專利名稱:高速響應(yīng)光電轉(zhuǎn)換器及其制造方法
本發(fā)明涉及光電轉(zhuǎn)換器。
迄今為此，人們對光電變換器的應(yīng)用提出過各色各樣的方案。傳真機用的接觸式圖象傳感器是這種應(yīng)用的一個實例，其示意圖如圖1所示。該傳感器由光敏半導(dǎo)體層3組成，光敏半導(dǎo)體層3兩相對表面有一對電極2和4，該對電極是用三個掩模用平版印刷述制成的。
現(xiàn)行這種光電轉(zhuǎn)換器的制造方法如下-先在襯底1上形成一層鉻導(dǎo)電層，用第一個掩模1m模制，形成多個第一電極2，再用輝光放電法在模制成的電極2上淀積一層1微米厚非晶形硅光敏本征半導(dǎo)體層，然后用第二個金屬掩模2m模制，形成光電轉(zhuǎn)換層3。作為半導(dǎo)體層，非晶形硅系按這樣一種方法形成，以致即使掩模2m可能位移，模制層也仍能充分遮蓋第一電極2。然后在半導(dǎo)體層3上形成一層氧化錫銦導(dǎo)電層，并用第三個掩模3m模制第二電極4。在第二電極4和半導(dǎo)體層3之間的結(jié)(MI結(jié))-肖特基勢壘上，可制成整流二極管。
光線如圖1(C)所示那樣通過第二電極4入射到半導(dǎo)體層3上時，就產(chǎn)生與入射光強度成比例的電子-空穴對。
但圖1(A)至圖1(C)所示的圖象傳感器，其半導(dǎo)體層3都制造得大于第一電極2。因此，在垂直方向相對配置的電極2和4之間的區(qū)內(nèi)也產(chǎn)生電子-空穴對，而且在該區(qū)內(nèi)所產(chǎn)生的載流子發(fā)生橫向漂移，如圖1(A)各箭頭所示。橫向漂移使響應(yīng)滯后。
另一方面，按上述方法制造的本征半導(dǎo)體層具有在易于轉(zhuǎn)變成n型的曝光表面形成寄生通道的傾向，從而產(chǎn)生大的暗電流，并使產(chǎn)品質(zhì)量參差不齊。此外，三個掩模的采用降低了成本效率。
因此本發(fā)明的一個目的是提供經(jīng)過改良的光電轉(zhuǎn)換器及其制造方法。
本發(fā)明的另一個目的是提供經(jīng)過改良能實時變換入射光的光電轉(zhuǎn)換器及其制造方法。
本發(fā)明的又一個目的是提供經(jīng)過改良，其對入射光的響應(yīng)時間滯后不大的光電轉(zhuǎn)換器及其制造方法。
本發(fā)明的又另一個目的是提供經(jīng)過改良在其光電半導(dǎo)體上的寄生通道不多的光電轉(zhuǎn)換器及其制造方法。
圖1(A)、(B)和(C)是現(xiàn)有技術(shù)的圖象傳感器。
圖2(A)至圖2(M)是本發(fā)明的線性接觸式圖象傳感器的平面圖和剖面圖。
圖3(A)至圖3(C)是本發(fā)明另一種線性接觸式圖象傳感器的平面圖和剖面圖。
圖4(A)至圖4(F)是本發(fā)明又另一種線性接觸式圖象傳感器的平面圖和剖面圖。
圖5(A)至圖5(G)是本發(fā)明又另一種接觸式圖象傳感器的平面圖和剖面圖。
圖6(A)至圖6(M)是本發(fā)明二維接觸式圖象傳感器的平面圖和剖面圖。
參看圖2(A)至圖2(M)，這是按制造過程說明本發(fā)明一個實施例的示意圖。
在諸如石英板、硼硅酸玻璃板之類的耐熱襯底上依次形成第一導(dǎo)電層2、光敏半導(dǎo)體層3和第二導(dǎo)電層5。第一導(dǎo)電層是2000埃厚的錫銦氧化層。半導(dǎo)體層至少應(yīng)由一層大體上是本征半導(dǎo)體層構(gòu)成，例如含p-i-n結(jié)、n-i-n結(jié)或m-i結(jié)的非晶形硅半導(dǎo)體層等;各層系用周知的化學(xué)汽相淀積法淀積成。硅半導(dǎo)體層顯然略呈n型導(dǎo)電性，因而可摻以硼之類的p型雜質(zhì)使之成為大體上是本征性的半導(dǎo)體。
例如，半導(dǎo)體層可由一層200埃厚的p型半導(dǎo)體層、一層3500埃厚的本征半導(dǎo)體層和一層300埃厚的n型半導(dǎo)體層組成，名層都用多室等離子體改進了的化學(xué)汽相淀積法淀積成(如本申請人在昭-54-104452號日本專利申請書所公開的那樣)。在此情況下，第二導(dǎo)電層5系由厚1000埃的鉻制成，硅化鉻透明導(dǎo)電層4則系作為10至200埃厚的副產(chǎn)品在半導(dǎo)體層3與鉻層5之間形成。硅化鉻層4作為緩沖層使半導(dǎo)體層3與電極5之間的接觸具有電阻性。
在各薄片層之間加上反偏壓以消除半導(dǎo)體層3中的缺陷。即，第一導(dǎo)電層2接電壓源正極，第二導(dǎo)電層4接電壓源負(fù)極，逐步升壓。在此過程中，所加電壓上升時，通過半導(dǎo)體層的電流隨疊加的不規(guī)則瞬態(tài)電流而增加。但通過半導(dǎo)體層的電流在所加電壓達(dá)3至5伏時突然下降，在反偏壓降至10伏時在對應(yīng)于半導(dǎo)體電阻率的電平下穩(wěn)定下來。上述現(xiàn)象可這樣解釋缺陷部分的電阻大體上小于半導(dǎo)體正常部分的電阻，而通過缺陷部分的電流導(dǎo)致瞬態(tài)電流的產(chǎn)生，更詳細(xì)地說，因此缺陷部分產(chǎn)生不利的影響。將流過缺陷部分的電流在空間上加以限制并使其密集，使該電流所產(chǎn)生的熱量焚燒缺陷部分，從而使其具有相同的絕緣性能。所加的電壓當(dāng)然應(yīng)低于半導(dǎo)體層3的擊穿電壓。
接著，用第一個掩模1m將導(dǎo)電層2、4、5和半導(dǎo)體層3作為一個整體腐蝕或多個延伸的薄片件10，如圖2(C)、2(D)和2(E)所示。
這樣，將薄片件10配置成線性陣列，各元件寬100微米，長150微米，間距30微米。
如圖2(F)所示，可用涂敷法形成1.6微米厚的光固化型有機樹脂層6，例如芳族聚酰亞胺母體溶液，以此來徹底封閉光電管件10。然后將透明襯底1在干凈的烘爐中在80℃溫度下預(yù)焙一小時，再用公知的掩模對準(zhǔn)器但不用掩模用紫外線從透明襯底1背面進行照射。采用古比爾特公司的掩模對準(zhǔn)器時，照射時間約為兩分鐘。固化處理之后，用適當(dāng)?shù)臎_洗液除去樹脂未固化的部分，使剩余的樹脂與透明導(dǎo)電層4同高。在這方面，固化處理使樹脂的體積大致上減小一個系數(shù)2，因而對0.8微米厚的光電管件來說，固化處理前的樹脂厚度應(yīng)選用1.6微米。采用300至400毫微米波長(10毫瓦/平方厘米)的紫外線時，15至30秒的照射時間是足夠的。
經(jīng)過腐蝕之后，將襯底1在氮氣氛中在180℃下加熱30分鐘，在300℃下加熱30分鐘，在400℃下加熱30分鐘。接著，用公知的腐蝕溶液除去鉻層5，只有透明的硅化鉻層4留在半導(dǎo)體3上(見圖2(G))。硅化鉻層4防止在下一步工序中在半導(dǎo)體層3上形成的銦錫氧化層因半導(dǎo)體層與銦錫氧化層之間的相互作用而變質(zhì)。
然后，如圖2(H)、2(I)和2(J)所示，在薄片件10的各延伸端上形成0.1至0.5微米厚的氧化錫透明電極，并用第二個光掩模2m有選擇地進行腐蝕。用透明電極9作為掩摸，將半導(dǎo)體層3連同硅化鉻層4一起進行腐蝕，只留下電極9后面的相應(yīng)部分。最后將轉(zhuǎn)換器上部表面涂以樹脂層12，如圖2(L)和圖2(M)所示。這樣，頂部表面光滑的圖象傳感器就制成了。例如，諸元件可排成一直線，每一毫米排8個光電管。
本發(fā)明人曾在配置電極9之前用電子顯微鏡觀察過各元件與樹脂層之間的接觸情況。結(jié)果觀察到有微量的不均勻度，但不存在因拉制電極2或4而造成的會在相對電極2和4之間形成短路電流的裂痕。還觀察到，不存在會使其上的布線圖案中斷的凸出部分，而且兩橫向相鄰各層都彼此平滑連接。借助于這種結(jié)構(gòu)，就有可能將銦錫氧化層作為電極9疊加到各層上而不致在界面的正上方位置引起任何斷路的可能性。
如此形成的光電轉(zhuǎn)換元件20系由與線19接觸的第一電極2、半導(dǎo)體層3、第二電極4和與線13接觸的第三電極5組成。半導(dǎo)體層3完全封閉著，其頂面和底面上有電極，側(cè)面有樹脂層，因而在半導(dǎo)體層上沒有漏泄電流，也沒有寄生通道產(chǎn)生。
此外，相對著的電極2和4可通過面積和形狀與電極4和5相同的半導(dǎo)體層3彼此相對，與布線圖案制作精度無關(guān)。
現(xiàn)對本發(fā)明采用帶p-i-n結(jié)光電器件進行試驗獲得的光電特性實例說明如下。即，所加電壓為3伏時，暗電流為1.8×10-13安(光電管面積100微米×150微米)，照度為100勤克司時，光電流為3.5×10-8安。光電器件具有這樣的響應(yīng)特性，即它每一微秒可完成對入射光的轉(zhuǎn)接。上面談到的現(xiàn)有技術(shù)器件不能持續(xù)履行如此頻繁的轉(zhuǎn)變。
另一個實驗對象是n-i-n結(jié)的光電器件。通過n-i-n結(jié)的電流與所加偏壓的關(guān)系特性曲線對稱于零偏壓，暗電流為4×10-13安，參考光照度為100勤克司。該器件能令人滿意地在0.2微秒時間間隔內(nèi)履行間歇照射。
圖3(A)至圖3(C)是本發(fā)明另一個線性接觸式圖象傳感器的示意圖。在此實施例中無需形成硅化鉻層4，其它加工和構(gòu)制工序與上面的實施例同，這里不再贅述。即，不形成鉻層5。
以上列舉的都是一些外電極設(shè)計得比相應(yīng)的半導(dǎo)體部位大的線性接觸式圖象傳感器的實施例。借助于這種結(jié)構(gòu)就不會產(chǎn)生載流子漂移和響應(yīng)滯后現(xiàn)象。
圖4(A)至圖4(F)是本發(fā)明又一個線性圖象傳感器的示意圖，這種圖象傳感器的上部電極與半導(dǎo)體層在一個方向上重疊。此實施例圖象傳感器的制造過程與上述實施例圖2(A)至圖2(G)所述的工序同，因而不予重復(fù)。
現(xiàn)在參看圖4(A)至圖4(F)，制取0.1至0.5微米厚的氧化錫透明電極，然后以適當(dāng)?shù)姆绞接玫诙€掩模2m有選擇地進行腐蝕，使得諸光電管件各端超過第三電極9延伸。以透明電極9作為掩模，將半導(dǎo)體層3與硅化鉻層4一起進行腐蝕，留下電極9正背面的半導(dǎo)體層部分不腐蝕。如此制成的光敏元件20其外電極9在橫向上與其余的半導(dǎo)體層重合。最后將圖象傳感器的上部表面涂一層樹脂層，如圖4(E)和4(F)所示。這樣就制成了一個具有光敏元件陣列的圖象傳感器。例如，各元件可排成一直線，每一毫米排八個光電管。
圖5(A)至圖5(G)是本發(fā)明又另一個線性接觸式圖象傳感器的示意圖。傳感器的襯底1具有能接收光的表面。此實施例傳感器的加工工序與前面實施例到圖2(F)為止的加工工序相同，因而不再贅述。
如圖2(E)所示，淀積樹脂層6之后，從底部表面按一定程度用光照射襯底1，使高于圖5(A)所示鉻層上部表面的樹脂層不致固化。然后將襯底1在氮氣氛中在180℃下加熱30分鐘，在300℃下加熱30分鐘，在400℃下加熱30分鐘。接著，如圖5(B)、5(C)和5(D)所示，在薄片件10的延伸端形成0.1至0.5微米厚的電極片，并用第二個光掩模2m有選擇地進行腐蝕。以透明電極9作為掩模，將半導(dǎo)體層3與電極5和硅化鉻層4一起腐蝕，留下電極9后面的相應(yīng)部分不腐蝕。最后將傳感器上部表面涂以樹脂層12，如圖5(F)和5(G)所示。這樣就制成了頂部表面光滑的圖象傳感器。例如，可以將光敏元件排成直線，每1毫米排八個光電管。
現(xiàn)在參看圖6(A)至圖6(M)。這是按制造過程說明本發(fā)明的一個二維圖象傳感器的示意圖。
在諸如石英板、硼硅酸玻璃板之類的耐熱襯底上依次形成第一導(dǎo)電層2、光敏半導(dǎo)體層3和第二導(dǎo)電層5。第一導(dǎo)電層是2000埃厚的錫銦氧化層。半導(dǎo)體層至少應(yīng)由一層大體上是本征半導(dǎo)體層構(gòu)成，例如含p-i-n結(jié)、n-i-n結(jié)或m-i結(jié)的非晶形硅半導(dǎo)體層等;各層系用周知的化學(xué)汽相淀積法淀積成。硅半導(dǎo)體層顯然略呈n型導(dǎo)電性，因而可摻以硼之類的p型雜質(zhì)使之成為大體上是本征性半導(dǎo)體。
例如，半導(dǎo)體層可由一層200埃厚的p型半導(dǎo)體層，一層3500埃厚的本征半導(dǎo)體層和一層300埃厚的n型半導(dǎo)體層組成，各層都用多室等離子體改進了的化學(xué)汽相淀積法淀積成(如本申請人在昭-54-104452號日本專利申請書所公開的那樣)。在此情況下，第二導(dǎo)電層5系由厚1000埃的鉻制成，硅化鉻透明導(dǎo)電層4則系作為10至200埃厚的副產(chǎn)品在半導(dǎo)體層3與鉻層5之間形成。硅化鉻層4作為緩沖層使半導(dǎo)體層3與電極5之間的接觸具有電阻性。
在各薄片層之間加上反偏壓以消除半導(dǎo)體層3中的缺陷。即，第一導(dǎo)電層2接電壓源正極，第二導(dǎo)電層4接電壓源負(fù)極，逐步升壓。在此過程中，所加電壓上升時，通過半導(dǎo)體層的電流隨疊加的不規(guī)則瞬態(tài)電流而增加。但通過半導(dǎo)體層的電流在所加電壓達(dá)3至5伏時突然下降，在反偏壓降至10伏時在對應(yīng)于半導(dǎo)體電阻率的電平下穩(wěn)定下來。上述現(xiàn)象可這樣解釋缺陷部分的電阻大體上小于半導(dǎo)體正常部分的電阻，而通過缺陷部分的電流導(dǎo)致瞬態(tài)電流的產(chǎn)生，因此缺陷部分產(chǎn)生不利的影響。將流過缺陷部分的電流在空間上加以限制并使其密集，使該電流所產(chǎn)生的熱量焚燒缺陷部分，從而使其具有相同的絕緣性。所加的電壓當(dāng)然應(yīng)低于半導(dǎo)體層3的擊穿電壓。
接著，用第一個掩模1m將導(dǎo)電層2、4、5和半導(dǎo)體層3作為一個整體腐蝕或多個延伸的薄片件10，如圖6(C)、6(D)、6(E)所示。
這樣，薄片件10就成條狀配置起來，形成接觸式圖象傳感器的敏感部分，設(shè)計成矩陣的形式，矩陣的元件寬100微米、長150微米，間距30微米。
如圖6(F)所示，可用涂敷法形成1.6微米厚的光固化型有機樹脂層6，例如芳族聚酰亞胺母體溶液，以此來徹底封閉光電管件10。然后將透明襯底1在干凈的烘爐中在80℃溫度下預(yù)焙一小時，再用公知的掩模對準(zhǔn)器但不用掩模用紫外線從透明襯底1背面進行照射。采用古比爾特公司的掩模對準(zhǔn)器時，照射時間約為兩分鐘。固化處理之后，用適當(dāng)?shù)臎_洗液除去樹脂未固化的部分，使剩余的樹脂與透明導(dǎo)電層4同高。在這方面，固化處理使樹脂的體積大致上減小一個系數(shù)2。因而對0.8微米厚的光電管件來說，固化處理前的樹脂厚度應(yīng)選用1.6微米。采用300至400毫微米波長(10毫瓦/平方厘米)的紫外線時，15至30秒的照射時間是足夠的。
經(jīng)過腐蝕之后，將襯底1在氮氣氛中在180℃下加熱30分鐘，在300℃下加熱30分鐘，在400℃下加熱30分鐘。然后，用公知的腐蝕溶液除去鉻層5，只有透明的硅化鉻層4留在半導(dǎo)體層3上(見圖6(G))。硅化鉻層4防止在下一步工序中在半導(dǎo)體層3形成的銦錫氧化層因半導(dǎo)體層與銦錫氧化層之間相互作用而變質(zhì)。
然后，如圖6(H)、6(I)和6(J)所示，在襯底的整個上部表面上形成厚0.1至0.5微米的透明電極9，并用第二個光掩模2m有選擇地進行腐蝕，以產(chǎn)生多個垂直于薄片件10延伸的電極片。用透明電極9作為掩模，將半導(dǎo)體層3連同硅化鉻層4一起進行腐蝕，只留下電極9后面的部分。最后將變換器上部表面涂以樹脂層12，如圖6(L)和6(M)所示。這樣，頂部表面光滑的圖象傳感器就制成了。
如此形成的光電變換元件20系由與線19接觸的第一電極2、半導(dǎo)體層3、第二電極4和與線13接觸的第三電極5組成。半導(dǎo)體層3完全封閉著，其頂面和底面上有電極，側(cè)面有樹脂層，因而在半導(dǎo)體上沒有漏泄電流，也沒有寄生通道產(chǎn)生。
此外，相對著的電極2和4可通過面積和形狀與電極4和5相同的半導(dǎo)體層3彼此相對，與布線圖案制作精度無關(guān)。
如上所述，本發(fā)明的光電轉(zhuǎn)換器系由多個薄片層組成，各薄片層的周邊分別為樹脂層所包圍。薄片層的上部表面暴露著，就象不設(shè)樹脂層一樣。雖然各層表面和樹脂層表面最好構(gòu)制成彼此齊平，但樹脂層也可制成其上部表面低于各層表面。
本發(fā)明特別適合作為圖象傳感器使用，因為在襯底上可以細(xì)致地配置多個傳感器元件而不致造成相鄰各元件之間互相干擾，而且因為各傳感器元件可以長期保持可靠，具有抗外來沖擊力的耐磨性。
不言而喻，本發(fā)明僅受所附權(quán)利要求
的限制而不受具體實施例的限制，熟悉本專業(yè)的人士都可以對上述諸實施例進行修改和更改。
雖然本發(fā)明介紹的是接觸式圖象傳感器，但本發(fā)明也可適用于只具有一個或幾個變換元件的其它類型光電轉(zhuǎn)換器。光電變換半導(dǎo)體層除可含有p-i-n結(jié)或n-i-n結(jié)之外，還可含有p-i結(jié)、n-i結(jié)、m-i結(jié)(肖特基結(jié))、n-i-p結(jié)或m-i-n結(jié)。用于本發(fā)明的半導(dǎo)體物質(zhì)可以是SiXGe1-X(0＜X≤1)，SiXC1-X(0＜X≤1)或SiXSn1-X(0＜X≤1)。
權(quán)利要求
1.一種光電轉(zhuǎn)換器，其特征在于，該光電轉(zhuǎn)換器包括；一層光電半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層相對表面上形成并完全遮蓋該相對表面的第一和第二電極；一層在所述半導(dǎo)體層周邊形成并防止所述周邊暴露的樹脂層。
2.根據(jù)權(quán)利要求
1的光電轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述第二電極由鉻制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求
2的光電轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述半導(dǎo)體層由硅制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求
3的光電轉(zhuǎn)換器，其特征在于，該光電轉(zhuǎn)換器還包括由所述第二電極和所述半導(dǎo)體層之間相互作用形成的硅化鉻。
5.一種光傳感器，其特征在于，該光傳感器包括;一個襯底;一個在所述襯底上形成的第一電極;一層在所述第一電極上形成并在空間上限制在所述電極周邊范圍內(nèi)的光電半導(dǎo)體層;和一個在所述半導(dǎo)體層外表面形成并完全遮蓋該外表面的第二電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求
1的傳感器，其特征在于，該傳感器還包括一層與所述半導(dǎo)體層周邊接觸的樹脂層。
7.根據(jù)權(quán)利要求
6的傳感器，其特征在于，該傳感器包括多個成排配置在所述襯底上的光電元件，各光電元件由所述半導(dǎo)體層和所述第一和第二電極組成。
8.根據(jù)權(quán)利要求
7的傳感器，其特征在于，所述第一電極還起輸出引出線的作用。
9.根據(jù)權(quán)利要求
8的傳感器，其特征在于，所述多個光電元件和沿所述排延伸的第二電極一樣，共用一個電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求
6的傳感器，其特征在于，該傳感器包括多個在所述襯底上以矩陣的形式配置的光電元件，各光電元件由所述半導(dǎo)體層和所述第一和第二電極組成。
11.根據(jù)權(quán)利要求
10的傳感器，其特征在于，配置在所述矩陣各排的光電元件與所述沿該排延伸的第一電極一樣，共用一個電極片，同時，配置在所述矩陣各列的光電元件共用延列沿伸的一個電極片。
12.一種制造光傳感器的方法，其特征在于，該方法包括襯底制備工序;在所述襯底主表面上形成第一電極的工序;在所述第一電極上形成光電半導(dǎo)體層的工序;在所述半導(dǎo)體層上形成第二電極的工序;和除去超出第一或第二電極延伸的半導(dǎo)體層部分的工序。
13.根據(jù)權(quán)利要求
12的方法，其特征在于，所述襯底由透明窗格玻璃制成，所述方法包括;在所述襯底上覆蓋整個襯底形成光固化層的工序;以所述半導(dǎo)體層的一層或所述第一或第二電極作為掩模從所述襯底背面用光照射所述襯底以使所述光固化層的較低部分固化的工序;和除去所述光固化層未固化部分的工序。
14.根據(jù)權(quán)利要求
12的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體層除去工序系以所述第二電極作為掩模，腐蝕所述半導(dǎo)體層進行的。
15.根據(jù)權(quán)利要求
14的方法，其特征在于，在進行所述形成所述第一電極和半導(dǎo)體層工序之后，將半導(dǎo)體層腐蝕成多個第一片條。
16.根據(jù)權(quán)利要求
15的方法，其特征在于，所述第二電極為橫過所述第一片條的第二片條。
17.一種制造光電轉(zhuǎn)換器的方法，其特征在于，該方法包括;襯底制備工序;在所述襯底上形成第一電極的工序;在所述第一電極上形成光電半導(dǎo)體層的工序;在所述半導(dǎo)體層上形成第二電極的工序;通過所述諸電極往所述半導(dǎo)體層兩端施加偏壓的工序;和將所述半導(dǎo)體與所述諸電極隔離成多個光電轉(zhuǎn)換元件的工序。
18.根據(jù)權(quán)利要求
17的方法，其特征在于，所述多個元件組成線性圖象傳感器的光敏部分。
19.根據(jù)權(quán)利要求
1的光電轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述第一電極系制成透明電極，使入射光可照射到所述光電半導(dǎo)體層上，所述第二電極則制成不透明電極。
20.根據(jù)權(quán)利要求
1的光電轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述第一和/或第二電極系制成透明電極，使入射光可射到所述光電半導(dǎo)體層上。
21.根據(jù)權(quán)利要求
1的光電轉(zhuǎn)換器，其特征在于，半導(dǎo)體層與第一和第二電極之間的接觸系電阻性的。
22.根據(jù)權(quán)利要求
21的光電轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述半導(dǎo)體層含n-i-n結(jié)、p-i-n結(jié)或m-i結(jié)。
專利摘要
介紹了一種經(jīng)過改良的光電轉(zhuǎn)換器。該光電轉(zhuǎn)換器包括多個光電半導(dǎo)體元件，各光電半導(dǎo)體元件由第一電極、半導(dǎo)體層和第二電極組成。半導(dǎo)體層的相對表面完全為第一和第二電極所遮蓋。
文檔編號H01L31/102GK87100058SQ87100058
公開日1987年7月22日 申請日期1987年1月6日
發(fā)明者山崎舜平, 間瀨晃, 浜谷敏次 申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan