專(zhuān)利名稱(chēng):超小型稀土類(lèi)磁體及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有經(jīng)受切削等機(jī)械加工的表面的燒結(jié)磁體及其制造方法，特別涉及全表面積S(mm2)相對(duì)于體積V(mm3)的比S/V為2mm-1以上的超小型稀土類(lèi)磁體及其制造方法，特別適于在超小型電動(dòng)機(jī)等中使用的超小型的稀土類(lèi)—鐵—硼系磁體(R-Fe-B系)磁體。
背景技術(shù)：
R-Fe-B系稀土類(lèi)燒結(jié)磁體，作為在永磁體中性能最佳的磁體已眾所周知，在硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)的音圈電動(dòng)機(jī)(VCM)和磁斷層攝影裝置(MRI)用的磁路等中被廣泛地使用。
以往，在磁路中組合的R-Fe-B系燒結(jié)磁體的每一個(gè)重量為100g～1kg左右，根據(jù)用途，也有大于1kg的大型燒結(jié)磁體。但是，近年來(lái)，在光拾取器和超小型電動(dòng)機(jī)等用途中開(kāi)始使用小型的燒結(jié)磁體。這樣的小型燒結(jié)磁體中有重量低于1g的磁體。
采用小型、重量輕的磁體的磁路，在順應(yīng)最終制品的小型化和輕量化的同時(shí)，還需要保證最終制品的性能不降低。并且，還要求在這樣的磁路中使用的磁體即便是小型的也要發(fā)揮強(qiáng)力的磁體特性。因此，即使在小型磁體的分類(lèi)中，對(duì)高性能的R-Fe-B系燒結(jié)磁體的需求也越來(lái)越高。
Nd-Fe-B系磁體，已知其內(nèi)部組織具有Nd2Fe14B主相周?chē)槐〉母籒d副相包圍的微細(xì)組織，并由此產(chǎn)生矯頑力，其結(jié)果得到高的磁能積。
但是，在實(shí)際的電動(dòng)機(jī)等中使用Nd-Fe-B系燒結(jié)磁體時(shí)，需要進(jìn)行由磨削加工得到最終精度尺寸和同心度，因此由于微小的磨削裂紋和氧化等，磁體表面層的富Nd相受到損傷，其結(jié)果會(huì)使磁體表面部分的磁特性下降到磁體內(nèi)部的磁特性的幾分之一。
該現(xiàn)象在表面積相對(duì)體積的比率大的微小磁體中特別顯著。例如，將(BH)max為360kJ/m3的邊長(zhǎng)10mm的方形塊磁體切斷、磨削為1mm×1mm×2mm的長(zhǎng)方體時(shí)，(BH)max下降為240kJ/m3左右，無(wú)法得到Nd-Fe-B系稀土類(lèi)磁體本來(lái)的特性。
此外，在燒結(jié)磁體的表面，不論怎樣機(jī)械加工都會(huì)形成失去矯頑力的加工變質(zhì)層。因?yàn)樵谶@樣的加工變質(zhì)層中，磁體失去矯頑力，即使進(jìn)行磁化也不能作為磁體發(fā)揮作用。在燒結(jié)磁體的體積充分大的情況下，即使加工變質(zhì)層存在，因?yàn)槠潴w積比例小，所以幾乎不會(huì)由于加工變質(zhì)層帶來(lái)整個(gè)磁體特性的劣化。但是，燒結(jié)磁體的體積變小，加工變質(zhì)層的體積比例就會(huì)變大，其影響就變得無(wú)法忽視了。
但是，R-Fe-B系燒結(jié)磁體存在越小型化，就越難以發(fā)揮本來(lái)優(yōu)異的磁體特性的問(wèn)題。這是因?yàn)榘殡S小型化在磁體表面的加工變質(zhì)層的體積比率增加的緣故。更詳細(xì)地說(shuō)明，在燒結(jié)磁體的表面，不論怎樣機(jī)械加工都會(huì)形成失去矯頑力的加工變質(zhì)層。因?yàn)樵谶@樣的加工變質(zhì)層中，磁體失去矯頑力，即使進(jìn)行磁化也不能作為磁體發(fā)揮作用。在燒結(jié)磁體的體積充分大的情況下，即使加工變質(zhì)層存在，因?yàn)槠潴w積比例小，所以幾乎不會(huì)由于加工變質(zhì)層帶來(lái)整個(gè)磁體特性的劣化。但是，燒結(jié)磁體的體積變小，加工變質(zhì)層的體積比例就會(huì)變大，其影響就無(wú)法忽視了。
這里，以機(jī)械加工后的燒結(jié)磁體體積為V、以燒結(jié)磁體的全部表面積為S、以加工變質(zhì)層的厚度為d。這樣，加工變質(zhì)層的體積近似地以Sd表示。因此，加工變質(zhì)層的體積相對(duì)于燒結(jié)磁體的體積V的比率為Sd/V。在全部燒結(jié)磁體中，沒(méi)有失去矯頑力部分的體積以V-Sd表示。因此，加工后的全部磁體的剩余磁通密度值為在加工前的值乘以(V-Sd)/V＝1-Sd/V。即，某磁體的Sd/V值為表示該磁體的加工變質(zhì)層對(duì)磁性特性賦予的影響大小的指標(biāo)。
Sd/V是S/V和d的乘積，前者是只由磁體形狀決定的因子，后者是由加工變質(zhì)層的加工過(guò)程決定的因子。磁體體積越小、S/V變得越大，因此，可以求出d變小。
以下，說(shuō)明在燒結(jié)磁體的表面進(jìn)行某些處理的現(xiàn)有技術(shù)。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1公開(kāi)了將Nd-Fe-B燒結(jié)磁體加工為實(shí)用形狀后，以500～900℃進(jìn)行時(shí)效處理的永磁體的制造方法。
專(zhuān)利文獻(xiàn)2中公開(kāi)了作為該熱處理方法的改善的、以薄型陶瓷夾持磁體進(jìn)行加熱的方法。
專(zhuān)利文獻(xiàn)3公開(kāi)了具有在被加工面覆蓋稀土類(lèi)金屬(Nd、Pr、Dy、Ho、Tb、La、Ce、Sm、Gd、Er、Eu、Tm、Yb、Lu、Y)，通過(guò)擴(kuò)散反應(yīng)形成的改質(zhì)層的永磁體材料。
專(zhuān)利文獻(xiàn)4和專(zhuān)利文獻(xiàn)5公開(kāi)了在稀土類(lèi)鐵系磁體表面形成鈦、氮化鈦、碳化鈦、氧化鈦等的金屬鈦或鈦系化合物膜的方案。
專(zhuān)利文獻(xiàn)6公開(kāi)了設(shè)置含有Nd、Fe、B和O中的至少1種元素和Ti的化合物覆膜的方案。
專(zhuān)利文獻(xiàn)7公開(kāi)了為了提高耐腐蝕性，以燒結(jié)后的熱處理(600～700℃)使剩余應(yīng)力減少(磁特性提高)的方案。通過(guò)該方法，此后以研具研磨、酸洗等除去在表面出現(xiàn)的稀土類(lèi)。
專(zhuān)利文獻(xiàn)8公開(kāi)了由機(jī)械研磨或化學(xué)研磨除去一部分或全部加工變質(zhì)層的R-TM(過(guò)渡金屬)-B系磁體。在該磁體中，在位于從表面到深度5μm的磁體層中含有的R(稀土類(lèi))量比全部磁體的R量小。
專(zhuān)利文獻(xiàn)9公開(kāi)了在進(jìn)行過(guò)磨削加工的Nd-Fe-B系燒結(jié)磁體的被磨削加工面，形成以Sm和Co為主要成分的薄膜層的方案。
專(zhuān)利文獻(xiàn)10公開(kāi)了在表面粗糙度Rmax小于3μm的表面設(shè)置有薄膜的R-Fe-B系燒結(jié)磁體。
專(zhuān)利文獻(xiàn)11公開(kāi)了在加工后的磁體表面涂布高熔點(diǎn)金屬(在實(shí)施例中為T(mén)a、粒徑100微米以下)、和將磁體埋沒(méi)在高熔點(diǎn)金屬的顆粒中、以700～900℃溶體化的方案。
專(zhuān)利文獻(xiàn)12公開(kāi)了在加工后磁體表面，通過(guò)蒸鍍等在表面附著Pd或Pd金屬層后，以激光束熔融加工變質(zhì)層，改善矩形性的方法。使用Pd的理由是為了提高鍍層性。
專(zhuān)利文獻(xiàn)13公開(kāi)了S/V值為2mm-1以上、且體積為100mm3以下的機(jī)械加工過(guò)的稀土類(lèi)磁體。在專(zhuān)利文獻(xiàn)13中，因?yàn)閷⒂杉庸ば纬傻淖冑|(zhì)損傷部改性，所以，從磁體表面擴(kuò)散稀土類(lèi)金屬，由此，使稀土類(lèi)金屬浸透至比與在磁體表面露出的結(jié)晶顆粒的半徑相當(dāng)?shù)闹蹈睢?br> 專(zhuān)利文獻(xiàn)1日本特開(kāi)昭61-140108號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2日本特開(kāi)昭63-235405號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)3日本特開(kāi)昭62-74048號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)4日本特開(kāi)昭63-9908號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)5日本特開(kāi)昭63-9919號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)6日本特開(kāi)昭63-168009號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)7日本特開(kāi)平2-37702號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)8日本特開(kāi)平9-270310號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)9日本特開(kāi)2001-93715號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)10日本特開(kāi)2002-75716號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)11日本特開(kāi)2001-196209號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)12日本特開(kāi)2002-212602號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)13日本特開(kāi)2004-304038號(hào)公報(bào)近年來(lái)，超小型磁體的需要增長(zhǎng)。例如，除光拾取器和超小型電動(dòng)機(jī)等用途以外，在心臟外科或腦外科手術(shù)的領(lǐng)域的需要也高漲。在這些尖端醫(yī)療領(lǐng)域中，正在研討在血管導(dǎo)管的前端安裝小型的高性能磁體，通過(guò)從體外施加的磁場(chǎng)控制在血管的分歧點(diǎn)中的導(dǎo)管前進(jìn)方向的技術(shù)。并且正在研討在磁感應(yīng)手術(shù)體系中，在體內(nèi)特定的場(chǎng)所埋入超小型磁體作為位置標(biāo)記使用的技術(shù)。在這樣的用途中使用的超小型磁體，例如要求具有直徑0.3mm、長(zhǎng)度2mm的圓柱形狀。這種情況下，S/V值大于10mm-1。這樣的磁體，即使是小型的也必須具備高磁特性以發(fā)揮充分作用。
但是，將磁體尺寸變小的情況下，有在大型狀態(tài)中能夠發(fā)揮的磁體特性不能被充分發(fā)揮的問(wèn)題。
若根據(jù)專(zhuān)利文獻(xiàn)1、2公開(kāi)的技術(shù)，由于磁體表面的氧化造成磁體特性惡化的可能性大。
專(zhuān)利文獻(xiàn)3公開(kāi)了在燒結(jié)磁體的被磨削加工面的加工變質(zhì)層上形成稀土類(lèi)金屬薄膜層，由擴(kuò)散反應(yīng)形成改性層的方案。具體的，公開(kāi)了在長(zhǎng)20mm×寬5mm×厚0.15mm的薄試驗(yàn)片上形成濺射膜的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，但得到的(BH)max至多為200kJ/m3。并且，由利用退火擴(kuò)散時(shí)，產(chǎn)生表面氧化，給在此后的表面處理帶來(lái)障礙。
專(zhuān)利文獻(xiàn)4、5、6公開(kāi)了以對(duì)容易腐蝕的稀土類(lèi)鐵系磁體賦予耐腐蝕性為目的的技術(shù)，但有關(guān)加工劣化的恢復(fù)沒(méi)有任何記載。
在專(zhuān)利文獻(xiàn)7中，關(guān)注在加工后進(jìn)行時(shí)效處理和酸洗，但由于加工時(shí)的面粗糙，不能得到充分的矩形性的恢復(fù)效果。
如果根據(jù)在專(zhuān)利文獻(xiàn)8中公開(kāi)的技術(shù)，因?yàn)橥茢嘈纬傻募庸ぷ冑|(zhì)層的厚度在約10μm以上，因此需要花費(fèi)時(shí)間研磨。并且，進(jìn)行高速研磨會(huì)生成新的加工變質(zhì)層。在化學(xué)研磨中，也有酸液殘留在燒結(jié)磁體的空孔中，容易產(chǎn)生腐蝕斑等的問(wèn)題。
如果根據(jù)在專(zhuān)利文獻(xiàn)9中公開(kāi)的技術(shù)，通過(guò)熱處理Sm在磁體內(nèi)部擴(kuò)散的情況下，會(huì)使Nd2Fe14B相的結(jié)晶磁各向異性下降。
在專(zhuān)利文獻(xiàn)10中公開(kāi)的方法，在最終進(jìn)行鍍層，在小型稀土類(lèi)磁體的情況下，因?yàn)闅涞挠绊?，難以恢復(fù)特性。
如果根據(jù)在專(zhuān)利文獻(xiàn)11中公開(kāi)的技術(shù)，僅限進(jìn)行熱處理，難以抑制稀土類(lèi)磁體表面的氧化，難以恢復(fù)特性。
在專(zhuān)利文獻(xiàn)12中公開(kāi)的方法，Pd金屬和通過(guò)激光束進(jìn)行加工變質(zhì)層的熔融有成本問(wèn)題存在。
在專(zhuān)利文獻(xiàn)13中公開(kāi)的方法，報(bào)告了以濺射等將重稀土類(lèi)元素Dy或Tb成膜，使之在母相中擴(kuò)散，不僅恢復(fù)磁體特性，而且可以顯著提高矯頑力。在該熱處理中，因?yàn)楸仨氁愿呔瓤刂茪夥罩械难趿亢吐饵c(diǎn)，所以，存在成本方面的問(wèn)題。而且，在1批中不能處理大量該磁體，批量生產(chǎn)率欠佳。
近年來(lái)，例如在便攜電話用振動(dòng)電動(dòng)機(jī)中大多使用外徑2mm的Nd-Fe-B系圓筒形狀燒結(jié)磁體，但因?yàn)閷?shí)際測(cè)定其磁特性為230kJ/m3左右，所以，難以不降低振動(dòng)強(qiáng)度而實(shí)現(xiàn)小型化。在今后，適用于在微型機(jī)器人和體內(nèi)診斷用微型電動(dòng)機(jī)中要求的高輸出-超小型傳動(dòng)器更加困難。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于解決上述現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題，得到高性能的稀土類(lèi)磁體，特別是，其目的在于提供一種體積小的稀土類(lèi)磁體和在使用該磁體的超小型電動(dòng)機(jī)的制作中有效的方法。
本發(fā)明的稀土類(lèi)磁體，是表面積/體積的比為2mm-1以上、體積為100mm3以下的稀土類(lèi)磁體，具備通過(guò)機(jī)械加工形成的表面、和覆蓋上述表面的至少一部分的金屬膜，上述金屬膜由選自Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Ta、W、Re、Ir、Pt、Au和Bi中的至少1種金屬或合金形成。
在優(yōu)選實(shí)施方式中，由R-Fe-B系稀土類(lèi)磁體材料(R為至少1種稀土類(lèi)元素)構(gòu)成，上述稀土類(lèi)元素R含有Nd和Pr中的至少1個(gè)作為必須元素。
本發(fā)明的稀土類(lèi)磁體的制造方法，是制造表面積/體積的比為2mm-1以上、體積為100mm3以下的稀土類(lèi)磁體的方法，包括準(zhǔn)備通過(guò)機(jī)械加工形成的表面的工序(A)；和在上述表面上以覆蓋上述表面的至少一部分的方式堆積金屬膜的工序(B)，上述金屬膜由選自Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Ta、W、Re、Ir、Pt、Au和Bi中的至少1種金屬或合金形成。
在優(yōu)選實(shí)施方式中，上述工序(A)包括對(duì)稀土類(lèi)磁體坯料進(jìn)行切斷、鉆孔、磨削和/或表面研磨的處理的工序。
在優(yōu)選實(shí)施方式中，上述工序(B)包括將具有通過(guò)上述機(jī)械加工形成的表面的稀土類(lèi)磁體坯料支撐在減壓槽的工序(b1)；和使上述金屬或合金的蒸汽或微顆粒飛至上述稀土類(lèi)磁體坯料的上述表面的工序(b2)。
在優(yōu)選實(shí)施方式中，上述工序(b2)包含濺射由上述金屬或合金構(gòu)成的多個(gè)靶的工序。
在優(yōu)選實(shí)施方式中，上述工序(b2)包括通過(guò)熔融上述金屬或合金、使之蒸發(fā)生成微顆粒的工序；和將上述微顆粒離子化，沖撞上述表面的工序。
在優(yōu)選實(shí)施方式中，上述工序(b1)包括在上述減壓槽中配置搭載有多個(gè)上述稀土類(lèi)磁體坯料的支撐部件的工序。
在優(yōu)選實(shí)施方式中，上述工序(b2)包括通過(guò)進(jìn)行上述支撐部件的運(yùn)動(dòng)，使上述稀土類(lèi)磁體坯料相對(duì)于上述支撐部件的相對(duì)位置關(guān)系變化的工序。
在優(yōu)選實(shí)施方式中，上述工序(b2)包括通過(guò)進(jìn)行上述支撐部件的運(yùn)動(dòng)，使上述稀土類(lèi)磁體坯料在上述支撐部件上轉(zhuǎn)動(dòng)的工序。
在優(yōu)選實(shí)施方式中，上述支撐部件的運(yùn)動(dòng)是上述支撐部件的旋轉(zhuǎn)和/或振動(dòng)。
在優(yōu)選實(shí)施方式中，在上述支撐部件上搭載的上述稀土類(lèi)磁體坯料的個(gè)數(shù)為100以上。
本發(fā)明的稀土類(lèi)燒結(jié)磁體，是表面積/體積的比為2mm-1以上、體積為100mm3以下的稀土類(lèi)磁體，具備取向?yàn)榇艌?chǎng)取向方向的R-Fe-B系強(qiáng)磁性相(R是至少1種稀土類(lèi)元素)、位于上述R-Fe-B系強(qiáng)磁性相的晶界的晶界相、和由機(jī)械加工形成的加工表面，在上述加工表面中橫切上述磁場(chǎng)取向方向的面，表面粗糙度Ra被研磨至0.3μm以下。
在優(yōu)選實(shí)施方式中，上述加工表面中，與上述磁場(chǎng)取向方向平行的面的面積是上述加工表面的總面積的50％以下。
在優(yōu)選實(shí)施方式中，上述加工表面中，與橫切上述磁場(chǎng)取向方向的面垂直的法線，與上述磁場(chǎng)取向方向的角度為30°以下。
在優(yōu)選實(shí)施方式中，上述加工表面中，橫切上述磁場(chǎng)取向方向的面是平坦的。
在優(yōu)選實(shí)施方式中，上述加工表面中，橫切上述磁場(chǎng)取向方向的面，垂直地橫切上述磁場(chǎng)取向方向。
在優(yōu)選實(shí)施方式中，具有厚度方向平行于上述磁場(chǎng)取向方向、而且厚度為1mm以下的平板形狀，上述加工表面中，橫切上述磁場(chǎng)取向方向的面是平板形狀的上面和下面中的至少1個(gè)。
在優(yōu)選實(shí)施方式中，具備覆蓋所述加工表面的至少一部分的金屬膜，上述金屬膜由選自Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、Hf、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Ta、W、Re、Ir、Pt、Au和Bi中的至少1種金屬或合金形成。
本發(fā)明的稀土類(lèi)燒結(jié)磁體的制造方法，是制造表面積/體積的比為2mm-1以上、體積為100mm3以下的稀土類(lèi)燒結(jié)磁體的方法，包括準(zhǔn)備具備取向?yàn)榇艌?chǎng)取向方向的R-Fe-B系強(qiáng)磁性相(R是至少1種稀土類(lèi)元素)，和位于上述R-Fe-B系強(qiáng)磁性相的晶界的晶界相的稀土類(lèi)燒結(jié)磁體塊的工序；對(duì)上述稀土類(lèi)燒結(jié)磁體塊實(shí)施機(jī)械加工、形成包含橫切上述磁場(chǎng)取向方向的面的加工表面的工序；和研磨在上述加工表面中的橫切上述磁場(chǎng)取向的面，使研磨面的表面粗糙度Ra為0.3μm以下的工序。
在優(yōu)選實(shí)施方式中，上述加工表面中的與上述磁場(chǎng)取向方向平行的面的面積為上述加工表面的總面積的50％以下。
在優(yōu)選實(shí)施方式中，與上述加工表面中的橫切上述磁場(chǎng)取向方向的面垂直的法線，與上述磁場(chǎng)取向方向的角度設(shè)定為30°以下。
在優(yōu)選實(shí)施方式中，上述加工表面中，將橫切上述磁場(chǎng)取向方向的面加工為平坦的。
在優(yōu)選實(shí)施方式中，上述加工表面中的橫切上述磁場(chǎng)取向方向的面，垂直得橫切上述磁場(chǎng)取向方向。
在優(yōu)選實(shí)施方式中，具有厚度方向平行于上述磁場(chǎng)取向方向、且厚度為1mm以下的平板形狀，加工上述燒結(jié)磁體塊，使得上述加工表面中橫切上述磁場(chǎng)取向方向的面為平板形狀的上面和下面中的至少1個(gè)。
在優(yōu)選實(shí)施方式中，還包括，在上述加工表面的至少一部分上堆積由選自Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、Hf、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Ta、W、Re、Ir、Pt、Au和Bi中的至少1種金屬或合金形成的金屬膜的工序。
根據(jù)本發(fā)明，提供可以改善由機(jī)械加工產(chǎn)生的磁體特性的劣化，即使在苛刻環(huán)境下也發(fā)揮優(yōu)異的耐腐蝕性的超小型稀土類(lèi)永磁體。
圖1是表示在本發(fā)明的制造方法中適用的成膜裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
圖2是表示在本發(fā)明的制造方法中適用的其它成膜裝置(在真空腔室內(nèi)具備旋轉(zhuǎn)框的裝置)結(jié)構(gòu)的圖。
圖3(a)和(b)分別是表示堆積有Ti膜的磁體試驗(yàn)片的特性和堆積有Nb膜的磁體試驗(yàn)片的特性的圖表。
圖4(a)和(b)分別是表示堆積有Al膜的磁體試驗(yàn)片的特性和堆積有Ni膜的磁體試驗(yàn)片的特性的圖表。
圖5(a)是表示在線狀鋸加工面上堆積有Sn膜的磁體試驗(yàn)片中得到的數(shù)據(jù)的圖表、(b)是表示在研具研磨面上堆積有Sn膜的磁體試驗(yàn)片中得到數(shù)據(jù)的圖表。
圖6是表示均勻地堆積Ta膜的磁體試驗(yàn)片的特性的圖表。
圖7(a)和(b)分別是表示進(jìn)行了Cu膜和Ag膜的堆積的磁體試驗(yàn)片中，塊狀(bulk)磁體和成膜前后的磁體特性的圖表。
圖8是表示正方晶的Nd2Fe14B主相的結(jié)晶結(jié)構(gòu)的圖。
圖9(a)是在粉末成形時(shí)被取向的燒結(jié)磁體塊10的立體圖；(b)是表示加工燒結(jié)磁體塊10，使得加工表面與磁場(chǎng)取向方向平行的情況的圖；(c)是表示加工燒結(jié)磁體塊10，使得加工表面與磁場(chǎng)取向方向垂直的情況的圖；(d)是從燒結(jié)磁體塊10切出的燒結(jié)磁體10a的截面圖；(e)是從燒結(jié)磁體塊10切出的燒結(jié)磁體10b的截面圖圖10(a)和(b)分別是對(duì)應(yīng)于圖9(a)和(b)的截面圖，是示意的放大表示在燒結(jié)磁體10a和10b中的R2Fe14B晶粒的截面圖。
圖11(a)是表示比較例的減磁曲線的圖表、(b)是表示研磨工序前的實(shí)施例的減磁曲線的圖表、(c)是表示研磨工序后的實(shí)施例的減磁曲線的圖表。
符號(hào)說(shuō)明10燒結(jié)磁體；10a機(jī)械加工后的燒結(jié)磁體；10b機(jī)械加工后的燒結(jié)磁體；20a燒結(jié)磁體10a的加工表面；20b燒結(jié)磁體10b的加工表面具體實(shí)施方式
本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)，通過(guò)對(duì)稀土類(lèi)燒結(jié)磁體塊實(shí)施切斷、鉆孔、磨削、研磨等機(jī)械加工而制造的微小磁體進(jìn)行表面改性，能夠恢復(fù)加工損傷造成的磁特性劣化，并能夠提高耐腐蝕性，完成了本發(fā)明。
更詳細(xì)地，發(fā)現(xiàn)在通過(guò)機(jī)械加工在微小磁體的表面形成的變質(zhì)加工層(損傷層)上，通過(guò)堆積以下所示的特定金屬或合金的層，使變質(zhì)加工層(特別是位于變質(zhì)加工層的結(jié)晶晶界中)的缺陷恢復(fù)、改善磁特性。
在本發(fā)明中，在微小磁體表面堆積的金屬或合金，含有選自Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Ta、W、Re、Ir、Pt、Au和Bi中的至少1種元素為主要成分。優(yōu)選含有選自Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Ta、W中的至少1種元素為主要成分。并且，也可以含有不可避免的混入的雜質(zhì)。
堆積的金屬膜優(yōu)選盡可能的薄。膜厚優(yōu)選設(shè)定在將磁通密度的降低抑制在約1％左右的范圍，例如，膜厚的上限為4μm。但是，因?yàn)槿绻?，就有可能無(wú)法確保規(guī)定的耐腐蝕性，所以?xún)?yōu)選膜厚的下限為0.5μm以上。更優(yōu)選的膜厚范圍為1μm～3μm。也可以在進(jìn)行金屬膜的堆積前，對(duì)磁體的加工表面實(shí)施洗凈、脫脂、逆濺射等公知的清凈化處理。其中，堆積的金屬膜不是必須為一層結(jié)構(gòu)，可以具有由不同種類(lèi)的金屬層構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)。此時(shí)，承擔(dān)重要作用的層是接觸磁體加工面的最下層和接觸外界空氣的最上層。最下層的材料可以從磁體特性恢復(fù)的觀點(diǎn)選擇、最上層可以從耐腐蝕性等的觀點(diǎn)選擇。在各種金屬材料中，Ti不僅是從磁體特性恢復(fù)的觀點(diǎn)、而且從耐腐蝕性和對(duì)人體無(wú)害等的觀點(diǎn)也優(yōu)異。在醫(yī)療中使用極微小磁體時(shí)，Ti是極其優(yōu)異的涂覆材料。
以下說(shuō)明本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式。
(1)表面積/體積比邊長(zhǎng)2mm的立方體的磁體，因?yàn)槠潴w積為8mm3、所以表面積/體積比為3mm-1。在圓筒形狀磁體的情況下，與同一體積的立方體相比，表面積/體積比相對(duì)變大，因此在表面上形成加工變質(zhì)層，就變得容易產(chǎn)生減磁曲線的矩形性劣化和矯頑力下降。現(xiàn)在，在市售的便攜電話用振動(dòng)電動(dòng)機(jī)中搭載的圓筒型磁體的外徑、內(nèi)徑和長(zhǎng)度，分別為2.5mm、1mm和4mm左右，其體積相當(dāng)于約16.5mm3。因此，該磁體的表面積/體積比為2mm-1以上。
由此，隨著磁體體積的減少，表面積/體積比會(huì)超過(guò)2mm-1，可以預(yù)測(cè)將來(lái)會(huì)逐漸增加到3mm-1以上。在這樣的超小型磁體中，由本發(fā)明產(chǎn)生的表面改性會(huì)發(fā)揮顯著的效果。
其中，現(xiàn)在在市售的便攜電話用振動(dòng)電動(dòng)機(jī)中搭載的Nd-Fe-B系磁體的(BH)max為約240kJ/m3，但如果根據(jù)本發(fā)明的磁體，就能夠達(dá)到280kJ/m3以上，例如300～360kJ/m3的高(BH)max。
另一方面，在表面積/體積比小于3mm-1的磁體中，因?yàn)橛杀景l(fā)明產(chǎn)生的磁體特性改善的余地小，所以，考慮到由本發(fā)明產(chǎn)生的制造成本的增加，優(yōu)選適用現(xiàn)有的制造方法來(lái)制造。
(2)加工方法能夠在本發(fā)明中采用的機(jī)械加工方法的典型例子為線狀鋸、刀狀鋸、平面磨床、拋光(lapping)，但不限定于此，也可以使用其它的機(jī)械加工方法。但是，稀土類(lèi)燒結(jié)磁體材料為脆性、在加工時(shí)容易產(chǎn)生脫粒。若這樣的脫粒過(guò)度產(chǎn)生，即使在加工面堆積上述的金屬膜，也不會(huì)得到磁體特性的恢復(fù)。因此，優(yōu)選在金屬膜堆積前，精加工沒(méi)有脫粒的加工表面。其中，優(yōu)選加工表面上的氧化物盡量少。
(3)金屬膜的形成方法因?yàn)樵阱儗拥葷袷匠赡し椒ㄖ?，伴隨有氫的發(fā)生產(chǎn)生的磁體特性劣化，因此優(yōu)選使用干式成膜方法。干式成膜方法被分為物理氣相成長(zhǎng)(PVD)法和化學(xué)氣相成長(zhǎng)(CVD)法。作為PVD法，分為蒸發(fā)類(lèi)和濺射類(lèi)，前者有真空蒸鍍、離子噴鍍法、電弧離子噴鍍法(arc ionplating)、空心陰極離子噴鍍法、離子束蒸鍍等。此外，在濺射系列中，一般是磁控管濺射。另一方面，在CVD方法中，有熱CVD、等離子體CVD、光CVD、MOCVD等的方法。任意的方法都可以，但考慮到成膜速度和裝置的維持性，優(yōu)選采用離子噴鍍法或磁控管濺射法。
目前，作為在批量生產(chǎn)Nd-Fe-B系稀土類(lèi)燒結(jié)磁體時(shí)進(jìn)行的干式涂覆，廣泛使用鋁離子噴鍍。另外，作為氣體阻斷膜，在高真空用途中使用的TiN涂敷，可以使用空心陰極(HCD)離子噴鍍裝置等。任意一個(gè)都采用在旋轉(zhuǎn)框(筒狀物barrel)中插入磁體坯料，使框旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，在磁體上成膜的方式(例如在日本特開(kāi)平7-278800號(hào)公報(bào)中公開(kāi)的覆膜形成裝置)。
根據(jù)這樣的方式，在本發(fā)明中，因?yàn)樵谕ǔ５目虻木W(wǎng)眼中不能保持作為對(duì)象的微小磁體，所以，必須縮小框的網(wǎng)眼。但是，縮小框的網(wǎng)眼會(huì)使Al蒸氣難以通過(guò)框的網(wǎng)眼，并且，因?yàn)锳l附著在框上，最后會(huì)使網(wǎng)眼堵塞。因此，通過(guò)上述現(xiàn)有的裝置和方法，在微小磁體上無(wú)法均勻地涂敷金屬膜。
在本發(fā)明中，為了解決這樣的問(wèn)題、采用以下說(shuō)明的方法。
首先，在進(jìn)行磁控管濺射時(shí)，有向上噴鍍、向下噴鍍、對(duì)置式靶等。任意一種方法都可以，但優(yōu)選容易在基板上配置磁體、固定磁體、通過(guò)轉(zhuǎn)動(dòng)或振動(dòng)基板，能夠使該磁體轉(zhuǎn)動(dòng)或跳起的方法。作為濺射方式，優(yōu)選使用如圖1所示的向下濺射裝置和對(duì)置式靶方式的濺射裝置。圖1的裝置，在與基板1相對(duì)的位置上配置靶2，來(lái)自靶2的被濺射的金屬原子堆積在位于下方的圓柱或筒狀的磁體3的表面。通過(guò)振動(dòng)收納這些磁體的容器4，實(shí)現(xiàn)磁體3的轉(zhuǎn)動(dòng)。在圖1的例子中，通過(guò)匹配器5向基板1和靶2供給RF電力。擋板在必要時(shí)覆蓋基板1，阻止金屬原子的飛來(lái)。
進(jìn)行成膜速度大的離子噴鍍的情況下優(yōu)選在蒸發(fā)源的下方配置基板，固定磁體，或如圖2所示，通過(guò)旋轉(zhuǎn)框等的容器4的轉(zhuǎn)動(dòng)或振動(dòng)，可以使磁體3轉(zhuǎn)動(dòng)或跳動(dòng)。在圖2的例子中，由電阻加熱板8加熱從卷軸6供給的金屬導(dǎo)線7，使得在真空腔室(減壓槽)9內(nèi)產(chǎn)生金屬蒸氣。
以下說(shuō)明本發(fā)明的金屬膜的堆積方法。
首先，金屬膜的堆積工序，進(jìn)行將具有通過(guò)機(jī)械加工形成的表面的稀土類(lèi)磁體坯料支撐在減壓槽內(nèi)的工序，和使上述金屬或合金的蒸汽或微顆粒飛至稀土類(lèi)磁體坯料的上述表面的工序。作為優(yōu)選的實(shí)施方式中的金屬膜堆積工序，并不限于濺射金屬或合金構(gòu)成的多個(gè)靶的工序，也可以進(jìn)行熔融金屬或合金，使其蒸發(fā)，由此生成微顆粒的工序，和將該微顆粒離子化，使其沖撞上述表面的工序。
在特別優(yōu)選的實(shí)施方式中，將搭載有多個(gè)上述稀土類(lèi)磁體坯料的支撐部件配置在減壓槽內(nèi)，實(shí)行金屬膜的堆積工序。為了進(jìn)行均勻的金屬膜的堆積，優(yōu)選通過(guò)在堆積工序中進(jìn)行支撐部件的運(yùn)動(dòng)，使得各個(gè)稀土類(lèi)磁體坯料相對(duì)于支撐部件的相對(duì)位置變化。
通過(guò)進(jìn)行支撐部件的運(yùn)動(dòng)，在支撐部件上，使上述稀土類(lèi)磁體坯料轉(zhuǎn)動(dòng)、跳起，能夠進(jìn)行更均勻的膜的涂敷。根據(jù)這種方法，針對(duì)本發(fā)明的對(duì)象的微小磁體，在一批中能夠涂敷大量的金屬膜，能夠提供低成本且高特性的磁體。
(4)磁體組成在本發(fā)明中使用的燒結(jié)磁體，只要是通過(guò)加工塊狀磁體坯料而被賦予需要的形狀的磁體，具有怎樣的組成體系的磁體均可。并且，其制造方法沒(méi)有特別限定。
最能夠發(fā)揮本發(fā)明的效果的磁體，是顯示成核作用型矯頑力發(fā)生結(jié)構(gòu)的磁體。該類(lèi)型磁體的代表性例子是R-Fe-B系燒結(jié)磁體和1-5系Sm-Co燒結(jié)磁體。其中，因?yàn)镽-Fe-B系燒結(jié)磁體機(jī)械加工性?xún)?yōu)異、比較容易進(jìn)行微細(xì)尺寸形狀的加工，所以，本發(fā)明的磁體優(yōu)選為R-Fe-B系稀土類(lèi)磁體。這里，R是稀土類(lèi)元素中的至少1種元素，稀土類(lèi)元素R優(yōu)選含有Nd和/或Pr，根據(jù)需要，含有Dy和/或Tb。作為具體的組成，可以采用現(xiàn)在廣泛普及的Nd-Fe-B系磁體的磁體組成。在該材料系的磁體中，磁通密度和矯頑力的平衡，能夠以在稀土類(lèi)元素R中所含Nd的Dy(或Tb)的置換率來(lái)調(diào)整。
成為本發(fā)明的對(duì)象的磁體，因?yàn)槎嘣谛⌒蛡鲃?dòng)器(actuator)和電動(dòng)機(jī)中使用，所以，多要求用于高扭矩的高磁通密度。因此，在該用途中，稀土類(lèi)元素R不含Dy、或即使含有Dy的含量也少。另一方面，若含有Dy和/或Tb，可以顯著得到由金屬膜的堆積產(chǎn)生的矯頑力提高的效果，因此，為了提高矯頑力，優(yōu)選含有小于全部磁體組成的2重量％的Dy和/或Tb。
在本發(fā)明的燒結(jié)磁體中，可以適用具有例如在日本特公昭59-64733號(hào)公報(bào)中公開(kāi)的組成的R-Fe-B系燒結(jié)磁體。R-Fe-B系燒結(jié)磁體，具有以稀土類(lèi)元素R、硼B(yǎng)和Fe為主的組成。更具體的，R占全部的8～30at％、B占全部的2～28at％、其余部分實(shí)質(zhì)上為Fe。Fe的一部分(50％以下)也可以由Co置換。此外，B的一部分也可以由碳C置換。稀土類(lèi)元素R中，優(yōu)選Dy和Tb的合計(jì)為稀土類(lèi)元素R全部的0.3at％以上、其余部分是Nd和/或Pr。組成的更優(yōu)選范圍為R為13～15at％、B為5.5～7at％。
在本發(fā)明中使用的加工前的燒結(jié)磁體，由各種粉末冶金制造方法制作。具體的，經(jīng)過(guò)原料合金的鑄錠、粉碎、磁場(chǎng)中成形、燒結(jié)和時(shí)效處理等工序而制作。
以下，說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例和比較例。
(實(shí)施例1)制作以組成式Nd31.3-Fe67.7-B1.0(重量％)表示的燒結(jié)磁體塊后，通過(guò)對(duì)該塊進(jìn)行機(jī)械加工，制作具有4mm×6mm×0.3mm的尺寸的薄板狀稀土類(lèi)磁體坯料(以下稱(chēng)為“磁體試驗(yàn)片”)。在該磁體試驗(yàn)片中的磁化方向是平行于長(zhǎng)度4mm的邊的方向。
在濺射裝置的腔室內(nèi)設(shè)置的夾具上配置磁體試驗(yàn)片。更具體的，將100個(gè)磁體試驗(yàn)片固定在夾具上的50mm×50mm的矩形區(qū)域，使得各個(gè)磁體試驗(yàn)片的長(zhǎng)度0.3mm的邊相對(duì)夾具表面垂直。
將濺射裝置腔室內(nèi)減壓至壓力1×10-4Pa左右后，向腔室內(nèi)部供給高純度Ar氣體，直到全壓成為1.0Pa為止。此后，通過(guò)在300V的電壓下進(jìn)行5分鐘逆濺射，將磁體試驗(yàn)片的表面清凈化。
接著，使用Ti和Nb的靶、進(jìn)行氬離子濺射，在磁體試驗(yàn)片的表面堆積由Ti或Nb構(gòu)成的金屬膜(厚度為2μm)。作為比較例，使用Al和Ni的靶、進(jìn)行氬離子濺射，在磁體試驗(yàn)片的表面堆積由Al或Ni構(gòu)成的金屬膜(厚度為2μm)。
對(duì)各磁體試驗(yàn)片，評(píng)價(jià)濺射前后的磁體特性。圖3和圖4表示評(píng)價(jià)結(jié)果。在這些圖表中，“Bulk”曲線表示進(jìn)行機(jī)械加工前的磁體特性，“加工后”曲線表示進(jìn)行機(jī)械加工后，進(jìn)行金屬膜堆積前的磁體特性。其中，進(jìn)行機(jī)械加工前的試樣具有10mm×10mm×10mm的立方體形狀。圖3(a)和圖3(b)分別表示堆積Ti膜的磁體試驗(yàn)片的特性和堆積Nb膜的磁體試驗(yàn)片的特性。另一方面，圖4(a)和圖4(b)分別表示堆積Al膜的磁體試驗(yàn)片的特性和堆積Ni膜的磁體試驗(yàn)片的特性。
如從圖3(a)和(b)的圖表可知，通過(guò)在被加工面上堆積Ti、Nb的濺射膜，大幅度地改善了磁體的矩形性。相對(duì)于此，即使在被加工面上堆積Al、Ni的濺射膜，也不能恢復(fù)磁體的矩形性。即，只以金屬膜覆蓋被加工面，不能恢復(fù)磁體的矩形性，必須適當(dāng)?shù)剡x擇特定的金屬材料。
接著，在鼓風(fēng)(blast)加工裝置中投入以Ti膜覆蓋加工面的磁體試驗(yàn)片，進(jìn)行由球狀玻璃珠粉末(GB-AG、新東ブレ一タ一公司生產(chǎn))產(chǎn)生的噴丸硬化(shot peening)。具體的，在以投射壓0.2MPa噴射15分鐘由N2氣體構(gòu)成的加壓氣體，和以球狀玻璃珠粉末。此后，對(duì)磁體試驗(yàn)片進(jìn)行35℃的5％NaCl溶液(pH7.0)的鹽水噴霧試驗(yàn)(根據(jù)JIS Z2371)，觀察有無(wú)生銹。從試驗(yàn)開(kāi)始經(jīng)過(guò)300小時(shí)后也看不到生銹，確認(rèn)沒(méi)有成為實(shí)用上的問(wèn)題的磁特性劣化。
(實(shí)施例2)準(zhǔn)備與實(shí)施例1中的燒結(jié)磁體(塊狀)同樣的燒結(jié)磁體，通過(guò)線狀鋸切斷，制作具有4mm×6mm×0.35mm尺寸的薄板狀的磁體試驗(yàn)片。該磁體試驗(yàn)片中，具有4mm×6mm尺寸的矩形面(上面和下面)是接受由線狀鋸進(jìn)行的加工的面。磁體試驗(yàn)片中的磁化方向是平行于長(zhǎng)度4mm邊的方向。
另一方面，使用兩面研磨機(jī)以GC#3000研磨一部分磁體試驗(yàn)片后，由以平均粒徑1μm的金剛石磨粒進(jìn)行精加工研磨，得到最終厚度為0.30mm的磁體試驗(yàn)片。這樣制作的磁體試樣的上面和下面，與由線狀鋸加工的加工面不同、變化為脫粒少的平滑的加工面。
在上述的濺射裝置內(nèi)收納有對(duì)線狀鋸加工面沒(méi)有進(jìn)行研具研磨的磁體試驗(yàn)片和進(jìn)行了研具研磨的磁體試驗(yàn)片，在各磁體試驗(yàn)片的上面和下面(加工面)堆積Sn膜(厚度為2μm)。此后，對(duì)各磁體試驗(yàn)片評(píng)價(jià)濺射前后的磁體特性。圖5表示評(píng)價(jià)結(jié)果。圖5(a)表示在線狀鋸加工面上堆積有Sn膜的磁體試驗(yàn)片得到的數(shù)據(jù)。圖5(b)表示在研具研磨面上堆積Sn膜的磁體試驗(yàn)片得到的數(shù)據(jù)。
如上所述，因?yàn)榫€狀鋸加工面是脫粒極多的面，所以，如從圖5(a)和(b)可知，線狀鋸加工后的磁體試驗(yàn)片的磁體特性與研具研磨后的磁體試驗(yàn)片相比劣化。另一方面，也可知不論有無(wú)研具研磨，通過(guò)在加工面上堆積Sn膜，會(huì)使磁體特性改善。但是，只接受線狀鋸加工的磁體試驗(yàn)片差恢復(fù)程度較差。
(實(shí)施例3)準(zhǔn)備具有與上述實(shí)施例的燒結(jié)磁體同樣組成的長(zhǎng)2mm、外徑2mm、內(nèi)徑0.4mm的圓筒狀燒結(jié)磁體，以無(wú)心加工機(jī)磨削其外周面。此后，再對(duì)磁體的外周面施加#1500的精加工用的無(wú)心加工，使外徑減少到0.9mm。磁化方向是平行于圓筒中心軸的方向。
準(zhǔn)備貼附有PZT超聲波振蕩器的容器，插入上述磁體試驗(yàn)片(100個(gè))。在磁控管濺射裝置的腔室內(nèi)插入該容器后，使腔室內(nèi)壓力下降到4×10-4Pa，此后，向腔室內(nèi)供給Ar氣體使全壓為1.0Pa。
在濺射裝置的陰極電極中安裝Ta靶，進(jìn)行磁控管濺射。在濺射之中，由未圖示的驅(qū)動(dòng)電路向PZT超聲波振蕩器供給40kHz的交流電流，使之以100W開(kāi)始振動(dòng)。容器內(nèi)的磁體試驗(yàn)片，由超聲波而跳起轉(zhuǎn)動(dòng)，可以在磁體試驗(yàn)片的整個(gè)表面堆積均勻的Ta膜。
圖6表示上述磁體試驗(yàn)片相關(guān)的磁體特性的評(píng)價(jià)結(jié)果。如從圖6可知，通過(guò)均勻地堆積TA膜，消除拐點(diǎn)(クニ-ク)、改善矩形性。并且，評(píng)價(jià)堆積有Ta膜的100個(gè)磁體試驗(yàn)片的特性，也可以確認(rèn)特性波動(dòng)小。
(實(shí)施例4)制作以組成式Dy1.2重量％-Nd30.0-Fe67.8-B1.0(重量％)表示的燒結(jié)磁體的圓筒形磁體后，通過(guò)以實(shí)施例3的方法加工該圓筒形磁體的外周面，得到長(zhǎng)3mm、外徑1.2mm、內(nèi)徑0.8mm的圓筒狀磁體試驗(yàn)片。準(zhǔn)備氧濃度為1500ppm和4000ppm的2種磁體試驗(yàn)片，進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。
接著，對(duì)各磁體試驗(yàn)片，通過(guò)與實(shí)施例3同樣的方法，邊使磁體試驗(yàn)片轉(zhuǎn)動(dòng)，邊通過(guò)離子濺射，在磁體試驗(yàn)片上堆積Cu或Ag膜(厚度3μm)。
圖7(a)和(b)，分別針對(duì)進(jìn)行了Cu膜和Ag膜的堆積的磁體試驗(yàn)片，表示塊狀磁體和成膜前后的磁體特性。
如從圖7(a)和(b)可知，通過(guò)Cu膜或Ag膜的堆積，消滅了加工后的拐點(diǎn)(クニ-ク)，恢復(fù)了矩形性。
另一方面，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在對(duì)磁場(chǎng)取向方向上易磁化軸一致的小型R-Fe-B系燒結(jié)磁體進(jìn)行了機(jī)械加工的情況下，加工后的磁特性(特別是矯頑力)依存于加工面的方位而有大的變化。
能溝通過(guò)加工面的方位或加工方向，大幅度進(jìn)行矯頑力的降低、將其抑制在很小的理由與R2Fe14B晶粒具有的結(jié)晶結(jié)的構(gòu)各向異性有關(guān)。在正方晶的R2Fe14B結(jié)晶中，如圖8所示，存在Nd原子(稀土類(lèi)原子R)相對(duì)多的層、和Fe原子相對(duì)多的層。
以下，將Nd原子相對(duì)多的層稱(chēng)為“Nd層”、將Fe原子相對(duì)多的層稱(chēng)為“Fe層”。這些Nd層和Fe層，因?yàn)榇怪庇诮Y(jié)晶的易磁化軸，所以，在粉末成形時(shí)，在由外部磁場(chǎng)而被取向的各R2Fe14B晶粒中，在大致垂直于磁場(chǎng)取向方向(等于取向后的易磁化軸方向)的面內(nèi)，Nd層和Fe層擴(kuò)散。換言之，在被磁場(chǎng)取向的各向異性的R2Fe14B系燒結(jié)磁體中，交替存在沿著垂直于磁場(chǎng)取向方向的平面排列有Nd原子層，和沿著垂直于磁場(chǎng)取向方向的平面排列有Fe原子的層。
在機(jī)械加工這樣的R2Fe14B系燒結(jié)磁體、形成平坦的加工表面的情況下，該加工表面分為形成為平行于Nd層和Fe層的情況，和形成為橫切Nd層和Fe層的情況。
圖9(a)是在粉末成形時(shí)被取向的燒結(jié)磁體塊10的立體圖。圖中的黑箭頭表示磁場(chǎng)取向方向。燒結(jié)磁體塊10所含的多個(gè)R2Fe14B晶粒(未圖示)，取向?yàn)樵摯艌?chǎng)取向方向，各R2Fe14B晶粒的易磁化軸與磁場(chǎng)取向方向一致。
圖9(b)表示以加工表面與磁場(chǎng)取向方向平行的方式加工燒結(jié)磁體塊10的情況。相對(duì)于此，圖9(c)表示以加工表面與磁場(chǎng)取向方向垂直的方式加工燒結(jié)磁體塊10的情況。圖中的虛線表示相當(dāng)于燒結(jié)磁體塊10的切斷面的面的位置，燒結(jié)磁體塊10以切斷面為界，被分離為多個(gè)燒結(jié)磁體(板狀部分)10a、10b。由例如線狀鋸將燒結(jié)磁體塊10切斷、分離為多個(gè)燒結(jié)磁體10a、10b的情況下，線狀鋸沿著以圖中的虛線表示的面切斷、加工燒結(jié)磁體塊10。
圖9(d)和(e)是表示從燒結(jié)磁體塊10切出的各燒結(jié)磁體10a、10b的截面的圖，由在水平方向延伸的多條實(shí)線示意地表示Nd層和Fe層的存在。圖9(d)示意地表示加工表面(虛線)20a垂直于Nd層和Fe層進(jìn)行橫切的情況，圖9(e)示意地表示加工表面(虛線)20b平行于Nd層和Fe層的情況。
已知R-Fe-B系燒結(jié)磁體的矯頑力在晶界相存在的稀土類(lèi)富相(R-富相)受到強(qiáng)烈影響。在燒結(jié)磁體中所含的大部分R2Fe14B晶粒被R-富相包圍，但在由機(jī)械加工露出一部分的R2Fe14B晶粒中，該露出面(加工面)在沒(méi)有被R-富相包圍的狀態(tài)。在周?chē)籖-富相(晶界相)包圍的R2Fe14B晶粒(主相)中，晶界相發(fā)揮抑制在主相中的逆磁場(chǎng)發(fā)生的功能。已知這樣的晶界相的作用，通過(guò)在原料合金中添加的雜質(zhì)元素而提高。因此，通過(guò)添加適當(dāng)?shù)碾s質(zhì)、提高上述晶界相功能的結(jié)果，矯頑力也提高，但如上所述，在由機(jī)械加工露出的主相中，適當(dāng)抑制逆磁場(chǎng)發(fā)生的另外的結(jié)構(gòu)是必要的。
圖10(a)和(b)分別是對(duì)應(yīng)于圖9(a)和(b)的截面圖，示意放大表示在燒結(jié)磁體10a和10b中的R2Fe14B晶粒。在表示各R2Fe14B晶粒部分的內(nèi)部中記載有多條橫線，模擬表示Nd層。即使在圖10(a)和(b)所示的任一種情況中，R2Fe14B晶粒的Nd層被描畫(huà)為垂直于磁場(chǎng)取向方向。
本申請(qǐng)發(fā)明人考慮R2Fe14B系燒結(jié)磁體的矯頑力由加工表面20a、20b的方位變化的原因如下。即，如圖10(b)所示，加工表面20b與Nd層平行的情況下，位于加工表面20b的附近的多個(gè)R2Fe14B晶粒中，即使在沒(méi)有以R-富相覆蓋的面(加工表面20b)產(chǎn)生矯頑力下降，其影響停留在該Nd層，不誘發(fā)其它Nd層的矯頑力的下降。其結(jié)果，由加工產(chǎn)生的矯頑力下降只在加工表面20b的極薄區(qū)域中產(chǎn)生，在全部R2Fe14B晶粒中，不容易反轉(zhuǎn)磁化。
與此相對(duì)，如圖10(a)所示，加工表面20a橫切多個(gè)Nd層時(shí)，在位于加工表面20a附近的多個(gè)R2Fe14B晶粒中，沒(méi)有以R-富相覆蓋的面(加工表面20a)中，若產(chǎn)生矯頑力下降，其影響就從各Nd層的端部傳遞到內(nèi)部，使在R2Fe14B晶粒所含的全部或大部分的Nd層中矯頑力下降。這是因?yàn)樵赗2Fe14B晶粒中的矯頑力顯現(xiàn)機(jī)構(gòu)是成核作用型，由外部磁場(chǎng)產(chǎn)生的磁化反轉(zhuǎn)從加工表面20a由Nd層迅速傳遞到內(nèi)部的緣故。其結(jié)果，即使在弱的外部磁場(chǎng)中，位于加工表面20a附近的R2Fe14B晶粒的磁化容易被反轉(zhuǎn)，在磁體表面中的矯頑力下降。
基于這樣的理解可知，進(jìn)行各種實(shí)驗(yàn)，對(duì)燒結(jié)磁體進(jìn)行加工、研磨，使加工表面略平行于Nd層的情況下，能夠抑制由機(jī)械加工帶來(lái)的矯頑力下降，通過(guò)研磨越提高加工面的平滑性，其抑制效果越高。此外，在加工后的燒結(jié)磁體的尺寸大的情況下，表面積相對(duì)體積的比小，因此加工表面的矯頑力的降低不會(huì)很大。
由以上可知，通過(guò)垂直于磁場(chǎng)取向方向的機(jī)械加工、研磨，制作表面積/體積的比為2mm-1以上、體積為100mm3以下的燒結(jié)磁體，且進(jìn)行研磨，使得加工表面的表面粗糙度Ra為0.3μm以下時(shí)，能夠顯著地發(fā)揮抑制由機(jī)械加工產(chǎn)生的矯頑力下降的效果。如上所述，優(yōu)選在加工表面露出的Nd層的數(shù)盡可能地少，這種情況，加工表面平滑時(shí)容易達(dá)成。加工表面的表面粗糙度Ra優(yōu)選為0.1μm以下。這樣的表面粗糙度Ra與現(xiàn)有的燒結(jié)磁體的研磨后的表面粗糙度Ra(例如5～20μm左右)相比，格外地小。
這樣，在本發(fā)明中，以取向?yàn)榇艌?chǎng)取向方向的燒結(jié)磁體的加工表面橫切易磁化軸的方式進(jìn)行機(jī)械加工、研磨。理想的是相對(duì)于磁場(chǎng)取向方向垂直地形成加工表面，但全部的加工表面相對(duì)磁場(chǎng)取向方向垂直是困難的。因此，優(yōu)選加工為平行于磁場(chǎng)取向方向形成的加工表面在全部加工表面中占有的比例設(shè)定在50％以下、更優(yōu)選設(shè)定在30％以下。此外，希望大比例形成平行于磁場(chǎng)取向方向的表面的情況下，可以通過(guò)粉末成型直接形成這樣的表面，而不進(jìn)行機(jī)械加工。
此外，還可知，通過(guò)在由機(jī)械加工在微小的磁體表面形成的變質(zhì)加工層(損傷層)上堆積以下所示的特定的金屬或合金的層，能夠恢復(fù)變質(zhì)加工層(特別是位于變質(zhì)加工層中的結(jié)晶晶界)中的缺陷，改善磁特性。在微小的磁體表面堆積的優(yōu)選金屬或合金以選自Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、Hf、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Ta、W、Re、Ir、Pt、Au和Bi中的至少一種元素為主。更優(yōu)選以選自Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W中的至少一種元素為主。其中，也可以含有不可避免混入的雜質(zhì)。
堆積的金屬膜優(yōu)選盡可能地薄。膜厚優(yōu)選設(shè)定在能夠?qū)⒋磐芏鹊慕档鸵种茷榧s1％左右的范圍，膜厚的上限例如是4μm。但是，因?yàn)樘∮锌赡懿荒艽_保規(guī)定的耐腐蝕性，所以?xún)?yōu)選膜厚的下限為0.5μm以上。更優(yōu)選的膜厚范圍為1μm～3μm。在進(jìn)行金屬膜的堆積前，對(duì)磁體的加工面可以進(jìn)行洗凈、脫脂、逆濺射等公知的清凈化處理。另外，堆積的金屬膜不一定必須是一層結(jié)構(gòu)，也可以具有由不同種類(lèi)的金屬層構(gòu)成的疊層結(jié)構(gòu)。這種情況下，擔(dān)負(fù)特別重要作用的層是接觸磁體加工面的最下層和接觸外界大氣的最上層。最下層的材料能夠從恢復(fù)磁體特性的觀點(diǎn)出發(fā)選擇，最上層能夠從耐腐蝕性等的觀點(diǎn)出發(fā)選擇。在各種金屬材料中，Ti不僅從磁體特性恢復(fù)的觀點(diǎn)出發(fā)，且從是耐腐蝕性和對(duì)人體無(wú)害等的觀點(diǎn)出發(fā)也優(yōu)異。在醫(yī)療中使用極微小磁體的情況下，Ti是極其優(yōu)異的涂覆材料。
以下說(shuō)明本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方式。
(1)表面積/體積比邊長(zhǎng)2mm的立方體的磁體，因?yàn)槠潴w積為8mm3、所以表面積/體積比為3mm-1。在圓筒形狀磁體的情況下，與同一體積的立方體相比，因?yàn)楸砻娣e/體積比相對(duì)變大，所以在表面上形成加工變質(zhì)層，就會(huì)容易產(chǎn)生減磁曲線的矩形性劣化和矯頑力下降?，F(xiàn)在，在市售的便攜電話用振動(dòng)電動(dòng)機(jī)中搭載的圓筒型磁體的外徑、內(nèi)徑和長(zhǎng)度，分別為2.5mm、1mm和4mm左右，其體積相當(dāng)于約16.5mm3。因此，該磁體的表面積/體積比為2mm-1以上。
這樣，逐漸減小磁體體積，表面積/體積比就會(huì)超過(guò)2mm-1，預(yù)期將來(lái)會(huì)增加到3mm-1以上。在這樣的超小型磁體中，本發(fā)明的表面改性會(huì)發(fā)揮顯著的效果。
其中，現(xiàn)在在市售的便攜電話用振動(dòng)電動(dòng)機(jī)中搭載的Nd-Fe-B系磁體的(BH)max為約240kJ/m3，但根據(jù)本發(fā)明的磁體，能夠達(dá)到280kJ/m3以上、例如300～360kJ/m3的高(BH)max。
另一方面，因?yàn)樵诒砻娣e/體積比小于3mm-1的磁體中，由本發(fā)明產(chǎn)生的磁體特性改善的余地小，所以考慮到由本發(fā)明產(chǎn)生的制造成本的增加，優(yōu)選適用現(xiàn)有的制造方法制造。
(2)加工方法能夠在本發(fā)明中采用的機(jī)械加工方法的典型例子是線狀鋸、刀狀鋸、平面磨床、拋光，但不限定于此，也可以使用其它的機(jī)械加工方法。
機(jī)械加工中，形成的切斷面參照?qǐng)D9(c)說(shuō)明的，以與磁場(chǎng)取向方向垂直或與磁場(chǎng)取向方向形成近似垂直的角度是重要的。更具體的，與加工表面中的橫切磁場(chǎng)取向方向的面垂直的法線，與磁場(chǎng)取向方向的角度優(yōu)選為30°以下。
此外，稀土類(lèi)燒結(jié)磁體材料為脆性，在加工時(shí)容易產(chǎn)生脫粒。這樣的脫粒過(guò)度產(chǎn)生會(huì)無(wú)法避免在加工表面中的磁體特性劣化。在本發(fā)明中，在切斷加工和切削加工后，通過(guò)進(jìn)行高精度的研磨加工使加工表面平滑化至其表面粗糙度Ra為0.3μm以下是必要的。
(3)磁體組成發(fā)揮本發(fā)明的效果的磁體，是表示成核作用型的矯頑力發(fā)生結(jié)構(gòu)的R-Fe-B系稀土類(lèi)磁體。這里，R是稀土類(lèi)元素中的至少1種元素，稀土類(lèi)元素R優(yōu)選含有Nd和/或Pr，根據(jù)需要，含有Dy和/或Tb。具體的，組成可以采用現(xiàn)在廣泛普及的Nd-Fe-B系磁體的磁體組成。在該材料系的磁體中，磁通密度和矯頑力的平衡，可以以由稀土類(lèi)元素R所含的Nd的Dy(或Tb)的置換率調(diào)整。
作為本發(fā)明的對(duì)象的磁體，因?yàn)槎嘣谛⌒蛡鲃?dòng)器和電動(dòng)機(jī)中使用，所以，多要求用于高扭矩的高磁通密度。因此，在那樣的用途中，稀土類(lèi)元素R不含Dy，或即使含有Dy，其含量也很少。另一方面，含有Dy和/或Tb，因?yàn)橛山饘倌さ亩逊e可以得到顯著的矯頑力提高效果，所以，為了提高矯頑力，優(yōu)選含有小于全部磁體的2％的Dy和/或Tb。
在本發(fā)明的燒結(jié)磁體中，可以適用具有例如在日本特公昭59-64733號(hào)公報(bào)中公開(kāi)的公知組成的R-Fe-B系燒結(jié)磁體。R-Fe-B系燒結(jié)磁體具有含有以稀土類(lèi)元素R、硼B(yǎng)和Fe為主的組成。更具體的，R占全部的8～30at％、B占全部的2～28at％、其余部分實(shí)質(zhì)為Fe。一部分Fe(50％以下)可以由Co置換。另外，一部分B可以由碳C置換。稀土類(lèi)元素R中，Dy和Tb的合計(jì)優(yōu)選為稀土類(lèi)元素R全部的0.3at％以上、其余部分優(yōu)選為Nd和/或Pr。組成的更優(yōu)選的范圍為R為13～15at％、B為5.5～7at％。
在本發(fā)明中可以使用的加工前的燒結(jié)磁體，由各種粉末冶金的制造方法制作。具體的，經(jīng)過(guò)原料合金的鑄錠、粉碎、磁場(chǎng)中成形、燒結(jié)和時(shí)效處理等工序而制作。
(實(shí)施例5)以下說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例和比較例。
制作以組成式Nd31.3-Fe67.7-B1.0(重量％)表示的多個(gè)燒結(jié)磁體塊后，通過(guò)機(jī)械加工各塊，制作具有4mm×6mm×0.3mm尺寸的薄板狀的稀土類(lèi)磁體坯料(以下稱(chēng)為“磁體試驗(yàn)片”)。各磁體試驗(yàn)片中的表面積/體積比為7.5mm-1、體積為7.2mm3。該機(jī)械加工使用0.5mm的線狀鋸進(jìn)行。由線狀鋸形成的切斷面的方位，如圖9(b)或圖9(c)所示，設(shè)定為與磁場(chǎng)取向方向垂直或平行的方位。
圖11(a)是表示比較例的減磁曲線的圖表。另一方面，圖11(b)是表示由線狀鋸進(jìn)行的切斷后、研磨工序前的實(shí)施例的減磁曲線的圖表，圖11(c)是表示研磨工序后的實(shí)施例的減磁曲線的圖表。研磨工序以?xún)擅鎾伖鈾C(jī)，使用平均粒徑為1μm的金剛石磨粒進(jìn)行，使得加工表面粗糙度Ra為0.3μm以下。
如從圖11可知，與如圖9(b)所示加工的試樣(比較例)相比，在圖9(c)所示的加工的試樣(實(shí)施例)中，可以得到高矯頑力、可以改善減磁曲線的矩形性。并且，與剛機(jī)械加工后中的磁體特性相比，研磨后的磁體特性的矯頑力高。加工表面的粗糙度Ra大于0.6μm時(shí)就觀察不到由研磨產(chǎn)生的矩形性的改善效果。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性根據(jù)本發(fā)明，可以避免在微小的燒結(jié)磁體中機(jī)械加工產(chǎn)生的磁體特性的劣化的問(wèn)題。今后，高性能極小磁體能夠在電子機(jī)器領(lǐng)域和醫(yī)療領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。
權(quán)利要求
1.一種稀土類(lèi)磁體，其表面積/體積的比為2mm-1以上、體積為100mm3以下，具備由機(jī)械加工形成的表面；和覆蓋所述表面的至少一部分的金屬膜，所述金屬膜由選自Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Ta、W、Re、Ir、Pt、Au和Bi中的至少一種金屬或合金形成。
2.如權(quán)利要求
1所述的稀土類(lèi)磁體，其特征在于，由R-Fe-B系稀土類(lèi)磁體材料構(gòu)成，其中，R為至少一種稀土類(lèi)元素，所述稀土類(lèi)元素R含有Nd和Pr中的至少一個(gè)作為必須元素。
3.一種稀土類(lèi)磁體的制造方法，用于制造表面積/體積的比為2mm-1以上、體積為100mm3以下的稀土類(lèi)磁體，包括準(zhǔn)備由機(jī)械加工形成的表面的工序(A)；和在所述表面上堆積金屬膜，以覆蓋所述表面的至少一部分的工序(B)，所述金屬膜由選自Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Ta、W、Re、Ir、Pt、Au和Bi中的至少一種金屬或合金形成。
4.如權(quán)利要求
3所述的制造方法，其特征在于，所述工序(A)包括對(duì)稀土類(lèi)磁體坯料進(jìn)行切斷、鉆孔、磨削和/或表面研磨處理的工序。
5.如權(quán)利要求
3或4所述的制造方法，其特征在于，所述工序(B)包括將具有所述由機(jī)械加工形成的表面的稀土類(lèi)磁體坯料支撐在減壓槽內(nèi)的工序(b1)；和使所述金屬或合金的蒸氣或微顆粒飛至所述稀土類(lèi)磁體坯料的所述表面的工序(b2)。
6.如權(quán)利要求
5所述的制造方法，其特征在于，所述工序(b2)包括，濺射由所述金屬或合金構(gòu)成的多個(gè)靶的工序。
7.如權(quán)利要求
6所述的制造方法，其特征在于，所述工序(b2)包括熔融所述金屬或合金，使其蒸發(fā)，生成微顆粒的工序；和將所述微顆粒離子化，使其沖撞所述表面的工序。
8.如權(quán)利要求
5～7中任一項(xiàng)所述的制造方法，其特征在于，所述工序(b1)包括在所述減壓槽內(nèi)配置搭載有多個(gè)所述稀土類(lèi)磁體坯料的支撐部件的工序。
9.如權(quán)利要求
8所述的制造方法，其特征在于，所述工序(b2)包括通過(guò)進(jìn)行所述支撐部件的運(yùn)動(dòng)，使所述稀土類(lèi)磁體坯料相對(duì)于所述支撐部件的相對(duì)位置關(guān)系變化的工序。
10.如權(quán)利要求
9所述的制造方法，其特征在于，所述工序(b2)包括通過(guò)進(jìn)行所述支撐部件的運(yùn)動(dòng)，使所述稀土類(lèi)磁體坯料在所述支撐部件上轉(zhuǎn)動(dòng)的工序。
11.如權(quán)利要求
9或10所述的制造方法，其特征在于，所述支撐部件的運(yùn)動(dòng)是所述支撐部件的旋動(dòng)和/或振動(dòng)。
12.如權(quán)利要求
8所述的制造方法，其特征在于，在所述支撐部件上搭載的所述稀土類(lèi)磁體坯料的個(gè)數(shù)為100以上。
13.一種稀土類(lèi)燒結(jié)磁體，其表面積/體積的比為2mm-1以上、體積為100mm3以下，具備取向?yàn)榇艌?chǎng)取向方向的R-Fe-B系強(qiáng)磁性相，其中，R為至少一種稀土類(lèi)元素；位于所述R-Fe-B系強(qiáng)磁性相的晶界的晶界相；和由機(jī)械加工形成的加工表面，對(duì)所述加工表面中橫切所述磁場(chǎng)取向方向的面進(jìn)行研磨，使得其表面粗糙度Ra為0.3μm以下。
14.如權(quán)利要求
13所述的稀土類(lèi)燒結(jié)磁體，其特征在于，所述加工表面中與所述磁場(chǎng)取向方向平行的面的面積為所述加工表面的總面積的50％以下。
15.如權(quán)利要求
13或14所述的稀土類(lèi)燒結(jié)磁體，其特征在于，與所述加工表面中的橫切所述磁場(chǎng)取向方向的面垂直的法線，與所述磁場(chǎng)取向方向的角度為30°以下。
16.如權(quán)利要求
15所述的稀土類(lèi)燒結(jié)磁體，其特征在于，所述加工表面中的橫切所述磁場(chǎng)取向方向的面為平坦的。
17.如權(quán)利要求
16所述的稀土類(lèi)燒結(jié)磁體，其特征在于，所述加工表面中的橫切所述磁場(chǎng)取向方向的面，垂直地橫切所述磁場(chǎng)取向方向。
18.如權(quán)利要求
13所述的稀土類(lèi)燒結(jié)磁體，其特征在于，厚度方向與所述磁場(chǎng)取向方向平行，且具有厚度為1mm以下的平板形狀，所述加工表面中的橫切所述磁場(chǎng)取向方向的面是平板形狀的上面和下面中的至少一個(gè)。
19.如權(quán)利要求
13～18中任一項(xiàng)所述的稀土類(lèi)磁體，其特征在于，具備覆蓋所述加工表面的至少一部分的金屬膜，所述金屬膜由選自Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、Hf、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Ta、W、Re、Ir、Pt、Au和Bi中的至少一種金屬或合金形成。
20.一種稀土類(lèi)燒結(jié)磁體的制造方法，用于制造表面積/體積的比為2mm-1以上、體積為100mm3以下的稀土類(lèi)燒結(jié)磁體，包括準(zhǔn)備稀土類(lèi)燒結(jié)磁體塊的工序，該稀土類(lèi)燒結(jié)磁體塊具備取向?yàn)榇艌?chǎng)取向方向的R-Fe-B系強(qiáng)磁性相，和位于所述R-Fe-B系強(qiáng)磁性相的晶界的晶界相，其中R為至少一種稀土類(lèi)元素；通過(guò)對(duì)所述稀土類(lèi)燒結(jié)磁體塊實(shí)施機(jī)械加工，形成包含橫切所述磁場(chǎng)取向方向的面的加工表面的工序；和通過(guò)對(duì)所述加工表面中的橫切所述磁場(chǎng)取向方向的面進(jìn)行研磨，使研磨面的表面粗糙度Ra為0.3μm以下的工序。
21.如權(quán)利要求
20所述的制造方法，其特征在于，所述加工表面中的與所述磁場(chǎng)取向方向平行的面的面積為所述加工表面的總面積的50％以下。
22.如權(quán)利要求
20或21所述的制造方法，其特征在于，將與所述加工表面中的橫切所述磁場(chǎng)取向方向的面垂直的法線，與所述磁場(chǎng)取向方向的角度設(shè)定為30°以下。
23.如權(quán)利要求
22所述的制造方法，其特征在于，將所述加工表面中的橫切所述磁場(chǎng)取向方向的面加工為平坦的。
24.如權(quán)利要求
23所述的制造方法，其特征在于，所述加工表面中的橫切所述磁場(chǎng)取向方向的面，垂直地橫切所述磁場(chǎng)取向方向。
25.如權(quán)利要求
20所述的制造方法，其特征在于，厚度方向與所述磁場(chǎng)取向方向平行、且具有厚度1mm以下的平板形狀，加工所述燒結(jié)磁體塊，使得所述加工表面中的橫切所述磁場(chǎng)取向方向的面為平板形狀的上面和下面中的至少一個(gè)。
26.如權(quán)利要求
20～25中任一項(xiàng)所述的制造方法，其特征在于，還含有在所述加工表面的至少一部分上堆積由選自Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、Hf、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Ta、W、Re、Ir、Pt、Au和Bi中的至少一種金屬或合金形成的金屬膜的工序。
專(zhuān)利摘要
本發(fā)明提供一種稀土類(lèi)磁體，其表面積/體積的比為2mm
文檔編號(hào)H01F7/02GK1993779SQ200680000509
公開(kāi)日2007年7月4日 申請(qǐng)日期2006年2月9日
發(fā)明者深川智機(jī), 松浦裕, 能見(jiàn)正夫 申請(qǐng)人:株式會(huì)社新王磁材導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan