專利名稱:一種減少多晶硅生長(zhǎng)工藝崩邊的石英舟的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種多晶體生產(chǎn)工藝中載片用裝置,特別是一種減少多晶硅生長(zhǎng)工藝崩邊的石英舟。
背景技術(shù):
隨著集成電路工藝的不斷發(fā)展,硅片的背面生長(zhǎng)多晶完成硅片背面的外吸雜的工藝(背封工序)是目前使用最多的工藝方法,這種硅片的加工量不斷增加,其收率問(wèn)題是決定產(chǎn)品價(jià)格的主要因素之一。在影響收率的各種因素當(dāng)中,崩邊的影響最大,如何減少產(chǎn)生崩邊,獲得高收率是每個(gè)生產(chǎn)廠家共同關(guān)心的課題。產(chǎn)生硅片崩邊的因素很多,由于石英舟的幾何形狀與硅片的邊緣配合得不好而引起的崩邊是形成崩邊的主要因素。如果硅片與石英舟的接觸是線接觸,也就是硅片的邊緣與石英舟的棒槽的底邊是線接觸,這種狀態(tài)最好。
所述的線接觸要求棒槽的底邊的弧度與硅片邊緣的弧度完全相等,同時(shí)又要求棒在石英舟上的位置一點(diǎn)都不能錯(cuò)。而我們知道石英舟的加工要經(jīng)過(guò)機(jī)械加工、焊接及退火等多道工序,在機(jī)械加工完好的情況下,退火工藝會(huì)產(chǎn)生一定的形變。另外,由于機(jī)械加工棒槽的砂輪存在光潔度問(wèn)題,這樣加工出來(lái)的棒槽的光潔度根本無(wú)法保證,而由于棒槽的幾何尺寸的原因,根本無(wú)法進(jìn)行拋光??傊?,要實(shí)現(xiàn)硅片邊緣與石英舟的棒槽的底邊是線接觸在實(shí)際很難做到,在加工過(guò)程當(dāng)中造成硅片崩邊的位置,經(jīng)過(guò)調(diào)查發(fā)現(xiàn)崩邊都集中在石英舟的下兩個(gè)開槽料棒的位置,因此有必要提供一種新型的石英舟。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種減少多晶硅生長(zhǎng)工藝崩邊的石英舟,石英舟加工制作容易,在多晶硅生長(zhǎng)工藝中利用其作為載片,可以減少崩邊現(xiàn)象,提高產(chǎn)品收率,使用效果好,降低成本。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采取以下設(shè)計(jì)方案這種減少多晶硅生長(zhǎng)工藝崩邊的石英舟,它包括固定片,舟腳棒,上料棒,下料棒,所述的下料棒為三個(gè),其中,位于中間的下料棒開槽,開槽深度大于硅片進(jìn)入下料棒槽中的深度,該硅片的下邊緣不能與下料棒槽的槽底相接觸,位于兩側(cè)的支撐用下料棒的橫斷面的上部為平面,下部為弧型的料棒。
圖1為已有石英舟主視圖圖2為圖1的左視圖(未放硅片)圖3為圖2中下料棒主視圖圖4為圖3中A的局部放大圖圖5為本實(shí)用新型主視圖圖6為圖5的左視圖(未放硅片)圖7為圖6中的下料棒主視圖圖8為圖7中B的局部放大圖具體實(shí)施方式
已有的石英舟結(jié)構(gòu)如圖1、圖2、圖3、圖4所示,12為上料棒、11為下料棒,下料棒為2根,13為石英舟的固定片,14為硅片,其中,下料棒上所開的槽較淺,硅片支撐在棒的凹槽上,容易產(chǎn)生崩邊,出現(xiàn)廢品等。
本發(fā)明的石英舟如圖5、6圖、圖7、圖8所示,圖中5為舟腳棒,6為固定片,4為舟插管,1為上料棒,這些結(jié)構(gòu)與已有技術(shù)相同。本發(fā)明中,將原來(lái)的二個(gè)下料棒改成三個(gè)下料棒,其中,兩邊的下料棒,改成了棒的橫斷面上部為平面,下部為弧型的料棒。其平面要火焰拋光,在焊接和退火后,這兩個(gè)料棒的上平面在一個(gè)水平面上。2為位于中間的下料棒,該下料棒的開槽深度做到將硅片7放在石英舟上,其硅片的下邊緣不能與位于石英舟中間的下料棒2的開槽底部接觸。
本發(fā)明優(yōu)點(diǎn)由于下料棒的開槽深度大于硅片進(jìn)入下料棒槽中的深度,杜絕了下料棒開槽的槽底加工難,避免其光潔度達(dá)不到要求而引起的崩邊的問(wèn)題,提高產(chǎn)品質(zhì)量及合格率(其不合格率下降了一點(diǎn)幾個(gè)百分點(diǎn))。
權(quán)利要求
1.一種減少多晶硅生長(zhǎng)工藝崩邊的石英舟,它包括固定片,舟腳棒,上料棒,下料棒,其特征在于所述的下料棒為三個(gè),其中,位于中間的下料棒開槽,開槽深度大于硅片進(jìn)入下料棒槽中的深度,該硅片的下邊緣不能與下料棒槽的槽底相接觸,位于兩側(cè)的支撐用下料棒的橫斷面的上部為平面,下部為弧型的料棒。
2.根據(jù)權(quán)利要求
1所述的一種減少多晶硅生長(zhǎng)工藝崩邊的石英舟,其特征在于所述的下料棒的橫斷面的上部為平面,下部為半圓型料棒。
專利摘要
本發(fā)明提供了一種減少多晶硅生長(zhǎng)工藝崩邊的石英舟,它包括固定片,舟腳棒,上料棒,下料棒,所述的下料棒為三個(gè),其中,位于中間的下料棒開槽,槽深度大于硅片進(jìn)入下料棒槽中的深度,該硅片的下邊緣不能與棒槽的槽底相接觸,下料位于兩側(cè)的支撐用下料棒的橫斷面的上部為平面,下部為弧型的料棒。本發(fā)明優(yōu)點(diǎn)由于下料棒開槽深度大于硅片進(jìn)入下料棒槽中的深度,杜絕了下料棒開槽槽底加工難,避免了光潔度達(dá)不到要求而引起的崩邊問(wèn)題,提高產(chǎn)品質(zhì)量及合格率,其不合格率下降了一點(diǎn)幾個(gè)百分點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01L21/673GK1992191SQ200510132576
公開日2007年7月4日 申請(qǐng)日期2005年12月26日
發(fā)明者萬(wàn)關(guān)良, 王喆, 徐繼平, 張果虎, 王敬, 劉斌 申請(qǐng)人:北京有色金屬研究總院, 有研半導(dǎo)體材料股份有限公司導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan