專利名稱:利用空氣填充降低介電常數(shù)的大馬士革結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路制造工藝技術(shù)領(lǐng)域：
，特別涉及一種利用空氣填充降低介電常數(shù)的大馬士革結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
伴隨集成電路制造工藝的不斷進(jìn)步，半導(dǎo)體器件的體積正變得越來越小，使得金屬之間的寄生電容也越來越大。對于微處理器，芯片速度的限制主要由鍍層中的電阻和寄生電容產(chǎn)生，其結(jié)果電阻-電容時間延遲、訊號間的相互干擾及其能量損耗等問題日益突出。為了解決電阻-電容時間延遲的問題，產(chǎn)業(yè)的響應(yīng)一直是使用符合IC工藝的低介電材料(介電常數(shù)2.0到4.0)，使多重金屬內(nèi)連線之間的介電層的介電常數(shù)比硅更低，從而降低寄生電容；而在電阻方面，在過去的30年中，半導(dǎo)體工業(yè)界都是以鋁作為連接器件的材料，但隨著芯片的縮小，工業(yè)界需要更細(xì)，更薄的連接，而且鋁的高電阻特性也越來越難以符合需求。而且在高密度特大規(guī)模集成電路的情況下，高電阻容易造成電子發(fā)生“跳線”，導(dǎo)致附近的器件產(chǎn)生錯誤的開關(guān)狀態(tài)。也就是說，以鋁作為導(dǎo)線的芯片可能產(chǎn)生無法與預(yù)測的運作情況，同時穩(wěn)定性也較差。在如此細(xì)微的電路上，銅的傳輸信號速度比鋁更快、而且也更加穩(wěn)定。則使用低電阻的銅金屬導(dǎo)線金屬互聯(lián)工藝取代原先的鋁工藝，在細(xì)微的電路上，銅的傳輸信號速度比鋁更快、而且也更加穩(wěn)定。
多層連線電容的計算公式C=2(Cl+Cv)=2kϵ0LTW(1W2+1T2)]]>(公式1)其中，(k為介電常數(shù)，W為金屬導(dǎo)線的寬度，T為金屬導(dǎo)線的深度，L為金屬導(dǎo)線的長度，ε0為真空介點常數(shù)，Cl為橫向電容，Cv為縱向電容)由公式可見，介電常數(shù)越低，電容越小。
多層連線電阻-電容時間延遲計算公式RCdelay=2ρkϵ0L2(1W2+1T2)]]>(公式2)其中，(k為介電常數(shù)；ρ為金屬電阻率，W為金屬導(dǎo)線的寬度，T為金屬導(dǎo)線的深度，L為金屬導(dǎo)線的長度，ε0為真空介點常數(shù))由公式可見，介電常數(shù)越低，電阻越小，多層連線電阻-電容時間延遲也越短。
眾所周知空氣的介電常數(shù)是1.0，隨著器件的進(jìn)一步縮小，利用空氣作為絕緣材料，從而得到超低的介電表現(xiàn)，大幅度提高芯片的整體表現(xiàn)，這早已經(jīng)是業(yè)界的需求.但是由于利用空氣作為絕緣材料工藝上實現(xiàn)困難，而且會帶來諸如器件堅固性等一系列的問題。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種利用空氣填充降低介電常數(shù)的大馬士革結(jié)構(gòu)及其制造方法，利用大馬士革介質(zhì)層，刻蝕阻擋層，金屬鈍化層，鈍化光敏有機(jī)材料構(gòu)成的空腔，降低整體半導(dǎo)體電路的介電常數(shù)。
本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的一種利用空氣填充降低介電常數(shù)的大馬士革結(jié)構(gòu)，在大馬士革結(jié)構(gòu)中無金屬互聯(lián)布線的區(qū)域形成至少一個空腔9，空腔9的兩側(cè)為多層的大馬士革介質(zhì)層1和底部刻蝕阻擋層2，空腔9的頂部為頂部鈍化光敏有機(jī)材料7A及金屬鈍化保護(hù)絕緣層4，空腔9底部和金屬阻擋層3A之間有底部鈍化光敏有機(jī)材料7B。
其中，所述多層大馬士革介質(zhì)層1和底部刻蝕阻擋層2可以是半導(dǎo)體器件各層中由上至下的2～8層組成，或者是由頂層金屬層開始的向內(nèi)的2～8層組成。
所述大馬士革結(jié)構(gòu)包含多個空腔9，可對稱分布在大馬士革結(jié)構(gòu)的多個無金屬互聯(lián)布線的區(qū)域中。
所述大馬士革介質(zhì)層1的厚度為200～10000納米，所述底部刻蝕阻擋層2的厚度為10～200納米，所述頂部鈍化光敏有機(jī)材料7A的厚度為2000～100000納米，所述金屬阻擋層3A是預(yù)設(shè)的，厚度為200～10000納米，所述底部鈍化光敏有機(jī)材料7B的厚度為100～10000納米，所述的金屬鈍化保護(hù)絕緣層4的厚度為100～10000納米，所述空腔9的長度和寬度分別為2～5微米，深度為500～100000納米。
此外，本發(fā)明還公開了一種利用空氣填充降低介電常數(shù)的大馬士革結(jié)構(gòu)的制造方法，在半導(dǎo)體器件金屬互聯(lián)的大馬士革結(jié)構(gòu)中，預(yù)留至少一個可形成氣體填充結(jié)構(gòu)的空腔區(qū)域，由頂層金屬層開始的向內(nèi)的幾層金屬互聯(lián)布線均不通過預(yù)留區(qū)域，并在空腔的底部預(yù)先設(shè)計金屬阻擋層作為刻蝕終點，完成銅后道金屬互聯(lián)工藝后，對預(yù)留區(qū)域進(jìn)行光刻、刻蝕工藝操作，完成氣體空腔的制造，隨后利用鈍化光敏有機(jī)材料采用多重填涂并在每次填涂后伴隨烘烤進(jìn)行有空填涂，從而實現(xiàn)空氣填充大馬士革結(jié)構(gòu)。
所述制造方法包括如下步驟(1)制作并完成金屬大馬士革導(dǎo)線；(2)在最上層金屬導(dǎo)線上淀積金屬鈍化保護(hù)絕緣層；
(3)涂布薄光敏材料，光刻并刻蝕金屬鈍化保護(hù)絕緣層，打開金屬接觸點，隨后去膠并清洗；(4)涂布厚光敏材料，光刻并刻蝕特定的無金屬導(dǎo)線區(qū)域，形成氣體空腔，隨后去膠并清洗；(5)采用多重填涂并每次填涂后伴隨烘烤鈍化光敏有機(jī)材料進(jìn)行有空填涂，第一次材料填充、烘烤；(6)第二次鈍化光敏有機(jī)材料填充、烘烤，并根據(jù)設(shè)計特定區(qū)域的結(jié)構(gòu)大小、位置、以及深度決定重復(fù)涂布的次數(shù)和劑量，從而完成有空填充；(7)光刻鈍化光敏有機(jī)材料，打開金屬接觸點；(8)硅片進(jìn)行烘烤，完成制作工藝。
其中，所述的鈍化光敏有機(jī)材料包含酮類或醚類或烷烴類有機(jī)溶劑和感光交聯(lián)聚酰亞胺樹脂以及微量金屬離子，分子量在50000～500000之間，介電常數(shù)為1.0～2.0之間，有機(jī)溶劑與感光交聯(lián)聚酰亞胺樹脂材料的摩爾量比例為1∶X，其中，X為5～10000。
所述鈍化光敏有機(jī)材料的多重填涂并每次填涂后伴隨烘烤，每次涂布劑量為5ml到20ml，每次烘烤溫度為60℃到250℃，烘烤時間為10秒到120秒。
所述薄光敏感材料包含酮類或醚類或烷烴類有機(jī)溶劑和抗反射吸收材料交聯(lián)樹脂以及微量金屬離子，分子量在5000到50000之間，有機(jī)溶劑與抗反射吸收材料交聯(lián)樹脂的摩爾量比例為1∶X，其中，X為5～100，每次涂布劑量為1.5ml到5ml；所述每次烘烤溫度為60℃到250℃，烘烤時間為10秒到120秒。
所述厚光敏感材料包含酮類或醚類或烷烴類有機(jī)溶劑和抗反射吸收材料交聯(lián)樹脂以及微量金屬離子，分子量在5000到50000之間，有機(jī)溶劑與抗反射吸收材料交聯(lián)樹脂的摩爾量比例為1∶X，其中，X為20～1000，每次涂布劑量為5ml到15ml；所述每次烘烤溫度為60℃到250℃，烘烤時間為10秒到120秒。
