專利名稱：一種固態(tài)開關(guān)器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種固態(tài)開關(guān)器件，特別涉及一種用氧化物超導(dǎo)材料制成、能在室溫下工作的固態(tài)高速開關(guān)器件。
現(xiàn)有固態(tài)開關(guān)器件多半是由半導(dǎo)體材料制成，它對(duì)材料與加工工藝的要求很高、成本昂貴，特別是目前在提高開關(guān)速度改善性能方面受到限制。
本發(fā)明的目的在于，利用一種易得的廉價(jià)材料經(jīng)過簡(jiǎn)單的工藝步驟能夠生產(chǎn)出開關(guān)速度更高、性能更好的固態(tài)開關(guān)器件，從而克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷。
本發(fā)明用氧化物超導(dǎo)材料作基體，在基體兩端制作金屬電極作為開關(guān)器件的引接端，并在兩端之間淀積一層半導(dǎo)體膜和金屬膜電極形成控制端。盡管氧化物超導(dǎo)體在液氮溫區(qū)實(shí)現(xiàn)零電阻，但室溫下它的電阻一般仍然較高，但在控制端一旦施加電壓，氧化物超導(dǎo)體的兩引接端立即導(dǎo)通，電壓去除后又恢復(fù)為高阻。用這樣的結(jié)構(gòu)和方法制成的在室溫下運(yùn)用的開關(guān)器件，它的開關(guān)速度與控制靈敏度均比現(xiàn)有器件更加優(yōu)越。此外，它還兼有制作簡(jiǎn)單，成本低廉的優(yōu)點(diǎn)。
附圖示出本發(fā)明用氧化物超導(dǎo)材料制備固態(tài)高速開關(guān)器件一項(xiàng)實(shí)施例的示意圖。該實(shí)施例選用淀積在絕緣襯底(1)上的釔鋇銅氧化物超導(dǎo)薄膜(2)，在其兩端各有一塊金的薄膜電極(3)，在中間淀積一塊硅膜(4)，硅膜上覆蓋鈦膜(5)和金膜(6)。


附圖為本發(fā)明用氧化物超導(dǎo)材料制備固態(tài)高速開關(guān)器件一項(xiàng)實(shí)施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，其中1為絕緣襯底，2為釔鋇銅氧化物超導(dǎo)薄膜，3為金薄膜電極引接端，4為硅膜，5為鈦膜，6為金膜控制端。
權(quán)利要求
1.一種在室溫下運(yùn)用的固態(tài)開關(guān)器件，其特征為，它用氧化物超導(dǎo)體作基體，并以鍍有金屬電極的基體兩端作開關(guān)器件的引接端，在兩端之間淀積一層半導(dǎo)體膜，并在其上鍍復(fù)金屬膜電極作為控制端。
2.按照權(quán)利要求1所述固態(tài)開關(guān)器件的特征為，所述氧化物超導(dǎo)體的基體是淀積在絕緣襯底上的一層釔鋇銅氧化物超導(dǎo)薄膜。
3.按照權(quán)利要求1和2所述固態(tài)開關(guān)器件的特征為，兩個(gè)引接端鍍有金屬的電極是鍍金的電極。
4.按照權(quán)利要求1和2所述固態(tài)開關(guān)器件的特征為，在兩個(gè)引接端之間淀積的一層半導(dǎo)體膜是一層硅膜。
5.按照權(quán)利要求4所述固態(tài)開關(guān)器件的特征為，在硅膜上鍍復(fù)的金屬膜電極是一層鈦膜加一層金膜。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用氧化物超導(dǎo)體作基體的固態(tài)開關(guān)器件，基體兩端鍍有金屬電極作為開關(guān)器件的引接端，在其間的基體上淀積一層半導(dǎo)體膜并鍍復(fù)金屬電極作為控制端。這種器件可在室溫下運(yùn)用，并比現(xiàn)有器件的開關(guān)速度和控制靈敏度更加優(yōu)越，它還兼有制作簡(jiǎn)單、成本低廉的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01F1/10GK1037992SQ8810299
公開日1989年12月13日 申請(qǐng)日期1988年5月24日 優(yōu)先權(quán)日1988年5月24日
發(fā)明者徐鴻達(dá) 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所