專利名稱：薄膜電容及其制造方法和混合電路基板及其裝配方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及IC卡等所采用的薄膜電容及其制造方法以及把上述薄膜電容裝配到電路基板上去的混合電路基板及其裝配方法。
作為裝配到混合電路基板上去的電容，在此之前人們知道比如說(shuō)由迭層陶瓷和鉭電解質(zhì)等構(gòu)成的帶狀電容，以及在陶瓷等的耐熱性基板上用厚膜或薄膜的形成技術(shù)形成的印刷電容，這些電容在具備有高靜電電容值、薄型和小型化方面存在著界限。
作為其改善手段，人們已知在金屬箔的表面上覆以由金屬氧化物薄膜構(gòu)成的電介質(zhì)層而形成的電容(比如，參照特開(kāi)平2-239683號(hào)公報(bào)和特開(kāi)平3-54853號(hào)公報(bào))。
一般說(shuō)來(lái)，電容的靜電電容值比例于把電介質(zhì)層夾在中間的兩電極層間的相對(duì)向面積而增加，而且反比例于相對(duì)向間隔而增加，因此，使形成上述電極層的金屬箔的表面過(guò)度的粗糙化，并僅僅擴(kuò)大兩電極層間的視在對(duì)向面積，就可以實(shí)質(zhì)性地增加其靜電電容值。
此外，把金屬箔浸漬于特定的有機(jī)化合物溶液中之后，把它提上來(lái)，并經(jīng)過(guò)加水分解、熱處理等的繞結(jié)工序形成上述電介質(zhì)層，并采用多次重復(fù)向上述有機(jī)化合物溶液中浸漬的浸漬工序的辦法，就可以被覆形成被調(diào)整為規(guī)定厚度的強(qiáng)電介質(zhì)層。
但是，當(dāng)使金屬箔的表面形成為過(guò)度的粗糙面時(shí)，由于僅僅在其粗糙面的凹下部分處殘留下有機(jī)化合物溶液，在其頂部存不下有機(jī)化合物溶液，故即便是多次重復(fù)把它提出來(lái)并用加水分解，熱處理等進(jìn)行燒結(jié)工序，也不會(huì)被覆形成規(guī)定厚度的強(qiáng)電介質(zhì)層，因而會(huì)形成對(duì)向電極層彼此短路的有缺陷的電容。
另外，由于反復(fù)進(jìn)行高溫的燒結(jié)工序，故要把這種電容裝配到混合電路基板上去時(shí)，有許多的制約。
本發(fā)明就是為了解決上述課題而發(fā)明出來(lái)的，其目的之一是提供一種靜電電容值高、小型且薄型的薄膜電容。
本發(fā)明的另一目的是提供一種高品位且可靠性高的薄膜電容的制造方法。
本發(fā)明再一個(gè)目的是提供一種靜電電容值高、小型且薄型的、可靠性高的混合電路基板。
本發(fā)明還有另一目的是提供一種易于制造的混合電路基板的裝配方法。
本發(fā)明的薄膜電容的特征是，在對(duì)向設(shè)置的電極層之間形成電介質(zhì)層，且在至少一側(cè)的電極層與電介質(zhì)層之間存在著導(dǎo)電性粒子層。
上述薄膜電容的制造方法的特征是具備下述工序在第1電極層的表面上形成第1導(dǎo)電性粒子層的工序；在第1導(dǎo)電性粒子層上形成電介質(zhì)層的工序和在此電介質(zhì)層上形成第2電極層的工序。
本發(fā)明的混合電路基板的特征是對(duì)向設(shè)置的電極層之間形成電介質(zhì)層，且在至少一側(cè)的電極層與電介質(zhì)層之間存在著導(dǎo)電性粒子層的薄膜電容的上述對(duì)向電極層被電連接到電絕緣性電路基板的電路圖形上去。
本發(fā)明的混合電路基板的裝配方法的特征是，把在對(duì)向設(shè)置的電極層之間形成有電介質(zhì)層、且在至少一側(cè)的電極層與電介質(zhì)層之間存在著導(dǎo)電性粒子層的薄膜電容介于粘結(jié)劑層迭層到電絕緣性電路基板上，在對(duì)上述薄膜電容加壓使之固定到電路基板上的同時(shí)，使上述對(duì)向電極層與電絕緣性電路基板的電路圖形實(shí)行電連接。
倘若采用上述薄膜電容及其制造方法，則即使把一側(cè)的電極層的表面形成為粗糙面，也可以用上述導(dǎo)電性粒子在上述電極層上被覆電介質(zhì)層。
就是說(shuō)，在上述導(dǎo)電性粒子層的內(nèi)部形成多個(gè)微細(xì)的空孔并形成電介質(zhì)層之際，使含有導(dǎo)電性粒子的有機(jī)化合物溶液含浸于這些空孔里，并以基于這種溶液的含浸的導(dǎo)電性粒子的表面的濕潤(rùn)作用，使上述有機(jī)化合物溶液變得易于被覆，使電介質(zhì)層有效地覆蓋到電極層的整個(gè)面上，防止對(duì)向電極層之間的短路，因而可以制造高品位的薄膜電容。
而且，利用上述導(dǎo)電性粒子層的有機(jī)化合物溶液的含浸作用，可以在上述電極層的整個(gè)表面上被覆上電介質(zhì)層，并可以防止兩電極層的短路，故可以把夾在這兩個(gè)電極層之間的電介質(zhì)層形成為一個(gè)薄片。
因此，采用把電極層的表面形成為粗糙面使之增大表面積、擴(kuò)大兩電極層的對(duì)向面積而且把對(duì)向間隔作成薄片的辦法，上述薄膜電容的靜電電容值就可比例于兩電極的對(duì)向面積且反比例于對(duì)向間隔而增大。
此外，倘若采用上述混合電路基板及其裝配方法，由于薄膜電容本身具有高的靜電電容值，可以小型且薄型化，故在把上述薄膜電容裝配到IC卡等的混合電路基板上去的時(shí)候，該混合電路基板本身也可以小型且薄型化、可靠性高。而且，把與電路基板構(gòu)成為另一單體的薄膜電容迭層于電路基板上再用粘結(jié)劑等方法暫時(shí)固定住，然后用層壓裝置牢固地固定好，同時(shí)進(jìn)行電連接，就可以把薄膜電容容易地裝配上去。
下面對(duì)附圖進(jìn)行說(shuō)明。


圖1是一概略性的剖面圖，它示出了本發(fā)明的薄膜電容的一個(gè)例子，關(guān)鍵部位已予放大。
圖2是一關(guān)鍵部位的概略性的擴(kuò)大剖面圖，它示出了本發(fā)明的電容的制造工序的一個(gè)例子。
圖3為示出了本發(fā)明的混合電路基板一個(gè)例子的關(guān)鍵部位的分解斜視圖。
圖4為示出了本發(fā)明的混合電路基板一個(gè)例子的裝在一起的斜視圖。
圖5為示出了本發(fā)明的混合電路基板一個(gè)例子的關(guān)鍵部位的剖面圖。
圖6的關(guān)鍵部位剖面圖示出了本發(fā)明的混合電路基板的另外一個(gè)例子。
圖7的關(guān)鍵部位剖面圖示出了本發(fā)明的混合電路基板的不同的另一例子。
圖8是一個(gè)表，它給出了本發(fā)明的混合電路基板的評(píng)價(jià)結(jié)果的一個(gè)例子。
圖9是把本發(fā)明的混合電路基板附到IC卡上而示出的概略性的分解斜視圖。
圖中各符號(hào)的意義如下A混成回路基板B薄膜電容1第1電極層1A粗糙面2第2電極層3電介質(zhì)層4第1導(dǎo)電性粒子層5第2導(dǎo)電性粒子層7電路基板8一方配線9他方配線11凹下部分12粘接劑層13接合部14導(dǎo)電性凸部16穿透孔17端部實(shí)施例以下依據(jù)附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。
