專利名稱：自旋閥磁阻效應(yīng)磁頭及磁盤驅(qū)動(dòng)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總的說(shuō)來(lái)涉及自旋閥磁阻效應(yīng)磁頭及磁盤驅(qū)動(dòng)器；更具體地說(shuō)是涉及這樣的自旋閥磁阻效應(yīng)磁頭，它依據(jù)自旋閥磁致電阻效應(yīng)，可把由磁性介質(zhì)讀出的信號(hào)磁場(chǎng)的變化轉(zhuǎn)換成電阻的變化率；還涉及使用自旋閥磁阻效應(yīng)磁頭的磁盤驅(qū)動(dòng)器。
在磁傳感器或磁頭中，由NiFe制成的磁致電阻效應(yīng)裝置用作磁性材料。此外，由于要求磁傳感器及磁頭具有更高的靈敏度，一種巨磁阻(GMR)薄膜已引起人們的注意，以便獲得高強(qiáng)度的讀出信號(hào)。作為GMR薄膜一種的自旋閥磁阻效應(yīng)薄膜受到特別注意，因?yàn)檫@種薄膜比較容易制造，并且在置入低磁場(chǎng)中時(shí)，薄膜中電阻的變化率要比通常的磁阻(MR)裝置高。依據(jù)自旋閥磁致電阻效應(yīng)工作的磁阻效應(yīng)磁頭已公開于USP No.5,206,590或USP No.5,159,513。


圖1A表示了常規(guī)磁阻效應(yīng)磁頭的一個(gè)實(shí)例，圖1B是常規(guī)磁阻效應(yīng)磁頭的剖面視圖。
如圖1A、1B所示，Al2O3TiC基片1、鋁層2、由鉭制成的底層3、由NiFe層4a及Co層4b復(fù)合成的自由磁性層4、由Cu制成的非磁性金屬層5、由Co制成的牽制磁性層6以及由FeMn制成的反鐵磁性層7沿薄膜厚度方向按上述順序排列，以制成自旋閥磁阻效應(yīng)裝置。在本情況下，薄膜厚度方向用Z向表示。
由底層3到反鐵磁性層7組成的多層結(jié)構(gòu)中的各層都相應(yīng)作成平面矩形的形狀，由Au制成的一對(duì)電極端子8安排在多層結(jié)構(gòu)上層反鐵磁性層7兩端的位置上。多層結(jié)構(gòu)的位于兩電極端子8之間的區(qū)域用作信號(hào)檢測(cè)(或信號(hào)敏感)區(qū)域S。矩形形狀的短邊沿X向，而矩形形狀的長(zhǎng)邊沿Y向。
由于牽制磁性層6和反鐵磁性層7之間的交換耦合，在牽制磁性層6中能生成交換耦合磁場(chǎng)Hua，其磁化方向與X方向一致。因此，牽制磁性層6是沿X方向固定磁化的，其磁化方向不會(huì)被沿X方向的信號(hào)磁場(chǎng)Hsig改變。
自由磁性層是指磁化方向M很容易被信號(hào)磁場(chǎng)Hsig改變的磁性層，而牽制磁性層則指這樣的磁性層，其磁化方向M與自由磁性層的磁化方向相比則不容易被外界信號(hào)磁場(chǎng)Hsig改變。
自由磁性層4由NiFe層4a及Co層4b兩層復(fù)合而成，其原因如下。
首先，在自由磁性層4中獲得的磁致電阻效應(yīng)的輸出是只使用NiFe制成的自由磁性層中的輸出高兩倍或更多。其次，Co層4b可起阻擋層的作用，以防止在非磁性金屬層5和NiFe層4a之間的Co和NiFe的界面擴(kuò)散，這種擴(kuò)散是由于加熱磁性層4a和5所致。
Co層4b本身是一個(gè)半硬磁性薄膜。但是，NiFe和Co的兩層結(jié)構(gòu)可以由于NiFe層4a及Co層4b之間的交換耦合而使層4軟化。因此，兩層結(jié)構(gòu)可使層4具有自由磁性層的功能。具有兩層結(jié)構(gòu)的自由磁性層4的磁化方向M是沿Y向(或者，沿易磁化軸方向)，在信號(hào)磁場(chǎng)Hsig強(qiáng)度為零的情況下，它垂直于牽制磁性層6的磁化方向(或X方向)，自由磁性層4中的磁化方向M隨信號(hào)磁場(chǎng)Hsig而改變。
由底層3到反鐵磁性層7組成的多層結(jié)構(gòu)的總電阻與θ角的余弦cosθ成比例地變化，θ角是牽制磁性層6的磁化方向與自由磁性層4的磁化方向的夾角。常值電流通過(guò)多層結(jié)構(gòu)中位于一個(gè)電極端子8到另一個(gè)電極端子8之間的信號(hào)檢測(cè)區(qū)域(或敏感區(qū)域)S。當(dāng)總電阻改變時(shí)，在兩個(gè)電極端子8之間的微分電壓也改變?？傠娮璧淖兓梢酝ㄟ^(guò)檢測(cè)微分電壓的變化按照歐姆定律計(jì)算出來(lái)。
牽制磁性層6的磁化方向與自由磁性層4的磁化方向作成相互垂直的原因是使總電阻隨信號(hào)磁場(chǎng)Hsig線性變化。
為了防止在非磁性金屬層5和NiFe層4a之間由于兩層4a及5的加熱而引起的Co及NiFe的擴(kuò)散，要求Co層4b的厚度是30?；蚋褚恍?。
本發(fā)明者通過(guò)實(shí)驗(yàn)觀察了外界磁場(chǎng)與自旋閥MR裝置中電阻的關(guān)系，在這個(gè)自旋閥MR裝置中組成自由磁性層4的Co層4b的薄膜厚度是30?；蚋褚恍?br> 用作實(shí)驗(yàn)的第一個(gè)樣品有著與圖1A和圖1B表示的自旋閥MR裝置相同的層結(jié)構(gòu)。即，由Ta制成的底層3的薄膜厚度是50埃。NiFe層4a的薄膜厚度是20埃，Co層4b的薄膜厚度是55埃，由Cu制成的非磁性金屬層5的薄膜厚度是32埃，由Co制成的牽制磁性層6的薄膜厚度是55埃，最后，由FeMn制成的反鐵磁性層7的薄膜厚度是150埃。
作為實(shí)驗(yàn)的結(jié)果，得到了如圖2所示的磁致電阻(MR)效應(yīng)特性曲線。這些MR效應(yīng)特性曲線是通過(guò)在-200奧斯特(Oe)到+200奧斯特(Oe)的范圍內(nèi)持續(xù)增加和減少外磁場(chǎng)強(qiáng)度而得到的。由圖2可以看出，在外磁場(chǎng)強(qiáng)度為零的特定點(diǎn)附近，特性曲線的上升邊和下降邊之間的外磁場(chǎng)強(qiáng)度差大約是40奧斯特(Oe)。由于強(qiáng)度差等價(jià)于自旋閥MR裝置中矯頑力Hc值的兩倍，第一樣品中的矯頑力Hc不小于20奧斯特(Oe)，并且自旋閥MR裝置對(duì)信號(hào)磁場(chǎng)Hsig的靈敏度降低了。
矯頑力Hc增加到20奧斯特(Oe)的原因是因?yàn)樽杂纱判詫?中存在有較厚薄膜的Co層4b。因此，本發(fā)明者試圖用減薄Co層4b來(lái)減小自旋閥MR裝置的矯頑力Hc。
實(shí)驗(yàn)用的第二個(gè)樣品具有與圖1A及圖1B所示自旋閥MR裝置相同的層結(jié)構(gòu)。即由Ta制成的底層3的薄膜厚度是50埃，NiFe層4a的薄膜厚度是55埃，Co層4b的薄膜厚度是20埃，由Cu制成的非磁性金屬層5的薄膜厚度是26埃，由Co制成的牽制磁性層6的薄膜厚度是55埃，最后，由FeMn制成的反鐵磁性層7的薄膜厚度是150埃。
實(shí)驗(yàn)結(jié)果，得到了圖3所示的MR效應(yīng)特性曲線，自旋閥MR裝置中的矯頑力Hc降到了6奧斯特(Oe)，且此自旋閥MR裝置中電阻的變化率ΔMR也比圖2所示的提高了。
雖然如此，由于Co層4b減薄到20埃，在非磁性金屬層5及NiFe層4a之間由于層4a和5的加熱引起的Co和NiFe的界面擴(kuò)散卻不能防止，還有一個(gè)缺點(diǎn)，即軟化自由磁性層4的性能也降低了。
本發(fā)明的目的是提供一種自旋閥磁阻效應(yīng)磁頭，其中可以防止在非磁性金屬層及自由磁性層之間由于加熱各層而引起的材料界面擴(kuò)散并能輸出高強(qiáng)度的讀出信號(hào)，還提供一種使用這種磁頭的磁性記錄儀器。
依據(jù)本發(fā)明的自旋閥磁阻效應(yīng)磁頭的自由磁性層被制成由CoFe層及NiFe層復(fù)合成的雙層結(jié)構(gòu)，或者被制成由CoFe層和NiFe型合金層復(fù)合成的另一雙層結(jié)構(gòu)。
即使CoFe層的薄膜厚度等于或大于30埃，制成雙層結(jié)構(gòu)的自由磁性層仍具有軟磁性質(zhì)。此外，已經(jīng)實(shí)驗(yàn)查明，具有CoFe層的自由磁性層減小了自旋閥磁阻效應(yīng)裝置的矯頑力。在這種情況下，為了減小矯頑力，最好將NiFe層的薄膜厚度作成10?；蚋褚恍?，在CoFe層中Co的組成比最好是90wt％，而鐵則為10wt％。
由于CoFe層的薄膜厚度是等于或大于30埃，因而能可靠地防止在非磁性金屬層和自由磁性層間由各層的加熱引起的材料的界面擴(kuò)散，自由磁性層的軟磁性質(zhì)就能保持住。
此外，實(shí)驗(yàn)還查明，由于采用了含有CoFe層的制成雙層結(jié)構(gòu)的自由磁性層，磁頭中電阻隨磁場(chǎng)強(qiáng)度變化的變化率也提高了。
在NiFe型合金層是由NiFeCr、NiFeNb或NiFeRh制造的情況下，由各向異性磁致電阻(AMR)效應(yīng)導(dǎo)致的噪聲也可減小。此外，由于NiFeCr、NiFeNb及NiFeRh的比電阻比NiFe的比電阻高，在磁頭中的電流利用效率也可提高，并能輸出高強(qiáng)度的讀出信號(hào)。
此外，當(dāng)牽制磁性層也用和自由磁性層中CoFe層相同的組成材料制造時(shí)，在金屬濺射操作中為形成每一層所耗用的靶材料的體積就能減少。
圖1A是普通的自旋閥磁阻效應(yīng)磁頭的局部的透視圖；圖1B是圖1A所示的普通自旋閥磁阻效應(yīng)磁頭的橫剖面圖；圖2是特性曲線，表示圖1所示的普通自旋閥磁阻效應(yīng)磁頭中磁場(chǎng)強(qiáng)度變化與電阻變化率之間的關(guān)系；
圖3是特性曲線，表示在普通自旋閥磁阻效應(yīng)磁頭中，當(dāng)自由磁性層中的Co層的薄膜厚度減薄時(shí)，磁場(chǎng)強(qiáng)度的變化與電阻的變化率之間的關(guān)系；圖4A是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的自旋閥磁阻效應(yīng)磁頭的局部的透視圖；圖4B是圖4A所示自旋閥磁阻效應(yīng)磁頭的橫剖面圖；圖5是特性曲線，表示圖4A所示自旋間磁阻效應(yīng)磁頭中磁場(chǎng)強(qiáng)度變化與電阻變化率之間的關(guān)系；圖6是帶有圖4A所示自旋閥磁阻效應(yīng)磁頭的磁性記錄裝置的局部的橫剖面圖；圖7是磁盤驅(qū)動(dòng)器的平面圖，它主要由依據(jù)本發(fā)明的具有MR磁頭的浮動(dòng)塊及磁盤組成。
依據(jù)本發(fā)明的自旋閥磁阻效應(yīng)磁頭的推薦實(shí)施例將參照?qǐng)D4A及圖4B作詳細(xì)說(shuō)明。
如圖4A和圖4B所示，自旋閥磁阻效應(yīng)裝置(或稱自旋閥磁阻效應(yīng)磁頭)包括由Al2O3TiC或類似物制作的基片11，鋁層12，由鉭制作的底層13，由NiFe層14a和Co90Fe10層14b制成雙層結(jié)構(gòu)的自由磁性層14，由Cu制作的非磁性金屬層15，由Co90Fe10制成的牽制磁性層16以及由FeMn制作的反鐵磁性層17，它們沿薄膜疊置方向按上述次序排列。在本情況下，薄膜疊置方向用Z方向表示。
從底層13到反鐵磁性層17范圍內(nèi)的多層結(jié)構(gòu)的各層均相應(yīng)制成平面矩形形狀，由Au制成的一對(duì)電極端子18安排在多層結(jié)構(gòu)上層反鐵磁性層17兩端的區(qū)域上。多層結(jié)構(gòu)中位于兩個(gè)電極端子18之間的區(qū)域就用作信號(hào)檢測(cè)區(qū)域(或敏感區(qū)域)S。矩形形狀的短邊沿X方向，而長(zhǎng)邊沿Y方向。
在牽制磁層16中，由于牽制磁層16與反鐵磁性層17之間的交換耦合，生成了一個(gè)交換耦合磁場(chǎng)Hua，其磁化方向與X方向一致。因此，牽制磁性層16固定磁化于X方向，其磁化方向不會(huì)被信號(hào)磁場(chǎng)Hsig改變，而信號(hào)磁場(chǎng)的強(qiáng)度在X方向是變化的。
在自旋閥磁阻效應(yīng)裝置的上述結(jié)構(gòu)中，自由磁性層14是由NiFe層14a及Co90Fe10層14b兩層復(fù)合而成的。由于NiFe層14a及Co90Fe10層14b的交換耦合，自由磁性層14具有軟磁性質(zhì)，且Co90Fe10層14b還能阻止在NiFe層14a及非磁性金屬層15之間由14a和15層的加熱而導(dǎo)致的NiFe和Cu的界面擴(kuò)散。
當(dāng)CoFe磁體中Co對(duì)Fe的組成比是特定的組成比90/10以使CoFe磁體形成Co90Fe10磁體時(shí)，CoFe磁體的矯頑力Hc是最小的，雖然如此，如果在Co90Fe10層14b中Co與Fe的真實(shí)組成比與特定組成比之間的差別是百分之幾以內(nèi)的話，這種差別是允許的。
具有雙層結(jié)構(gòu)的自由磁性層14的磁化方向M1是沿Y方向的(或者說(shuō)沿易磁化軸方向)，當(dāng)信號(hào)磁場(chǎng)Hsig的強(qiáng)度是零時(shí)，它與牽制磁性層16的磁化方向(X方向)是垂直的。當(dāng)沿X方向的信號(hào)磁場(chǎng)Hsig的磁化分量作用到自旋閥磁阻效應(yīng)裝置上時(shí)，自由磁性層14的磁化方向M1就會(huì)改變。
從底層13到反鐵磁性層17范圍內(nèi)的多層結(jié)構(gòu)的總電阻與θ角的余弦(cosθ)成比例地變化，此處θ是牽制磁性層16的磁化方向和自由磁性層14的磁化方向之間的夾角。常值電流從一個(gè)電極端子18到另一個(gè)電極端子18通過(guò)多層結(jié)構(gòu)中的信號(hào)檢測(cè)區(qū)域(或敏感區(qū)域)S。當(dāng)總電阻改變時(shí)，在電極端子18之間的微分電壓也隨之改變。總電阻的變化可以通過(guò)檢測(cè)微分電壓差的變化根據(jù)歐姆定律計(jì)算出來(lái)。
下面說(shuō)明在自旋閥磁阻效應(yīng)裝置中的磁致電阻(MR)特性。
如圖5所示，自旋閥磁阻效應(yīng)裝置中的MR特性曲線(磁場(chǎng)強(qiáng)度的變化與電阻的變化率ΔMR之間的關(guān)系)在實(shí)驗(yàn)中是通過(guò)在-200奧斯特(Oe)到200奧斯特(Oe)的范圍內(nèi)持續(xù)提高和降低外磁場(chǎng)強(qiáng)度而得到的。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，自旋閥磁阻效應(yīng)裝置的矯頑力Hc已顯著地減小到4奧斯特(Oe)，并且?guī)缀跖cNiFe的矯頑力相等。不僅如此，電阻的變化率ΔMR與圖2所示的普通磁頭相比也提高了，對(duì)信號(hào)磁場(chǎng)Hsig的靈敏度也改善了。
在自旋閥磁阻效應(yīng)裝置中矯頑力Hc得以減小的原因在于采用了Co90Fe10層14b作為雙層結(jié)構(gòu)的自由磁性層14中的一層。此外，由于Co90Fe10層14b的薄膜厚度是55埃，在NiFe層14a及非磁性金屬層15之間由層14a及15的加熱導(dǎo)致的NiFe和Cu的界面擴(kuò)散就能被Co90Fe10層14b阻止。詳細(xì)地說(shuō)，如果Ni和Cu之間的固溶度是100，則Fe和Cu之間及Co和Cu之間的固溶度分別在4到5的范圍內(nèi)。因此，在Co90Fe10層14b及非磁性金屬層15之間的CoFe和Cu的界面擴(kuò)散不會(huì)發(fā)生。其結(jié)果是，自由磁性層14的軟磁性質(zhì)可以更好地保持。在這種情況下，要求將NiFe層14a的薄膜厚度作成10?；蚋褚恍员銣p小自旋閥磁阻效應(yīng)裝置的矯頑力Hc。
在本實(shí)施例中使用了NiFe層14a。然而下述方法也是實(shí)用的，即用由NiFeCr、NiFeNb、NiFeRh或由NiFe和一種原子元素混合得到的類似物制成的合金，并由該合金制成的NiFe型合金層來(lái)替代NiFe層14a。在自旋閥磁阻效應(yīng)中，導(dǎo)致噪聲的各向異性磁致電阻(AMR)效應(yīng)，在使用NiFe型合金層的情況下比使用NiFe層14a的情況下顯著減小，因此，信噪比(S/N)可以更加提高。此外，由于NiFe型合金層的比電阻比NiFe層14a的比電阻高，在自旋閥磁阻效應(yīng)裝置中的電流利用效率也可更加提高，讀出信號(hào)的輸出強(qiáng)度也能更加提高。
下面，參照?qǐng)D6說(shuō)明磁性記錄儀器的磁頭以及磁性記錄介質(zhì)，在磁頭中采用了依據(jù)本發(fā)明的自旋閥磁阻效應(yīng)裝置。
如圖6所示，磁盤驅(qū)動(dòng)器的磁頭包括基片(或浮動(dòng)塊)41。裝在基片41上的再生頭42及與再生頭42相鄰的記錄頭43。再生頭42則包括有第一磁屏蔽層44，在第一磁屏蔽層44上通過(guò)絕緣薄膜(圖上未示出)安裝的自旋閥MR效應(yīng)裝置45，由自旋閥MR效應(yīng)裝置45引出的電極端子(或引入端子4b，覆蓋自旋閥MR效應(yīng)裝置45及電極端子4b的絕緣薄膜47，和在絕緣薄膜47上面的第二磁屏蔽層48。
自旋閥MR效應(yīng)裝置45的構(gòu)造已示于圖4A及4B。雖然如此，如果自旋閥MR效應(yīng)裝置45中各層的順序是基片11，鋁層12，底層13，反鐵磁性層17，牽制磁性層16，非磁性金屬層15及自由磁性層14；則此裝置也是實(shí)用的。
記錄頭43包括位于第二磁屏蔽層48上面的第三磁屏蔽層49，填塞于第二和第二磁屏蔽層48、49所包空間的絕緣層50，和埋入絕緣層50的線圈51。
第一、第二和第三磁屏蔽層44、48和50分別由一種軟磁體構(gòu)成，而在磁性記錄介質(zhì)52與第一、第二、第三磁屏蔽層44、48、50的每一層之間均形成了間隙。
如上所述，自旋閥MR效應(yīng)裝置45的自由磁性層14是作成雙層結(jié)構(gòu)，它由NiFe層14a及CoFe層14b復(fù)合而成，或者是由NiFe型合金層及CoFe層14b復(fù)合而成的其它雙層結(jié)構(gòu)；因此，自旋閥磁阻效應(yīng)磁頭的矯頑力可以變小。
此外，當(dāng)NiFe層14a的薄膜厚度取10?；蚋褚恍褻oFe層14b中Co的組成比取在95到85wt％范圍內(nèi)，F(xiàn)e的組成比取在5到15wt％的范圍內(nèi)；則自旋閥磁阻效應(yīng)磁頭的矯頑力Hc顯著減小。特別是，當(dāng)在CoFe層14b中Co的組成比取為90wt％，F(xiàn)e的組成比取為10wt％時(shí)，矯頑力Hc減至最小。
此外，當(dāng)NiFe層14a的薄膜厚度最為30?；蚋褚恍?，在NiFe層14a及非磁性金屬層15之間由層14a及15的加熱引起的NiFe和Cu的界面擴(kuò)散，能被Co90Fe10層14b有效地阻止，因而自由磁性層14的軟磁性質(zhì)能更好地保持。
此外，由于磁頭中裝備了具有CoFe層14b的雙層結(jié)構(gòu)自由磁性層14，隨磁場(chǎng)強(qiáng)度變化的磁頭電阻變化率也可提高。
當(dāng)NiFe型合金層是由NiFeCr、NiFeNb及NiFeRh制造時(shí)，磁頭中由AMR效應(yīng)引起的噪聲可以降低。不僅如此，由于NiFeCr、NiFeNb或NiFeRh的比電阻比NiFe的比電阻高，在磁頭中的電流利用效率也可提高，因而能輸出具有高強(qiáng)度的讀出信號(hào)。
如圖7所示，磁盤驅(qū)動(dòng)器60包括磁盤52、具有MR磁頭的浮動(dòng)塊41以及支承浮動(dòng)塊41的彈簧臂53所組成。
權(quán)利要求
1.一種自旋閥磁阻效應(yīng)磁頭，它包括一個(gè)由CoFe層及NiFe層組成的自由磁性層；一個(gè)疊置在CoFe層上的非磁性層；一個(gè)疊置在非磁性層上的牽制磁性層；一個(gè)反鐵磁性層，由于牽制磁性層與反鐵磁性層之間的交換耦合，它可用來(lái)固定牽制磁性層中的磁化方向；和一對(duì)電極端子，用來(lái)在自由磁性層、非磁性層、牽制磁性層及反鐵磁性層中通過(guò)電流。
2.依據(jù)權(quán)利要求1或3所述的自旋閥磁阻效應(yīng)磁頭，其特征是NiFe層的薄膜厚度是10?；蚋?。
3.一種自旋閥磁阻效應(yīng)磁頭，它包括一個(gè)由CoFe層及NiFe型合金層組成的自由磁性層；一個(gè)疊置在CoFe層上的非磁性層；一個(gè)疊置在非磁性層上的牽制磁性層；一個(gè)反鐵磁性層，由于牽制磁性層與反鐵磁性層之間的交換耦合，它可用來(lái)固定牽制磁性層中的磁化方向；和一對(duì)電極端子，用來(lái)在自由磁性層、非磁性層、牽制磁性層及反鐵磁性層中通過(guò)電流。
4.依據(jù)權(quán)利要求3所述的自旋閥磁阻效應(yīng)磁頭，其特征是NiFe型合金層的薄膜厚度是10?；蚋?。
5.依據(jù)權(quán)利要求3所述的自旋閥磁阻效應(yīng)磁頭，其特征在于NiFe型合金層由一種合金制成，該合金是通過(guò)在NiFe中添加第三種原子元素而得到，因而當(dāng)與NiFe情況相比時(shí)，可以減小各向異性磁阻效應(yīng)。
6.依據(jù)權(quán)利要求3所述的自旋閥磁阻效應(yīng)磁頭，其特征在于NiFe型合金層由一種合金制成，該合金選自NiFeCr、NiFeNb及NiFeRh。
7.依據(jù)權(quán)利要求1或3所述的自旋閥磁阻效應(yīng)磁頭，其特征在于在CoFe層中Co的組成比在95到85wt％的范圍內(nèi)，而CoFe層中Fe的組成比在5到15wt％的范圍內(nèi)。
8.依據(jù)權(quán)利要求1或3所述的自旋閥磁阻效應(yīng)磁頭，其特征在于在CoFe層中Co的組成比是90wt％，而CoFe層中Fe的組成比是10wt％。
9.依據(jù)權(quán)利要求1所述的自旋閥磁阻效應(yīng)磁頭，其特征是其牽制磁性層是由CoFe制造的。
10.依據(jù)權(quán)利要求1或3所述的自旋閥磁阻效應(yīng)磁頭，其特征是非磁性層是由Cu制造的。
11.依據(jù)權(quán)利要求1或3所述的自旋閥磁阻效應(yīng)磁頭，其特征是CoFe層的薄膜厚度是30?；蚋?。
12.一種磁盤驅(qū)動(dòng)器，它包含一個(gè)磁性記錄介質(zhì)，用來(lái)記錄磁性記錄信息；以及一個(gè)自旋閥磁阻效應(yīng)磁頭，用來(lái)在磁性記錄介質(zhì)上寫入磁性記錄信息及從磁性記錄介質(zhì)上讀出磁性記錄信息，自旋閥磁阻效應(yīng)磁頭包括一個(gè)自由磁性層，它是雙層的，由CoFe層及NiFe層復(fù)合而成，或者由CoFe層及NiFe型合金層復(fù)合而成；一個(gè)疊置在CoFe層上的非磁性層；一個(gè)疊置在非磁性層上的牽制磁性層；一個(gè)反鐵磁性層，依據(jù)牽制磁性層及反鐵磁性層之間的交換耦合，它用來(lái)固定牽制磁性層中的磁化方向；和一對(duì)電極端子，用來(lái)在自由磁性層、非磁性層、牽制磁性層及反鐵磁性層中通過(guò)電流。
全文摘要
自旋閥磁阻效應(yīng)磁頭具有下列諸層自由磁性層，它是雙層的，由CoFe層及NiFe層復(fù)合而成，或者由CoFe層及NiFe型合金層復(fù)合而成；非磁性層；牽制磁性層和反鐵磁性層，按照牽制磁性層與反鐵磁性層之間的交換耦合，這一反鐵磁性層用于固定牽制磁性層中的磁化方向。自由磁性層具有軟磁性質(zhì)，因?yàn)槠渲械膬蓪佑薪粨Q耦合；且NiFe層(或NiFe型合金層)與非磁性層之間由加熱引起的界面擴(kuò)散也被CoFe層阻止。
文檔編號(hào)H01F10/08GK1146038SQ96109409
公開日1997年3月26日 申請(qǐng)日期1996年8月9日 優(yōu)先權(quán)日1995年8月11日
發(fā)明者金井均 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社