專利名稱：半導體器件場氧化層的形成方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體器件場氧化層的一種形成方法，更具體地說，涉及一種能最大限度地減少鳥嘴形部分的出現的半導體器件場氧化層的形成方法，減少鳥嘴形部分的具體措施是在氮化層與氧化墊層之間形成多晶硅墊層；在氮化層上繪制線路圖形從而界定出場區(qū)；再在會出現鳥嘴形部分處注入氮原子，由此形成防氧化層。
通常，形成一場氧化層以將各半導體元件隔離開來。


圖1的半導體器件剖視圖用以說明現有技術形成場氧化層的方法。參看圖1，場氧化層是這樣形成的在硅基片1上形成氧化墊層2和氮化層3，再在氮化層3和氧化墊層2上繪制線路圖形從而界定出場區(qū)，然后用離子注入法在硅基片1上形成溝道截斷區(qū)4。
由于形成場氧化層5時，從場氧化層5的邊緣至有源區(qū)形成有鳥嘴形部分B，有源區(qū)縮小了，這給超高集成度集成電路器件的制造帶來了很大的障礙。
因此，本發(fā)明的目的是提供一種通過降止鳥嘴形部分在有源區(qū)的出現能提高半導體器件的產量和可靠性的半導體器件場氧化層的形成方法。
為達到此目的，本發(fā)明的場氧化層形成法包括下列步驟依次在硅基片上形成氧化墊層、多晶硅層和氮化層；在氮化層上繪制線路圖形，限定出場區(qū)，然后形成溝道截斷區(qū)；在露出的多晶硅墊層經選定的部分上繪制光致抗蝕劑圖形，然后往暴露在光致抗蝕劑圖形邊緣的多晶硅墊層中注入氮原子；除去光致抗蝕劑圖形之后進行熱氧化處理，并除去氮化層、多晶硅墊層和氧化墊層，由此形成場氧化層。
為全面了解本發(fā)明的本質和目的，應結合附圖參閱下面的詳細說明。附圖中圖1是說明現有技術形成場氧化層的方法的剖視圖；圖2A至圖2E是說明形成本發(fā)明的半導體器件中場氧化層的各步驟的剖視圖；附圖各視圖中類似的編號表示類似的部分參看圖2A，在硅基片11上依次形成氧化墊層12、多晶硅墊層13和氮化層14。
參看圖2B，用蝕刻法利用隔離掩模極度刻蝕氮化層14使多晶硅墊層13暴露出來，從而界定出場區(qū)，再用離子注入法在硅基片11上形成保護區(qū)15。
參看圖2C，在露出的多晶硅墊層13經選擇的部分上形成光致抗蝕劑圖形16，再在10至30千電子伏特和1×1012～1×1015原子/平方厘米的條件下往光致抗蝕劑圖形16形緣露出的多晶硅墊層13中以離子注入的方式注入氮原子。
氮原子以離子注入的方式注入多晶硅墊層13中在熱氧化處理過程中起防氧化層的作用。這里可以用NH或NO氣來代替氮原子形成防氧化層17。
參看圖2D，光致抗蝕劑16除去之后，用熱氧化法形成預定厚度的場氧化層。這樣，由于注入氮原子形成了防氧化層17，因而不會產生鳥嘴形部分。
參看圖2E，除去剩下的氮化層14、多晶硅墊層13和氧化墊層12，于是就形成了場氧化層18。
綜上所述，本發(fā)明用防氧化層防止了鳥嘴形部分的出現，從而提高了半導體器件的產量和可靠性。
雖然本發(fā)明就其最佳實施例進行介紹是有一定程度的特殊性，但本技術領域的行家們都知道，這里所公開的最佳實施例僅僅是舉例而已，在不脫離本發(fā)明的精神實質和范圍的前提下是可以對其各部分在結構、組合和配置上作種種修改的。
權利要求
1.形成半導體器件場氧化層的一種方法，其特征在于，它包括下列步驟在硅基片上依次形成氧化墊層、多晶硅墊層和氮化層；在所述氮化層上繪制線路圖形界定場區(qū)之后，形成溝道截斷區(qū)；在所述露出的多晶硅墊層經選定的部分形成光致抗蝕劑圖形，再往所述光致抗蝕劑圖形邊緣外露出的所述多晶硅墊層注入氮原子，形成防氧化層；除去所述光致抗蝕劑圖形之后進行熱氧化處理，然后除去所述氮化層、多晶硅墊層和氧化墊層，由此形成氧化層。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述防氧化層是在10至30千電子伏特、1×1012～1×1015原子/平方厘米的條件下注入氮原子形成的。
3.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，用NH3或NO氧體代替氮原子束形成所述防氧化層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種能最大限度地減少鳥嘴出現的半導體器件場氧化層形成方法，減少鳥嘴的具體措施是在氮化層上繪制線路圖形從而界定出場區(qū)；再在本來會出現鳥嘴的部分注入氮原子，由此形成防氧化層。
文檔編號H01L21/32GK1133490SQ9510839
公開日1996年10月16日 申請日期1995年7月6日 優(yōu)先權日1994年7月6日
發(fā)明者樸相勛 申請人:現代電子產業(yè)株式會社