圖1的剖面圖示出了本發(fā)明的薄膜電容的一個(gè)例子。
如該圖所示，在第1電極層1和第2電極層2之間形成電介質(zhì)層3，同時(shí)在上述各電極層1、2和上述電介質(zhì)層3之間分別形成了第1和第2導(dǎo)電性粒子層4，5。
第1電極層1例如可以使鋁(AL)或銅(CU)等的金屬箔的表面形成粗糙面而構(gòu)成，第2電極層2比如說(shuō)可以燒結(jié)經(jīng)網(wǎng)板印刷的銀(Ag)膏而形成。
電介質(zhì)層3比如說(shuō)可用作為強(qiáng)電介質(zhì)的鈦酸鋯酸鉛(PET)等構(gòu)成，導(dǎo)電性粒子層4，5比如說(shuō)可用以銀(Ag)和炭等為主要成分的導(dǎo)電性粒子的結(jié)合層構(gòu)成，且在其內(nèi)部已形成有許多個(gè)微細(xì)的空孔。
其次，依據(jù)圖2說(shuō)明上述電容的制造方法的一個(gè)例子。
圖2是一概略性的剖面圖，它示出了本發(fā)明的電容的制造工序的一個(gè)例子。
(1)在圖2(A)中，首先，把構(gòu)成第1電極層1的比如說(shuō)鋁箔固定于固定板(沒(méi)畫出來(lái))上，并用本身為堿系清洗液的清潔劑(UA-68；上村工業(yè)產(chǎn)品)以50g/l的濃度對(duì)該鋁箔1的表面上的氧化膜(沒(méi)有畫出來(lái))在50℃下清洗5分鐘之后，再用腐蝕劑(AE-102；上村工業(yè)生產(chǎn))50g/l進(jìn)行60℃、1分鐘的腐蝕處理以除去該氧化膜。
在已除去了上述氧化膜的鋁箔1的表面上，用比如說(shuō)在20％、80℃的鹽酸中3分鐘左右的腐蝕處理，形成粗糙不平的面1A，該面具有該圖的所示的那種過(guò)度被腐蝕過(guò)的部位。
在形成上述粗糙面1A的時(shí)候，也可以不對(duì)鋁箔1進(jìn)行腐蝕處理而代之以比如說(shuō)用砂紙等進(jìn)行機(jī)械性的研磨來(lái)除去氧化膜，借助于這種機(jī)械性的研磨，可在除去上述氧化膜的同時(shí)在上述鋁箔1的表面上形成粗糙面1A。
(2)其次，如圖2(B)所示，在上述鋁箔1的粗糙面1A上形成以銀(Ag)粒子為主要成分的第1導(dǎo)電性粒子層4。
該導(dǎo)電性粒子層4，比如說(shuō)用以伊索弗洛林(音譯)等的溶劑為分散劑，把上述鋁箔1浸漬于使銀粒子4A和低融點(diǎn)的鉛玻璃粒子4B分散開(kāi)來(lái)了的溶液中，然后以恒定速度向上提，在150℃的溫度下使溶劑干燥之后，在約550℃的溫度下燒結(jié)而成。
(3)在被覆于鋁箔1上的導(dǎo)電性粒子層4的表面上，如圖2的(C)所示，形成電介質(zhì)層3。
該電介質(zhì)層3可以由本身為強(qiáng)電介質(zhì)的鈦酸鋯酸鉛(PET)構(gòu)成，它的形成和厚度調(diào)整是這樣進(jìn)行的把已形成了第1導(dǎo)電性粒子層4的鋁箔1浸漬于比如說(shuō)由Pb(CH2CO7)23H2O，Zr(C3H7O)4和Ti〔(CH3)2CHO〕4組成的有機(jī)化合物溶液中去之后，把它往上提，在歷經(jīng)加水分解、550℃的熱處理工序下進(jìn)行的燒結(jié)工序后形成電介質(zhì)層，然后再多次重復(fù)向上述有機(jī)化合物溶液中浸漬的浸漬工序，用這種辦法，將之調(diào)整為規(guī)定的厚度。
(4)此外，在上述電介質(zhì)層3的表面上，如圖2的(D)所示，用與在上述(2)中已說(shuō)明過(guò)的過(guò)程大體相同的工序形成由以銀(Ag)為主要成分的粒子組成的導(dǎo)電性粒子層5。
(5)在上述第2導(dǎo)電性粒子層5的表面上，如圖1所示的那樣地形成將成為第1電極層1的對(duì)向電極的第2電極層2。該第2電極層2，比如說(shuō)把銀(Ag)膏(DS-2053；奧野制藥生產(chǎn))用200網(wǎng)眼的網(wǎng)板印刷成所希望的形狀之后，在空氣中進(jìn)行150℃、15分鐘的干燥之后，再經(jīng)50℃、15分鐘的燒結(jié)而形成，接著把上述鋁箔1從固定板上拿下來(lái)，就可以制得上述薄膜電容。
倘采用上述薄膜電容，則如圖1所示，在粗糙面1A上形成鋁箔1的表面以增大其表面積的同時(shí)，用第1導(dǎo)性粒子層4把被過(guò)度腐蝕過(guò)的粗糙面1A填平，以把上述粗糙面1A的不平坦性形成為比較平坦，然后用第2導(dǎo)電性粒子層5把與第1電極層1相對(duì)的第2電極層2進(jìn)一步平坦化，所以就實(shí)現(xiàn)了擴(kuò)大由上述鋁箔構(gòu)成的第1電極層1和第2電極2之間的對(duì)向面積的目的。因而，得以增大上述薄膜電容本身的靜電電容值。
另外，第1導(dǎo)電性粒子層4，就如在圖2的(B)中所明示的那樣，由于比如說(shuō)用鉛玻璃4B粘結(jié)的多個(gè)銀粒子3A的內(nèi)部形成著多個(gè)微細(xì)的空孔，故當(dāng)形成上述電介質(zhì)層3之際，如圖2的(C)所示，其有機(jī)化合物溶液3A就被含浸于這些空孔4C之中，同時(shí)，用基于該溶液3A的含浸的上述各粒子4A，4B表面的潤(rùn)濕作用，上述有機(jī)化合物溶液3A就變得更加易于被覆，且電介質(zhì)層3被覆于第1電極層1的整個(gè)表面上，有效地防止了第1電極層1與第2電極層2之間的短路，因而可以制造高品位的薄膜電容。
而且，用上述第1導(dǎo)電性粒子層4的有機(jī)化合物溶液3A的含浸作用，可在第1電極層1的整個(gè)面上覆蓋上電介質(zhì)層3，以防止第1電極層1和第2電極層2之間的短路，故可以把包括第1和第2導(dǎo)電性粒子層4，5的上述電介質(zhì)3的厚度作薄，以把上述兩電極層1，2的對(duì)向間隔形成為一個(gè)薄片(比如0.2μm)。
這樣一來(lái)，采用上述構(gòu)成的電容，采用使兩電極層1，2之間的對(duì)向面積擴(kuò)大且把對(duì)向間隔為一個(gè)薄片的辦法，就可以使靜電電容值正比例于兩電極的對(duì)向面積且反比例于對(duì)向間隔而增大。
用這種辦法，在用例如本身為強(qiáng)電介質(zhì)的鈦酸鋯酸鉛(PET)構(gòu)成電介質(zhì)層3的情況下，就可以把現(xiàn)有技術(shù)中每單位面積的靜電電容值為400pF/mm2的上述薄膜電容增大到5倍的2000pF/mm2。
再有，在上述實(shí)施例中，使用了鋁(Al)作為第1和第2電極層1，2，但不局限于鋁，只要具有某種程度的耐熱性和電傳導(dǎo)性即可，例如也以用銅(Cu)。在那種情況下，推薦在銅表面鍍鎳(Ni)等以添加耐熱性這樣的作法。
另外，上面對(duì)用銀(Ag)粒子構(gòu)成的導(dǎo)電性粒子層作為第1和第2導(dǎo)電性粒子層4，5進(jìn)行了說(shuō)明，但也可以是炭等多孔性的導(dǎo)電性粒子層，而作為成為膜方法，也可以不用上述的浸漬法而代之以把使比如說(shuō)銀(Ag)粒子或炭等的粒子分散開(kāi)來(lái)的溶液直接吹上去的噴霧法等方法，第2導(dǎo)電性粒子層5也可適當(dāng)?shù)厥〉簟?br> 還有，作為電介質(zhì)層3，使用的是鈦酸鋯酸鉛(PET)，但也可以使用比如說(shuō)由Al(O-iC3H7)3和異丙醇(iso-propyl-alcohol)組成有機(jī)化合物溶液來(lái)形成Al2O3。此外，還可用Ta(OC2H2)5，CH3COOH和C2H5OH組成的有機(jī)化合物溶液來(lái)形成Ta2O5。
其次，對(duì)把本發(fā)明的薄膜電容裝配到混合電路基板上去的情況進(jìn)行說(shuō)明。
圖3的關(guān)鍵部位的分解斜視圖示出了把本發(fā)明的薄膜電容裝配到混合電路基板上去的一個(gè)例子。圖4是組裝斜視圖。圖5是沿圖4的V-V線切開(kāi)的剖面圖。
在該圖中，A為混合電路基板，B為薄膜電容。
上述混合電路基板A用在合成樹(shù)脂或陶瓷制作的絕緣性電路基板7的表面上被以電路圖形的方法構(gòu)成，并在上述各電路圖形8，9上電連接有薄膜電容B或IC器件等等的其它電子部件(沒(méi)有畫出)。
即上述薄膜電容B具有和在圖1中說(shuō)明過(guò)的薄膜電容大體相同的構(gòu)成，第1和第2電極層1，2具有用刻蝕處理等等切成規(guī)定形狀的切口部分1C和2B，這樣形成的各端子部分1B，2A在連接部位10和13與上述電路圖形9和8進(jìn)行電連接。
下面，說(shuō)明上述薄膜電容B的裝配方法的一個(gè)例子。
(1)首先，如圖3所示，在上述電路基板7的表面上，避開(kāi)各個(gè)電路圖形8和9的端子部位8A，9A涂覆形成粘結(jié)劑層12。
該粘結(jié)劑層12，在用200網(wǎng)眼的網(wǎng)板把比如說(shuō)阻焊墨水((TC-200；東洋ィンキ(墨水)生產(chǎn)公司)之類的熱硬化型的粘結(jié)劑，印刷成具有凹下部分12A的所希望的形狀之后，再在空氣中進(jìn)行70℃、約3分鐘的干燥后，暫時(shí)性地形成為半硬化狀態(tài)。
(2)其次，如圖4所示，使第2電極層2接觸到上述粘結(jié)劑層12上并進(jìn)行上述薄膜電容B的位置對(duì)準(zhǔn)，把上述薄膜電容B疊層于混合電路基板A上并暫時(shí)固定好之后，用比如說(shuō)疊層加壓裝置(沒(méi)有畫出來(lái))，經(jīng)壓力負(fù)荷200Kg/cm2、120℃約3分鐘的處理，使半硬化狀態(tài)的上述粘結(jié)劑層12硬化，以牢固地把上述薄膜電容B固定到上述電路基板7上。
在上述疊層加壓工序中，把第2電極層2的端子部位2A壓接到電路圖形8的端子部位8A上，并電連到圖5中清楚地畫出來(lái)的連接部位10上的同時(shí)，第1電極層1的端子部位1B，用上述加壓裝置的壓力加工形成凹下部分11并用電介質(zhì)層3的貫通，在連接部位13處壓接并電連到電路圖形9的端子部位9A上。
(3)最后，用FeCl3溶液等進(jìn)行刻蝕處理，使第1電極層1形成為規(guī)定的形狀，并付之與混合電路基板A合在一起調(diào)整薄膜電容的靜電之容值。
上述電介質(zhì)3的貫通如圖6所示，可以用在電路圖形9的端子部位9A上突設(shè)一個(gè)凸出部分14來(lái)實(shí)現(xiàn)，此外，還可如圖7所示，用設(shè)定于電路圖形9的端子部分9A上的穿透孔16的頂端部分17上的凸出部分實(shí)現(xiàn)。
上述凸出部分14，在用200網(wǎng)眼的網(wǎng)板把比如說(shuō)銀(Ag)膏(LS-506J；(アサヒ)旭化學(xué)研究所生產(chǎn))印刷成希望的形狀之后，經(jīng)過(guò)在空氣中100℃、30分鐘的燒結(jié)而形成。
倘采用圖6的構(gòu)成，則由于已經(jīng)形成了凸出部分17，故與用上述加壓裝置在電路圖形9的端子部位9A上用于形成凹下部分的位置對(duì)準(zhǔn)相比，故其位置對(duì)準(zhǔn)是容易的。
此外，倘采用圖7的構(gòu)成，則可以靈活地使用在電路基板7的背面上形成的，用于和另一電路圖形15連接的穿透孔16。
還有，在上述穿透孔16不形成于上述薄膜電容B的部分而形成于其他部位上的情況下，在形成該穿透孔16的時(shí)候，推薦同時(shí)形成圖6中的凸出部分14并用圖6所示的方法進(jìn)行電連。
圖8示出了已裝配于上述混合電路基板A上的薄膜電容B的耐外力和耐環(huán)境特性的評(píng)價(jià)結(jié)果例，采用把使用了對(duì)應(yīng)力和熱負(fù)荷脆弱的金屬氧化物被膜的薄膜電容形成為上述裝配構(gòu)造的辦法，就可以提供高可靠性的混合電路基板。
此外，倘在第1第2電極層1，2的表面上涂敷上例如阻焊劑(R-1000；東洋墨水公司生產(chǎn))則可進(jìn)一步改進(jìn)安裝電容的耐外力和耐環(huán)境特性等等。
圖9的分解斜視圖示了采用了本發(fā)明的混合電路基板的IC卡的一個(gè)例子。
上述IC卡用在電路基板7的表面上被以電路圖形8，9的辦法構(gòu)成，在上述電路圖形8，9上電連有上述薄膜電容B、IC器件C和檢測(cè)線圖D等等的電子部件，在表面和背面上覆以保護(hù)薄板E，F(xiàn)，G。
由于裝配于上述IC卡上的薄膜電容B及其安裝構(gòu)造與上述混合電路基板的情況大體上相同，故略去對(duì)它的詳細(xì)說(shuō)明。
如以上詳細(xì)說(shuō)明過(guò)的那樣，倘采用本發(fā)明所涉及的薄膜電容，則由于在對(duì)向電極層之間形成了電介質(zhì)層，且至少在一側(cè)的電極層與電介質(zhì)層之間夾有導(dǎo)電性粒子層，故可以把電極層的表面作為粗糙面以擴(kuò)大表面積、擴(kuò)大兩電極層的對(duì)向面積，從而增大靜電電容值。
此外，倘采用本發(fā)明所涉及的薄膜電容的制造方法，則在導(dǎo)電性粒子層的內(nèi)部形成許多微細(xì)的空孔，在形成電介質(zhì)層的時(shí)候，含有導(dǎo)電性粒子的有機(jī)化合物溶液會(huì)含浸于這些空孔中去，用基于這種溶液的含浸的導(dǎo)電性粒子的表面潤(rùn)濕作用，上述有機(jī)化合物溶液變得易于被覆，電介質(zhì)層得以有效地被覆于電極層的整個(gè)表面上，防止對(duì)向電極之間的短路，因而可以提供一種薄型且高品位的薄膜電容。
再者，倘采用本發(fā)明所涉及的混合電路基板及其裝配方法，則由于上述薄膜電容本身可以做成高靜電電容值、小型且薄型，故把上述薄膜電容裝配到IC卡等混合電路基板上去的情況下，該混合電路基板自身也可做得小型且薄型化，可提供一種可靠性高、易于制造的混合電路基板。
權(quán)利要求
1.一種薄膜電容，其特征是在對(duì)向電極層之間形成電介質(zhì)層，且至少在一側(cè)的電極層與電介質(zhì)層之間夾有導(dǎo)電性粒子層。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜電容其特征是導(dǎo)電性粒子層所接觸一側(cè)的電極層的表面被形成為粗糙面。
3.如權(quán)利要求1或2所述的薄膜電容，其特征是在另一側(cè)的電極層與電介質(zhì)層之間夾有導(dǎo)電性粒子層。
4.一種薄膜電容的制造方法，其特征是具備下述工序在第1電極層的表面上形成第1導(dǎo)電性粒子層的工序；在該第1導(dǎo)電性粒子層上形成電介質(zhì)層的工序；在該電介質(zhì)層上形成第2電極層的工序。
5.一種薄膜電容的制造方法，其特征是具備下述工序使第1電極層的表面變成粗糙面的工序；在該第1電極層的粗糙面上形成第1導(dǎo)電性粒子層的工序；在該第1導(dǎo)電性粒子層上形成電介質(zhì)層的工序；在該電介質(zhì)層上形成第2導(dǎo)電性粒子層的工序；在該第2導(dǎo)電性粒子層上形成第2電極層的工序。
6.一種混合電路基板，其特征是把在對(duì)向電極層之間形成電介質(zhì)層，在至少一側(cè)的電極層與電介質(zhì)層之間夾有導(dǎo)電性粒子層的薄膜電容的上述對(duì)向電極層，電連到電絕緣性電路基板的電路圖形上去。
7.如權(quán)利要求6所述的混合電路基板，其特征是，把與電路圖形不同的布線對(duì)向設(shè)置的第1第2電極層之內(nèi)，位于內(nèi)側(cè)的電極層電連至一方的布線上去的同時(shí)，把與另一方的布線對(duì)向設(shè)置的上述內(nèi)側(cè)的電極層去掉，使之貫通上述電介質(zhì)層把外側(cè)的電極層電連至另一方的布線上去。
8.如權(quán)利要求7所述的混合電路基板，其特征是，用凸型壓力加工在外側(cè)的電極層上形成凹下部分，該凹下部分的底部一側(cè)貫通上述電介質(zhì)層電連到另一方的布線上去。
9.如權(quán)利要求8所述的混合電路基板，其特征是在另一方的布線上設(shè)置電性凸出部分，該凸部出分貫通上述電介質(zhì)層電連至外側(cè)的電極層上。
10.如權(quán)利要求9所述的混合電路基極，其特征是上述凸出部分是設(shè)于另一方的布線上的穿透孔的頂部。
11.一種混合電路基板的裝配方法，其特征是在對(duì)向設(shè)置的電極層之間形成電介質(zhì)層，在至少一側(cè)的電極層與電介質(zhì)之間夾有導(dǎo)電性粒子層的薄膜電容介以粘結(jié)劑層疊層到電絕緣性電路基板上，給上述薄膜電容加壓使之固定于上述電路基極上的同時(shí)，把上述對(duì)向設(shè)置的電極層電連到上述電路基板的電路圖形上去。
全文摘要
本發(fā)明的薄膜電容旨在實(shí)現(xiàn)高靜電電容值，小型且薄型化。其構(gòu)成是在對(duì)向設(shè)置的電極層1，2之間形成電介質(zhì)層3，并在各電極層與電介質(zhì)層之間夾有導(dǎo)電性粒子層4和5。
文檔編號(hào)H01G4/08GK1137159SQ96101979
公開(kāi)日1996年12月4日 申請(qǐng)日期1996年3月14日 優(yōu)先權(quán)日1995年3月15日
發(fā)明者川井若浩 申請(qǐng)人:歐姆龍株式會(huì)社