。如導(dǎo)電性微粒的粒徑超過(guò)200nm，則不光使導(dǎo)電性防反射膜的透光率顯著低下，且由于光的散射，使該導(dǎo)電性防反射膜混濁，從而有可能導(dǎo)致陰極射線管等的分辨率降低。
含有選自銀、銀化合物、銅及銅化合物中的至少一種物質(zhì)微粒的第一層，因具有對(duì)可見(jiàn)光域的吸收，而使其透光率低下。然而，在第一層中，如能得到相當(dāng)于比電阻的低表面電阻，則可以減小該第一層的厚度，可將透光率降低抑制在30％以?xún)?nèi)，同時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)足夠防止AEF發(fā)生的低電阻值。

圖1所示為在由緊靠含有銀微粒的第一層及其上設(shè)置了含有SiO2第二層的二層組成的導(dǎo)電性防反射膜中，透光率與表面電阻值的關(guān)系圖。如上所述，為防止發(fā)生AEF，有必要將表面電阻值設(shè)定于5×102Ω/□以下。如從圖2所顯見(jiàn)地，在透光率達(dá)約80％的導(dǎo)電性防反射膜中，如表面電阻值達(dá)5×102Ω/□則已是相當(dāng)?shù)牡汀Ｋ?，可以理解在確保透光率的同時(shí)，也能防止AEF的發(fā)生。
在本發(fā)明中，在緊靠含有導(dǎo)電性微粒的第一層之上，設(shè)置含有由(1)SiO2及(2)通式RnSiO(4-n)/2(R為取代或非取代的有機(jī)基團(tuán)，n為1～3的整數(shù))表示的結(jié)構(gòu)單元中的至少一種所構(gòu)成的高分子化合物、含有由(1)SiO2、(2)ZrO2及(3)通式RnSiO(4-n)/2(R為取代或非取代的有機(jī)基團(tuán)，n為1～3的整數(shù))表示的結(jié)構(gòu)單元中的至少一種所構(gòu)成的高分子化合物、或含有(1)SiO2及(2)ZrO2的第二層。
又，在本發(fā)明中，為有效地降低導(dǎo)電性防反射膜的反射率，可在第二層之上設(shè)有含有如SiO2的第三層，作成二層以上的結(jié)構(gòu)。此時(shí)，在互鄰的二層之間將折射率之差設(shè)置較低，可有效地降低導(dǎo)電性防反射膜上的反射率。在本發(fā)明中，在由第一層及第二層構(gòu)成導(dǎo)電性防反射膜的場(chǎng)合，通常將第一層的層厚設(shè)定在200nm以下，折射率設(shè)定在1.7-3左右。關(guān)于第二層，其層厚通常設(shè)定在第一層厚度的10倍以下，折射率設(shè)定在1.38-1.70左右。在第二層上設(shè)定第三層的場(chǎng)合，在第一～第三層中的各個(gè)層的厚度及折射率可根據(jù)防反射膜整體的透光率及折射率等作適當(dāng)?shù)脑O(shè)定。
在導(dǎo)電性防反射膜由第一及第二層構(gòu)成的情況下，例如，在如面板外表面等的基材上形成含有銀等導(dǎo)電材料的第一涂膜之后，在緊靠該第一涂膜之上，形成含有選自由通式RnSi(OH)(4-n)(R為取代或非取代的有機(jī)基團(tuán)，n為1～3的整數(shù))表示的至少一種化合物的第二涂膜，對(duì)該第一及第二涂膜同時(shí)進(jìn)行燒結(jié)。由通式RnSi(OH)(4-n)(R為取代或非取代的有機(jī)基團(tuán)，n為1～3的整數(shù))表示的化合物可由將烷氧基硅烷混合于水等的溶劑中而容易地得到。此處，作為烷氧基硅烷，可舉出如二甲基二甲氧基硅烷，3-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷等。
再有，在第二涂膜上，在燒結(jié)中，籍由通式RnSi(OH)(4-n)(R為取代或非取代的有機(jī)基團(tuán)，n為1～3的整數(shù))表示的至少一種化合物生成的硅氧烷鍵，形成含有聚硅氧和SiO2的第二層。此時(shí)，第二涂膜發(fā)生與第一涂膜相同程度的收縮，由此在第一涂膜上均勻地產(chǎn)生導(dǎo)電材料的致密化及高密度化，其結(jié)果，形成的導(dǎo)電性防反射膜顯示了作為整體的高導(dǎo)電性。此處，如混合于第二涂膜中的烷氧基硅烷換算為SiO2的固體成分比的含量低于5％(重量)，則燒結(jié)時(shí)，第二涂膜的收縮大于第一涂膜，難以得到作為整體導(dǎo)電性防反射膜的充分的導(dǎo)電性。另一方面，如混合于第二涂膜中的烷氧基硅烷換算為SiO2的固體成分比的含量大于30％(重量)，則導(dǎo)電性防反射膜的強(qiáng)度降低。又，在燒結(jié)時(shí)的溫度及壓力等的條件下，只要使第一及第二涂膜可作均勻或大致均勻的收縮即可，對(duì)于第一涂膜所具有的第一膨脹率及第二涂膜所具有的第二膨脹率并無(wú)特別的限制。
再有，在本發(fā)明中，作為燒結(jié)時(shí)控制形成于基材上的涂膜收縮率用的控制成分-烷氧基硅烷，可使用具有氟代烷基的烷氧基硅烷衍生物，籍此，可大幅度提高形成層的耐水性及耐藥劑性。此處，作為具有氟代烷基的烷氧基硅烷衍生物，可舉出十七氟癸基二甲氧基硅烷、十七氟癸基三氯硅烷、十七氟癸基三甲氧基硅烷、三氟丙基三甲氧基硅烷、十三氟辛基三甲氧基硅烷，及以下述化學(xué)式所代表的三甲氧基硅烷(MeO)3SiC2H4C6F12C2H4Si(MeO)3使用有氟代烷基的烷氧基硅烷的衍生物，可使所形成的層獲得耐水性及耐藥劑性的功能。其機(jī)理可認(rèn)為如下即，使第二層含有在燒結(jié)時(shí)可控制收縮的物質(zhì)，使燒結(jié)時(shí)第二層的收縮程度與第一層的收縮大致同等，此時(shí)，可降低燒結(jié)后的第二層(二氧化硅層)的致密度。第二層(二氧化硅層)的致密度降低即意味著在第二層上存在著很多如同微孔的空隙，第二層的組織粗化(成多孔質(zhì))。其結(jié)果，第二層內(nèi)部易受到水及酸、堿等藥物的侵蝕。而且，容易侵入第二層中的酸及堿等與構(gòu)成第一層的金屬等微粒反應(yīng)，降低了整體導(dǎo)電性防反射膜的可靠性。然而，在將具有氟代烷基的烷氧基硅烷的衍生物添加于第二涂膜中時(shí)，氟代烷基存在于因燒結(jié)而發(fā)生于第二層上的微孔等的空隙表面。由此，發(fā)生于第二層上的微孔等的空隙表面上的臨界表面張力低下，使水及酸、堿等藥劑易侵入第二層內(nèi)部。
混合于第二涂膜中的、具有氟代烷基的烷氧基硅烷衍生物的混合量與前述的混合于第二涂膜中的烷氧基硅烷的情況一樣，其換算為SiO2固體成分比最好是在5～30％(重量)。當(dāng)混合于第二涂膜中的氟系烷氧基硅烷的含量換算為SiO2的固體成分比低于5％(重量)時(shí)，則在燒結(jié)時(shí)生成的第二層中，幾乎不能發(fā)揮由氟代烷基所產(chǎn)生的效果。又，當(dāng)混合于第二涂膜中的氟系烷氧基硅烷的換算為SiO2固體成分比的含量大于30％(重量)，則由燒結(jié)所生成的第二層的抗劃強(qiáng)度降低。
又，在本發(fā)明中，在緊靠含有導(dǎo)電材料的第一涂膜之上，形成含有燒結(jié)所生成的SiO2的上述物質(zhì)的同時(shí)，也形成含有生成ZrO2的Zr化合物的第二涂膜。此處，作為導(dǎo)電劑是指，在因第一涂膜的燒結(jié)所形成的第一層內(nèi)部生成導(dǎo)電性微粒的物質(zhì)。又，作為因第二涂膜的燒結(jié)而生成ZrO2的Zr化合物，可以使用選自Zr的無(wú)機(jī)酸鹽、有機(jī)酸鹽、醇鹽、配合物或它們的部分水解產(chǎn)物的一種或二種以上，特別是，最好是使用如二鋯四異丁醇鹽的醇鹽。其次，籍由第一及第二涂膜的同時(shí)燒結(jié)，可以形成含有SiO2及ZrO2的第二層。具有由第一層及第二層層壓結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電性防反射膜因可以發(fā)揮良好的導(dǎo)電性及防反射性，且在其第二層含有ZrO2，所以，反射色成中性，可以抑制反射色的著色、特別是可抑制反射色帶藍(lán)色。
第二層中ZrO2的含量取為相對(duì)于SiO2含量的5～40摩爾％，更好的是取為10～20摩爾％。如第二層中ZrO2的含量相對(duì)于SiO2含量不到5摩爾％時(shí)，則幾乎不能發(fā)揮由ZrO2產(chǎn)生的效果。又，如第二層中ZrO2的含量相對(duì)于SiO2含量超過(guò)40摩爾％時(shí)，則第二層的強(qiáng)度降低。再有，在本發(fā)明中，也可使第二層在含有因使用烷氧基硅烷而產(chǎn)生的聚硅氧烷(硅酮)的同時(shí)，也含有ZrO2。而且，將同時(shí)含有SiO2、因具有氟代烷基的烷氧基硅烷類(lèi)的使用而生成的氟系硅氧烷及ZrO2的第二層緊靠第一層而設(shè)時(shí)，該層具有可有效地防止AEF發(fā)生的、足夠低的表面電阻值，而且，可將該層作為進(jìn)一步提高耐水性及耐酸性、耐堿性等的導(dǎo)電性防反射膜。
在本發(fā)明中，作為形成第一涂膜的方法，可舉出例如，使用分散有非離子表面活性劑、同時(shí)也分散有Ag或Cu等金屬微粒的溶液，由旋轉(zhuǎn)涂布法、噴鍍法或浸漬涂布法等，涂布于陰極射線管面板的外表面等基材上的方法。此時(shí)，為抑制第一涂膜上發(fā)生色斑不勻，并再獲得具有均勻膜厚的第一涂膜，基材的表面溫度最好設(shè)在5-60℃。第一涂膜的膜厚通常控制在25nm～100nm。第一涂膜的膜厚可由分散于溶液中的Ag或Cu等金屬微粒濃度、旋轉(zhuǎn)涂布法中涂布的轉(zhuǎn)數(shù)、噴鍍法中分散溶液的放出量或浸漬涂布法中的提拉速度等的調(diào)節(jié)，而容易地控制。又，作為溶液的溶劑，根據(jù)需要，也可使其同時(shí)含有水和，例如，乙醇及IPA異丙醇等。使所形成的第一層附有其它的功能。
又，作為在第一涂膜上形成第二涂膜的方法，可舉出例如，使用添加了烷氧基硅烷的溶液，由旋轉(zhuǎn)涂布法、噴鍍法或浸漬涂布法等，在第一涂膜上涂布的方法。第二涂膜的膜厚通?？刂圃?0nm～200nm左右。第二涂膜的膜厚可由添加了烷氧基硅烷的溶液的濃度、旋轉(zhuǎn)涂布法中涂布的轉(zhuǎn)數(shù)、噴鍍法中分散溶液的放出量或浸漬涂布法中的提拉速度等的調(diào)節(jié)，而容易地控制。如此形成的第一及第二涂膜在150～450℃下，在10～180分鐘內(nèi)同時(shí)燒結(jié)，由此，即可得到本發(fā)明的導(dǎo)電性防反射膜。
附圖的簡(jiǎn)要說(shuō)明圖1為在緊靠含有銀微粒的第一層之上，設(shè)置了含有SiO2的第二層的導(dǎo)電性防反射膜的、透光率與表面電阻值之間的關(guān)系圖。
圖2所示為實(shí)施例有關(guān)的陰極射線管結(jié)構(gòu)圖。
圖3所示為沿圖2的A-A’切開(kāi)的陰極射線管截面的剖視圖。
圖4所示為就實(shí)施例5～8及比較例6、7中所得的導(dǎo)電性防反射膜，測(cè)量分光正反射光譜的結(jié)果。
最佳實(shí)施例的說(shuō)明以下，舉出具體的實(shí)施例更詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明。但是，本發(fā)明并不限定于這些實(shí)施例。
實(shí)施例1、2首先，將Ag2O、AgNO3、AgCl等銀化合物的微粒子0.5g溶解在水100g中，配成第1溶液。此外，往由硅酸甲酯8重量份、硝酸0.03重量份、乙醇500重量份和水15重量份組成的硅酸酯溶液中分別加入以SiO2計(jì)的固含量比為5重量％和30重量％的3-環(huán)氧丙氧丙基三甲氧基硅烷，進(jìn)行混合，配成第2和第3溶液。
然后，用氧化鈰對(duì)組裝后的陰極射線管的熒光屏(17英寸面板)的外表面進(jìn)行拋光，除去垃圾、塵埃和油垢等后，用旋轉(zhuǎn)涂布法涂布第1溶液，形成第1涂膜。涂布條件設(shè)置如下面板(涂布面)溫度為45℃，溶液注入時(shí)的旋轉(zhuǎn)速度為80rpm-5sec，甩涂液(成膜)時(shí)的旋轉(zhuǎn)速度為150rpm-80sec。接著，以溶液注入時(shí)80rpm-5sec，甩涂液時(shí)150rpm-80sec的條件用旋轉(zhuǎn)涂布法在第1涂膜上形成第2涂膜后，在210℃將第1和第2涂膜燒結(jié)30分鐘。
圖2是按上述方法得到的陰極射線管的示意圖。
在圖2中，彩色陰極射線管具有由面板1和與面板1整體接合的玻錐2組成的管殼，在裝在該面板1上的熒光屏3的內(nèi)面，形成有由發(fā)藍(lán)色、綠色、紅色光的三色熒光體層和填補(bǔ)該三色熒光體層的間隙部分的黑色的光吸收層組成的熒光面4。三色熒光體層是使用將各熒光體與聚乙烯醇、表面活性劑、純水等一起分散的料漿，用常用的方法將其涂布在熒光屏3的內(nèi)面而得到的。三色熒光體層的形狀可以是帶狀或點(diǎn)狀的，但這里形成為點(diǎn)狀的。并且，對(duì)著熒光面4，在其內(nèi)側(cè)安裝了形成有多個(gè)電子束通過(guò)孔的蔭罩5。此外，在玻錐2的管頸6的內(nèi)部配設(shè)有向熒光面照射電子束的電子槍7，由電子槍放出的電子束沖擊熒光面，激發(fā)三色熒光體層，使其發(fā)光。并且，在熒光屏3的外表面形成有導(dǎo)電性防反射膜8。
此外，圖3是沿圖2所示陰極射線管的A-A’線的剖面圖。
如圖3所示，在熒光屏3的表面形成有銀等導(dǎo)電性微粒子9基本均勻分布的第1層10和含有SiO2和硅氧烷的第2層11構(gòu)成的導(dǎo)電性防反射膜8。
此外，作為比較例，將按表1所示比例(以SiO2計(jì)的固含量比)分別添加了3-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷的第4～第6溶液(在比較例1中，僅將硅酸酯溶液作為上層用涂布液)與實(shí)施例同樣地用旋轉(zhuǎn)涂布法涂布在第1涂膜上，形成第2涂膜，然后，按與實(shí)施例同樣的方法將第1和第2層同時(shí)燒結(jié)。
接著，分別測(cè)定在實(shí)施例1、2和比較例1～3中分別得到的導(dǎo)電性防反射膜的面板間電阻值、表面電阻值和膜強(qiáng)度。面板間電阻值是在17英寸面板V端進(jìn)行焊接，用測(cè)試器測(cè)定焊點(diǎn)間的電阻而得到的數(shù)值。此外，表面電阻值是用Loresta IP MCP-T250(油化電子株式會(huì)社產(chǎn)品)測(cè)定的。還有，膜強(qiáng)度是指甲劃痕強(qiáng)度，可用指甲劃出痕跡的用×表示，劃不出痕跡的用○表示。測(cè)定結(jié)果見(jiàn)表1。
表1
表1表明，由實(shí)施例1、2得到的導(dǎo)電性防反射膜除均具有可有效防止AEF發(fā)生的較低的表面電阻值外，還具有充分的膜強(qiáng)度。與此相比，由比較例1和2得到的導(dǎo)電性防反射膜由于添加在第2涂膜中的烷氧硅烷的量以SiO2計(jì)，其固含量比未滿(mǎn)5重量％，因此，其面板間電阻值和表面電阻值與實(shí)施例1和2相比，高出一個(gè)位數(shù)，不具有僅可防止AEF發(fā)生的導(dǎo)電性。此外，在比較例3得到的導(dǎo)電性防反射膜由于添加在第2涂膜上的烷氧硅烷的量以SiO2計(jì)，其固含量比超過(guò)30重量％，因此，雖具有可有效防止AEF發(fā)生的較低的表面電阻值，但膜強(qiáng)度低至缺乏實(shí)用性的程度。
實(shí)施例3、4首先，如表2所示，往由硅酸甲酯8重量份、硝酸0.03重量份、乙醇500重量份和水15重量份組成的硅酸酯溶液中，添加以SiO2計(jì)的固含量比為5重量％和30重量％的十七氟癸基三甲氧基硅烷，配制第1和第2溶液。
然后，與實(shí)施例1同樣，用與實(shí)施例1相同的旋轉(zhuǎn)涂布法，將第1或第2溶液涂布至形成在熒光屏(17英寸面板)的外表面上的第1涂膜上，形成膜后，將第1和第2涂膜在210℃燒結(jié)30分鐘。
此外，作為比較例，將按表2所示比例(以SiO2計(jì)的固含量比)分別添加了十七氟癸基三甲氧基硅烷的第3或第4溶液與實(shí)施例1同樣地用旋轉(zhuǎn)涂布法涂布在第1涂膜上，形成第2涂膜，然后，將第1和第2層在210℃燒結(jié)30分鐘。
接著，與實(shí)施例1同樣地分別測(cè)定在實(shí)施例3、4和比較例4、5中分別得到的導(dǎo)電性防反射膜的面板間電阻值、表面電阻值和膜強(qiáng)度，并分別進(jìn)行溫水浸漬試驗(yàn)和耐化學(xué)性試驗(yàn)。在溫水浸漬試驗(yàn)中，將熒光屏在80℃的管道水中浸漬60分鐘后，觀察導(dǎo)電性防反射膜的外觀變化，無(wú)變化的用○表示，膜有變色的用×表示。此外在耐化學(xué)性試驗(yàn)中，分別使用0.1％HCl水溶液和3％氨水進(jìn)行耐酸性和耐堿性試驗(yàn)，將熒光屏在這些溶液中浸漬24小時(shí)后，觀察膜的外觀變化。并將導(dǎo)電性防反射膜中無(wú)變化的用○表示，出現(xiàn)變色、膨脹、剝裂的用×表示。測(cè)定結(jié)果見(jiàn)表2。
表2
表2表明，由實(shí)施例3、4得到的導(dǎo)電性防反射膜除均具有可有效防止AEF發(fā)生的較低的表面電阻值外，還具有充分的膜強(qiáng)度，且即使浸漬在溫水、酸性和堿性水溶液中，也不會(huì)出現(xiàn)變色、膨脹和剝裂，具有良好的耐水性和耐化學(xué)性。與此相比，由比較例4得到的導(dǎo)電性防反射膜由于添加在第2涂膜中的含氟烷氧硅烷的量以SiO2計(jì)，未滿(mǎn)5重量％，因此，其表面電阻值高，不具有僅可防止AEF發(fā)生的導(dǎo)電性，而且，耐堿性差。此外，在比較例5得到的導(dǎo)電性防反射膜由于添加在第2涂膜上的含氟烷氧硅烷的量以SiO2計(jì)，其固含量比超過(guò)30重量％，因此，雖具有可有效防止AEF發(fā)生的較低的表面電阻值，且耐水性和耐化學(xué)性也良好，但膜強(qiáng)度低至缺乏實(shí)用性的程度。
實(shí)施例5～8首先，往由硅酸甲酯8重量份、硝酸0.03重量份、乙醇500重量份和水15重量份組成的硅酸酯溶液中，添加以SiO2計(jì)的固含量比為10重量％的式(MeO)3SiC2H4C6Fi2C2H4Si(MeO)3表示的具有氟烷基的烷氧硅烷，然后，再添加表3所示比例(以ZrO2計(jì)的SiO2比為5-30摩爾％)的四異丁氧基鋯(TBZR)，配制第1～第4溶液。
然后，與實(shí)施例1同樣，用與實(shí)施例1相同的旋轉(zhuǎn)涂布法，將第1、第2、第3或第4溶液涂布至形成在熒光屏(17英寸面板)的外表面上的第1涂膜上，形成膜后，將第1和第2涂膜在210℃燒成30分鐘。
此外，作為比較例，添加以SiO2計(jì)的固含量比為10重量％的上述化學(xué)式表示的烷氧硅烷，再將按表3所示比例(以ZrO2計(jì)的SiO2比)分別添加了TBZR的第5或第6溶液與實(shí)施例5～8同樣地用旋轉(zhuǎn)涂布法涂布在第1涂膜上，形成第2涂膜，然后，將第1和第2層同時(shí)燒成。
接著，與實(shí)施例1同樣地分別測(cè)定在實(shí)施例5～8和比較例6、7中分別得到的導(dǎo)電性防反射膜的面板間電阻值、表面電阻值和膜強(qiáng)度，并與實(shí)施例3、4同樣地分別進(jìn)行溫水浸漬試驗(yàn)和耐化學(xué)性試驗(yàn)。測(cè)定結(jié)果見(jiàn)表3。
表3
此外，分別對(duì)由實(shí)施例5～8和比較例6、7得到的導(dǎo)電性防反射膜的分光正反射譜進(jìn)行了測(cè)定。結(jié)果見(jiàn)圖2。
表3表明，由實(shí)施例5～8得到的導(dǎo)電性防反射膜除均具有可有效防止AEF發(fā)生的較低的表面電阻值外，還具有充分的膜強(qiáng)度，且即使浸漬在溫水、酸性和堿性水溶液中，也不會(huì)出現(xiàn)變色、膨脹和剝裂，具有良好的耐水性和耐化學(xué)性。此外，由比較例6得到的導(dǎo)電性防反射膜也與由實(shí)施例5～8得到的導(dǎo)電性防反射膜同樣，除具有可有效防止AEF發(fā)生的較低的表面電阻值外，還具有充分的膜強(qiáng)度以及良好的耐水性和耐化學(xué)性。與此相比，由比較例7得到的導(dǎo)電性防反射膜由于添加在第2涂膜中的TBZR的添加量以ZrO2計(jì)的SiO2比不超過(guò)40摩爾％，因此，其膜強(qiáng)度低至缺乏實(shí)用性的程度。
而且，圖4表明，由實(shí)施例5-8得到的導(dǎo)電性防反射膜在400～450nm附近波長(zhǎng)的光(藍(lán)色光)的反射率低，分光反射特性接近中性。尤其是與第2涂膜中不含TBZR而形成的比較例6的導(dǎo)電性防反射膜相比，添加在第2涂膜中的TBZR的量以ZrO2計(jì)的SiO2比在10摩爾％以上的實(shí)施例6～8的導(dǎo)電性防反射膜在400nm波長(zhǎng)的光的反射率在10％以下，反射色的著色得到大幅改善。
實(shí)施例9首先，配制組分與實(shí)施例1中使用的溶液相同的銀化合物溶液(A液)作為含有導(dǎo)電材料的第1溶液，然后，作為與A液同樣不含粘合劑成分的液體，分別配制將ITO的微粒子2g分散在乙醇100g中的銦錫氧化物(ITO)分散液(B液)、將ITO的微粒子2g、硅酸乙酯0.5g(以SiO2計(jì))和乙醇100g混合而成的ITO二氧化硅分散液(C液)、將ITO的微粒子2g、硅酸乙酯0.5g(以SiO2計(jì))和乙醇100g混合而成的ITO二氧化硅分散液(D液)。此外，往由硅酸甲酯8重量份、硝酸0.03重量份、乙醇500重量份和水15重量份組成的硅酸酯溶液中，添加以SiO2計(jì)的固含量比為10重量％的式(MeO)3SiC2H4C6F12C2H4Si(MeO)3表示的具有氟代烷基的烷氧硅烷，配制第2溶液。
接著，分別用旋轉(zhuǎn)涂布法，按與實(shí)施例1同樣的條件(溶液注入時(shí)的旋轉(zhuǎn)速度為80rpm-5sec，甩涂液時(shí)的旋轉(zhuǎn)速度為150rpm-80sec)將由A～D液組成的第1溶液涂布在經(jīng)過(guò)研磨、洗滌的熒光屏(17英寸面板)的外表面上，形成第1涂膜。然后，不對(duì)第1涂膜進(jìn)行干燥，或按表4所示條件加熱干燥后，在溶液注入時(shí)的旋轉(zhuǎn)速度為80rpm-5sec、甩涂液時(shí)的旋轉(zhuǎn)速度為150rpm-80sec的條件下涂布第2溶液，形成第2涂膜，將第1和第2涂膜在210℃燒結(jié)30分鐘。
接著，對(duì)按上述方法得到的表面處理膜按與實(shí)施例1同樣的方法，分別測(cè)定它們的面板間電阻值。結(jié)果見(jiàn)表4。
表4
(表中數(shù)值單位×103Ω)表4表明，使用銀化合物溶液(A液)作為第1溶液制成的導(dǎo)電性防反射膜，在形成第1涂膜后，不對(duì)第1涂膜進(jìn)行干燥，而在第1涂膜上形成第2涂膜，可得到防止AEF發(fā)生的充分低的面板間電阻值，但將第1涂膜干燥后，在第1涂膜上形成第2涂膜時(shí)，面板間電阻值增大，不能得到防止AEF發(fā)生的充分的導(dǎo)電性。使用與A液相同不含粘合劑成分的ITO分散液(B液)作為第1溶液形成導(dǎo)電性防反射膜時(shí)，顯示與使用A液形成的導(dǎo)電性防反射膜相同的傾向。但使用ITO分散液(B液)形成導(dǎo)電性防反射膜時(shí)，不對(duì)第1涂膜進(jìn)行干燥，在第1涂膜上形成第2涂膜時(shí)，面板間電阻值比使用A液時(shí)大幅提高。此外，使用含有粘合劑的C液和D液形成導(dǎo)電性防反射膜時(shí)，與是否對(duì)第1涂膜進(jìn)行干燥無(wú)關(guān)，面板間電阻值極度提高。
實(shí)施例10首先，往由硅酸甲酯8重量份、硝酸0.03重量份、乙醇500重量份和水15重量份組成的硅酸酯溶液中，添加以SiO2計(jì)的固含量比為10重量％的式(MeO)3SiC2H4C6F12C2H4Si(MeO)3表示的具有氟代烷基的烷氧硅烷，然后，再添加以ZrO2計(jì)的SiO2比為10摩爾％的四異丁氧基鋯(TBZR)，配制第1溶液。接著，往上述硅酸酯溶液中添加以SiO2計(jì)的固含量比為30摩爾％的3-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷，配制第2溶液。
然后，與實(shí)施例1同樣，用與實(shí)施例1相同的旋轉(zhuǎn)涂布法，將第1溶液涂布至形成在熒光屏(17英寸面板)的外表面上的第1涂膜上，形成第2涂膜。再在第2涂膜上，在溶液注入時(shí)的旋轉(zhuǎn)速度為80rpm-5sec、甩涂液時(shí)的旋轉(zhuǎn)速度為150rpm-80sec的條件下涂布第2溶液，形成第3涂膜，然后，將第1～第3涂膜在210℃燒結(jié)30分鐘。
接著，與實(shí)施例1同樣地測(cè)定由實(shí)施例10得到的導(dǎo)電性防反射膜的面板間電阻值、表面電阻值和膜強(qiáng)度，并與實(shí)施例3、4同樣地分別進(jìn)行溫水浸漬試驗(yàn)和耐化學(xué)性試驗(yàn)。另外，與實(shí)施例5～8同樣地測(cè)定分光正反射譜。
測(cè)定結(jié)果表明，在實(shí)施例10中形成的導(dǎo)電性防反射膜除具有可有效防止AEF發(fā)生的較低的表面電阻值外，還具有充分的膜強(qiáng)度，且即使浸漬在溫水、酸性和堿性水溶液中，也不會(huì)出現(xiàn)變色、膨脹和剝裂，具有良好的耐水性和耐化學(xué)性。
此外，由實(shí)施例10得到的導(dǎo)電性防反射膜在400～500nm(藍(lán)色光)的反射率特別低，且與實(shí)施例5～8相比，其分光反射特性接近中性，由此，反射色的著色進(jìn)一步得到大幅改善。
上述說(shuō)明表明，使用本發(fā)明的導(dǎo)電性防反射膜，可顯著降低表面電阻值，因此，可基本防止例如電視機(jī)顯象管、計(jì)算機(jī)示波管等陰極射線管等發(fā)生AEF(交變電場(chǎng))。
此外，由于本發(fā)明的導(dǎo)電性防反射膜可不使化學(xué)品等容易地滲透至其內(nèi)部，具有優(yōu)異的耐水性和耐化學(xué)性等，因此，具有長(zhǎng)期的穩(wěn)定性。
還有，根據(jù)本發(fā)明，構(gòu)成導(dǎo)電性防反射膜的各層間的折射率的差被控制在較低的水平上，因此，反射率低，并可將分光反射特性控制在基本中性。
此外，根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)電性防反射膜的制造方法，可在燒結(jié)條件下將互相鄰接的涂膜間的膨脹率控制在基本相同的水平上，因此，可制造表面電阻值顯著降低的導(dǎo)電性防反射膜。
還有，根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)電性防反射膜的制造方法，可構(gòu)成不使化學(xué)品等容易地滲透至導(dǎo)電性防反射膜的內(nèi)部的結(jié)構(gòu)，因此，可制造具有優(yōu)異的耐水性和耐化學(xué)性等、長(zhǎng)期穩(wěn)定的導(dǎo)電性防反射膜。
此外，根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)電性防反射膜的制造方法，可將構(gòu)成該導(dǎo)電性防反射膜的各層間的折射率的差控制在較低的水平上，因此，可制造反射率低、分光反射特性基本中性的導(dǎo)電性防反射膜。
還有，根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)電性防反射膜的制造方法，可用涂布法(濕法)這一簡(jiǎn)便高效的方法，制造具有上述特性的導(dǎo)電性防反射膜，因此，可提供生產(chǎn)率優(yōu)異、廉價(jià)的導(dǎo)電性防反射膜。
因此，若將本發(fā)明的導(dǎo)電性防反射膜的制造方法運(yùn)用到陰極射線管的制造工藝中去，可基本防止AEF(交變電場(chǎng))的發(fā)生，并可容易地提供可長(zhǎng)期顯示高畫(huà)質(zhì)圖像的陰極射線管。
此外，本發(fā)明的陰極射線管具有可顯著降低表面電阻值的導(dǎo)電性防反射膜，因此，可基本防止AEF(交變電場(chǎng))的發(fā)生。
還有，本發(fā)明的陰極射線管具有耐水性和耐化學(xué)性?xún)?yōu)異的導(dǎo)電性防反射膜，因此，可長(zhǎng)期顯示穩(wěn)定的圖像。
此外，本發(fā)明的陰極射線管具有反射率低、分光反射特性也基本中性的導(dǎo)電性防反射膜，因此，可顯示高畫(huà)質(zhì)的圖像。
因此，可提供可基本防止AEF(交變電場(chǎng))發(fā)生且具有長(zhǎng)期的可靠性和顯示高品位的圖像的陰極射線管。
權(quán)利要求
1.一種導(dǎo)電性防反射膜，包括含有導(dǎo)電性微粒的第一層，及設(shè)置于該第一層之上、含有由(1)SiO2及(2)以通式RnSiO(4-n)/2表示的結(jié)構(gòu)單元中的至少一種所構(gòu)成的高分子化合物的第二層，上述通式中，R為取代或非取代的有機(jī)基團(tuán)，n為1～3的整數(shù)。
2.如權(quán)利要求
1所述的導(dǎo)電性防反射膜，其特征在于，所述第二層設(shè)置于所述第一層之上，所述至少一種的第二層的構(gòu)成材料除(1)SiO2和(2)以通式RnSiO(4-n)/2表示的結(jié)構(gòu)單元之外，還包括(3)ZrO2，上述通式中，R為取代或非取代的有機(jī)基團(tuán)，n為1～3的整數(shù)。
3.如權(quán)利要求
1或2所述的導(dǎo)電性防反射膜，其特征在于，所述高分子化合物包括含有氟代烷基作為有機(jī)基團(tuán)的結(jié)構(gòu)單元。
4.如權(quán)利要求
1或2所述的導(dǎo)電性防反射膜，其特征在于，所述導(dǎo)電性微粒為選自銀、銀化合物、銅及銅化合物中的至少一種物質(zhì)。
5.如權(quán)利要求
1或2所述的導(dǎo)電性防反射膜，其特征在于，在所述第二層之上，再設(shè)有含有SiO2的第三層。
6.一種導(dǎo)電性防反射膜的制造方法，包括在基材上形成含有導(dǎo)電性材料的第一涂膜的工序；及在上述形成的第一涂膜之上，形成含有由通式RnSi(OH)(4-n)表示的至少一種化合物的第二涂膜的工序；和上述形成的第一及第二涂膜的燒結(jié)工序，上述通式中，R為取代或非取代的有機(jī)基團(tuán)，n為1～3的整數(shù)。
7.如權(quán)利要求
6所述的導(dǎo)電性防反射膜的制造方法，其特征在于，所述第二涂膜的燒結(jié)工序包括在上述已形成的第一涂膜之上，形成含有(1)由通式RnSi(OH)(4-n)表示的至少一種化合物，及(2)選自Zr的無(wú)機(jī)酸鹽、Zr的有機(jī)酸鹽、Zr的醇鹽、Zr的配位化合物及其水解產(chǎn)物的至少一種化合物的第二涂膜的工序，及上述所形成的第一及第二涂膜的燒結(jié)工序，上述通式中，R為取代或非取代的有機(jī)基團(tuán)，n為1～3的整數(shù)。
8.如權(quán)利要求
6或7所述的導(dǎo)電性防反射膜的制造方法，其特征在于，所述化合物具有氟代烷基作為有機(jī)基團(tuán)。
9.如權(quán)利要求
6或7所述的導(dǎo)電性防反射膜的制造方法，其特征在于，所述導(dǎo)電材料為選自銀、銀化合物、銅及銅化合物中的至少一種物質(zhì)。
10.如權(quán)利要求
6或7所述的導(dǎo)電性防反射膜的制造方法，其特征在于，所述基材為陰極射線管的熒光屏。
11.一種陰極射線管，包括包括含有熒光物質(zhì)的第一面的熒光屏板；及形成于與所述熒光屏板的第一面對(duì)向而置的第二面之上、含有導(dǎo)電性微粒的第一層；及設(shè)置于上述第一層之上、含有由(1)SiO2及(2)以通式RnSiO(4-n)/2表示的結(jié)構(gòu)單元中的至少一種所構(gòu)成的高分子化合物的第二層，上述通式中，R為取代或非取代的有機(jī)基團(tuán)，n為1～3的整數(shù)。
12.如權(quán)利要求
11所述的陰極射線管，其特征在于，在所述高分子化合物的第二層中，所述至少一種的第二層構(gòu)成材料除(1)SiO2和(2)以通式RnSiO(4-n)/2表示的結(jié)構(gòu)單元之外，還包括(3)ZrO2，上述通式中，R為取代或非取代的有機(jī)基團(tuán)，n為1～3的整數(shù)。
13.如權(quán)利要求
11或12所述的陰極射線管，其特征在于，所述高分子化合物包括具有氟代烷基作為有機(jī)基團(tuán)的結(jié)構(gòu)單元。
14.如權(quán)利要求
11或12所述的陰極射線管，其特征在于，所述導(dǎo)電性微粒為選自銀、銀化合物、銅及銅化合物中的至少一種物質(zhì)。
15.如權(quán)利要求
11或12所述的陰極射線管，其特征在于，在所述的第二層之上，再設(shè)有含SiO2的第三層。
專(zhuān)利摘要
一種導(dǎo)電性防反射膜的制造方法，包括在含有導(dǎo)電性材料的第一涂膜上，在燒結(jié)的條件下，其膨脹率與該涂膜幾近相等的第二涂膜，同時(shí)燒結(jié)第一及第二涂膜。由此，可得到其表面電阻值充分地低、具有優(yōu)異的耐水性及耐藥劑性、其反射光強(qiáng)降低的導(dǎo)電性防反射膜。將該導(dǎo)電性防反射膜適當(dāng)用于陰極射線管，可基本上防止AEF的發(fā)生，同時(shí)可由此制得可長(zhǎng)期顯示高畫(huà)面質(zhì)量圖象的陰極射線管。
文檔編號(hào)H01J29/86GKCN1135599SQ97115589
公開(kāi)日2004年1月21日 申請(qǐng)日期1997年7月23日
發(fā)明者千草尚, 阿部美千代, 青木克之, 之, 千代 申請(qǐng)人:東芝株式會(huì)社導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan