專利名稱:發(fā)光器件、電子設備、和其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種OLED(有機發(fā)光器件)板，該板可由在襯底形成一個OLED及在襯底和覆蓋部件之間密封該OLED而獲得。本發(fā)明還涉及一種OLED模塊，其中在OLED板上安裝一個包括控制器等的IC。在本說明中，對于OLED板和OLED模塊，‘發(fā)光器件’是通用術語。使用本發(fā)光器件的電子設備也包括在本發(fā)明中。
背景技術：
借助自發(fā)光，OLED消除了在液晶顯示裝置(LCDs)中必要的背光的需要，并且這樣使其易于制作成更薄的裝置。另外，自發(fā)光OLEDs具有高清晰度且在視角上沒有限制。這些是近些年用OLEDs的發(fā)光器件作為顯示裝置以代替CRTs和LCDs正受到關注的原因。
OLED除了具有陽極層和陰極層之外，還具有一個包含有機化合物的層。當施加一個電場時，所述包含有機化合物的層發(fā)光(電致發(fā)光)。從有機化合物發(fā)出的冷光被分成從單態(tài)激發(fā)(熒光)回到基態(tài)的發(fā)光和從三態(tài)激發(fā)(磷光)回到基態(tài)的發(fā)光。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件能夠使用一或兩種類型的發(fā)光。
在本說明中，設在陽極和陰極之間的所有層一起作為有機發(fā)光層。尤其是，該有機發(fā)光層包括一個發(fā)光層，一個空穴注入層，一個電子注入層，一個空穴傳輸層等。OLED的基本結構是以陽極層，發(fā)光層，和陰極層順序排列的片層。這種基本結構能夠改變成以陽極，空穴注入層，發(fā)光層，和陰極層順序排列的片層，或者以陽極，空穴注入層，發(fā)光層，電子傳輸層和陰極層順序排列的片層。
將利用OLED的發(fā)光器件投入實際使用的問題是由于熱、光、潮濕、氧化、和其它原因引起的器件老化。
通常，生產(chǎn)具有OLED的發(fā)光器件時，OLED在導線線路和半導體元件在像素部分中形成之后而制成。一旦形成OLED，為了密封(包裝)該OLED以使OLED不暴露在外界的空氣中，就將其上設有OLED的第一襯底與第二襯底(由金屬或者玻璃制成)粘合。用樹脂等粘合兩襯底，并且氮或者惰性氣體填充到兩個襯底之間的間隔中。但是，通過在包裝袋中的最細微的裂縫，氧氣容易到達如上述由兩襯底和樹脂密封的OLED。此外，不難發(fā)現(xiàn)濕氣通過在粘合和密封中所用的樹脂快速進入到OLED中。這是引起叫做暗斑的無光發(fā)射部分的原因，暗斑隨著時間增加而加重且不發(fā)射光，這將成為問題。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明已解決了上述問題，并且本發(fā)明的一個目的是提供一種利用高可靠OLED的發(fā)光器件，本發(fā)明的另一目的是提供一種具有高可靠顯示單元的電子設備，對于其顯示單元使用了這種具有OLED的發(fā)光器件。
本發(fā)明涉及一種用于密封OLED的技術，該OLED設置在具有絕緣表面的襯底上。為了密封該OLED，本發(fā)明用膜真空密封，該膜至少在一側(cè)上(內(nèi)側(cè))設置一層低氣體透過率的薄膜(典型地，主要包含碳的薄膜，氧氮化硅膜，氮化硅膜，表示為ALNxOy的化合物膜，AlN膜或者這些膜組成的膜層)。
在本發(fā)明中，一個低氣體透過率的膜用于提供一個膜，為了膜增加柔韌性而在反應氣體中加入稀有氣體元素。本發(fā)明的特征是一個低氣體透過率的薄膜(典型地，主要包含碳的薄膜，氧氮化硅膜，氮化硅膜，表示為ALNxOy的化合物膜，ALN膜或者這些膜組成的膜層)包含稀有氣體元素，以緩和膜中的內(nèi)應力和使膜具有柔韌性，并且提供一個至少在一側(cè)上(內(nèi)側(cè))設置一薄膜的膜用于真空密封具有OLED的發(fā)光器件。
膜由于含有稀有氣體而獲得柔韌性。因此，用于提供包裝膜的薄膜能防止在真空中熱壓合時產(chǎn)生裂紋和剝落。另外，該膜用作襯料能夠改善包裝膜的耐熱性和機械強度。
在本說明中公開的本發(fā)明的結構是一個發(fā)光器件，其特征在于該器件包括一個TFT，一個其上形成有一個具有TFT的發(fā)光元件的有效矩陣襯底，一種干燥劑，和一個包裝有效矩陣襯底的保護單元；和該保護單元是一個至少部分設有薄膜的膜，該薄膜包含稀有氣體元素和主要包含碳。在本說明中，其上設有OLED的襯底叫做有效矩陣襯底。
在上述的結構中，發(fā)光元件有一個陽極，一個陰極，和一個夾在該陽極和陰極之間的EL材料。
在上述結構中，保護單元通過真空壓合實現(xiàn)與有效矩陣襯底的接觸。因此，保護單元具有一定程度的柔韌性。對于該保護單元可以使用任何膜，只要它有極好的氣體隔離性和對可見光分別是透明或者半透明的。例如，保護單元可以是一個被一個薄膜完全覆蓋的膜，該薄膜包含碳作為其主要成分，或者該膜在其一側(cè)(內(nèi)側(cè)或者外側(cè))設置包含碳作為其主要成分的薄膜。
本發(fā)明的特征在于包含碳作為其主要成分的薄膜是一個厚度為3到50nm的DLC(如像碳的金剛石)膜。就短距離排列而言，DLC膜具有SP3鍵作為碳原子之間的鍵。宏觀地，DLC膜具有非結晶質(zhì)結構。DLC膜由70到95％的碳原子和5到30％的氫原子組成，它們使DLC膜非常硬并且具有極好的絕緣性。象這樣的DLC膜還對蒸汽，氧氣和其它氣體具有低透過性的特征。如果用微硬度測試儀測量時DLC膜公知的硬度為15到25GPa。
DLC膜由等離子CVD，微波CVD，電子回旋共振(ECR)CVD，濺射等形成。這些方法的任一個可以產(chǎn)生的DLC膜是具有適當粘附力的DLC膜。DLC膜由作為陰極設置的襯底形成。如果施加一個負偏壓并利用部分離子碰撞，可獲得密而硬的DLC膜。
在由等離子CVD形成DLC膜中所用的反應氣體是基于碳氫化合物的氣體，例如CH4，C2H2或者C6H6。反應氣體由輝光放電電離，并且離子被加速以碰撞施加一個負的自偏壓的陰極。結果，可獲得密而平的DLC膜。
本DLC膜的特征是對于可見光是透明或者半透明的絕緣膜。
在本說明中，對可見光透明意味著對可見光具有80到100％的透光度，而對可見光半透明意味著對可見光具有50到80％的透光度。
一氧氮化硅膜可用來代替上述的DLC膜。在這種情況下，保護單元是一個至少部分設有一氧氮化硅膜的膜。
一氮化硅膜可用來代替上述的DLC膜。在這種情況下，保護單元是一個至少部分設有一氮化硅膜的膜。
ALN膜可用來代替上述的DLC膜。在這種情況下，保護單元是一個至少部分設有一ALN膜的膜。
ALNxOy膜可用來代替上述的DLC膜。在這種情況下，保護單元是一個至少部分設有一ALNxOy膜的膜。
也可使用由DLC膜、氧氮化硅膜、氮化硅膜、ALN膜、ALNxOy膜結合形成的膜層。在這種情況下，保護單元是一個至少部分設有該膜層的膜。
優(yōu)選地，氮化硅膜，ALN膜，或者ALNxOy膜由濺射形成并且在腔中注入稀有氣體，以使所形成的膜包含稀有氣體元素(典型地如Ar)其濃度為0.1原子％或者更高，更理想的是1到30原子％或者更高。
在上述結構中，干燥劑優(yōu)選置于在真空中密封的有效矩陣襯底和保護單元之間，以防止發(fā)光器件的老化。適合的干燥劑為氧化鋇，氧化鈣，硅膠等。干燥劑在柔性印刷基片被粘合之前或者之后放置。另外，干燥劑可以置于柔性印刷基片的柔性膜中、且而后粘合柔性印刷基片。優(yōu)選地，干燥劑置于保護單元真空壓合的位置附近。
為獲得上述結構的本發(fā)明的內(nèi)容是一個制造發(fā)光器件的方法，其特征在于包括如下步驟在具有絕緣表面的襯底上形成發(fā)光元件；將柔性印刷基片粘合到襯底的邊緣；和用一主要含有碳的薄膜覆蓋的膜在真空中密封發(fā)光元件、和部分柔性印刷基片。
在上述結構中，形成發(fā)光元件的步驟可以在使襯底的厚度減薄的步驟之后進行。如果襯底是薄的，減薄步驟優(yōu)選設在粘合柔性印刷基片到成型襯底邊緣的步驟之后。
在上述結構中，本方法的特征是包括放置干燥劑的步驟，在真空密封步驟之前該干燥劑與柔性印刷基片接觸。真空密封步驟是熱壓合。
在上述結構中，主要含有碳的薄膜是一個DLC膜，該DLC膜包含濃度為0.1原子％或更高稀有的氣體元素，優(yōu)選是1到30原子％的稀有氣體元素。
在上述結構中，稀有氣體元素是從由He、Ne、Ar、Kr和Xe構成的組中選擇的一種或者多種元素。
在附圖中圖1A到1C是制造發(fā)光器件過程的示意 圖2是制造發(fā)光器件過程的示意圖；圖3是用于形成DLC膜的裝置(等離子CVD裝置)的示意圖；圖4A到4B分別是OLED模塊的頂視圖和側(cè)視圖；圖5A到5D是制造有效矩陣襯底過程的示意圖；圖6A到6C是制造有效矩陣襯底過程的示意圖；圖7A到7B是制造有效矩陣襯底過程的示意圖；圖8A到8H是電子設備實例的示意圖；圖9是使用濺射的膜形成裝置的示意圖；圖10是ALNxOy(X＜Y)膜透過率的圖表；圖11是ALN膜透過率的圖表；圖12是各種膜濕氣滲透率的圖表。
具體實施方式下面參照圖1A到3說明具體實施方式
1和2。
首先，制備具有絕緣表面的襯底。在襯底上，設置一個發(fā)光元件，這里是OLED，和一個引出電極102。引出電極102使OLED與外部電源連接。如果來自發(fā)光元件的光通過襯底傳導，所用具有絕緣表面的襯底是光透射襯底如玻璃，已結晶玻璃，或者塑料。如果來自發(fā)光元件的光不通過襯底傳播，可用陶瓷襯底，半導體襯底，金屬襯底等。
為了降低器件的重量，在襯底上采用刻蝕處理并使襯底減薄。一個其上形成有OLED的襯底101是這樣獲得的。刻蝕處理不是總是必須的。接著，柔性印刷基片(FPC)103與襯底101粘合，與引出電極102電連接(圖1A)。
為防止由于氧化、潮濕等使OLED老化，在其上形成有OLED的襯底101上設置干燥劑104。干燥劑104是一個吸濕材料(優(yōu)選是氧化鈣或者氧化鋇)，或者是一個能夠吸附氧的材料。這里，干燥劑104只要位于與FPC103和襯底101的端面接觸即可。這可防止在后面的真空壓合步驟中保護單元在此處擴張和損壞。
可作為氣體隔離的保護單元在真空中壓合以密封OLED，并且另外防止由于氧化，潮濕等使OLED的老化。保護單元可以是任意膜，該膜對可見光是透明的或者半透明的，并且可以在真空中壓合。圖1B示出在真空壓合前的保護單元。
這里所用的保護單元是一個包裝膜105，該膜由一個含有稀有氣體(Ar)的DLC膜106覆蓋。由一個含有稀有氣體Ar的DLC膜106覆蓋的包裝膜105真空包裝其上形成有OLED的襯底101、干燥劑104和柔性印刷基片103的一部分。這里所示是一個除壓合部分外覆蓋有DLC膜的包裝膜的一個例子。但是，包裝膜可僅僅在一側(cè)(內(nèi)側(cè)或者外側(cè))設置DLC膜。用于設置或者覆蓋包裝膜的膜不限于單層膜，也可以是多層膜。
含有稀有氣體(Ar)的DLC膜106在膜形成裝置中形成，如圖3所示是用等離子CVD。腔301中被抽成真空，并且將作為氣體原料的CH4氣和Ar氣的混合氣、或者C2H6氣和Ar氣的混合氣注入到腔中。然后，在包裝膜305的表面形成DLC膜(含有Ar)306。包裝膜由支撐件307固定在與RF電源304連接的電極302和電極303之間。注意在部分包裝膜305上不形成DLC膜306，就是接觸支撐件307的部分。本發(fā)明利用不形成DLC膜的這部分進行真空壓合。圖1C所示是真空壓合后的保護單元。這里所用的包裝膜象一個袋子或者一個空盒子。另外，包裝膜可以是彼此放置在頂面上的兩片組成并在其四邊壓合。包裝膜的優(yōu)選材料是能夠被粘合的材料也可以是熱壓合的柔性膠帶。作為包裝膜的所用材料是樹脂材料(聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚風(PES)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、尼龍、聚醚醚酮(PEEK)、聚風(PSF)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚芳酯(PAR)、聚對苯二甲酸丁二醇酯(PBT)等)。典型地，可使用熱塑性的，PVF(聚氟乙烯)膜、聚酯膜、或者丙烯酸樹脂膜。在熱壓合后，壓合部分可用粘合劑進一步密封，并且FPC可用粘合劑與保護單元粘合。
一旦OLED在襯底形成，上述步驟即被實施，希望盡可能避免OLED暴露到外界空氣中。
這樣，本發(fā)明能夠提供用OLED的發(fā)光器件，通過控制由于潮濕，氧化等引起的老化增加了器件的可靠性。
參照圖2描述發(fā)光器件的一個實例，該器件中用密封基板200密封OLED且而后進一步由保護單元密封。
在圖2中，200是指密封基板，201、一個其上形成有OLED的襯底，202、引出電極，203、一FPC，204、一個干燥劑，205、包裝膜，和206、一含有Ar的DLC膜。盡管這里的膜206是一個含有Ar的DLC膜，該DLC膜可以由含有Ar的氧氮化硅膜、含有Ar的氮化硅膜、含有Ar的表示為ALNxOy、或者ALN的化合物膜所替代。
由于含有Ar，當用于包裝膜和在真空中壓合時，該膜可以是柔性的并且其可以防止產(chǎn)生裂紋或者脫落。
盡管在圖中未示出，密封基板200用粘合劑與襯底201粘合，在密封基板200和襯底201之間的間隔中填充樹脂、氮氣、或者惰性氣體。如果來自發(fā)光器件的光通過密封基板200傳輸，則所用密封基板是一個光透射基板如玻璃基板、已結晶的玻璃基板、或者塑料基板。如果來自發(fā)光器件的光不通過密封基板200傳輸，則可使用陶瓷基板、半導體基板、金屬基板等。該密封基板200可以不總是板狀，也可以類似一個蓋。
這里干燥劑204置于襯底201上在FPC203和密封基板201之間，以防止在后面的真空壓合步驟中保護單元在此處擴張和損壞。
通過下面的實施例將進一步描述如上所述本發(fā)明的結構。
圖4A是制造OLED模塊的頂部示意圖，圖4B是圖4A模塊的一個像素部分的示意圖。
像素部分404布置在襯底401上，這樣源線驅(qū)動電路402和柵線驅(qū)動電路403分別與像素部分的兩側(cè)平行運行。每個像素部分404、源線驅(qū)動電路402、和柵線驅(qū)動電路403具有多個TFT。圖4B所示，作為這些TFT，驅(qū)動電路TFT(在圖4B中由n通道TFT和p通道TFT組成)411包括在源線電路402中、而驅(qū)動TFT(TFT用于控制在OLED中流過的電流)包括在像素部分404中。該TFTs411和412在基膜410上形成。
在本實施例中，構成驅(qū)動電路TFT的n通道TFT和p通道TFT由公知方法制成，由公知方法制成的p通道TFT用于驅(qū)動TFT412。像素部分404設有一個與驅(qū)動TFT412的柵電極連接的電容存儲器(未示出)。
在驅(qū)動電路TFT411和驅(qū)動TFT412上形成的是層間絕緣膜(平面化膜)421，在其上形成的像素電極(陽極)413與驅(qū)動TFT412的漏極電連接。像素電極413由具有大逸出功的透明導電膜形成。例如，所使用的透明導電膜的材料包括氧化銦和氧化錫的組合物、氧化銦和氧化鋅的組合物、單獨的氧化鋅、單獨的氧化錫和單獨的氧化銦。透明導電膜由這些材料中的一種形成，并且摻入鎵也可以用作像素電極。
在像素電極413上形成絕緣膜422。在像素電極413上的絕緣膜422中形成一開口。在開口處的像素電極413上形成一有機發(fā)光層414。該有機發(fā)光層414由公知的有機發(fā)光材料或者無機發(fā)光材料形成。不管是低分子量(單體)有機發(fā)光材料或者高分子量(聚合物)有機發(fā)光材料都可用于有機發(fā)光層。
有機發(fā)光層414由公知的蒸發(fā)技術或者應用技術形成。有機發(fā)光層可只包括一層發(fā)光層。另外，除發(fā)光層以外，有機發(fā)光層可以是另外具有一個空穴注入層、一個空穴傳輸層、一個電子傳輸層、和一個電子注入層任意結合的層狀結構。
陰極415由光屏蔽導電膜(典型地，導電膜主要包含鋁、銅、或者銀，或者包含上述導電膜和其它導電膜的膜層)在有機發(fā)光層414上形成。理想地，在陰極415和有機發(fā)光層414之間盡可能排除濕氣和氧氣。排除濕氣和氧氣需要一定的方案。例如，在氮或者稀有氣體氣壓下形成有機發(fā)光層414，然后在保持襯底未潮濕和氧化下相繼形成陰極415。本實施例采用一個多腔系統(tǒng)(群聚工具系統(tǒng))膜形成裝置，以實現(xiàn)上述的膜形成。陰極415接受給定的電壓。
形成包括像素電極(陽極)413、有機發(fā)光層414、和陰極415的OLED423。在絕緣膜422上形成保護膜424，以覆蓋OLED423。該保護膜424有效地防止整個OLED423氧化和潮濕。
由參考標號409指示的是一個與電源線連接的引出導線，并且與驅(qū)動TFT412的源區(qū)域電連接。引出導線409通過各向異性的導電膜與FPC405的FPC導線電連接。各向異性的導電膜有一導電填料。形成像素電極413的同時，形成導電膜，使其與引出導線的頂表面進行接觸。在熱壓合襯底401和FPC405時，導電填料使在襯底401上的導電膜與在FPC405上的FPC導線電連接。
由參考標號406指示的是一個用于包裝其上形成有OLED的襯底的包裝膜。通過真空壓合包裝膜406與襯底401和形成在襯底上的OLED423接觸，以防止整個OLED423潮濕、氧化等。包裝膜406用含有Ar的DLC膜400覆蓋。
由于含有稀有氣體，膜是柔性的并且其DLC膜400能夠在用于設置在包裝膜上和在真空中進行熱壓合時防止產(chǎn)生裂紋或者脫落。
由參考標號407指示的是一個干燥劑，它是一個吸濕性的物質(zhì)(優(yōu)選是氧化鈣或氧化鋇)，或者是一個能夠吸氧的物質(zhì)。這里，干燥劑407位于與FPC405和襯底401的一端面接觸的位置上。以防止在真空壓合步驟中保護單元在此處擴張和損壞。
因此所制造的OLED模塊是一個有機發(fā)光顯示器件，該器件能夠在各種電子設備中用作顯示單元。
下面，參照圖5到7描述用本發(fā)明的發(fā)光器件制造襯底(有效矩陣襯底)的方法。這里，根據(jù)步驟詳細描述在相同襯底上、同時形成像素部分的開關TFT和驅(qū)動TFT，及繞像素部分設置的驅(qū)動部分的TFT的方法。
本實施例使用玻璃襯底500如硼硅酸鋇玻璃或者硼硅酸鋁玻璃表示成鈷粒的7059#玻璃或者1737#玻璃。對于所設置的襯底500沒有限制，使其具有適當?shù)耐腹舛燃纯?，可以用石英襯底。另外，可以使用具有耐熱性、能夠承受本實施例的處理溫度的塑料襯底。
下面參照圖5A，在襯底500上形成包括絕緣膜如氧化硅膜，氮化硅膜或者氧氮化硅膜的基膜501。在本實施例中，基膜501具有兩層結構。但是，可在絕緣膜上采用單層或者兩層或者多層的膜層?；?01的第一層是一層氧氮化硅膜501a，該層依賴等離子CVD方法由SiH4、NH3、N2O作為反應氣體而形成，其厚度保持在從10到200nm(優(yōu)選是從50到100nm)。在本實施例中，形成氧氮化硅膜501a(具有Si＝32％，O＝27％，N＝24％，H＝17％的組分比)的厚度是50nm。基膜501的第二層是一層氧氮化硅膜501b，該層依賴等離子CVD方法由SiH4和N2O作為反應氣體形成，其厚度保持在從50到200nm(優(yōu)選是從100到150nm)。在本實施例中，形成氧氮化硅膜501b(具有Si＝32％、O＝59％、N＝7％、H＝2％的組分比)的厚度是100nm。
然后，半導體層502到505在基膜501上形成。通過公知方式(濺射方法，LPCVD方法或者等離子CVD方法)，該半導體層502到505通過對具有非晶結構的半導體膜進行構圖來形成。接著經(jīng)公知的結晶處理(激光結晶方法，熱結晶方法，或者用如鎳的催化劑的熱結晶方法)，在結晶的半導體膜上制作圖案以獲得理想的形狀。所形成的半導體層502到505的厚度從25到80nm(優(yōu)選是從30到60nm)。盡管對結晶的半導體膜的材料沒有限制，優(yōu)選采用硅或者鍺化硅(SixGe1-x(X＝0.0001到0.02))合金。在本實施例中，非晶硅膜依賴等離子CVD方法形成，其厚度保持在55nm，然后，將非晶硅膜保持在含有鎳的溶液中。非晶硅膜脫氫(500℃，1小時)，熱結晶(550℃，4小時)并且另外進行激光退火以改善結晶體，因此，形成結晶的硅膜。結晶的硅膜被制作圖案經(jīng)光刻方法形成半導體層502到505。
已形成的半導體層502到505可另外摻入少量的雜質(zhì)元素(硼或者磷)以控制TFT的閾值。
在由激光結晶方法形成結晶的半導體膜中，另外，可采用脈沖振蕩型的準分子激光器或者連續(xù)發(fā)光型的準分子激光器、YAG激光器或者YOV4激光器。當使用這些激光器時，理想的是從激光器諧振器發(fā)射的激光光束聚焦成一線，然后經(jīng)過光學系統(tǒng)落在半導體膜上。
跟著，形成柵絕緣膜506以覆蓋半導體層502到505。柵絕緣膜506由等離子CVD方法或者濺射方法形成含有硅厚度保持在從40到150nm的絕緣膜。在本實施例中，柵絕緣膜506由等離子CVD方法形成氧氮化硅膜(組分比為Si＝32％，O＝59％，N＝7％，H＝2％的)其厚度是100nm。柵絕緣膜不限于氧氮化硅膜，也可以是單膜或者含有硅絕緣膜的雙膜的膜層。
當形成氧化硅膜時，由等離子CVD方法將TEOS(四乙基正硅酸鹽)和O2混合在一起，并且在40Pa的反應壓力下一起反應，在襯底處溫度為300到400℃，13.56MHz的頻率及放電電力密度從0.5到0.8W/cm2。由此所形成的氧化硅膜再在400到500℃進行熱退火，獲得具有良好性能的柵絕緣膜。
然后，在柵絕緣膜506上形成耐熱導電層507，其厚度保持在200到400nm(優(yōu)選是從250到350nm)以形成柵電極。耐熱導電層507可以由單層形成或者可以根據(jù)需要形成如兩層或者三層的多層的膜層。耐熱導電層包含從Ta，Ti和W，或者含有上述元素的合金，或者上述元素結合的合金中選擇的元素。由濺射方法或者CVD方法形成耐熱導電層，并且應該在已降低的濃度下包含雜質(zhì)以降低阻抗，并且尤其是應該包含濃度不高于30ppm的氧。在本實施例中，形成厚度為300nm的W膜?？捎蔀R射方法用W作為靶形成W膜，或者由熱CVD方法用六氯化鎢(WF6)形成。
接著，依賴光刻技術形成抗蝕的掩膜508。然后，進行第一蝕刻。作為蝕刻氣體，氯族氣體如Cl2、BCL3、SiCl4和CCl4或者氟族氣體如CF4、SF6、NF3、或者O2可以適當?shù)厥褂?。本實施例使用ICP蝕刻設備，用Cl2和CF4作為蝕刻氣體，并且在1Pa壓力下形成具有3.2W/cm2的RF(13.56MHz)電功率的等離子。224mW/cm2的RF(13.56MHz)電功率也加在襯底(試樣臺)的一側(cè)，因此，施加一個基本上負性的自偏壓。在這種條件下，以約100nm/分的速率蝕刻W膜。估計第一蝕刻處理的時間，依照該蝕刻速率W膜剛被蝕刻掉，并且第一蝕刻處理進行一段時間，該時間比估計的蝕刻時間長20％。
由第一蝕刻處理形成有一個第一錐形的導電層509到512。導電層509到512的錐形角是15到30°。為了實現(xiàn)不留殘渣的蝕刻，通過增加約10到20％的蝕刻時間而實現(xiàn)過渡蝕刻。氧氮化硅膜(柵絕緣膜506到W膜)的選擇速率是2到4(典型是3)。因此，由于過渡蝕刻，氧氮化硅膜暴露的表面被蝕刻掉約20到50nm(圖5B)。
然后，進行第一摻雜處理，在半導體層中加入導電的第一型雜質(zhì)元素。這里，所進行的加入的雜質(zhì)元素是n型。留下形成第一形狀的導電層的掩膜508，并且用具有第一錐形的導電層509到512作為掩膜，用離子摻雜方法以自對準方式加入n型雜質(zhì)元素。摻雜量設置為從1×1013到1×1014原子/cm2，以使對于賦予n型的雜質(zhì)元素通過錐形部分和在柵電極端部的柵絕緣膜506達到滲入半導體層下，加速電壓在從80到160keV選擇。作為賦予n型的雜質(zhì)元素，采用屬于15族的元素，典型地是磷(P)或砷(As)。這里用磷(P)。由于離子摻雜方法，故對于被添加到第一雜質(zhì)區(qū)514到517的賦予n型的雜質(zhì)元素濃度范圍在從1×1020到1×1021原子/cm3(圖5C)以上。
在這一步驟中，根據(jù)摻雜條件雜質(zhì)不到第一形狀的導電層509到512的下側(cè)，并且第一雜質(zhì)區(qū)514到517與第一形狀的導電層509到512相互重疊會經(jīng)常發(fā)生。
接著，如圖5D所示，進行第二蝕刻處理。還用ICP蝕刻設備進行第二蝕刻處理，用CF4和Cl2作為蝕刻氣體，在1.0Pa壓力下使用3.2W/cm2(13.56MHz)的RF電功率，45mW/cm2(13.56MHz)的偏壓。在這些條件下，形成第二形狀的導電層518到521。它們的端部是錐形，并且厚度從端部向內(nèi)逐漸增加。與第一蝕刻處理比較，在襯底側(cè)施加偏壓減少時，各向同性蝕刻的速率按比例增加，錐形部分的角度變成30到60°。掩膜508被鋪設在邊緣處由蝕刻而形成掩膜522。在圖5D所示步驟中，柵絕緣膜506的表面被刻去約40nm。
接著，在通過減少摻雜量，該摻雜量比第一摻雜處理摻雜量小，增加加速電壓的條件下，進行摻雜賦予n型的雜質(zhì)元素。例如，加速電壓設置為從70到120keV，摻雜量是1×1013/cm2，由此形成具有雜質(zhì)濃度增加的第一雜質(zhì)區(qū)524到527，和與第一雜質(zhì)區(qū)接觸的第二雜質(zhì)區(qū)528到531。在該步驟中，雜質(zhì)可以不滲入到第二形狀的導電層518到521的下側(cè)，并且第二雜質(zhì)區(qū)528到531可以與第二形狀的導電層518到521相互重疊。在第二區(qū)的雜質(zhì)濃度是1×1016到1×1018原子/cm3(圖6A)。
參照圖6B，與一導電型相反的導電型的雜質(zhì)區(qū)533(533a，533b)和534(534a，534b)在半導體層502，505中形成，它形成p通道TFT。在這種情況下，用第二形狀的導電層518，521作為掩膜以自對準方式添加p型的雜質(zhì)元素以形成雜質(zhì)區(qū)。此時，形成了n通道TFT的半導體層503和504的表面由阻擋的掩膜532全部覆蓋。這里，雜質(zhì)區(qū)533和534由離子摻雜方法用乙硼烷(B2H6)形成。P型雜質(zhì)元素以從1×1020到1×1021原子/cm3的濃度添加到雜質(zhì)區(qū)533和534中。
但是，如果近似地認為，雜質(zhì)區(qū)533，534能夠被分成兩個包含賦予n型的雜質(zhì)元素區(qū)域。那么，第三雜質(zhì)區(qū)533a和534a包含賦予n型的雜質(zhì)元素，其濃度為1×1017到1×1020原子/cm3。但是，在雜質(zhì)區(qū)533b和534b中，對于賦予p型雜質(zhì)元素所包含的濃度不小于1×1019原子/cm3，并且在第三雜質(zhì)區(qū)533a和534a中，賦予p型雜質(zhì)元素所包含的濃度是賦予n型雜質(zhì)元素濃度的1.5到3倍。因此，第三雜質(zhì)區(qū)作為源區(qū)工作及p通道TFT的漏極區(qū)沒有引起任何問題。
下面參照圖6C，在第二形狀的導電層518到521和柵絕緣膜506上形成第一層間絕緣膜537，第一層間絕緣膜537可由氧化硅膜、氧氮化硅膜、氮化硅膜或者其組合的層狀膜形成。無論如何，第一層間絕緣膜537由無機絕緣材料形成，第一層間絕緣膜537具有100到200nm的厚度。如果使用氧化硅作為第一層間絕緣膜537，那么通過等離子CVD方法將TEOS和O2混合在一起，并且共同在40Pa壓力襯底溫度為300到400℃下反應，同時電功率在高頻(13.56MHz)和0.5到0.8W/cm2的功率密度下放電。如果使用氧氮化硅膜作為第一層間絕緣膜537，那么通過等離子CVD方法氧氮化硅膜可以從SiH4，N2O和NH3，或從SiH4和N2O中形成。在本例中反應條件是反應壓力從20到200Pa、襯底溫度從300到400℃和0.1到1.0W/cm2的高頻(60MHz)功率密度。另外，作為第一層間絕緣膜537可用氫化的氧氮化硅膜，該膜由SiH4、N2O和H2形成。氮化硅膜也類似通過等離子CVD方法由SiH4和NH3形成。
然后，對所加入的不同濃度的n型和p型的雜質(zhì)元素進行活化，該步驟用一個退火爐由熱退火方法實現(xiàn)。可另外采用激光退火方法或者快速熱退火方法(RTA方法)。熱退火方法在含有氧的氮氣中進行，且濃度不高于1ppm，優(yōu)選的是，不高于0.1ppm在從400到700℃下，典型地，從500到600℃。在本實施例中，熱處理在550℃下進行4小時。如果使用具有低耐熱溫度的塑料襯底作為襯底501時，利用激光退火方法是理想的。
接著是活化的步驟，常壓氣體在變化，并且在含有3到100％的氫中在300到450℃的溫度下進行熱處理1到12小時以氫化半導體層。該步驟是熱激勵直到具有氫的半導體層中有1016到1018/cm3的不飽和鍵為止。作為另一氫化方式，可進行等離子氫化(用氫激勵等離子)。無論如何，半導體層502到505中的密度缺陷被抑制在不大于1×1016/cm3是理想的。為了這一目的，氫加入的量可以從0.01到0.1原子％。
然后，有機絕緣材料的第二層間絕緣膜538的平均厚度是1.0到2.0μm。作為有機樹脂材料，可用聚酰亞胺、腈綸樹脂、聚酰胺、聚酰亞胺酰胺和BCB(苯并環(huán)丁烯)。例如當使用典型的聚酰亞胺時，將聚酰亞胺設置在襯底上后再進行熱聚合。第二層間絕緣膜在潔凈的爐子中在300℃時通過放電形成。當使用腈綸樹脂時，使用兩罐型中的一個，即，主要材料和固化劑一起混合，用旋轉(zhuǎn)器加到襯底的整個表面上，用熱板在80℃預熱60秒，并且在潔凈的爐子中在250℃下放電60分鐘，形成第二層間絕緣膜。
接著，形成鈍化膜539。在本實施例中，氮化硅膜作為鈍化膜539。在這種情形下，第二層間絕緣膜538包括一有機樹脂材料，由于有機樹脂材料含有大量的濕氣，設置鈍化膜尤其有效。
這里，導電金屬膜由濺射和真空蒸發(fā)形成，并且用掩膜制作圖案，然后蝕刻形成電源導線540到543，漏導線544到546。另外，盡管在本實施例中沒有圖示，導線可由50nm厚的Ti膜和500nm厚的合金膜(Al和Ti的合金)層疊而成。
然后，其上形成保持厚度為80到120nm的透明導電膜，并且被制作圖案以形成像素電極547(圖7A)。因此，像素電極547用作為透明電極的銦錫氧化物(ITO)膜形成，或者用含有由2到20％的氧化鋅(ZnO)與氧化銦混合物的透明導電膜形成。該像素電極547起發(fā)光器件的陽極作用。另外，像素電極547與漏導線546形成接觸和重疊，該漏導線546與驅(qū)動TFT的漏區(qū)電連接。
接著，如圖7B所示，在像素電極547的相應位置形成帶有開口部分的第三層間絕緣膜548。在本實施例中，用濕蝕刻方法形成具有錐形的側(cè)壁以形成開口部分。與本實施例所示情況不同，形成在第三層間絕緣膜548上的有機發(fā)光層不被分開。這樣，需要注意，如果開口部分的側(cè)壁不夠平緩，從該步驟開始的有機發(fā)光層的老化會成為顯著問題。
盡管對于第三層間絕緣膜548在本實施例中用氧化硅膜，在相同情況下也可以使用有機樹脂膜如聚酰亞胺、聚酰胺、丙烯酸、BCB(苯并環(huán)丁烯)、或者氧化硅膜。
然后，優(yōu)選是，在第三層間絕緣膜548上形成有機發(fā)光層550之前，在第三層間絕緣膜548的表面上用氬氣進行等離子處理，以制成密實的第三層間絕緣膜548的表面。使用上述結構，能夠防止?jié)駳鈴挠袡C發(fā)光層550滲透到第三層間絕緣膜548中。
由蒸發(fā)形成有機發(fā)光層550。陰極(MgAg電極)551和保護電極552也由蒸發(fā)形成。理想地，在像素電極547上進行熱處理，以在形成有機發(fā)光層550和陰極551之前從電極中完全除去濕氣。盡管在本實施例中OLED的陰極是MgAg電極，但也可以用其它公知材料代替。
對于有機發(fā)光層550可以使用其它公知材料。例如，可以使用低分子量有機EL或者高分子量的有機EL材料。有機發(fā)光層可以是一個由有機發(fā)光材料形成的薄膜，它由單態(tài)激發(fā)發(fā)光(熒光)(材料叫做單一混合物)或者發(fā)光材料由三態(tài)激發(fā)(磷光)(該材料叫做三態(tài)混合物)發(fā)光。本實施例中，有機發(fā)光層可包括空穴傳輸層和發(fā)光層的兩層結構。有機發(fā)光層可附加一層或者缺少空穴注入層、電子注入層、和電子傳輸層的多層。各種結合方式已經(jīng)報道并且本實施例的有機發(fā)光層可由它們中的任意一個代替。
本實施例的空穴傳輸層由蒸發(fā)聚亞苯亞乙烯形成。本實施例的發(fā)光層由蒸發(fā)含有30到40％PBD的聚乙烯咔唑形成，聚乙烯咔唑是1，3，4*二唑的衍生物，并進行分子擴散。發(fā)光層摻雜約1％的氧雜萘鄰酮6如發(fā)綠光中心。
保護電極552能夠單獨保護有機發(fā)光層550不受潮濕和氧化，但是更理想的是增加保護膜553。本實施例用厚度為300nm的氮化硅膜作為保護膜553。保護膜和保護電極552可以在器件不暴露在空氣中時依次形成。
保護電極也防止陰極551的老化。保護電極的典型的材料是主要含鋁的金屬膜。當然可以使用其它材料。因為有機發(fā)光層550和陰極551具有極其弱的抗潮濕能力，有機發(fā)光層、陰極和保護電極552理想是在不將它們暴露到外界空氣中時依次形成。有機發(fā)光層和陰極這樣被保護不與外界空氣接觸。
有機發(fā)光層550的厚度是10到400nm(典型是60到150nm)，陰極551的厚度是80到200nm(典型是100到150nm)。
在鈍化膜形成之后，所形成的鈍化膜539有效地防止在第二層間絕緣膜538中含有的濕氣通過像素電極547和第三層間絕緣膜548滲漏到有機發(fā)光層550中。
如圖7B所示是一個完整的有效矩陣基體結構。區(qū)域554處的像素電極547、有機發(fā)光層550、和陰極551重疊而成OLED。
在本實施例中，陽極作為像素電極，而陰極設在有機發(fā)光層上。因此從OLED發(fā)射的光通過襯底向外發(fā)射。另外，陰極可以作為像素電極，而陽極設在有機發(fā)光層上，使光以與本實施例的光發(fā)射方向相反的方向發(fā)射。
如圖7B所示的有效矩陣基體可加到實施例1的襯底401上形成OLED模塊。當然，本發(fā)明的有效矩陣基體的制造方法不限于本實施例所述的一種。本發(fā)明的有效矩陣基體可以由公知方法制造。
p通道TFT560和n通道TFT561是驅(qū)動電路的TFT并構成CMOS電路。開關TFT562和驅(qū)動TFT563是像素部分的TFTs。驅(qū)動電路的TFTs和像素部分的TFTs可在同一襯底上形成。
在使用本實施例的OLED的發(fā)光器件的情況下，它的驅(qū)動電路由5到6V，10V或更高V電源電壓的驅(qū)動。因此由于熱電子使TFT的老化不是嚴重問題。另外，較小的柵電容對于TFT是優(yōu)選的，因為驅(qū)動電路需要高速運行。因此，在用本實施例的OLED的發(fā)光器件的驅(qū)動電路中，TFT的半導體層的第二雜質(zhì)區(qū)529和第四雜質(zhì)區(qū)533b優(yōu)選是分別不與柵電極518和柵電極519重疊。
自發(fā)光型的發(fā)光器件與液晶顯示器件相比對所顯示的圖象在光配置上顯示出非常好的可識別性。另外，發(fā)光器件具有較寬視角。因此，發(fā)光器件能夠應用在各種電子設備的顯示部分中。
使用本發(fā)明發(fā)光器件的這種電子設備包括攝像機、數(shù)碼照相機、眼鏡型顯示器(頭戴顯示器)、導航系統(tǒng)、聲音重放設備(汽車音頻設備和一套音響)、筆記本型個人計算機、游戲機、便攜式信息終端(移動式計算機，便攜式電話，便攜式游戲機，電子書等)、包括記錄介質(zhì)的圖象重放裝置(尤其是可重放記錄介質(zhì)如數(shù)字視頻盤(DVD)等等、和包括用于顯示重放圖象的顯示器)等。特別是，在便攜式信息終端的情況中，用發(fā)光器件是優(yōu)選的，因為便攜式信息終端很可能從斜的方向觀看經(jīng)常需要有寬的視角。圖8分別是顯示這些電子設備的特例。
圖8A示出一有機發(fā)光顯示設備，它包括一個殼體2001、一個支撐臺2002、一個顯示部分2003、一個音箱部分2004、一個視頻信號輸入端2005。發(fā)光器件是自發(fā)光型且其不需要背光。這樣，其顯示部分能夠比液晶顯示設備具有更薄的厚度。有機發(fā)光顯示設備正包括所有的顯示信息的顯示設備，如個人計算機、廣播電視接收器和廣告顯示器。
圖8B示出一個數(shù)字靜止照相機，它包括一主體2101、一顯示部分2102、一圖象接收部分2103、一操作鍵2104、一外部連接口2105、一快門2106等。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件可以作為顯示部分2102使用。
圖8C示出一膝上型的計算機，它包括一主體2201、一殼體2202、一顯示部分2203、一鍵盤2204、一外部連接口2205、一點擊鼠標2206等。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件可以作為顯示部分2203使用。
圖8D示出一移動式計算機，它包括一主體2301、一顯示部分2302、一開關2303、一操作鍵2304、一紅外線接口2305等。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件可以作為顯示部分2302使用。
圖8E示出一圖象重放裝置，包括一記錄介質(zhì)(尤其是DVD重放裝置)，它包括一個主體2401、一個殼體2402、一個顯示部分A2403、另一顯示部分B2404、一個記錄介質(zhì)(DVD等)讀取部分2405、一個操作健2406、一個音箱2407等。顯示部分A2403主要用于顯示圖象信息，而顯示部分B2404主要用于顯示特征信息。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件可以作為這些顯示部分A和B使用。包括記錄介質(zhì)的圖象重放裝置另外還包括游戲機等。
圖8F示出一眼鏡型顯示器(頭戴顯示器)，它包括一主體2501、一顯示部分2502、一支架2503。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件可以用作顯示部分2502。
圖8G示出一攝像機，它包括一主體2601、一顯示部分2602、一殼體2603、一外部連接口2604、一遙控部分2605、一圖象接收部分2606、一電池2607、一聲音輸入口2608、一操作健2406等。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件可以作為顯示部分2602使用。
圖8H示出一移動電話，它包括一主體2701、一殼體2702、一顯示部分2703、一聲音輸入部分2704、一聲音輸出部分2705、一操作健2706、一外部連接口2707、天線2708等。根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件可以作為顯示部分2703使用。注意顯示部分2703通過在黑色背景顯示白色特征、能夠降便攜式電話的能源消耗。
將來當從有機發(fā)光材料發(fā)射的光的明亮亮度成為可利用時，根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光器件將被應用到前置或者后置投影儀上，其中包含輸出圖象信息的光束被透鏡放大后進行投影。
上述電子設備大多用于通過遠程通信通道如網(wǎng)絡、CATV(光纜電視系統(tǒng))顯示信息分布，并且特別可能顯示電影信息，因為有機發(fā)光材料能夠以高響應速度顯示。
發(fā)光器件發(fā)射光的部分消耗能量，所以理想的方式是以盡可能小的發(fā)光部分顯示信息。因此，當發(fā)光器件應用在顯示部分時，該顯示部分主要顯示特征信息，例如一個便攜式信息終端的顯示部分，特別是便攜式電話或者一個聲音重放裝置，理想的是驅(qū)動發(fā)光器件以使特征信息由發(fā)光部分顯示，而不發(fā)光部分相應作為背景。
如上所述，本發(fā)明可以在所有領域中在各種電子設備的廣泛范圍內(nèi)使用。通過利用具有實施例1或2結構的發(fā)光器件能夠獲得在本實施例中的電子器件。
在實施方式1所示的實例是由等離子CVD形成DLC膜。本實施例顯示通過濺射在包裝膜上形成含有Ar的氮化硅膜，含Ar的表示為ALNxOy的化合物膜，含Ar的ALN膜，或者它們的膜層。參照圖9說明。這里一個含Ar的表示為ALNxOy的化合物膜用于設在形如袋子或者一個空盒子的包裝膜內(nèi)。
接地的腔901被抽成真空并且氧氣和在腔中輸入注入氣體(Ar氣或者氮氣)。然后形成其中包含有稀有氣體元素的表示為ALNxOy的化合物膜906，并且用于設在包裝膜905的內(nèi)側(cè)。包裝膜905通過支撐件907固定在靶電極903和腔901之間。靶電極903與RF電源904連接并由ALN形成。注意包裝膜905的外面不設有ALNxOy膜。
設有包含稀有氣體的ALNxOy膜906的包裝膜905在真空中熱壓合以密封發(fā)光器件。由于含有稀有氣體，該膜具有柔性并因此在用于包裝膜和真空熱壓合時能夠防止產(chǎn)生裂紋。
如果用形成ALN膜來代替，可在腔中輸入注入氣體(Ar氣或者氮氣)和用由ALN形成的且與RF電源連接的靶電極。如果用形成氮化硅膜來代替，可在腔中注入氮氣和Ar氣并用由Si形成的且與RF電源連接的靶電極。
盡管這里所示的包裝膜905象袋子或者空盒，包裝膜可以由分別設在端面的兩片組成，并且其四周都被壓合。作為包裝膜905的可用材料是樹脂材料(聚酯，聚碳酸酯，聚丙烯，聚氯乙烯，聚苯乙烯，聚丙烯腈，聚對苯二甲酸乙二醇酯，尼龍等)。典型地，可用熱性塑料、PVF(聚氟乙烯)膜、聚酯膜、或者丙烯酸樹脂膜。
如圖9所示靶電極是棒形(圓柱形或者棱柱形)，但是，當然，靶電極的形狀沒有特殊限制，靶電極的限制可根據(jù)處理對象的形狀而定，因為靶電極和對象內(nèi)表面之間的距離最好保持恒定。
厚度為100nm的ALNxOy膜(X＜Y)的透過率如圖10所示。圖10顯示ALNxOy膜在可見光范圍具有80到90％的透過率且是高的光透過。ALNxOy(X＜Y)膜包含0.1原子％的稀有氣體元素或者更高，優(yōu)選是1到30原子％，包含幾原子％的氮或者更高，優(yōu)選是2.5到47.5原子％。膜優(yōu)選含有2.5到47.5原子％的氧。膜中氮的濃度和氧的濃度由適當?shù)恼{(diào)節(jié)濺射條件進行控制(襯底溫度，注入氣體類型和其流速，膜形成壓力等)。
如果濺射條件、例如氣體的流速變化，可獲得ALNxOy(X≥Y)膜。也可獲得在膜厚度方向具有氮或氧濃度梯度的ALNxOy(X＜Y)膜或者ALNxOy(X≥Y)膜。
圖11示出為厚度是100nm的ALN膜(也表示為AlxNy)的透過率。盡管該膜平均透過率低于圖10中所示的ALNxOy(X＜Y)膜，其在可見光范圍的透過率是80到91.3％且是足夠高的。在AlxNy膜中特別含有的雜質(zhì)，氧的濃度可接受所范圍是小于0到10原子％。氧的濃度能夠由適當?shù)卣{(diào)節(jié)濺射條件(襯底溫度，注入氣體類型和其流速，膜形成壓力等)控制。AlxNy膜包含0.1原子％的稀有氣體元素或者更高，優(yōu)選是1到30原子％，包含幾原子％的氮或者更高，優(yōu)選是2.5到47.5原子％。膜優(yōu)選還含有2.5到47.5原子％的氧或者更低，優(yōu)選是等于或大于0原子％且小于10原子％。
如果濺射條件、例如氣體的流速變化，也可獲得在膜厚度方向具有氮或氧濃度梯度的AlxNy膜。
下面是已進行的實驗。
提供厚度為200nm在一側(cè)帶有含Ar的AlN膜的聚碳酸酯(PC)膜。提供另一聚碳酸酯(PC)膜其厚度為200nm在一側(cè)帶有含Ar的ALNxOy膜。每一膜粘合成密封罐，同時在膜和密封罐之間放入作為干燥劑的氧化鈣。如此準備的試樣長時間放置在室溫中，并且測量重量的變化。如果重量改變，那么，可以推斷濕氣等通過PC膜被氧化鈣吸收。作為控制的主題，試樣由粘合的聚碳酸酯(PC)膜單獨密封罐并且在膜和罐之間放置氧化鈣準備。實驗的結果(透過率)如圖12所示。
如圖12所示，具有AlN膜試樣的重量和具有ALNxOy膜試樣的重量變化比控制目標、即比單獨的聚碳酸酯(PC)膜要小。因此可以斷定，通過在PC膜上襯一層AlN膜或者ALNxOy膜可改善PC膜的抗潮濕性。
本實施例結合了實施方式2和實施例1到3。
本發(fā)明在真空中用一膜密封整個其上形成有OLED的襯底，該膜在其一側(cè)(內(nèi)側(cè)或者外側(cè))設有具有柔性的DLC膜、氮化硅膜、ALNxOy膜或者AlN膜。防止由于蒸汽或者氧化使OLED老化的效果能夠顯著增加，并且可提高OLED的穩(wěn)定性。因此，可獲得高可靠性的發(fā)光器件。
權利要求
1.一種發(fā)光器件，包括形成在柔性襯底上的薄膜晶體管；包裝該襯底和該薄膜晶體管的第一膜；其中第一膜的至少一個面涂覆有包含稀有氣體元素和無機材料的第二膜。
2.一種發(fā)光器件，包括形成在襯底上的薄膜晶體管；包裝該襯底和該薄膜晶體管的第一膜；其中第一膜的至少一個面涂覆有包含稀有氣體元素和碳的第二膜。
3.一種發(fā)光器件，包括形成在襯底上的薄膜晶體管；包裝該襯底和該薄膜晶體管的第一膜；其中第一膜的至少一個面涂覆有包含稀有氣體元素和氮氧化硅的第二膜。
4.一種發(fā)光器件，包括形成在襯底上的薄膜晶體管；包裝該襯底和該薄膜晶體管的第一膜；其中第一膜的至少一個面涂覆有包含稀有氣體元素和氮化硅的第二膜。
5.一種發(fā)光器件，包括形成在襯底上的薄膜晶體管；包裝該襯底和該薄膜晶體管的第一膜；其中第一膜的至少一個面涂覆有包含稀有氣體元素和AlNxOy的第二膜。
6.一種發(fā)光器件，包括形成在襯底上的薄膜晶體管；包裝該襯底和該薄膜晶體管的第一膜；其中第一膜的至少一個面涂覆有包含稀有氣體元素和AlN的第二膜。
7.根據(jù)權利要求
1-6中任一項所述的發(fā)光器件，其中第一膜在它的兩個邊緣部分被密封。
8.根據(jù)權利要求
1-6中任一項所述的發(fā)光器件，其中第一膜的至少兩個部分相互連接。
9.根據(jù)權利要求
1-6中任一項所述的發(fā)光器件，其中第一膜的至少一部分是折疊的。
10.根據(jù)權利要求
1-6中任一項所述的發(fā)光器件，其中該柔性襯底包括塑料、陶瓷、半導體、金屬或者玻璃襯底。
11.根據(jù)權利要求
6中任一項所述的發(fā)光器件，其中第一膜包括選自如下組中的膜，所述組包括聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜、聚醚風(PES)膜、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)膜、聚碳酸酯(PC)膜、尼龍膜、聚醚醚酮(PEEK)膜、聚風(PSF)膜、聚醚酰亞胺(PEI)膜、聚芳酯(PAR)膜、聚對苯二甲酸丁二醇酯(PBT)膜、熱塑性膜，PVF(聚氟乙烯)膜、聚酯膜、以及丙烯酸樹脂膜。
12.根據(jù)權利要求
1-6中任一項所述的發(fā)光器件，其中稀有氣體元素是選自如下組中的至少一種元素，所述組包括He、Ne、Ar、Kr和Xe。
13.根據(jù)權利要求
1-6中任一項所述的發(fā)光器件，其中所述發(fā)光器件是有機發(fā)光器件。
14.根據(jù)權利要求
1-6中任一項所述的發(fā)光器件，其中所述發(fā)光器件是選自如下組中的至少一種，所述組包括數(shù)字照相機、個人計算機、移動計算機、圖象重放裝置、眼鏡型顯示器、攝像機和移動電話。
專利摘要
提供一可靠性高的發(fā)光器件，其中有機發(fā)光器件不因氧化、潮濕等而退化。該有機發(fā)光器件在真空中用包裝膜(105)壓合，該包裝膜被一個含有Ar的DLC膜覆蓋(或者一個氮化硅膜、一個AlN膜、一個表示為ALN
文檔編號H01L23/28GK1992327SQ200510124760
公開日2007年7月4日 申請日期2002年2月21日
發(fā)明者山崎舜平, 丸山純矢, 小倉慶一, 高山徹 申請人:株式會社半導體能源研究所導出引文BiBTeX, EndNote, RefMan