專利名稱：芯片組件及生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種芯片組件，它包括如權(quán)利要求1的前序部分所述的基片和至少一個安排在基片上的芯片。本發(fā)明還涉及一種生產(chǎn)如權(quán)利要求7的前序部分所述的芯片組件的方法。
由安排在基片上的芯片組成的芯片組件基本上用于所有情況，在這些情況中，采用比芯片端面大得多的基片連接引線使芯片的電接觸變得更為方便。于是，這種芯片組件例如可用于芯片卡(chip card)，并且藉助于沿芯片卡表面延伸的露出的基片連接引線，通過在基片背側(cè)的安排，允許容納在芯片卡內(nèi)部的芯片的“外部接觸”。這些芯片組件也可用于構(gòu)造所謂的不接觸芯片卡，在這種情況中，為了簡化接觸，基片連接引線配備有安排在芯片卡本體之內(nèi)的天線線圈。自然，這些芯片組件例如也能用來構(gòu)造所謂的“組合卡”(combi-card)，在這樣的情形中，通過基片使得用于與卡芯片的觸點通路的外部接觸以及藉助于天線線圈的用于與芯片的無觸點通路的內(nèi)部接觸變得更為方便。
用以形成芯片組件的芯片與基片的組合導(dǎo)致了一種復(fù)合結(jié)構(gòu)，其厚度比芯片的厚度以及基片的厚度要大，并且必須把該芯片組件容納在具有確定的外部尺寸和卡本體中。為了確保將芯片組件容納在卡本體中，容納芯片組件對于往卡本體中再裝入元件的可能性加上最小可能的限制，因而，必需把芯片組件設(shè)計得盡可能薄。
已知的較厚的芯片組件的缺點在于，正是由于它們的較大的厚度，使得與柔軟的卡本體相比，芯片組件具有較大的抗彎曲性，因此，當(dāng)卡本體受到如日常使用中經(jīng)常發(fā)生的彎曲應(yīng)力時，尤其是當(dāng)把基片如在接觸卡的情形中那樣，安排在卡表面中時，芯片組件和卡本體之間的的連接能夠處于受力很大的狀態(tài)，導(dǎo)致芯片組件與卡本體分離。
本發(fā)明的目的是提出一種芯片組件，它以總體的平面結(jié)構(gòu)為特征。
采用具有權(quán)利要求1的特征的芯片組件，可以達到此目的。
在按照本發(fā)明的芯片組件中，通過使安排在芯片的正側(cè)端面與基片上的觸點表面相接觸，以及作為去除在芯片的背側(cè)表面上的材料的結(jié)果，芯片具有比其原先的厚度小的厚度。
按照本發(fā)明的芯片組件利用了這樣的事實，即，在芯片的硅本體中的電路平面與設(shè)置有端面的芯片的前側(cè)或觸點側(cè)是鄰近的，而毗連背側(cè)表面的硅本體的區(qū)域是沒有電路平面的。于是，在不損害芯片的功能的情形下可以從背側(cè)去除芯片的表面，直至獲得確保合適的芯片功能的芯片本體的最小厚度，并且用這種方法使芯片顯著變薄。
減小芯片的厚度不僅有助于芯片組件的總厚度的相應(yīng)減小，而且也影響芯片組件的彎曲性能。作為減小芯片厚度的結(jié)果，芯片的彎曲性能與基片的彎曲性能相適應(yīng)，于是導(dǎo)致總體上更容易彎曲、更柔軟的芯片組件，它的彎曲性能或多或少地類似于卡本體的彎曲性能。
在芯片組件的較佳實施例中，為了達到與在端面上形成的焊接點的聯(lián)鎖(interlocking)接觸，使芯片突入基片的凹部，基片的底部是由導(dǎo)體通路結(jié)構(gòu)形成的。焊接點在基片凹部的接合導(dǎo)致在芯片與基片之間的連接具有特別良好的抗剪強度。此外，由于這種使焊接點與基片中的“下沉”結(jié)構(gòu)，由其構(gòu)造就能得到芯片組件的特別平坦的設(shè)計。
能夠用任何導(dǎo)電材料(例如諸如導(dǎo)電粘合劑)或由焊料材料等做成的觸點金屬化來形成焊接點。
對于要嵌入安排在基片凹部的導(dǎo)電連接材料中的芯片焊接點而言這是特別有利的。通過把焊接點嵌入連接材料，這也不難用用導(dǎo)電材料補償在焊接點的高度和凹部的深度有差異時出現(xiàn)的容差，因而，在芯片的焊接點和基片的連接引線之間保持可靠的導(dǎo)電連接的同時，提供了芯片和基片的可能最平坦的總體安排，其中，芯片的表面和基片的表面能夠相互直接毗鄰，因而沒有空隙。在生產(chǎn)按照本發(fā)明的芯片組件中，于是也可以省去應(yīng)用底層填料(underfiller)，這種材料在底層填料技術(shù)的范圍內(nèi)是公知的。由于通過焊接點的“嵌入”以及在所有面上用連接材料對焊接點作相關(guān)聯(lián)的覆蓋(至少在觸點金屬化的部分區(qū)域)，提供了特別穩(wěn)定的承受機械負(fù)荷的連接，改進芯片組件的抗剪強度的底層填料的機構(gòu)穩(wěn)定作用也能夠被省去。
不管被接觸的基片是通過去除材料而厚度較小的基片還是傳統(tǒng)的基片，特別是當(dāng)要構(gòu)造機械性能穩(wěn)定的芯片組件時，上述的芯片和基片之間的聯(lián)鎖接觸的形式也具有實質(zhì)的優(yōu)點。
為了進一步增加在芯片組件中在芯片和基片之間提供的機械穩(wěn)定性，除了與芯片結(jié)構(gòu)導(dǎo)電連接的焊接點之外，在芯片表面上還提供至少一個電氣上與芯片結(jié)構(gòu)無關(guān)的突起物，所述突起物與基片的固定凹部接合。這個突起物(它能被設(shè)計和制作得與形成電氣端子的焊接點相同)提供了一個只有機械穩(wěn)定功能的“虛觸點”(contact dummy)。
如果需要，通過沿周邊或平面施加粘合劑，能夠提供更好的機械穩(wěn)定性或密封性。
芯片組件的特別有利的使用是在芯片卡中。
在按照本發(fā)明生產(chǎn)上面說明的類型的芯片組件的方法中，通過使芯片與設(shè)置有導(dǎo)體路徑結(jié)構(gòu)的基片接觸，首先形成操作單元(handling unit)，它由至少一塊芯片和一塊襯底組成，并且構(gòu)成了可以說是在制造最終芯片組件中的中間產(chǎn)品，從而芯片由其端面接觸到基片的接觸表面上，然后用去除材料的步驟對芯片的背側(cè)進行處理，在處理期間，基片為芯片的處理和穩(wěn)定提供便利。
在端面接觸之前，可以對要接觸的芯片端面和/或基片接觸面或焊接點或可選地對其施加的連接材料表面作有選擇的清潔處理。
在實現(xiàn)按照本發(fā)明的方法中，除了為其后的接觸而增大端面這一原先規(guī)定的功能之外，基片還要求容納器件的功能，它在芯片處理期間容納芯片。正是這一功能有助于在芯片處理期間容易操縱被各自安排在基片上的芯片，因而預(yù)先與大圓片組合物分開。
按照本發(fā)明方法的一種有利的變形，如此來形成操作單元，使多個芯片在連續(xù)形成的基片帶上與之接觸，并且在對各個芯片處理后將基片帶分開，以形成各個芯片組件。這樣做使得基片帶可以連續(xù)地裝上芯片，因而有助于對各個芯片作后續(xù)的連續(xù)的處理，以形成厚度較小的芯片組件，從而也能以特別經(jīng)濟的方式生成厚度較小的芯片組件。
在實現(xiàn)上述方法的變形時，可以同時處理多個芯片。能夠用一種允許對多個芯片同時進行處理的工具來處理這些芯片，或者用不同的工具同時處理這些芯片。
為了構(gòu)造操作單元，已證實特別有利的做法是使芯片如此在基片上接觸，從而使安排在芯片的端面上的焊接點插入到安排在基片的凹部中的連接材料中。用這種方法能夠得到一種可承受甚至是最高的(諸如例如在芯片的背側(cè)作研磨處理時產(chǎn)生的)剪切應(yīng)力的連接，這時因為由焊接點嵌入連接材料建立的連接由于焊接點與基片凹部的接合而格外可靠。
使用研磨或者拋光步驟能夠完成對芯片的處理。為形成厚度較小的芯片組件而對芯片進行處理的另一種方法包括對芯片的背側(cè)進行化學(xué)腐蝕處理。
形成連接所需的連接材料可在類型和形式方面不同。于是，例如，在把焊接點插入凹部之前，可以把連接材料引入凹部，其做法是對絕緣層的表面平面地施加連接材料，隨后將表面剝?nèi)ァ?br> 也可以在把焊接點插入凹部之前或之后，在投料步驟中，把連接材料以液態(tài)引入至凹部。
施加連接材料的另一種可能的方法包括在插入焊接點之前，把連接材料以集中形式(例如鉛/錫焊料球)引入凹部。
用于生產(chǎn)芯片組件的基片也能預(yù)先制備。由于焊接點被插入凹部，而該凹部在連接引線的區(qū)域已經(jīng)設(shè)置有連接材料的覆蓋層。于是對于本發(fā)明的生產(chǎn)芯片組件的方法，也可以在基片制造商合適地預(yù)先制備的基片的基礎(chǔ)上完成，由此有助于特別節(jié)約成本的方法的實現(xiàn)。
如果在壓力和熱量的影響下發(fā)生連接材料與焊接點之間以及連接材料與連接引線之間的連接，則能確保芯片和基片之間的連接，其中，芯片和基片的相鄰表面相互緊壓，由此，當(dāng)提供合適數(shù)量和連接材料時，則即使在連接材料具有很高的邊界表面張力的情形下，至少會有焊接點部分嵌入連接材料的情況發(fā)生。
連接材料和焊接點之間的連接可以按照已知的倒裝芯片(flip chip)方法來實現(xiàn)，這種方法把芯片的焊接點在熱量的影響下緊壓連接材料。于是在放置期間對建立連接所需的連接材料的加熱。
然而，連接也能這樣實現(xiàn)，從而只有在放置后，在所謂的再流焊(refolw)過程中對連接材料加熱和建立連接。
不管熱量何時引入連接材料，已經(jīng)證實，藉助于基片的連接引線把熱量引入連接材料是特別有利的。用這種方法，在建立連接期間，芯片保持大體上沒有熱應(yīng)力。
如果在處理芯片后再進行芯片的功能測試，也是有利的。這里，基片的連接引線構(gòu)成測試觸點，這種電氣測試(一般，是連續(xù)性測試)的完成有助于對功能受到損害的芯片組件進行檢測，這種損害可能是由于對于芯片的處理或是由于在芯片和基片之間形成連接而造成的。
下面，將參照附圖以例示的實施例的形式詳細(xì)說明按照本發(fā)明的芯片組件及其生產(chǎn)方法，在這些附圖中

圖1是芯片組件的透視圖，該芯片組件包括芯片和在其上面安排芯片的基片；
圖2是圖1所示的芯片組件的放大的側(cè)視圖；圖3是按照圖2的芯片組件的局部放大圖；圖4是相應(yīng)于圖3的恰好在芯片連至基片以形成芯片組件之前的圖；圖5是用于連續(xù)生產(chǎn)示于圖1的芯片組件的裝置的示意圖；圖6是具有各個基片的基片帶的局部圖。
圖1描述了一種芯片組件10，它包括芯片11和與之接觸的基片12。在絕緣層(這里是承載層13)的上側(cè)，朝離開芯片11的方向，基片12包括連接引線14、15，在這里所示的例中，這些連接引線是以完全相同形式提供的，它們大體上在承載層13上沿其縱向延伸。
在圖1所示的例示的實施例中，芯片11包括兩個突起的觸點金屬化16、17，在本領(lǐng)域的文獻中稱為“突起”(bump)，它穿透并從芯片11的鈍化層18突出(圖3)，這在圖1中未詳細(xì)示出。
雖然圖1描述了一種芯片，它只備有兩個觸點金屬化16、17，例如在芯片卡(這里未詳細(xì)示出)中所用的那樣，但要強調(diào)，下面的細(xì)節(jié)對于具有不同數(shù)目的觸點金屬化也同樣適合，特別對于那些具有多個觸點金屬化的芯片亦適合，在該情形中，要連至這種芯片的基片相應(yīng)地設(shè)計得具有大量的連接導(dǎo)線?？紤]到與圖1相關(guān)的特別清楚的表示，而選擇圖1所示的設(shè)計。
在圖1所示的芯片組件10的情形中，與基片12接觸的芯片11具有勻稱的厚度D，它大體上相應(yīng)于大圓片的厚度，這里未詳細(xì)示出大圓片，芯片11就是通過分割大圓片組合物形成的。如下面還要說明的，圖1所示的芯片組件的結(jié)構(gòu)形成了作為生產(chǎn)芯片組件37的基礎(chǔ)的操作單元，操作單元如圖2的例所示，它包括厚度較小的芯片38。如在圖2中由打陰影線的輔助區(qū)域所示出的，在對與觸點金屬化16、17相對的表面(下面稱為背側(cè)39)作材料去除處理之后，與示于圖1的芯片11相比，芯片38的厚度減小了Δd，從而芯片38的厚度d顯著小于芯片11(圖1)的厚度D。
如果把圖2和描述芯片10的局部放大圖的圖3作比較，顯然可見，示于圖2的厚度減小Δd導(dǎo)致了芯片組件37，與具有總厚度H的芯片組件10相比，它具有顯著較小的總厚度h。
以連接點的例子的形式，圖3和圖4描述了觸點金屬化17和基片的連接引線15之間建立連接，以形成芯片組件10的方法。能夠清楚地看出，從與凹部19相關(guān)聯(lián)的覆蓋層開始，觸點金屬化17如何與在承載層13的觸點金屬化17的區(qū)域中的凹部19接合。在承載層13中的凹部19一直延伸至連接引線15(該連接引線安排在面朝芯片11的承載層13的背側(cè))，并且離開暴露在芯片背面觸點區(qū)域21的范圍內(nèi)的所述連接引線15，芯片觸點背面區(qū)域21安排得與外部觸點側(cè)20相對。
凹部19包含連接材料，它既用于在觸點金屬化17和連接引線15的芯片觸點區(qū)域21之間建立導(dǎo)電連接，又用于在芯片11和基片12之間建立可靠的機械連接。
圖3和圖4中描述的連接材料22包括施加至連接引線15的芯片觸點區(qū)域21的固體形式的焊料覆蓋物。這里對于焊料覆蓋物選取的焊料混合物是適合于觸點金屬化17所用的合金或材料混合物。當(dāng)觸點金屬化17用金時，鉛/錫焊料適合于用作連接材料。不用焊料覆蓋物也是可以的，例如，可以使用基于環(huán)氧樹脂的導(dǎo)電粘合劑或熱塑性粘合劑。
在任何情形下，不管連接材料的性質(zhì)如何，通過把觸點金屬化引入凹部19(圖4的箭頭48)形成如圖3描述的在觸點金屬化17和連接引線15的芯片觸點區(qū)域21之間的連接。這從把芯片11放在基片12上方開始(圖4)并使連接材料22發(fā)生位移。在用這種方法建立連接的情形中，為了確保由芯片11和基片12形成的芯片組件10有可重復(fù)的、均勻的和的可能的最小總高度H，把觸點金屬化17引入凹部19，直至芯片11的鈍化層18抵住承載層13的面向芯片11的表面。在觸點金屬化17的例子的情形下，為了進一步改進藉助于連接材料22實現(xiàn)的芯片11與基片12之間的機械連接(如圖1所描述的那樣)，如圖1所指出的，除了用作基片12的電接觸的觸點金屬化16、17之外，可以提供另外的金屬化突起物35、36，這些另外的突起物35、36用類似于觸點金屬化16、17的方法形成，并且插入固定凹部，這些凹部在形式上相應(yīng)于凹部19，但不在這里詳細(xì)示出。這里，恰好如同在觸點金屬化16、17的情形中那樣，在金屬化突起35、36和連接引線14、15之間建立連接，雖然這個連接僅僅用作把芯片機械固定在基片上，而沒有任何電氣觸點功能。為了幫助芯片11附著在基片12上，也可以在基片12上提供對芯片11的平面的或周圍的粘合。
如能夠從圖3清楚地看到的，即使在觸點金屬化17僅有一部分置于連接材料22中，觸點金屬化17的所有露出側(cè)發(fā)生潤濕，這里以簡化的形式作為長方體示出。這導(dǎo)致在觸點金屬化17和連接材料22的觸點區(qū)域中很小的電阻，并且導(dǎo)致良好的機械附著。
為了防止由于在凹部19的壓縮作用，尤其是當(dāng)凹部填充有大量的連接材料22時，形成壓力緩沖，可在基片12的承載層13的面向芯片的上側(cè)設(shè)置從凹部19引出的槽狀排氣通道23或設(shè)置其他合適的裝置。
除了作為承載層13形成并且在圖1中描述的絕緣層之外，還可在所述連接引線上安排另一個絕緣層以覆蓋至少除了觸點凹部之外的連接引線。此外，芯片組件10也可通過在基片上設(shè)置線圈，以形成應(yīng)答器(transponder)。
例如在圖5中所示，使連接材料軟化或連接材料熔化(這是使觸點金屬化17埋入連接材料20所需要的)可以與施加壓力(這是使連接材料位移所需要的)同時進行。圖5示出一臺芯片組件生產(chǎn)裝置24，它由兩個部分組合成一臺固定裝置，兩個部分即芯片放置裝置25和加熱裝置26。如可從圖5看出，芯片11從上面移動，其觸點金屬化16、17朝下，這里向著安排在基片帶27中的基片12?，F(xiàn)在使觸點金屬化16、17與安排在連接引線14、15的芯片觸點區(qū)域(圖3)中的凹部19中的連接材料22壓緊。在觸點金屬化16、17與連接材料22接觸期間，能夠由加熱裝置26實行連接引線14、15的觸點加熱，加熱裝置在基片帶27的下方向著特定的基片12移動。在芯片放置裝置25的壓力下，于是觸點金屬化16、17透入在熱量作用下變軟的連接材料22。
作為上述在放置芯片11期間加熱連接材料22的方法的另一種方法，可以在放置芯片11后，在再流焊步驟中熔化連接材料22，從而實現(xiàn)連接材料22與觸點金屬化16、17連接所需的觸點金屬化的潤濕。取決于連接材料的性質(zhì)，這里可能需要克服連接材料22的界面阻力(boundary surface resistance)，其做法是用一附加的壓力裝置(它在芯片放置裝置25的下游)對觸點金屬化16、17施加壓力，目的是促進觸點金屬化16、17突入連接材料22，從而獲得所述的觸點金屬化16、17在連接材料22中的嵌入。
圖6是基片帶27的平面圖，該基片帶27已在圖5中結(jié)合芯片組件生產(chǎn)裝置24提及。如從該平面圖可以看出的，基片帶27包括多個連續(xù)地依次形成的基片12，這些基片藉助于經(jīng)基片延伸的引線14、15相互連接。為了從基片帶27劃分出一個單個的基片11，如圖1所示，只需要沿圖5中用點劃線表示的沖切線47完成一個沖切步驟。沖切步驟用于切斷連接引線14、15的連接區(qū)域29、30以及基片帶27的外部邊緣32、33，所述外部邊緣32、33構(gòu)成了牽引邊緣，并且設(shè)有孔眼31?；瑤?7的這種設(shè)計便于芯片組件10的連續(xù)生產(chǎn)，其中，如圖5所描述的那樣，在其中設(shè)有基片12的基片帶27沿饋送方向34以時鐘控制方式通過芯片放置裝置25。
在每種情形中，在芯片組件生產(chǎn)裝置24中生產(chǎn)的芯片組件10構(gòu)成了對芯片11進行后續(xù)處理的中間產(chǎn)品或操作單元，目的是生產(chǎn)包括芯片38的芯片組件37，芯片38要比芯片11薄。藉助于用基片帶做成的組合物，整個芯片組件10構(gòu)成了相應(yīng)的操作組合物。在把芯片組件10與上面說明的基片帶27分開之前，如圖5中的連續(xù)生產(chǎn)方法所描述的那樣，在芯片組件生產(chǎn)裝置24中生產(chǎn)出它們之后，就進行芯片組件10的芯片11的材料去除處理。為此目的，把芯片組件10饋至處理裝置40，其中如圖2中示意地描述的那樣，從芯片的背側(cè)39去除芯片本體的材料。在用圖5的例子說明的處理操作中，處理裝置包括帶式研磨裝置40，它包括一條環(huán)形的研磨帶43，該研磨帶43藉助于設(shè)在裝置承載器41上的滾子42而連續(xù)地轉(zhuǎn)動。裝置承載器41具有調(diào)節(jié)裝置(在這里未詳細(xì)示出)，它能使裝置承載器沿雙箭頭44的方向上下移動。由于把一個調(diào)節(jié)移動(它指向芯片的背側(cè)39)疊加在研磨帶43的轉(zhuǎn)動上，能夠連續(xù)地減小芯片11的厚度，直至得到芯片38，它的厚度d比原先的芯片11(圖2)的厚度要小。用這種處理方法可以得到的厚度d為圖2中用點劃線指出的邊界層所限，該點劃線確定了芯片的位于鈍化層18和邊界層45之間的電路區(qū)域46。能夠從芯片背側(cè)39對其處理，直到到達邊界層45，因為不進入電路區(qū)域46，因此不會損害芯片的功能。
如圖5所示，用帶式研磨裝置40處理芯片11，得出如圖2所描述的芯片組37，其總高度h顯著小于起始芯片組件10的總高度。然后可以如上面參照圖6所描述的那樣把厚度較小的芯片組件37從組合的基片帶27上分割出來，該芯片組件是按照圖5所示的方法連續(xù)生產(chǎn)出來的。
權(quán)利要求
1.一種芯片組件，包括基片和安排在所述基片上的至少一個芯片，其中，所述芯片藉助于安排在基正側(cè)的端面與設(shè)置有導(dǎo)體通路結(jié)構(gòu)的所述基片的連接引線接觸，其特征在于，作為去除在芯片(38)背側(cè)(39)的材料的結(jié)果，所述芯片(38)具有的厚度小于其原先的厚度。
2.如權(quán)利要求1所述的芯片組件，其特征在于，為了得到與在所述端面上形成的焊接點(16、17)的聯(lián)鎖接觸，所述芯片(38)突入所述基片(12)的凹部(19)，所述基片的底部是由所述導(dǎo)體通路結(jié)構(gòu)的所述連接引線(14、15)形成的。
3.如權(quán)利要求1或2所述的芯片組件，其特征在于，使所述芯片(38)的所述焊接點(16、17)嵌入導(dǎo)電的連接材料(22)，把該材料安排在所述基片(12)的所述凹部(19)之中。
4.如權(quán)利要求2或3所述的芯片組件，其特征在于，除了導(dǎo)電連接至所述導(dǎo)體通路結(jié)構(gòu)和與所述凹部(19)接合的所述焊接點(16、17)之外，還在所述芯片(38)的正側(cè)提供至少一個與所述導(dǎo)體通路結(jié)構(gòu)在電氣上無關(guān)的突起物(35、36)，使所述突起物(35、36)與所述基片(12)的固定凹部接合。
5.如上述一條或多條權(quán)利要求所述的芯片組件，其特征在于，使所述芯片(11、38)以周邊或平面的方式粘合連接至所述基片(12)。
6.如上述一條或多條權(quán)利要求所述的芯片組件，其特征在于，它可用于芯片卡。
7.一種生產(chǎn)芯片組件的方法，所述芯片包括基片和安排在所述基片上的至少一個芯片，其特征在于，所述方法包括下述步驟形成操作單元(10)，所述操作單元包括至少一個芯片(11)和基片(12)，其做法是使所述芯片如此與設(shè)置有導(dǎo)體通路結(jié)構(gòu)的所述基片接觸，從而使所述芯片用其端面與所述基片的連接引線(14、15)接觸，以及用材料去除步驟從所述芯片(11)的背側(cè)(39)對其處理，在處理期間，由所述基片(12)為所述芯片(11)的操作和穩(wěn)定提供便利。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，為了形成所述操作單元(10)，使多個所述芯片(11)在連續(xù)的基片帶(27)上接觸，而為了形成各個芯片組件(37)，在對所述芯片(11)處理之后把所述基片帶(27)分割開來。
9.如權(quán)利要求7或8所述的方法，其特征在于，對所述多個芯片(11)同時進行處理。
10.如權(quán)利要求7至9的一條或多條權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，使用共用的工具對多個所述芯片(11)進行處理。
11.如權(quán)利要求7至10的一條或多條權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，為了形成所述操作單元(10)，如此進行所述芯片在所述基片(12、27)上的接觸，從而把在所述芯片(11)的端面上安排的焊接點(16、17)插入在所述基片(12、27)的凹部(19)中安排的連接材料(22)。
12.如權(quán)利要求7至11的一條或多個權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，用研磨或拋光方法來對所述芯片(11)進行處理。
13.如權(quán)利要求7至之一所述的方法，其特征在于，用腐蝕方法對所述芯片(11)進行處理。
14.如權(quán)利要求7至13的一條或多條權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，在所述芯片(11)處理后，對所述芯片進行功能測試。
全文摘要
一種芯片組件(37),包括基片(12)和安排在基片上的至少一個芯片(38),其中,芯片(11)藉助于其端面與基片(12)的連接引線(14、15)接觸,并且由于去除了在芯片背側(cè)(39)的材料,該芯片的厚度d要比其原先的厚度D小。
文檔編號H01L25/00GK1240535SQ97180595
公開日2000年1月5日 申請日期1997年12月11日 優(yōu)先權(quán)日1996年12月11日
發(fā)明者大衛(wèi)·芬恩, 曼弗雷德·里茲勒 申請人:大衛(wèi)·芬恩, 曼弗雷德·里茲勒