專(zhuān)利名稱(chēng)：采用激光對(duì)產(chǎn)生缺陷的元件進(jìn)行修復(fù)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種采用激光對(duì)在半導(dǎo)體集成電路的制造過(guò)程中產(chǎn)生缺陷的元件進(jìn)行修復(fù)的方法，更具體地講，涉及采用激光對(duì)產(chǎn)生缺陷的元件部位進(jìn)行精確切割，從而修復(fù)產(chǎn)生缺陷的元件的方法。
激光器是一種用來(lái)提供方向性很強(qiáng)的單色光的光學(xué)設(shè)備，由于它能夠在微小區(qū)域上集聚能量，所以已被用于半導(dǎo)體器件制造過(guò)程中的修復(fù)工藝。
換言之，修復(fù)工藝是這樣一種方法，即通過(guò)控制激光束能量并調(diào)節(jié)至元件的產(chǎn)生缺陷的部位，來(lái)切斷熔絲導(dǎo)線，從而修復(fù)產(chǎn)生了缺陷的元件。通常，熔絲導(dǎo)線由多晶硅層或者Polycide線制成。此時(shí)，應(yīng)該注意，當(dāng)激光束的光斑尺寸較大時(shí)，或者激光能量過(guò)大時(shí)，除所選定的熔絲導(dǎo)線之外，相鄰的熔絲導(dǎo)線或襯底會(huì)被損壞。
圖1A是展示熔絲導(dǎo)線的排列和根據(jù)已有技術(shù)用于修復(fù)的激光束照射的平面圖，圖1B是展示熔絲導(dǎo)線的排列和根據(jù)已有技術(shù)用于修復(fù)的激光束照射的截面圖，圖2A是被大功率激光損壞的襯底的平面圖，圖2B是被大功率激光損壞的襯底的截面圖，圖2C是展示非選定的熔絲導(dǎo)線的斷路狀態(tài)的平面圖，這是因?yàn)榧す馐钠扑?。以下將結(jié)合上述各圖來(lái)說(shuō)明已有技術(shù)。這些圖中，標(biāo)號(hào)1表示熔絲導(dǎo)線，2表示激光束，3表示柵氧化層，4表示襯底，5表示絕緣層，6表示襯底被損壞的部分，7表示斷路的導(dǎo)線和襯底材料，8表示非選定導(dǎo)線的斷路部位。
首先，圖1A是平面圖，展示了根據(jù)已有技術(shù)熔絲導(dǎo)線的排列和用于修復(fù)的激光束照射示意圖，圖1B是截面圖，展示了熔絲導(dǎo)線的排列和根據(jù)已有技術(shù)用于修復(fù)的激光束照射。這里，在熔絲導(dǎo)線1之上淀積有絕緣層5，淀積厚度大約為1μm。因此，修復(fù)所用激光的能量水平應(yīng)能使熔絲導(dǎo)線電氣斷路，而不損壞下面的層。
但是，其上有如上所述形成的元件絕緣層的熔絲導(dǎo)線，要求使用高能量激光束，以致難于切斷熔絲導(dǎo)線，并且如圖2A-2C所示，導(dǎo)致非選定的熔絲導(dǎo)線的斷路，并損壞下面的襯底，這是由于沒(méi)有工藝裕度。圖2A是高功率激光損壞的襯底平面圖，圖2B是高功率激光損壞的襯底平面圖，圖2C是平面圖，展示了因激光束偏移而使非選定的熔絲導(dǎo)線斷路的狀態(tài)。
此外，在實(shí)際的修復(fù)工藝中，由于對(duì)熔絲導(dǎo)線的斷路及襯底的損壞的判斷，僅是使用顯微鏡通過(guò)肉眼的識(shí)別來(lái)進(jìn)行的，所以很難適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)激光束的能量。
本發(fā)明的目的在于提供一種采用激光來(lái)修復(fù)產(chǎn)生了缺陷的元件的方法，當(dāng)激光束光斑尺寸遠(yuǎn)大于熔絲導(dǎo)線寬度時(shí)，或者激光束偏移時(shí)，該方法具有能有效地使選定的熔絲導(dǎo)線斷路的工藝裕度。
為此目的，本發(fā)明提供一種采用激光來(lái)修復(fù)產(chǎn)生了缺陷的元件的方法，以在半導(dǎo)體集成電路的制造過(guò)程中使熔絲導(dǎo)線產(chǎn)生了缺陷的部位斷路，其特征在于對(duì)熔絲導(dǎo)線之上的絕緣層各向同性地部分腐蝕至預(yù)定的厚度，以便使入射的激光束折射至熔絲導(dǎo)線的產(chǎn)生缺陷的部位。
通過(guò)以下結(jié)合附圖的詳細(xì)說(shuō)明將會(huì)清楚地了解本發(fā)明的上述和其它目的、特征及優(yōu)點(diǎn)。
圖1A是展示熔絲導(dǎo)線的排列和根據(jù)已有技術(shù)用于修復(fù)的激光束照射的平面圖。
圖1B是展示熔絲導(dǎo)線的排列和根據(jù)已有技術(shù)用于修復(fù)的激光束照射的截面圖。
圖2A是高功率激光損壞的襯底的平面圖。
圖2B是高功率激光損壞的襯底的截面圖。
圖2C是展示因激光束偏移而使非選定的熔絲導(dǎo)線斷路狀態(tài)的平面圖。
圖3A是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，修復(fù)掩模置于熔絲導(dǎo)線之上的狀態(tài)的平面圖。
圖3B是圖3A的部分腐蝕之后絕緣層狀態(tài)的截面圖。
圖4是圖3B中激光束的入射方向的截面圖。
以下結(jié)合


本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
圖3A是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，展示修復(fù)掩模置于熔絲導(dǎo)線之上的狀態(tài)的平面圖，圖3B是如圖3A所示的部分蝕刻之后的絕緣層狀態(tài)的截面圖，如圖所示，利用對(duì)準(zhǔn)的熔絲導(dǎo)線31之上的修復(fù)掩模39，通過(guò)各向同性腐蝕方法，把厚絕緣層35部分蝕刻至預(yù)定的厚度，使部分蝕刻后的絕緣層輪廓呈各向同性形狀，以致熔絲導(dǎo)線上的絕緣層厚度相對(duì)地薄。
在這種情況下，可以在修復(fù)工藝之后，通過(guò)顯微鏡用肉眼容易地進(jìn)行鑒別，如圖4所示的激光束入射方向，入射的激光束被折射，即使激光束的光斑尺寸遠(yuǎn)大于熔絲導(dǎo)線的寬度以及激光束偏移時(shí)，激光束也可被傳輸至熔絲導(dǎo)線41。
因此，根據(jù)本發(fā)明，可以提高利用激光的修復(fù)工藝的工藝裕度，降低封裝工藝中顆粒的產(chǎn)生，例如，減少了因修復(fù)工藝后熔絲導(dǎo)線上的殘余物仍留在部分蝕刻的部位而需要進(jìn)行的后續(xù)純化處理。
權(quán)利要求
1.一種采用激光對(duì)產(chǎn)生缺陷的元件進(jìn)行修復(fù)的方法，使半導(dǎo)體集成電路的制造過(guò)程中熔絲導(dǎo)線產(chǎn)生缺陷的部位斷路，其特征在于把熔絲導(dǎo)線之上的絕緣層各向同性地部分蝕刻至預(yù)定厚度，從而使入射的激光束折射至熔絲導(dǎo)線的產(chǎn)生缺陷的部位。
全文摘要
本發(fā)明提供一種采用激光對(duì)產(chǎn)生缺陷的元件進(jìn)行修復(fù)的方法，使半導(dǎo)體集成電路的制造過(guò)程中熔絲導(dǎo)線產(chǎn)生缺陷的部位斷路，其特征在于把熔絲導(dǎo)線之上的絕緣層各向同性地部分蝕刻至預(yù)定厚度，目的在于使入射的激光束折射至熔絲導(dǎo)線產(chǎn)生缺陷的部位。
文檔編號(hào)H01L21/768GK1115497SQ9510919
公開(kāi)日1996年1月24日 申請(qǐng)日期1995年7月7日 優(yōu)先權(quán)日1994年7月7日
發(fā)明者樸熙國(guó) 申請(qǐng)人:現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社