專利名稱：高效太陽能轉(zhuǎn)換復(fù)合光電極其制造工藝及用途的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種高效太陽能轉(zhuǎn)換復(fù)合光電極，其制造工藝及用途，屬于包括AIIBVI、AIIIBV及IV族兩組或兩組以上無機光電半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域。
自從1971年日本人Fujishima和Honda首先證實在光電化學(xué)太陽電池中，用TiO2半導(dǎo)體電極光電解水分子以獲取氫燃料的可行性后，在全世界出現(xiàn)了研究熱潮，但這一熱潮至八十年代中期開始冷下來，這是因為人們遇到了一個難以克服的困難，即半導(dǎo)體材料的能隙(Eg)和材料的頻率響應(yīng)范圍之間的矛盾，水分子分解能量是1.23eV，再加上H2和O2釋放時要求的約0.7eV的超電勢能量，只有寬能隙的半導(dǎo)體，如TiO2、GaP等(它們的能隙分別為2.95和2.25eV)才可能被用來做光電極，但是這些材料對應(yīng)的紅限頻率均位于太陽光譜的紫端，其頻率響應(yīng)范圍只能復(fù)蓋太陽光譜的極小部分(約5％左右)，因此光化轉(zhuǎn)換效率注定是很低的，大約為1％。事實上效率低于8％就失去實用價值。如果選用能隙較小的半導(dǎo)體材料做光電極，例如單晶GaAs，它的光譜響應(yīng)曲線位置被認(rèn)為是最理想的，但其輸出電壓遠(yuǎn)不能滿足分解水分子的熱力學(xué)和動力學(xué)條件，為解決上述困難，本發(fā)明人曾在一篇題為《提高光電化學(xué)太陽電池能量轉(zhuǎn)換效率的新材料研究》(Theoretical Investigation on New Materials for RaisingEfficiency of Energy Conversion in PEC Solar Cells，《SolarEnergy Materials and Solar Cells》，30(1993)61-64，North-Holland)的論文中提出了采用N-P-P+三層半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)光電極的設(shè)想，并篩選出若干種能隙合適而晶格常數(shù)又接近的半導(dǎo)體材料，其中包括ZnSe，GaAs，YP及Ge等，這些材料的配合可望解決長期來阻礙光電極技術(shù)發(fā)展的圍難，即寬能隙與窄頻率響應(yīng)范圍之間的矛盾。這一設(shè)想在理論上是對光電極技術(shù)領(lǐng)域的一個重大突破，但由于P型半導(dǎo)體的滲雜在技術(shù)上有較高難度，目前P+型ZnSe半導(dǎo)體的滲雜濃度一般只能達到1017cm-3左右，不能滿足復(fù)合光電極的需要，而且該文中也沒有公開各層材料的厚度和摻雜濃度等關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)及相應(yīng)的制作工藝，所以這一設(shè)想的提出并沒有公開一種完整的可實施的技術(shù)方案。
本發(fā)明的目的在于公開一種高效三層半導(dǎo)體復(fù)合光電極的完整的技術(shù)方案，本發(fā)明的目的還在于公開上述復(fù)合光電極的制造工藝及其用途。
為實現(xiàn)本發(fā)明任務(wù)，本發(fā)明給出的三層結(jié)構(gòu)復(fù)合光電極，各功能層半導(dǎo)體材料的選擇至少包括兩種直接躍遷型材料GaAs和ZnSe，各功能層半導(dǎo)體均為摻雜濃度呈梯度分布的梯度摻雜半導(dǎo)體，并且1.所述GaAs為N型半導(dǎo)體，作為復(fù)合光電極的中間層，即第二功能層，其厚度為0.5～3μm，滲雜濃度為1×1017—1×1018cm-3，2.與所述GaAs相鄰的另外兩種半導(dǎo)體材料一種為N+型，其滲雜濃度為1×1010—1×1019cm-，另一種為P型，其滲雜濃為1×1017—1×1018cm-3，3.組成復(fù)合光電極的三層半導(dǎo)體材料的滲雜濃度在界面呈緩變梯度關(guān)系，分別形成二個異質(zhì)緩變結(jié)，一個是P-N結(jié)，另一個是N-N+結(jié)。
除上述GaAs和ZnSe外，本發(fā)明所選的第三種材料有兩種方案，一種是選用直接躍遷型YP，與GaAs和ZnSe構(gòu)成薄膜型復(fù)合光電極，兩側(cè)功能層，即一、三功能層的厚度均為0.3—3μm；另一種是選用間接躍遷型Ge作為第一功能層且兼作復(fù)合光電極的襯底，其厚度為0.1-0.5mm，所述的ZnSe作為外層，即第三功能層，厚度為0.2-2μm。
上述技術(shù)方案的關(guān)鍵是給出了三層復(fù)合材料的最佳選擇，實現(xiàn)材料的能隙和光譜響應(yīng)特性互補，并使得它們之間的晶格匹配良好，可以形成優(yōu)良的單晶復(fù)合；還給出了所選材料的半導(dǎo)體類型搭配，即N+—N—P型從而避開了滲雜高濃度P+型半導(dǎo)體的困難；對于滲雜濃度分布和各功能層厚度的限定，可有效提高光生載流子的收集率，降低，電極內(nèi)阻。這種復(fù)合光電極具有輸出電壓高和能量復(fù)蓋頻帶寬兩大優(yōu)點。在陽光照射時，各功能層分別吸收陽光中的高、中、低能光子，形成各自的窄峰形響應(yīng)曲線，它們迭加的總響應(yīng)曲線可以復(fù)蓋太陽光譜的主要范圍。根據(jù)AM1.5條件下陽光光譜能量數(shù)據(jù)可知，這種設(shè)計的能量復(fù)蓋率在90％以上，能充分利用陽光能量，使能量轉(zhuǎn)換效率可提高到約30％。
所述復(fù)合光電極的制作工藝，按照第一功能層躍遷類型的不同，分別采用以下兩種方法當(dāng)?shù)谝还δ軐訛橹苯榆S遷型材料，如ZnSe或YP時，其工藝步驟為在GaAs單晶片襯底上生長約5μm厚的Ga0.3Al0.7As緩沖層，再依次生長第一、第二和第三功能層；然后在第三功能層上設(shè)置良好歐姆接觸的金屬電極；再浸入HF酸腐蝕液中將所述緩沖層腐蝕掉，使襯底與復(fù)合光電極剝離；在暴露出的第一功能層表面可鍍上Pt、Ru等金屬島層，用以防止光電極溶解。所用襯底及緩沖層與第一功能層具有相同的P或N型類型，它們的名義滲雜濃度為1×1018cm-3。在進行N-GaAs為襯底的復(fù)合光電極生長時緩沖層與第一功能層交界處，緩沖層的滲雜濃度有一個向第一功能層接近的梯度過渡。剝離下來的襯底可供多次使用，以降低制作成本。襯底厚度約0.3mm。
當(dāng)?shù)谝还δ軐訛殚g接躍遷型Ge時，其工藝步驟為在0.1-0.5mm的襯底Ge上直接依次生長第二、第三功能層GaAs、ZnSe；再把襯底Ge的暴露面設(shè)置良好歐姆接觸的金屬電極；在第三功能層的光照面上可鍍上Pt、Ru等金屬島層。所述的晶體生長技術(shù)可采用下列技術(shù)之一氣相外延(VPE)，液相外延(LPE)及金屬有機化學(xué)氣相沉積(MOCVD)等。
這種復(fù)合光電極用于光電化學(xué)太陽電池，可克服現(xiàn)有光電化學(xué)太陽電池的頻率響應(yīng)范圍和輸出電壓無法兼顧的致命弱點，把利用太陽能分解水獲取氫燃料的能量轉(zhuǎn)換效率提高到30％左右；這種高效高輸出電壓的光化太陽電池同樣可用于降解污水中的大分子。
這種復(fù)合光電極還可直接用于光伏太陽電池，使現(xiàn)有技術(shù)中15％左右的光電轉(zhuǎn)換效率提高到30％左右。
下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作具體說明。


圖1--圖4為四種直接躍遷型薄膜復(fù)合光電極結(jié)構(gòu)。
圖5為摻雜濃度曲線圖。
圖6為剝離后薄膜電極結(jié)構(gòu)。
圖7和圖8為兩種采用Ge為襯底的復(fù)合光電極結(jié)構(gòu)。
圖9為本發(fā)明所選四種功能半導(dǎo)體材料的光譜響應(yīng)曲線與AM1.5條件下太陽光譜的相對波長位置關(guān)系圖。
圖10為驗證用雙層復(fù)合光電極結(jié)構(gòu)及對應(yīng)滲雜濃度曲線。
圖11為該實驗的光譜響應(yīng)曲線圖。
圖12和圖13分別表示復(fù)合光電極組成光化太陽電池時無光照和光照后工作原理圖。
圖14為光伏太陽電池結(jié)構(gòu)圖。
圖15為光化太陽電池結(jié)構(gòu)圖。
圖1--圖4中所示的四種復(fù)合光電極，其三層功能層選用了直接躍遷型材料YP，GaAs和ZnSe，這三種材料按其生長秩序排列方式及P-N-N+半導(dǎo)體類型的組合，共存在四種結(jié)構(gòu)。按生長秩序排列分別為第一種(圖1)N+-ZnSe，N-GaAs，P-YP，第二種(圖2)P-ZnSe，N-GaAs，N+P，第三種(圖3)N+-YP，N-GaAs，PZnSe，第四種(圖4)P-YP，N-GaAs，N+-ZnSe。其中，第一、二功能層厚度為0.5-3μm，三層功能層的總厚度為3-9μm。制作時這四種電極均以GaAs為襯底，襯底厚度約0.3mm，在襯底上先生長一層約5μm的Ga0.3Al0.7As緩沖層2，然后再依次生長三層功能層3、4、5。襯底與緩沖層的類型與第一功能層3相同，如圖1中第一功能層3為N+-ZnSe，那么襯底1為N-GaAs，緩沖層2為N-Ga0.3Al0.7As。
各層材料的滲雜濃度分布如圖5所示。圖中實線表示圖1所示實例的摻雜濃度分布，虛線表示圖2所示實例的摻雜濃度分布。當(dāng)襯底1為N-GaAs時，襯底1與緩沖層2的滲雜濃度從1×1019cm-3開始，在接近第一功能層3時，其摻雜濃度有一個向1014cm-3的遞增過渡，這一過渡控制不需十分嚴(yán)格，因為緩沖層2不是功能層。從第一功能層3開始的三層功能層34和5的摻雜濃度按漸變梯度關(guān)系加以控制，使每功能層半導(dǎo)體成為梯度摻雜半導(dǎo)體，而在相鄰功能層界面形成異質(zhì)緩變結(jié)。圖中的曲線是示意性的，實際的梯度分布曲線是階梯形，整個摻雜工藝由計算機加以控制。由于光生載流子需要結(jié)電場的作用才能對光電轉(zhuǎn)換作出實際貢獻，換言之，主要的光電轉(zhuǎn)換效應(yīng)是發(fā)生在半導(dǎo)體的結(jié)電場或結(jié)電場附近，所以必須選用梯度摻雜半導(dǎo)體材料，并在功能層之間形成異質(zhì)緩變結(jié)，使結(jié)電場及其影響區(qū)域擴展到整個功能層，以提高光生載流子的收集率。
緩沖層2是一種易被氫氟酸腐蝕的材料，又是一種晶格常數(shù)與所選襯底材料和功能層材料YP、ZnSe十分接近的材料，當(dāng)功能層3、4、5生長完畢后可以將復(fù)合材料一起浸入腐蝕液中將緩沖層2腐蝕掉，使上部功能層與襯底1剝離，這樣價格高的GaAs襯板可使用多次。
考慮到剝離后的功能層厚度太薄，不超過10μm，強度低，再加工時操作性差，所以實際制作工藝是在功能層晶體生長完畢后先在第三功能層5的暴露面上蒸鍍Al-Ag薄層，然后設(shè)置良好歐姆接觸的金屬電極6，接著將表面上涂上石蠟，再用HF腐蝕，形成如圖6所示復(fù)合光電極。最后可在光照面上鍍上Pt Ru等金屬島層。
圖7和圖8例舉了兩種第一功能層7采用間接躍遷型Ge片厚度0.1-0.5mm兼作襯底，第二、三功能層8、9依次在其上生長，第二功能層8的厚度為0.5-3μm，第三功能層9的厚度為0.2-2μm。這種復(fù)合光電極不再需要剝離，直接在第一功能層7的暴露面上設(shè)置良好歐姆接觸的金屬電極，以第三功能層9的暴露面作為光照面。這兩種復(fù)合光電極的第二功能層8仍采用直接躍遷型N-GaAs梯度材料。第三功能層為直接躍遷型ZnSe，它的類型仍有兩和選擇N+和P型。當(dāng)采用N+-ZnSe時第一功能層7為P-Ge，如圖7所示；當(dāng)采用P-ZnSe時第一功能層7為N+-Ge，如圖8所示，在相鄰功能層之間仍形成異質(zhì)緩變結(jié)。同樣，光照面上可鍍上Pt，Ru等金屬島層，用以保護復(fù)合材料。
晶體生長可采用下列技術(shù)之一，氣相外延(VPE)，液相外延(LPE)或金屬有機化學(xué)氣相沉積(MOCVD)等。
上面所列舉的六種復(fù)合光電極共涉及五種半導(dǎo)體材料，它們的一些最重要的性質(zhì)列在表1之中
表1
從表1可知，這些材料的晶格常數(shù)十分接近，這一性質(zhì)為異質(zhì)單晶生長奠定良好基礎(chǔ)。但GaAs與ZnSe兩者之間還存在0.28％的晶格失配，一種縮小它們之間晶格常數(shù)差距的辦法是在ZnSe中摻雜S。由于S與Se為同族元素，它的原子半徑略小，摻雜后晶體ZnSe的晶格常數(shù)較不摻雜S的ZnSe降低。這樣無論是在GaAs上生長ZnSe還是在ZnSe上生長GaAs，均可獲得優(yōu)良的異質(zhì)單晶。
上面所涉及的四種功能半導(dǎo)體材料的能隙所對應(yīng)的紅限波長位置和太陽、光譜的相對波長位置關(guān)系，表示在圖9中。所選的材料吸收陽光中的不同能量光子后，形成各自的窄峰形響應(yīng)曲線，雖然它們各自遠(yuǎn)不能復(fù)蓋整個太陽光譜，但它們迭加的總響應(yīng)曲線卻可以復(fù)蓋太陽光譜的主要范圍，根據(jù)AM1.5條件下陽光光譜能量數(shù)據(jù)可知，這種設(shè)計的能量復(fù)蓋率在90％以上，能充分利用能量，使能量轉(zhuǎn)換效率可大幅度提高到30％。左右采用復(fù)合半導(dǎo)體材料組成光電極，目的在于既提高電極的開路光電壓又展寬其光譜響應(yīng)曲線。為證實復(fù)合光電極的兩大特點，我們將只有一層的N-GaAs光電極與具有二層功能層的光電極N-GaAs/P-Ga0.8Al0.7As作了測試對比。實驗用的二層復(fù)合光電極的結(jié)構(gòu)及相應(yīng)摻雜濃度曲線如圖10所示，圖中光電極自下面上為襯底10，N-GaAs，0.3mm，緩沖層11，N-GaAs，0.5mm，第一功能層12，N-GaAs，2mm，異質(zhì)結(jié)13,500，第二功能層14，P-Ga0.8AlO.2As，0.5μm摻雜濃度自第一功能層12開始由1018cm-3。按梯度下降，到達異質(zhì)結(jié)13時為1017cm-3，然后在第二功能層14按梯度上升至1018cm-3，該電極是用MOCVD技術(shù)生長的。實測該雙層復(fù)合光電極的開路光電壓為0.6394V，而對照組單層N-GaAs的開路光電壓為0.1789V，光電壓增量為0.46V，這個數(shù)值與復(fù)合光電極所用兩種材料的能隙差0.47ev相吻合(Ga0.8Al0.2As的Eg＝1.90eV，GaAs的Eg＝1.43eV)。這一事實表明由于擴散力對光生載流子做功的結(jié)果，使得復(fù)合光電極中具有較低能量羞的電子—空穴光生載流子被加能為具有較高能量差的光生載流子，換言之，復(fù)合光電極的開路光電壓由組成該電極材料中的最大的一個能隙值決定。
圖11給出上述實驗用復(fù)合光電極與對照組光譜響應(yīng)特性曲線，復(fù)合光電極的SRC曲線已經(jīng)明顯得到展寬。
下面以圖12和圖13說明復(fù)合光電極在光電化學(xué)太陽電池中的工作機理。圖12為無光照平衡態(tài)時光電化學(xué)太陽電池的能量關(guān)系圖，圖13則為有光照非平衡態(tài)時能量關(guān)系圖。圖中由P-YP，N-GaAs和N+-ZnSe組成復(fù)合光電極的三個功能層5，4和3，金屬6作為復(fù)合光電極的電極，Pt電極20作為太陽電池的陰極。無光照時由于復(fù)合光電極各功能層中的多數(shù)載流子的擴散作用在兩個異質(zhì)緩變結(jié)P-N結(jié)21和N-N+結(jié)22建立結(jié)電場，這一電場阻礙多數(shù)載流子繼續(xù)擴散。體系達到平衡時擴散力等于電場力。同樣道理，在半導(dǎo)體功能層3與電解質(zhì)，23界面以及功能層5與金屬電極6界面處也形成能帶彎曲，在固液面能帶彎曲是十分明顯的。圖中Ef為弗米能級，Vfb為平帶電勢。
有光照時復(fù)合功能層產(chǎn)生的光生載流子，即非平衡態(tài)載流子，被兩個串聯(lián)的異質(zhì)緩變結(jié)電場分離，光生電子右移，在結(jié)電場的右邊積累，光生空穴左移，在結(jié)電場左邊積累。由于固液界面肖特基墊壘的阻礙，上述非平衡態(tài)載流子的積累相當(dāng)于給兩個異質(zhì)緩變結(jié)加上偏壓，破壞了無光照時建立的平衡，在擴散力作用下，多數(shù)載流子重新流動起來，電子從右向左，空穴由左向右。當(dāng)回路閉合時形成參與光電化學(xué)反應(yīng)的光電流I。輸出的電子與空穴間能量羞近似地等于復(fù)合光電極的最大能隙值，即ZnSe的Eg2.58eV，H2/H2O與OH-/O2的能級差為1.23eV，與溶液直接接觸的N+型ZnSe的平帶電勢Vfb＝0.28Vvs。SCE(IN KCD，它比H2/H2O能級，-0.49Vvs.SCE，更低，因此能級H2/H2O和OH-/O2正好落在ZnSe的禁帶中間，使空穴能自動流向能量較低的OH-/H2O，實現(xiàn)水的光電化學(xué)分解，可以通過改變?nèi)芤悍N類，溶質(zhì)濃度來調(diào)整電極平帶電勢的絕對位置，使這些能級位置處最佳配合狀態(tài)，以保證在不同的具體條件下完全滿足光化反應(yīng)要求的熱力學(xué)、動力學(xué)條件。圖中nEf+、pEf+為電子和空穴的準(zhǔn)弗米能級。
下面為用所述復(fù)合光電極制成的光伏太陽電池和光化太陽電池結(jié)構(gòu)示意圖。
圖14中以薄膜型電極N+-ZnSe，N-GaAs，P-YP為例說明光伏太陽電池結(jié)構(gòu)。復(fù)合光電極30的P-YP層經(jīng)Al-Ag蒸鍍層31與銅金屬片32良好歐姆接觸，金屬片32引出殼外，作為光伏電池正極。在復(fù)合光電極30的光照面即N--ZnSe的暴露面之上設(shè)有光柵格狀電極33，作為電池負(fù)極，在柵格的中間為減反膜層34，殼32的最上端為玻璃板35。這種光伏太陽電池的效率較使用單層GaAs的光伏電池的效率可提高約1倍。
圖15中仍以P-YP，N-GaAs，N--ZnSe復(fù)合光電極為例說明光化太陽電池結(jié)構(gòu)，這里復(fù)合光電極30的下部金屬片32為Pt或Ni材料，作為光化電池陰極，其上部光照面鍍有金屬島層保護層37，電極四周以環(huán)氧樹脂36密封保護。上部電解質(zhì)溶液38為陽極區(qū)，在電極上發(fā)生氧化反應(yīng)，下部電解質(zhì)溶液39為陰極區(qū)，在金屬片32上發(fā)生還厚反應(yīng)。O2與H2分別經(jīng)殼體上部的右端和左端收集排出，在上下電解質(zhì)溶液的交界處設(shè)有鹽橋膜40，作為光化電池陰陽極的隔離膜。
權(quán)利要求
1.一種高效太陽能轉(zhuǎn)換復(fù)合光電極，由三層復(fù)合半導(dǎo)體單晶材料組成，其特征在于所述三層半導(dǎo)體材料中至少包括兩種直接躍遷型材料GaAs和ZnSe，各功能半導(dǎo)體材料均為梯度摻雜半導(dǎo)體，并且(1)所述GaAs為N型，作為復(fù)合光電極的中間層，厚度為0.5～3μm，摻雜濃度為1×1017-1×1018cm-3，(2)與GaAs相鄰的另外兩種半導(dǎo)體材料，一種為N+型，其摻雜濃度為1×1018—1×1019cm-3，另一種為P型，其滲雜濃度為1×1017－1×104cm-3，(3)組成復(fù)合光電極的三層半導(dǎo)體材料的摻雜濃度在它們相互接合的界面呈緩變梯度關(guān)系，分別形成二個異質(zhì)緩變結(jié)，一個是P-N結(jié)，另一個是N-N+結(jié)。
2.按權(quán)利要求1所述的高效太陽能轉(zhuǎn)換復(fù)合光電極，其特征在于所述復(fù)合光電極的第三種半導(dǎo)體材料為直接躍遷型YP，與所述的GaAs和ZnSe構(gòu)成薄膜型復(fù)合光電極，其兩側(cè)功能層厚度各為0.3～3μm。
3.按權(quán)利要求2所述的高效太陽能轉(zhuǎn)換復(fù)合光電極，其特征是所述復(fù)臺光電極三層功能層的總厚度大于3μm。
4.按權(quán)利要求2或3所述的高效太陽能轉(zhuǎn)換復(fù)合光電極，其特征是所述的ZnSe材料中摻雜元素S。5.按權(quán)利要求1所述的高效太陽能轉(zhuǎn)換復(fù)合光電極，其特征在于所述復(fù)合光電極的第三種半導(dǎo)體材料為間接躍遷型Ge，兼作電極的襯底，其厚度為0.1-0.5mm，所述的ZnSe為外層功能層，其厚度為0.2-2μm。
6.按權(quán)利要求5所述的高效太陽能轉(zhuǎn)換復(fù)合光電極，其特征是所述的ZnSe材料中摻雜元素S。
7.按權(quán)利要求1所述的高效太陽能轉(zhuǎn)換復(fù)合光電極的制作工藝，其特征在于以GaAs為襯底，在襯底上用單晶生長方法先生長一層緩沖層，然后再依次生長由ZnSe、GaAs和YP組成的各功能層，所述緩沖層為Ga0.3Al0.7As，襯底和緩沖層的名義摻雜濃度為1×1018cm-3，它們和與緩沖層相鄰的第一功能層具有相同的P型或N型類型，緩沖層的名義厚度為5μm，襯底的名義厚度為0.3mm，最后用氫氟酸腐蝕緩沖層，將功能層與襯底剝離。
8.按權(quán)利要求7所述的高效太陽能轉(zhuǎn)換復(fù)合光電極，其特征在于在剝離工序之前先在復(fù)合光電極的外層功能層的暴露面上蒸鍍Al-Ag層后安置良好歐姆接觸的金屬片。
9.按權(quán)利要求7或8所述的高效太陽能轉(zhuǎn)換復(fù)合光電極，其特征在于當(dāng)復(fù)合光電極的第一功能層為N+型時，所述緩沖層的晶體生長在鄰近第一功能層區(qū)域其摻雜濃度控制由1×1013向1×1019cm-3過渡。
10.按權(quán)利要求1所述的高效太陽能復(fù)合光電極的制作工藝，其特征在于以Ge為襯底，在其上用單晶生長工藝依次生長第二功能層GaAs和第三功能層ZnSe，然后在所述襯底的暴露面安置良好歐姆接觸的金屬片。
11.按權(quán)利要求1所述的高效太陽能復(fù)合光電極，作為光電化學(xué)太陽電池電極或光伏太陽電池的電極。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種高效太陽能轉(zhuǎn)換復(fù)合光電極，是為復(fù)合光電極理論所提供的完整的技術(shù)方案，以ZnSe GaAs，YP或Ge組成復(fù)合光電極，采用N
文檔編號H01L31/04GK1120244SQ9410705
公開日1996年4月10日 申請日期1994年6月11日 優(yōu)先權(quán)日1994年6月11日
發(fā)明者李國昌, 李果華 申請人:李國昌, 李果華