專利名稱：半導體器件及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體器件和制造該半導體器件的方法。具體地說，本發(fā)明與具有為半導體元件上眾多電極壓焊點中那些處理公共信號的電極壓焊點提供電連接的公用線的半導體器件及制造該半導體器件的方法相關。
圖6是表示現(xiàn)有技術的一個例子的簡圖。這個半導體器件由一個LOC(片上引腳)結構組成，并配有一個片上半導體元件1，眾多引線L及通過半導體元件1上絕緣帶T連接的公用線2a′和2b′。
另外，在這些眾多的電極壓焊點中，接電源的電極壓焊點P1通過鍵合線W與公用線2a′相連，而接地的電極壓焊點P2，則通過鍵合線W與公用線2b′相連。通過這些連接，公用線2a′形成一條電源線而公用線2b′形成一條地線。
此外，電極壓焊點Pa和Pb與通過鍵合線W形成電源線的公用線2a′相連，而電極壓焊點Pc，Pd，Pe和Pf與通過鍵合線W形成地線的公用線2b′相連。要注意的是其它電極壓焊點通過鍵合線W與引腳L直接連接。
在新近的半導體器件中，半導體元件1的小型化，已使得內部線條極其細。因為這一點，如果提供電源的電極壓焊點P1和接地的電極壓焊點P2的連接要在半導體元件1的內部完成的話，那么由于電壓的減少將會發(fā)生性能特性的衰減。因此，它們可利用公用線2a′和2b′來進行電連接。
然而，這樣一個半導體器件會出現(xiàn)以下問題。即，當電極壓焊點P和引腳L通過鍵合線W連接時，如圖7(a)所示，就必須將鍵合線彎曲，跨過公用線2a′和2b′。為避免與它們接觸，還要留有足夠的間隙。
通常情況下，公用線2a′和2b′是作為與引腳L相集成的引線框構成的，它們的厚度大約150微米。這樣，為了保證鍵合線W與公用線2a′和2b′不接觸，就需使它的彎曲高度大約為400微米或更高。
然而，如果在這種情形下，彎曲高度太高，那么，當組裝一個如圖7(b)所示的薄封裝PC時，就會出現(xiàn)鍵合線不能包在封裝PC里而是曝露出來的問題。
本發(fā)明的提出已通過對上面討論的現(xiàn)有技術中半導體器件和它的制造方法中問題的闡述得以完成。它的第一個目的是提供一種新的和改進的，即使當鍵合線橫跨公用線連接時也不需要考慮公用線和鍵合線間電接觸可能性的半導體器件，以及制造這樣一種半導體器件的方法。
本發(fā)明另一個目的是提供一種新的和改進的，即使當鍵合線橫跨公用線連接時也可能降低鍵合線的彎曲度以得到更薄半導體器件封裝的半導體器件，以及制造這樣一種半導體器件的方法。
此外，另一個目的是提供一種新的和改進的，產品的可靠性通過防止鍵合線被壓扁或變形而得以提高的半導體器件，以及制造這樣一種半導體器件的方法。
為了達到上述目的，本發(fā)明的第一方面是該半導體器件包括半導體元件上眾多電極壓焊點，通過鍵合線與電極壓焊點相連接的引腳，以及為位于半導體元件上眾多的電極壓焊點中處理公共信號的電極壓焊點提供一種電連接的公用線，至少在它們的表面覆蓋著一層絕緣部分。
對于這種結構，因為有一層絕緣部分完全覆蓋住為半導體元件上眾多電極壓焊點中處理公共信號的電極壓焊點提供電連接的公用線表面，所以即使跨接在公用線兩邊的鍵合線與它們接觸，也會因該絕緣部分而不會發(fā)生電連接。換句話說，不需要考慮鍵合線和公用線間的電接觸的可能性，這就使得可能減少鍵合線的彎曲高度。
另外，為達到上述目的，本發(fā)明的第二方面是制造半導體器件的方法，包括第一層絕緣粘附帶被做在半導體元件上，以避免與眾多電極壓焊點相接觸的工藝，導電粘附層層疊在半導體元件第一層絕緣粘附帶上使得處理公共信號的電極壓焊點電連接的工藝，為覆蓋導電粘附層而層疊第二層絕緣粘附帶的工藝，以及使得既沒有導電粘附層又沒有第二層絕緣粘附帶覆蓋其上的電極壓焊點，通過跨接并接觸第二層絕緣粘附帶的鍵合引線與完成信號輸入/輸出的引腳相連的工藝。
在這個方法中，因為導電粘附層疊到做在半導體元件上以避免與眾多電極壓焊點接觸的第一層絕緣粘附帶上，并且導電粘附層與處理公共信號的電極壓焊點電連接，以及第二層絕緣粘附帶層疊在導電粘附層的表面，所以被絕緣部分包裹的導電粘附層可以作為公用線。此外，通過以跨接在第二層絕緣粘附帶兩邊并與第二層絕緣粘附帶接觸的方式來放置鍵合線，使得鍵合線被第二層絕緣粘附帶支撐著。


圖1是示意第一種實施方式的簡圖；圖2是示意制做導電粘附層的截面簡圖；圖3是示意第二種實施方式的簡圖；圖4是示意第三種實施方式的簡圖；圖5是示意第三種實施方式的簡圖；圖6是示意現(xiàn)有技術中一個實例的簡圖；以及圖7是示意現(xiàn)有技術中一個實例的簡圖。
本發(fā)明的優(yōu)選實施方式下面是對根據(jù)本發(fā)明提出的半導體器件和它的制造方法的有關實施方式的解釋。圖1是示意第一種實施方式的簡圖。正象圖1(a)中平面簡圖所示，第一種實施方式的半導體器件具有一個LOC結構，并配有一個片上半導體元件1，眾多引腳L和公用線2a和2b通過半導體元件1上的絕緣帶T相連，為襯底1a上的眾多電極壓焊點中處理公共信號的電極壓焊點提供電連接，以及將電極壓焊點與引腳L電連接的鍵合線W。
在這個半導體器件中，公用線2a通過與接電源的電極壓焊點P1電連接構成電源線，而公用線2b則通過與接地的電極壓焊點P2電連接構成地線。
另外，公用線2a也與電極壓焊點Pa和Pb電連接，使它們加電源，而公用線2b也與電極壓焊點Pc，Pd，Pe和Pf電連接，使它們接地。要注意的是其余電極壓焊點通過橫跨公用線2a和2b的鍵合線W與引腳L相連。
圖1(b)是圖1(a)中區(qū)域A的放大圖，圖1(c)是從箭頭指示的方向看過去的圖1(b)中直線B-B截面圖。如圖中所示，第一種實施方式中的公用線2a和2b，每條都有一個3層的相疊結構。即，構成最底層的第一層絕緣粘附帶21，構成中間層的導電粘附層22，以及構成最上層第二層絕緣粘附帶23。要注意的是圖1(b)表示只有導電粘附層22形成在構成最底層的第一層絕緣粘附帶21上的情形。
通過在帶上采用熱塑粘附劑來形成的第一層絕緣粘附帶21被做在襯底1a上，帶中有孔，這些孔與電極壓焊點的位置重合，以便電極壓焊點可以與襯底1a上的公用線2a或2b相接觸。另外，導電粘附層22是熱固性粘附劑，通過第一層絕緣粘附帶21中的孔與電極壓焊點接觸。
另外，象第一層絕緣粘附帶21一樣，通過在帶上采用熱塑粘附劑來形成的第二層絕緣粘附帶23被用來至少覆蓋導電粘附層22的表面。
例如，在公用電源線2a上，孔做在構成較底層的第一層絕緣粘附帶21中，它們與電極壓焊點P1和電極壓焊點Pa及Pb位置重合，并且接電源的電連接走線由進入這些孔，同時也做在第一層絕緣粘附帶21上的導電粘附層22構成。另外，因為第二層絕緣粘附帶至少覆蓋著導電粘附層22，于是就在導電粘附層22和鍵合線W之間得到絕緣。
此外，在公用接地線2b上，孔做在構成較底層的第一層絕緣粘附帶21中，它們與電極壓焊點P2和電極壓焊點Pc，Pd，Pe及Pf位置重合，并且接地的電連接走線由進入這些孔，同時也做在第一層絕緣粘附帶21上的導電粘附層22構成。因為第二層絕緣粘附帶至少覆蓋著導電粘附層22，于是就在導電粘附層22和鍵合線W之間得到絕緣。
每條公用線2a和2b的厚度大約為45～50微米(第一層絕緣粘附帶21和第二層絕緣粘附帶23每層厚度大約20微米，而導電粘附層厚度大約5微米)，通過這樣設置這些尺寸，跨接這些線的鍵合線W的彎曲高度與現(xiàn)有技術相比可以減少。此外，因為有形成在表面上的第二層絕緣粘附帶23，即使鍵合線W與公用線2a和2b接觸也不會發(fā)生短路。
下面介紹該半導體器件的制造方法。首先，在加熱和加壓的條件下做成第一層絕緣粘附帶21，上面有著與半導體元件上處理電源信號的電極壓焊點P1，Pa和Pb位置重合的孔，同時在加熱和加壓的條件下做成第一層絕緣粘附帶21，上面有著與半導體元件上處理地信號的電極壓焊點P2，Pa和Pb位置重合的孔。其次，導電粘附層22做在第一層絕緣粘附帶21之上，同時保證導電粘附層22進入孔。在這點上，導電粘附層22寬度應做得比第一層絕緣粘附帶21的要窄。
圖2是示意導電粘附層制做的截面圖。圖2(a)示意一個使用調和機D的例子，在這個例子中，導電粘附層22通過在半導體元件1第一層絕緣粘附帶(沒有畫出)上移動調和機D來做在預定位置，導電粘附劑從調和機D的頂頭流出。
圖2(b)示意出一個使用沖壓機的例子。在這個例子中，導電粘附層22粘附在有特定形狀的沖壓機底面，并通過沖壓將它層疊在半導體元件1第一層絕緣粘附帶(沒有畫出)上。
圖2(c)示出一個使用絲網(wǎng)印刷的例子。在這個例子中，絲網(wǎng)SC放置在半導體元件1上，并通過使用一個涂刷器K把導電粘附層22涂在絲網(wǎng)SC上，導電粘附層22通過絲網(wǎng)SC上特定形狀的開口層疊在半導體元件1第一層絕緣粘附帶(沒有畫出)上。
在采用上述方法之一做完導電粘附層22后，再做第二層絕緣粘附帶，以使導電粘附層完全被覆蓋。隨后，加熱到一定的溫度，使得導電粘附層22熱致成具有3層結構的公用線2a和2b。
接下來，與公用線2a或2b不相連的電極壓焊點通過鍵合引線W與引腳L連接。在這些線中，鍵合線W跨接在公用線2a和2b兩邊，被公用線2a和2b表面上的第二層粘附帶23所支撐并與之接觸。這就使到鍵合線W得到較低的彎曲高度，同時也有足夠的形狀保持強度。
鍵合線W連接后，半導體元件1的整體用壓模樹脂(沒有畫出)包在封裝里。在這個實施方式中，因為鍵合線W的彎曲高度可以比現(xiàn)有技術低，所以壓模樹脂的厚度也能減少。
要注意的是，雖然關于以上描述的制造方法，已給出了一個例子的解釋，在這個例子中第一層絕緣粘附帶21是在半導體元件1形成后(被劃開)做成的，但是第一層絕緣粘附帶21也可能在圓片被劃成半導體元件1之前就已做好。
接下來，闡述本發(fā)明的第二種實施方式。圖3是第二種實施方式的簡圖，其中圖3(a)表示平面簡圖，圖3(b)表示圖3(a)中區(qū)域A′的放大圖，圖3(c)表示一個從箭頭指向的方向看過去的圖3(b)中線B-B截面圖。
正象圖3(a)所示，第二種實施方式的半導體器件具有一個LOC結構，并配有一個片上半導體元件1，在半導體元件1的襯底1a上通過絕緣帶T連接的眾多引腳L，為襯底1a上眾多電極壓焊點中處理公共信號電極壓焊點提供電連接的公用線2a和2b，以及將電極壓焊點與引腳L電連接的鍵合線W。
另外，在第二種實施方式中，與加電源的電極壓焊點Pa和Pb電連接的公用線2a以及與接地的電極壓焊點Pc，Pd，Pe和Pf電連接的公用線2b都由3層結構組成(第一層絕緣粘附帶21，銅箔層22a，第二層絕緣粘附帶23)，銅箔層22a和電極壓焊點通過金屬凸點BP相連接(見圖3(a)和3(b))。要注意的是，3(b)示意出只有銅箔層22a形成在構成最底層的第一層絕緣粘附帶21上的情形。
通過在帶上采用熱塑粘附劑來形成的第一層絕緣粘附帶21被做成一種形式，在這種形式中，絕緣粘附帶21上的孔形成在與電極壓焊點重合的位置，以便電極壓焊點可以與襯底1a上的公用線2a或2b相接觸。另外，銅箔22a通過位于孔處的金屬凸點BP層疊在第一層絕緣粘附帶21上。此外，第二層絕緣粘附帶23，象第一層絕緣粘附帶21一樣，是通過在帶上采用熱塑粘附劑而形成的，它被用于覆蓋銅箔22a的表面。
在電源公用線2a上，孔做在構成較底層的第一層絕緣粘附帶21中與電極壓焊點P1和電極壓焊點Pa及Pb相重合的位置，并且接電源的電連接走線由通過位于那些孔處的金屬凸點BP的銅箔22a構成。另外，因為第二層絕緣粘附帶至少覆蓋著導電粘附層22，于是就在導電粘附層22和鍵合線W之間得到絕緣。
此外，在接地公用線2b上，孔做在構成較底層的第一層絕緣粘附帶21中與電極壓焊點P2和電極壓焊點Pc，Pd，Pe及Pf重合的位置，并且電連接的地線由通過位于那些孔處的金屬凸點BP的銅箔22a構成。通過第二層絕緣粘附帶至少覆蓋著銅箔22a的表面，銅箔22a與鍵合線W相絕緣。
每條公用線2a和2b的厚度大約為45～50微米(第一層絕緣粘附帶21和第二層絕緣粘附帶23每層厚度大約20微米，而銅箔22a厚度大約5微米)，通過這樣設置這些尺寸，跨接這些線的鍵合線W的彎曲高度與現(xiàn)有技術相比可以減少。此外，因為有形成在表面上的第二層絕緣粘附帶23，即使鍵合線W與公用線2a和2b接觸也不會發(fā)生短路。
接下來闡述制造這種半導體器件的方法。首先，上下表面都有熱致粘附劑的第一層絕緣粘附帶21在加熱和加壓下做在襯底1a上，對于公用線2a來說，第一層絕緣粘附帶21做成上面帶有與半導體元件上處理電源信號的電極壓焊點P1，Pa和Pb位置重合的孔，而對于公用線2b來說，第一層絕緣粘附帶21做成上面帶有與半導體元件上處理電源信號的電極壓焊點P2，Pc，Pd，Pe和Pf位置重合的孔。要注意的是，這里假定了孔中每個電極壓焊點上都有金屬壓焊點BP。
銅箔22a然后在加壓下粘附在第一層絕緣粘附帶21上。下表面帶有熱致粘附劑的第二層絕緣粘附帶23，在加壓下粘附在銅箔22a上。粘附的銅箔22a的寬度應比第一層絕緣粘附帶21和第二層絕緣粘附帶23的寬度要窄。
隨后，從第二層絕緣粘附帶23上方加熱和加壓。通過這種方式，就得到一種銅箔22a和金屬凸點BP接觸的情形。接著，在這種情形中，對半導體元件1進行加熱。通過加熱，用于第一層絕緣粘附帶21和第二層絕緣粘附帶23的熱致粘附劑就會固化和收縮，以致使銅箔22a和金屬壓焊點BP非常牢固地相接觸。
接下來，與公用線2a或2b不相連的電極壓焊點通過鍵合引線W與引腳L電連接。在這些線中，鍵合線W跨接在公用線2a和2b兩邊，被公用線2a和2b表面上的第二層絕緣粘附帶23所支撐并與之接觸。這就使得鍵合線W得到較低的彎曲高度，同時也有足夠的形狀保持強度。
鍵合線W連接后，半導體元件1的整體用壓模樹脂(沒有畫出)包在封裝里。在這個器件結構中，因為鍵合線W的彎曲高度與現(xiàn)有技術相比要低，所以壓模樹脂的厚度也能減少。
此外，因為銅箔22a被用來構成公用線2a和2b的電連接區(qū)域，所以在電性能方面有可能提高，因為電連接走線會有低的電阻。
接下來，闡述本發(fā)明的第三種實施方式。圖4和5是第三種實施方式中器件結構的簡圖，其中圖4(a)表示平面簡圖，圖4(b)表示圖4(a)中區(qū)域C的放大圖，圖5(a)表示第一層導電粘附層的形狀，圖5(b)表示一個從箭頭指向的方向看過去的圖4(b)中直線D-D截面圖，圖5(c)表示封裝形式的截面簡圖。
圖4(a)示意出第三種實施方式的半導體器件具有一個LOC結構，并配有一個片上半導體元件1，在半導體元件1的襯底1a上通過絕緣帶T連接的眾多引腳L，為襯底1a上眾多電極壓焊點中處理公共信號電極壓焊點提供電連接的公用線2a和2b，以及將電極壓焊點與引腳L電連接的鍵合線W。
特別是，第三種器件結構的特點表現(xiàn)在與加電源的電極壓焊點Pa和Pb電連接的走線以及與接地的電極壓焊點Pc，Pd，Pe和Pf電連接的走線都是由5層結構組成。
正象圖4(b)和圖5(b)所示，該層結構是按以下順序層疊形成的構成最底層的第一層絕緣粘附帶21，較底層的第一層導電粘附層22，構成中間層的第二層絕緣粘附帶23，較高層的第二層導電粘附層24和構成最上一層的第三層絕緣粘附帶25。
通過在帶上采用熱塑粘附劑來形成的第一層絕緣粘附帶21被做成帶有與電源電極壓焊點的位置重合的孔(包括在下面闡述中與這些電極壓焊點相接的其它電極壓焊點)，并帶有與接地電極壓焊點的位置重合的孔(包括在下面闡述中與這些電極壓焊點相接的其它電極壓焊點)。下面的闡述中第二層粘附帶也有同樣的連接應用。
另外，制做第一層導電粘附層22，使它進入第一層絕緣粘附帶21上相應于電源電極壓焊點位置的孔(例如，電極壓焊點Pa)，同時避開其它電極壓焊點P的位置(見圖5(a))。
通過在帶上采用熱塑粘附劑而形成的第一層絕緣粘附帶21，被用來覆蓋在第一層導電粘附層22的表面。要注意的是，孔形成在第二層絕緣粘附帶23中與接地和其它電極壓焊點(除了那些電源或接地電極壓焊點以外的電極壓焊點)相應的位置上。
制做第二層導電粘附層24，使它進入第二層絕緣粘附帶23上相應于接地電極壓焊點位置的孔(例如，電極壓焊點Pa)，同時避開其它電極壓焊點P的位置(除了那些電源或接地電極壓焊點以外的電極壓焊點)。
此外，通過在帶上采用熱塑粘附劑而形成的第三層絕緣粘附帶25，被用來覆蓋在第二層導電粘附層24的表面。孔形成在第三層絕緣粘附帶25與那些電源或接地電極壓焊點以外的電極壓焊點相應的位置上。
作為結果，對于這些5層公用線，較底層的第一層導電粘附層22構成接電源的連接走線，而較高層的第二層導電粘附層24構成接地的連接走線。另外，對于形成一個層疊結構的第一層導電粘附層22和第二層導電粘附層24，它們每條都覆蓋著電極壓焊點的兩個側邊。
此外，對于形成在公用線2中那些電源或接地電極壓焊點以外的電極壓焊點上的孔，鍵合線W在這些孔處連接，與引腳L電連接。
因為第三層絕緣粘附帶25附著在公用線2的表面，所以即使當鍵合線W與第一層導電粘附層22和第二層導電粘附層24相接觸時也可以避免鍵合線W與它們短路。
下面闡述制造這種半導體器件的方法。首先，帶有形成在與各個電極壓焊點重合位置的孔的第一層絕緣粘附帶21在加熱和加壓下被粘附。
然后，第一層導電粘附層22被做在第一層絕緣粘附帶21上。制做第一層導電粘附層22，使得它通過每個電極壓焊點的兩邊，并只進入形成在處理電源信號的電極壓焊點P1，Pa和Pb上的孔(見圖5(a))。就象第一種器件結構，第一層導電粘附層22的形成也是通過采用圖2(a)～2(c)所示的方法之一完成的。
這之后，第二層絕緣粘附帶23在加熱和加壓下被粘附在第一層導電粘附層22上。要注意的是，孔形成在第二層絕緣粘附帶23上與接地電極壓焊點P2，Pc，Pd，Pe和Pf以及其它電極壓焊點(除了那些電源或接地電極壓焊點以外的電極壓焊點)重合的位置。
接著，第二層導電粘附層24被做在第二層絕緣粘附帶23上。制做第二層導電粘附層24，以使得它覆蓋每個電極壓焊點的兩個側邊，并只進入形成在處理地信號的電極壓焊點P2，Pc，Pd，Pe和Pf上的孔。就象第一層導電粘附層22，第二層導電粘附層24的形成也是通過采用圖2(a)～2(c)所示的方法之一完成的。
第三層絕緣粘附帶2 5在加熱和加壓下被粘附在如此制做的第二層導電粘附層24上。第三層絕緣粘附帶25覆蓋著第二層導電粘附層24。要注意的是，孔形成在第三層絕緣粘附帶25上與除了那些電源或接地電極壓焊點以外的電極壓焊點重合的位置。
在通過層疊形成5層公用線2之后，半導體元件1被加熱。通過這種加熱，熱塑粘附劑被固化，于是把各層鍵合在一起。
隨后，沒有與公用線2連接的電極壓焊點通過鍵合線W與引腳L電連接。通過這種引線，鍵合線W形成一種方式，在這種方式中，鍵合線W跨接在公用線2的兩邊，被公用線2表面的第三層絕緣粘附帶25支撐并與之接觸。這樣，對于鍵合線W就得到較低的彎曲高度，同時，達到足夠的形狀保持強度。
鍵合線W連接后，半導體元件1的整體用壓模樹脂密封封裝里形成封裝PC，如圖5(c)所示。因為在這個器件結構中鍵合線W的彎曲高度與現(xiàn)有技術相比要低，所以封裝PC的厚度可減少到圖中用2條點劃線指示的位置。
在第三種器件結構中，通過形成作為5層結構的公用線2，就形成一種方式，在這種方式中，獨立的連接走線獨自通過電極壓焊點的兩邊，因此增加了整個寬度(粘附的區(qū)域)。這樣，有可能通過各層中鍵合力的增加在可靠性方面有所提高。特別是，當各個電極壓焊點的間距變得越小時，這個效果更明顯。
雖然優(yōu)選的根據(jù)本發(fā)明的半導體器件的實施方式和它的制造方法參照附圖已被闡述，但本發(fā)明并不局限于這些例子，那些本領域的技術人員會知道，在結構和細部方面可以做各種變化和調整，而不偏離本發(fā)明的實質，范圍和闡述。
例如，雖然在以上所有闡述的器件結構中，接電源的電源線和接地的地線構成公用線，但本發(fā)明不局限于這些例子，并且任何給處理公共信號的眾多電極壓焊點進行電連接的走線都可以構成公用線。換句話說，半導體元件內部的鋁線或類似導線都可用作公用線。
另外，當將公用線和鍵合線W互相接觸時，精確的支撐通過將鍵合線W放置成多邊形的形狀而得到(例如，不規(guī)則四邊形的形狀)，使得鍵合線在它幾乎水平的區(qū)域與公用線成行接觸，并形成了多邊形的上邊。
正象所闡述的，根據(jù)本發(fā)明的半導體器件和它的制造方法具有下面的優(yōu)點。即，即使當鍵合線跨越公用線連接時，也沒有必要考慮公用線和鍵合線間電接觸的可能性，因此，有可能減少鍵合線彎曲的高度。這樣，使得半導體器件得到更薄的封裝。
另外，當放置鍵合線時，通過將鍵合線與做在公用線表面的絕緣粘附帶接觸放置，就可以支撐鍵合線，從而防止鍵合線被壓扁或變形，為半導體器件提供高水平的可靠性。
權利要求
1.一種半導體器件，包括半導體元件上眾多電極壓焊點；通過鍵合線與所述電極壓焊點連接的引腳；所述半導體元件上提供的公用線，這些公用線為所述眾多電極壓焊點中處理公共信號的電極壓焊點提供電連接；以及至少做在所述公用線表面的絕緣部分。
2.一種根據(jù)權利要求1的半導體器件，其中電源公用線和接地公用線相互獨立地形成在所述半導體元件上，以構成所述公用線。
3.一種根據(jù)權利要求1的半導體器件，其中所述鍵合線跨接在所述公用線的兩邊，并與做在所述公用線的所述表面上的所述絕緣部分接觸放置。
4.一種根據(jù)權利要求1的半導體器件，其中所述公用線每條都包括粘附在所述半導體元件上的第一層絕緣粘附帶，層疊在所述第一層絕緣粘附帶上的一層導電部分，以及層疊在所述導電部分上的第二層絕緣粘附帶。
5.一種根據(jù)權利要求1的半導體器件，其中所述公用線通過在所述半導體元件上交替層疊絕緣粘附帶和導電粘附層而形成，它的最上一層是一層絕緣粘附帶。
6.一種根據(jù)權利要求4的半導體器件，其中孔提供在所述第一層絕緣粘附帶與各個處理所述公共信號的電極壓焊點重合的位置處，而且所述的各個電極壓焊點通過鑲嵌在所述孔中的導電部分和所述的導電部分電連接。
7.一種根據(jù)權利要求4的半導體器件，其中所述導電部分由一層導電粘附層組成。
8.一種根據(jù)權利要求4的半導體器件，其中所述導電部分由一層金屬箔組成。
9.一種根據(jù)權利要求5的半導體器件，其中所述的公用線包括粘附在所述半導體元件上的第一層絕緣粘附帶，層疊在所述第一層絕緣粘附帶上的第一層導電粘附層，層疊在所述第一層導電粘附層上的第二層絕緣粘附帶，層疊在所述第二層絕緣粘附帶上的第二層導電粘附層，以及層疊在所述第二層導電粘附層上的第三層絕緣粘附帶。
10.一種根據(jù)權利要求5的半導體器件，其中所述公用線覆蓋相應于處理所述公共信號的各個電極壓焊點以外的電極壓焊點位置的兩個側邊。
11.一種根據(jù)權利要求5的半導體器件，其中所述第一層導電粘附層或所述第二層導電粘附層構成所述半導體元件中的電源線，而所述第二層導電粘附層或所述第一層導電粘附層也構成所述半導體元件中的地線。
12.一種根據(jù)權利要求8的半導體器件，其中孔提供在所述第一層絕緣粘附帶相應于各個處理所述公共信號的電極壓焊點的位置，而且所述的各個電極壓焊點通過所述孔中的金屬凸點和所述的金屬箔電連接。
13.一種制造半導體器件的方法包括一種第一層絕緣粘附帶避開眾多電極壓焊點粘附在半導體元件上的步驟；一種導電粘附層層疊在所述第一層絕緣粘附帶上，同時所述導電粘附層與所述半導體元件上處理公共信號的電極壓焊點電連接的步驟；一種第二層絕緣粘附帶層疊覆蓋在所述導電粘附層表面上的步驟；以及一種沒有與所述導電粘附層或所述第二層絕緣粘附帶相疊的電極壓焊點與引腳電連接，通過把所述鍵合線跨接在所述第二層絕緣粘附帶和將鍵合線與所述第二層絕緣粘附帶接觸放置，完成片外信號經(jīng)由鍵合線輸入和輸出的步驟。
14.一種制造半導體器件的方法包括一種第一層絕緣粘附帶避開眾多電極壓焊點粘附在半導體元件上的步驟；一種第一層導電粘附層層疊在所述第一層絕緣粘附帶上，同時所述導電粘附層與所述半導體元件上處理電源信號的電極壓焊點電連接的步驟；一種第二層絕緣粘附帶層疊覆蓋在所述第一層導電粘附層表面上的步驟；一種第二層導電粘附層層疊在所述第二層絕緣粘附帶上，同時所述導電粘附層與所述半導體元件上接地的電極壓焊點電連接的步驟；一種第三層絕緣粘附帶層疊覆蓋在所述第二層導電粘附層表面上的步驟；以及一種沒有被所述第一層導電粘附層，所述第二層導電粘附層，所述第二層絕緣粘附帶和所述第三層絕緣粘附帶層疊的電極壓焊點與引腳電連接，通過把所述鍵合線跨接在所述第三層絕緣粘附帶和將鍵合線與所述第三層絕緣粘附帶接觸放置，完成片外信號經(jīng)由鍵合線輸入和輸出的步驟。
15.一種制造半導體器件的方法包括一種第一層絕緣粘附帶避開眾多電極壓焊點粘附在半導體元件上的步驟；一種金屬箔層疊在所述第一層絕緣粘附帶上，同時所述金屬箔與所述半導體元件上處理公共信號的電極壓焊點上凸點電連接的步驟；一種第二層絕緣粘附帶層疊覆蓋在所述金屬箔上的步驟；以及一種沒有被所述金屬箔或所述第二層絕緣粘附帶層疊的電極壓焊點與引腳連接，通過把所述鍵合線跨接在所述第二層絕緣粘附帶和將鍵合線與所述第二層絕緣粘附帶接觸放置，完成片外信號經(jīng)由鍵合線輸入和輸出的步驟。
全文摘要
根據(jù)本發(fā)明的半導體器件包括半導體元件1上提供的眾多電極壓焊點,通過鍵合線W與電極壓焊點連接的引腳L以及半導體元件1上提供的使得眾多電極壓焊點中處理公共信號的電極壓焊點電連接的公用線2a和2b。至少在公用線2a和2b的表面覆蓋著一層絕緣部分,例如,第二層絕緣粘附帶。這樣,鍵合線的彎曲高度就可以降低,從而得到較薄的封裝。
文檔編號H01L21/60GK1195191SQ9711411
公開日1998年10月7日 申請日期1997年11月28日 優(yōu)先權日1997年3月28日
發(fā)明者內田康文 申請人:沖電氣工業(yè)株式會社