專利名稱：多層立體集成電路的制作方法
技術領域：
本發(fā)明屬電子技術領域，目前的集成電路路很難再提高密度，本發(fā)明目的在于，提供一種成倍提高密度的方法本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的。把集成電路做成多層立體的結構先制好一片集成電路，再在集成片上涂制一層絕緣層，再用光刻腐蝕的方法在第一，二層集成片之間需要連接的部位把絕緣層腐蝕出窗口，再將集成片曝置在受主雜質的熱氣體中，使絕緣層上再形成一層 型層，一層新的P型襯底，可再在這層新的P型襯底上再制造一層新的集成電路通過絕緣層上的窗口，可使一，二層集成電路之間需要相通的部位相通。再在第二層集成電路上面再涂一層絕緣層后，用以上方法再制造第三層集成電路和地四層，第五層如附圖
所示圖中1，第一層集成電路，2絕緣層，3絕緣層的窗口，4，第二層集成電路，5，第二層絕緣層，5，第三層集成電路。6，第四層，7，每一層集成電路自己內部的內連引線
權利要求
一種多層立體集成電路，其特征在于多層立體結構先制好一片集成電路，再在集成片上涂制一層絕緣層，再用光刻腐蝕的方法在第一，二層集成片之間需要連接的部位把絕緣層腐蝕出窗口，再將集成片曝置在受主雜質的熱氣體中，使絕緣層上再形成一層P型層，一層新的P型襯底，可再在這層新的P型襯底上再制造一層新的集成電路通過絕緣層上的窗口，可使一，二層集成電路之間需要相通的部位相通。再在第二層集成電路上面再涂一層絕緣層后，用以上方法再制造第三層集成電路和地四層，第五層保護以上特征。
全文摘要
本發(fā)明屬電子技術領域,目前的集成電路很難再提高密度,本發(fā)明目的在于,提供一種成倍提高密度的方法。本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的,把集成電路做成多層立體的結構。
文檔編號H01L21/70GK1174411SQ9610918
公開日1998年2月25日 申請日期1996年8月16日 優(yōu)先權日1996年8月16日
發(fā)明者葛曉峰 申請人:葛曉峰