專利名稱：檢測晶片缺陷的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總的說來涉及一種檢測晶片缺陷的方法，更詳細(xì)地說，涉及一平面晶片邊緣部分的假芯片形成，該假芯片用作校準(zhǔn)標(biāo)記，從而在以后的處理過程中可以保持晶片缺陷的數(shù)據(jù)。
半導(dǎo)體器件是通過在晶片上實(shí)施許多加工處理步驟而獲得的。用缺陷檢測裝置通過檢測每一步驟中可能產(chǎn)生的各種缺陷，并快速而順暢地分析這些缺陷的原因，可以提高半導(dǎo)體器件的可靠性和產(chǎn)量。
為了得到一個平整晶片(如一完好晶片、一良好成形的晶片或一薄膜淀積的晶片)，從半導(dǎo)體器件制作方法的開始步驟起至形成元件隔離膜之前的那一步驟，是沒有較準(zhǔn)標(biāo)記在晶片上形成的。
當(dāng)通過一檢測儀器來檢測沒有較準(zhǔn)標(biāo)記的平整晶片時，要確定平整晶片上缺陷的大小和座標(biāo)(x，y)。然而，當(dāng)從儀器上取下晶片以后檢驗(yàn)晶片缺陷時，因?yàn)榫毕莸臋z驗(yàn)是在沒有校準(zhǔn)標(biāo)記(晶片參考基準(zhǔn))的情況下進(jìn)行的，所以無法找到那些預(yù)先確定的座標(biāo)。這就是說，可以預(yù)計(jì)沒有校準(zhǔn)標(biāo)記的晶片在缺陷數(shù)據(jù)的應(yīng)用中是不起作用的。這是由于盡管在元件隔離步驟之前存在檢測到的缺陷座標(biāo)和大小之類的信息，但是晶片中沒有參考座標(biāo)無法使檢測到的座標(biāo)和大小正確地與元件隔離步驟之前采用圖案中某一特定點(diǎn)作為參考基準(zhǔn)進(jìn)行檢驗(yàn)的缺陷數(shù)據(jù)聯(lián)系在一起。因此，研究人員在缺陷分?jǐn)嘀锌偸怯X得很困難，因?yàn)樗麄儫o法知道缺陷是在哪些步驟產(chǎn)生的，以及這些缺陷是如何發(fā)展的。
因此，本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中所遇到的上述問題，并提供一種檢測晶片缺陷的方法，這種方法通過在晶片邊緣部分形成校準(zhǔn)標(biāo)記，在后續(xù)工序?qū)?shù)據(jù)用于缺陷，而盡可能地減小對后續(xù)工序的影響。
按照本發(fā)明，上述目的可以通過提供一種檢測晶片缺陷的方法來實(shí)現(xiàn)，該方法包括下述步驟在一平整晶片的邊緣部分形成一用作較準(zhǔn)標(biāo)記的假芯片，而所述邊緣部分沒有圖案芯片；將該晶片放到一缺陷檢測儀內(nèi)；調(diào)整假芯片的邊緣部分；觀察晶片缺陷，給出缺陷數(shù)據(jù)；并繼續(xù)后續(xù)工序。


圖1是描述晶片邊緣部分處形成的假芯片的頂視圖，該假芯片用作校準(zhǔn)標(biāo)記。
在結(jié)合附圖描述了本發(fā)明較佳實(shí)施例的應(yīng)用后，將有利于更好地理解本發(fā)明。
參見圖1。圖1是一平整晶片2的頂視圖，用作校準(zhǔn)標(biāo)記的假芯片4形成在沒有圖案芯片的區(qū)域(圖中用虛線表示)處，假芯片是一種矩形凸起的或凹陷的光敏膜圖案。
當(dāng)形成用于分擋器(stepper)的十字線掩膜(reticle mask)時，采用一種作業(yè)文件程序(job file program)，在沒有圖案芯片出現(xiàn)的晶片邊緣處形成兩個假芯片4。
另外，可以將光敏膜圖案形成的假芯片蝕刻至某一特定深度，從而使其能被保持至元件隔離步驟或以后的處理步驟。
在用作平整晶片校準(zhǔn)標(biāo)記的假芯片形成以后，晶片被裝到一缺陷檢測儀內(nèi)，并隨后調(diào)整假芯片的邊緣部分。然后，將平整晶片或精細(xì)區(qū)域上形成的圖案芯片用作單位區(qū)域，檢測平整晶片上的缺陷，給出其座標(biāo)和大小等數(shù)據(jù)。根據(jù)這些數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，確定這些缺陷是否被去除，或者后續(xù)步驟(如元件隔離步驟或圖案形成步驟)是否在缺陷狀態(tài)下進(jìn)行。在實(shí)施了后續(xù)步驟以后，結(jié)合平整晶片上產(chǎn)生的缺陷數(shù)據(jù)，觀察并分析這些圖案缺陷。
缺陷檢測儀指定一個比圖案芯片中重復(fù)圖案大小大的區(qū)域，通過將該區(qū)域與該區(qū)域左邊或右邊的圖案大小進(jìn)行比較，檢測圖案差異，并且當(dāng)該差異超過某一預(yù)定限時，確定缺陷的座標(biāo)。如此檢測的缺陷數(shù)據(jù)被用來改正或彌補(bǔ)后續(xù)步驟處的缺陷，允許在加工缺陷的基礎(chǔ)上容易地分析制作工序。
按照本發(fā)明，對平整晶片的缺陷進(jìn)行檢測，并隨后被用來觀測后續(xù)工序中的加工缺陷，這就使得能夠方便地監(jiān)測晶片缺陷和加工缺陷之間以及加工缺陷自身之間的有機(jī)聯(lián)系。
本領(lǐng)域的專業(yè)人員在閱讀了前述發(fā)明描述以后，將會對本發(fā)明的其他特征、優(yōu)點(diǎn)及實(shí)施例越來越清楚。因此，在不偏離本發(fā)明權(quán)利要求所描述的精神和范圍的情況下，可以在上述發(fā)明的特定實(shí)施例的詳細(xì)描述基礎(chǔ)上，對這些實(shí)施例作各種變化和修正。
權(quán)利要求
1.一種檢測晶片缺陷的方法，其特征在于，它包含下述步驟在一平整晶片的邊緣部分形成用作校準(zhǔn)標(biāo)記的假芯片，所述邊緣部分沒有圖案芯片；將所述晶片放到一缺陷檢測儀內(nèi)；調(diào)整所述假芯片的邊緣部分；觀測晶片缺陷，給出缺陷數(shù)據(jù)；以及實(shí)施后續(xù)工序。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述假芯片是由矩形凸起的或凹陷的光敏膜圖案形成的。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述假芯片有兩個。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述較準(zhǔn)芯片是由刻蝕所述晶片從而它可被用在后續(xù)工序上而形成的。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述平整晶片是一個具有光滑表面的良好晶片或薄膜淀積晶片。
全文摘要
一檢測晶片缺陷的方法，它包括下述步驟在一平整晶片的邊緣部分形成用作校準(zhǔn)標(biāo)記的假芯片，該邊緣部分沒有圖案芯片；將該晶片裝到一缺陷檢測儀中；調(diào)整假芯片的邊緣部分；觀測晶片缺陷，給出缺陷數(shù)據(jù)；并實(shí)施后續(xù)工序，按此采用檢測的缺陷，觀測后續(xù)工序中的缺陷，從而可以方便地監(jiān)測晶片缺陷和加工缺陷之間以及加工缺陷自身之間的有機(jī)聯(lián)系。
文檔編號H01L21/66GK1123911SQ9510756
公開日1996年6月5日 申請日期1995年7月14日 優(yōu)先權(quán)日1994年7月14日
發(fā)明者裵相滿 申請人:現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)株式會社