本發(fā)明通過優(yōu)化半導(dǎo)體器件金屬互聯(lián)的設(shè)計布局，預(yù)留可形成氣體填充結(jié)構(gòu)的區(qū)域，在完成銅后道金屬互聯(lián)工藝后，對芯片的上述區(qū)域進(jìn)行光刻，刻蝕工藝操作，完成氣體空腔的制造。隨后采用多重填涂并每次填涂后伴隨烘烤利用鈍化光敏有機(jī)材料進(jìn)行有空填涂，降低了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的整體介電常數(shù)，從而實現(xiàn)空氣填充大馬士革結(jié)構(gòu)。在降低整體器件的介電常數(shù)的同時并沒有增加工藝的復(fù)雜性，兼顧了器件的堅固性和穩(wěn)定性的表現(xiàn)。此外，涂布于器件表面的鈍化光敏有機(jī)材料還可以起到保護(hù)器件防止紫外線、宇宙粒子損傷的功能，同時可以吸收并減輕器件封裝時產(chǎn)生的應(yīng)力效應(yīng)，進(jìn)一步保護(hù)器件。
圖1是多層金屬導(dǎo)線的示意圖；圖2是光刻并刻蝕打開金屬導(dǎo)線接觸點；圖3是光刻并刻蝕打開特定區(qū)域，形成氣體空腔；圖4是多重填涂并每次填涂后伴隨烘烤鈍化光敏有機(jī)材料進(jìn)行有空填涂，實現(xiàn)空氣填充大馬士革結(jié)構(gòu)；圖5是掩膜版上優(yōu)化半導(dǎo)體器件金屬互聯(lián)的設(shè)計布局。
標(biāo)號說明1大馬士革介質(zhì)層 2底部刻蝕阻擋層 3金屬銅導(dǎo)線
3A金屬阻擋層 4金屬鈍化保護(hù)絕緣層 5薄光敏感材料6厚光敏感材料 7鈍化光敏有機(jī)材料7A頂部鈍化光敏有機(jī)材料 7B底部鈍化光敏有機(jī)材料8可形成氣體填充結(jié)構(gòu)的預(yù)留區(qū)域 9氣體空腔具體實施方式
現(xiàn)結(jié)合附圖，對本發(fā)明的具體實施方式
作進(jìn)一步的詳細(xì)說明請參閱圖1，首先制作并完成大馬士革結(jié)構(gòu)，包括大馬士革介質(zhì)層1和底部刻蝕阻擋層2以及鑲嵌在內(nèi)的大馬士革金屬導(dǎo)線3，并在大馬士革結(jié)構(gòu)中預(yù)留至少一個可形成氣體填充結(jié)構(gòu)的空腔區(qū)域，由頂層金屬層開始的向內(nèi)的幾層金屬互聯(lián)布線均不通過預(yù)留區(qū)域，并在空腔的底部預(yù)先設(shè)計金屬阻擋層3A作為刻蝕終點，金屬阻擋層3A的厚度為200～10000納米。然后在最上層金屬導(dǎo)線3上淀積金屬鈍化保護(hù)絕緣層4，金屬鈍化保護(hù)絕緣層4的厚度為100～10000納米。
大馬士革結(jié)構(gòu)中的多層大馬士革介質(zhì)層1和底部刻蝕阻擋層2可以是半導(dǎo)體器件各層中由上至下的2～8層組成，也可以是由頂層金屬層開始的向內(nèi)的2～8層組成。大馬士革介質(zhì)層1的厚度為200～10000納米，所述底部刻蝕阻擋層2的厚度為10～200納米，請參閱圖2，在金屬鈍化保護(hù)絕緣層4上涂布薄光敏材料5，薄光敏感材料5包含酮類或醚類或烷烴類有機(jī)溶劑和抗反射吸收材料交聯(lián)樹脂以及微量金屬離子，分子量在5000到50000之間，有機(jī)溶劑與抗反射吸收材料交聯(lián)樹脂的摩爾量比例為1∶X，其中，X為5～100，膜厚為1000A至8500A，可根據(jù)工藝加以調(diào)節(jié)。每次涂布劑量為1.5ml到5ml；低溫烘烤，烘烤溫度為60℃到250℃，可分別選擇為60℃、80℃或120℃；烘烤時間分別選擇為60秒、80秒、100秒或120秒。然后進(jìn)行光刻并刻蝕金屬鈍化保護(hù)絕緣層4，打開金屬導(dǎo)線3的接觸點，隨后去膠并清洗。
請參閱圖3，接著涂布厚光敏材料6，厚光敏感材料6包含酮類或醚類或烷烴類有機(jī)溶劑和抗反射吸收材料交聯(lián)樹脂以及微量金屬離子，分子量在5000到50000之間，有機(jī)溶劑與抗反射吸收材料交聯(lián)樹脂的摩爾量比例為1∶X，其中，X為20～1000，膜厚為10000A至50000A，根據(jù)工藝加以調(diào)節(jié)。每次涂布劑量為5ml到15ml；低溫烘烤，烘烤溫度為60℃到250℃，可分別選擇為60℃、80℃或120℃；烘烤時間分別選擇為60秒、80秒、100秒或120秒。然后進(jìn)行光刻并刻蝕預(yù)留的無金屬導(dǎo)線區(qū)域，形成氣體空腔9，空腔9的長度和寬度分別為2～5微米，空腔9區(qū)域的大小可為2×2微米2、3×3微米2、4×4微米2、5×5微米2、3×2微米2、4×2微米2、5×2微米2、4×3微米2、5×3微米2、5×4微米2，深度為500～100000納米，刻蝕工藝停在作為金屬阻擋層的金屬銅3A上，隨后去膠并清洗。根據(jù)版圖的設(shè)計布局要求，為了保證刻蝕空腔的可重復(fù)，穩(wěn)定性，在空腔的底部會預(yù)先設(shè)計金屬阻擋層作為刻蝕終點。
請參閱圖4，隨后采用多重填涂并每次填涂后伴隨烘烤鈍化光敏有機(jī)材料7進(jìn)行有空填涂。鈍化光敏有機(jī)材料7包含酮類或醚類或烷烴類有機(jī)溶劑和感光交聯(lián)聚酰亞胺樹脂以及微量金屬離子，分子量在50000～500000之間，介電常數(shù)為1.0～2.0之間，有機(jī)溶劑與感光交聯(lián)聚酰亞胺樹脂材料的摩爾量比例為1∶X，其中，X為5～10000。
第一次材料填充時，采用少量光敏感材料填充填，涂劑量分別為1.5ml或2ml；低溫烘烤，烘烤溫度分別選擇為60℃、80℃或120℃；烘烤時間分別選擇為60秒、80秒、100秒或120秒。
然后進(jìn)行第二次鈍化光敏有機(jī)材料7填充，第二次采用較少量材料填充，涂劑量分別選擇為2ml或3ml；高溫烘烤，烘烤溫度分別選擇為120℃、140℃、160℃、180℃或200℃；烘烤時間分別選擇為60秒、80秒、100秒或120秒。
接著進(jìn)行第三次鈍化光敏有機(jī)材料7表面圖布，涂劑量分別選擇為2ml、3ml、4ml或5ml；中溫烘烤，烘烤溫度分別選擇為90℃、100℃、120℃或140℃；烘烤時間分別選擇為60秒、80秒、100秒或120秒。根據(jù)設(shè)計特定區(qū)域的結(jié)構(gòu)大小、位置、以及深度決定重復(fù)涂布的次數(shù)和劑量，從而完成有空填充。此時頂部鈍化光敏有機(jī)材料7A的厚度為2000～100000納米，底部鈍化光敏有機(jī)材料7B的厚度為100～10000納米。涂布于器件表面的鈍化光敏有機(jī)材料7還可以起到保護(hù)器件防止紫外線、宇宙粒子損傷的功能，同時可以吸收并減輕器件封裝時產(chǎn)生的應(yīng)力效應(yīng)，進(jìn)一步保護(hù)器件。
然后光刻鈍化光敏有機(jī)材料7，打開金屬導(dǎo)線3的接觸點。并對硅片進(jìn)行烘烤，烘烤溫度分別選擇為90℃、100℃、120℃或140℃；烘烤時間分別選擇為60秒、80秒、100秒或120秒，最終完成制作工藝。
請參閱圖5，圖5是掩膜版上優(yōu)化半導(dǎo)體器件金屬互聯(lián)的設(shè)計布局。在實際設(shè)計中，可以對半導(dǎo)體器件金屬互聯(lián)的設(shè)計布局進(jìn)行優(yōu)化，從而形成多個可形成氣體填充結(jié)構(gòu)的預(yù)留區(qū)域8，這些預(yù)留區(qū)域8可對稱分布，用以保證器件的整體堅固和穩(wěn)定性。
雖然已公開了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但本領(lǐng)域技術(shù)人員將會意識到，在不背離本發(fā)明權(quán)利要求
書中公開范圍的情況下，任何各種修改、添加和替換均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種利用空氣填充降低介電常數(shù)的大馬士革結(jié)構(gòu)，其特征在于在大馬士革結(jié)構(gòu)中無金屬互聯(lián)布線的區(qū)域形成至少一個空腔(9)，空腔(9)的兩側(cè)為多層的大馬士革介質(zhì)層(1)和底部刻蝕阻擋層(2)，空腔(9)的頂部為頂部鈍化光敏有機(jī)材料(7A)及金屬鈍化保護(hù)絕緣層(4)，空腔(9)底部和金屬阻擋層(3A)之間有底部鈍化光敏有機(jī)材料(7B)。
2.如權(quán)利要求
1所述的利用空氣填充降低介電常數(shù)的大馬士革結(jié)構(gòu)，其特征在于所述多層大馬士革介質(zhì)層(1)和底部刻蝕阻擋層(2)可以是半導(dǎo)體器件各層中由上至下的2～8層組成，或者是由頂層金屬層開始的向內(nèi)的2～8層組成。
3.如權(quán)利要求
1所述的利用空氣填充降低介電常數(shù)的大馬士革結(jié)構(gòu)，其特征在于所述大馬士革結(jié)構(gòu)包含多個空腔(9)，可對稱分布在大馬士革結(jié)構(gòu)的多個無金屬互聯(lián)布線的區(qū)域中。
4.如權(quán)利要求
1或2或3所述的利用空氣填充降低介電常數(shù)的大馬士革結(jié)構(gòu)，其特征在于所述大馬士革介質(zhì)層(1)的厚度為200～10000納米，所述底部刻蝕阻擋層(2)的厚度為10～200納米，所述頂部鈍化光敏有機(jī)材料(7A)的厚度為2000～100000納米，所述金屬阻擋層(3A)是預(yù)設(shè)的，厚度為200～10000納米，所述底部鈍化光敏有機(jī)材料(7B)的厚度為100～10000納米，所述的金屬鈍化保護(hù)絕緣層(4)的厚度為100～10000納米，所述空腔(9)的長度和寬度分別為2～5微米，深度為500～100000納米。
5.一種利用空氣填充降低介電常數(shù)的大馬士革結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于在半導(dǎo)體器件金屬互聯(lián)的大馬士革結(jié)構(gòu)中，預(yù)留至少一個可形成氣體填充結(jié)構(gòu)的空腔區(qū)域，由頂層金屬層開始的向內(nèi)的幾層金屬互聯(lián)布線均不通過預(yù)留區(qū)域，并在空腔的底部預(yù)先設(shè)計金屬阻擋層作為刻蝕終點，完成銅后道金屬互聯(lián)工藝后，對預(yù)留區(qū)域進(jìn)行光刻、刻蝕工藝操作，完成氣體空腔的制造，隨后利用鈍化光敏有機(jī)材料采用多重填涂并在每次填涂后伴隨烘烤進(jìn)行有空填涂，從而實現(xiàn)空氣填充大馬士革結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求
5所述的利用空氣填充降低介電常數(shù)的大馬士革結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述制造方法包括如下步驟(1)制作并完成金屬大馬士革導(dǎo)線；(2)在最上層金屬導(dǎo)線上淀積金屬鈍化保護(hù)絕緣層；(3)涂布薄光敏材料，光刻并刻蝕金屬鈍化保護(hù)絕緣層，打開金屬接觸點，隨后去膠并清洗；(4)涂布厚光敏材料，光刻并刻蝕特定的無金屬導(dǎo)線區(qū)域，形成氣體空腔，隨后去膠并清洗；(5)采用多重填涂并每次填涂后伴隨烘烤鈍化光敏有機(jī)材料進(jìn)行有空填涂，第一次材料填充、烘烤；(6)第二次鈍化光敏有機(jī)材料填充、烘烤，并根據(jù)設(shè)計特定區(qū)域的結(jié)構(gòu)大小、位置、以及深度決定重復(fù)涂布的次數(shù)和劑量，從而完成有空填充；(7)光刻鈍化光敏有機(jī)材料，打開金屬接觸點；(8)硅片進(jìn)行烘烤，完成制作工藝。
7.如權(quán)利要求
5或6所述的利用空氣填充降低介電常數(shù)的大馬士革結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述的鈍化光敏有機(jī)材料包含酮類或醚類或烷烴類有機(jī)溶劑和感光交聯(lián)聚酰亞胺樹脂以及微量金屬離子，分子量在50000～500000之間，介電常數(shù)為1.0～2.0之間，有機(jī)溶劑與感光交聯(lián)聚酰亞胺樹脂材料的摩爾量比例為1∶X，其中，X為5～10000。
8.如權(quán)利要求
5或6所述的利用空氣填充降低介電常數(shù)的大馬士革結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述鈍化光敏有機(jī)材料的多重填涂并每次填涂后伴隨烘烤，每次涂布劑量為5ml到20ml，每次烘烤溫度為60℃到250℃，烘烤時間為10秒到120秒。
9.如權(quán)利要求
6所述的利用空氣填充降低介電常數(shù)的大馬士革結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述薄光敏感材料包含酮類或醚類或烷烴類有機(jī)溶劑和抗反射吸收材料交聯(lián)樹脂以及微量金屬離子，分子量在5000到50000之間，有機(jī)溶劑與抗反射吸收材料交聯(lián)樹脂的摩爾量比例為1∶X，其中，X為5～100，每次涂布劑量為1.5ml到5ml；所述每次烘烤溫度為60℃到250℃，烘烤時間為10秒到120秒。
10.如權(quán)利要求
6所述的利用空氣填充降低介電常數(shù)的大馬士革結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述厚光敏感材料包含酮類或醚類或烷烴類有機(jī)溶劑和抗反射吸收材料交聯(lián)樹脂以及微量金屬離子，分子量在5000到50000之間，有機(jī)溶劑與抗反射吸收材料交聯(lián)樹脂的摩爾量比例為1∶X，其中，X為20～1000，每次涂布劑量為5ml到15ml；所述每次烘烤溫度為60℃到250℃，烘烤時間為10秒到120秒。
專利摘要
本發(fā)明通過優(yōu)化半導(dǎo)體器件金屬互聯(lián)的設(shè)計布局，預(yù)留可形成氣體填充結(jié)構(gòu)的區(qū)域，在完成銅后道金屬互聯(lián)工藝后，對芯片的上述區(qū)域進(jìn)行光刻，刻蝕工藝操作，完成氣體空腔的制造。隨后采用多重填涂并每次填涂后伴隨烘烤利用鈍化光敏有機(jī)材料進(jìn)行有空填涂，降低了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的整體介電常數(shù)，從而實現(xiàn)空氣填充大馬士革結(jié)構(gòu)。在降低整體器件的介電常數(shù)的同時并沒有增加工藝的復(fù)雜性，兼顧了器件的堅固性和穩(wěn)定性的表現(xiàn)。此外，涂布于器件表面的鈍化光敏有機(jī)材料還可以起到保護(hù)器件防止紫外線、宇宙粒子損傷的功能，同時可以吸收并減輕器件封裝時產(chǎn)生的應(yīng)力效應(yīng)，進(jìn)一步保護(hù)器件。
文檔編號H01L21/768GK1996589SQ200510003374
公開日2007年7月11日 申請日期2005年12月31日
發(fā)明者朱駿 申請人:上海集成電路研發(fā)中心有限公司, 上海華虹(集團(tuán))有限公司導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan