專利名稱：半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體器件的方法及由此方法所生產(chǎn)的一種半導(dǎo)體器件，且尤其涉及一種生產(chǎn)MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管的方法，在該方法中，在源極、漏極擴(kuò)散層及柵電極上以自對(duì)準(zhǔn)的方式形成一層鈦的硅化物層。
最近幾年，隨著半導(dǎo)體器件的集成化水平及尺寸壓縮的提高，已開(kāi)始使用一種自-對(duì)準(zhǔn)的硅化物結(jié)構(gòu)。其中，在MOS晶體管內(nèi)，在硅柵電極和源極漏極區(qū)的表面上形成一層硅化物層，從而可以減少柵電極和源極漏極區(qū)的電阻。
圖6和圖7為對(duì)于具有硅化物結(jié)構(gòu)的MOS晶體管的生產(chǎn)工藝順序的截面圖；首先，參考圖6(a)，我們可以看到，當(dāng)在P-型硅基片1上形成一個(gè)多晶硅柵電極3之后，且柵電極3具有一個(gè)夾層?xùn)艠O氧化物薄膜2，則應(yīng)用CVD工藝來(lái)在整個(gè)面積上來(lái)沉積氧化物薄膜4。
然后，對(duì)此氧化物4進(jìn)行各向異性的蝕刻從而在多晶硅柵電極3的側(cè)面上形成如圖6(b)中所示的氧化物薄側(cè)壁5。此外，在離子植入n-型雜質(zhì)后，進(jìn)行激活處理，從而形成如圖6(c)中所示的源極和漏極擴(kuò)散區(qū)6。
然后，使得源極和漏極擴(kuò)散區(qū)6和多晶硅柵電極3的頂部暴露出來(lái)，對(duì)整個(gè)表面進(jìn)行濺射，從而沉積如圖7(a)中所示的鈦薄膜7。
接著，進(jìn)行熱處理從而使得在鈦薄膜7，源極和漏極擴(kuò)散區(qū)6及硅柵電極3內(nèi)發(fā)生反應(yīng)，這樣可形成如圖7(b)中所示的鈦的硅化物層8。
最后，使用氨和過(guò)氧化氫的混合水溶液對(duì)未反應(yīng)的鈦層9進(jìn)行濕法蝕刻，從而在源極和漏極擴(kuò)散區(qū)6的表面區(qū)上及硅柵電極3的頂部形成自-對(duì)準(zhǔn)的鈦的硅化物層8。
以上所述的是通過(guò)在源極和漏極擴(kuò)散區(qū)上及柵電極的頂部以自-對(duì)準(zhǔn)方式形成鈦的硅化物層來(lái)生產(chǎn)MOS晶體管的標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)工藝。然而在此方法中，存在一個(gè)問(wèn)題，即會(huì)使鈦的硅化物不知不覺(jué)混進(jìn)氧化物側(cè)壁5上，這會(huì)導(dǎo)至漏極擴(kuò)散區(qū)和柵電極間的短路或漏電。為了解決此問(wèn)題，過(guò)去已試用了幾種方法。
例如，在如圖8中所示的日本未審查專利申請(qǐng)公開(kāi)H8-55981中，揭示了一種生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，其中，在形成氧化物側(cè)壁5之后，從斜簡(jiǎn)頭的方向來(lái)離子植入諸如磷或砷的n-型雜質(zhì)。根據(jù)過(guò)去此方法的描述，由于在包括n-型雜質(zhì)的氧化物膜上硅化反應(yīng)受到抑制，從而很難在氧化物側(cè)壁5上來(lái)生長(zhǎng)鈦的硅化物，這樣使得可以防止源極和漏極擴(kuò)散區(qū)與柵電極間的短路及漏電。
同樣，在日本未審查專利公報(bào)H5-102074中，如圖9中所示，揭示了一種生產(chǎn)MOS晶體管的方法，其中在柵電極側(cè)壁上形成氮膜側(cè)壁15。根據(jù)過(guò)去的此方法的描述，由于在氮化膜上的硅化反應(yīng)受抑制，從而很難在氧化物側(cè)壁5上來(lái)生長(zhǎng)鈦的硅化物，這使得可以防止源極和漏極擴(kuò)散區(qū)和柵電極之間的短路及漏電。
在圖8中所示的過(guò)去的此方法中，諸如磷或砷的n-型雜質(zhì)確實(shí)具有抑制鈦的硅化反應(yīng)的作用。然而，正如所看到的事實(shí)，即還在n-型擴(kuò)散層的頂部上形成鈦的硅化物，因此其效果不是那么理想。
此外，還有在這樣一個(gè)問(wèn)題，即當(dāng)從斜箭頭的方向來(lái)將n-型雜質(zhì)值入氧化物側(cè)壁時(shí)，此n-型雜質(zhì)也會(huì)同時(shí)被引入源極和漏極擴(kuò)散區(qū)及柵電極。由于此原因，當(dāng)人們考慮形成具有P-型源極及漏極的PMOS器件時(shí)，可以看到對(duì)于可被使用的n-型雜質(zhì)的劑量是有一定限度的。
通常而言，將雜質(zhì)引入PMOS源極和漏極擴(kuò)散區(qū)及柵電極是用大約為1至5×1015/cm-2量級(jí)的硼或BF2進(jìn)行的。因此，為了保證對(duì)PMOS源極和漏極擴(kuò)散區(qū)的構(gòu)成不造成影響，有必要將被植入氧化物側(cè)壁的n-型雜質(zhì)的劑量限定到約為硼或氟化硼的劑量的1/10或更少。即，有必要將其劑量限定在大約少于1×1014/cm-2到5×1014/cm-2。這使得獲得抑制硅化反應(yīng)的效果更加困難。
在現(xiàn)有技術(shù)中，因此，存在無(wú)法充分抑制硅化反應(yīng)的問(wèn)題。
在圖9中所示的過(guò)去的實(shí)例中，在柵電極側(cè)壁表面上形成氮化膜側(cè)壁。然而，由于制成氮化膜的氮和硅之間存在很強(qiáng)的化學(xué)鍵，因此即使在硅化反應(yīng)中，氮沒(méi)起什么積極作用，從而無(wú)法充當(dāng)抑制硅化反應(yīng)的作用。因此，在此現(xiàn)有技術(shù)方法中，存在一個(gè)問(wèn)題，即無(wú)法充分抑制住硅化反應(yīng)。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，從而可抑制鈦的硅化物不知不覺(jué)混入絕緣膜側(cè)壁，且還可防止源極和漏極擴(kuò)散區(qū)與柵電極間的短路和漏電，本發(fā)明還提供一種通過(guò)此方法制造的半導(dǎo)體器件。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法包含如下步驟1、在基片上形成一個(gè)柵電極，在其間具有一個(gè)居間的柵極絕緣膜；2、在基片的整個(gè)表面上和柵電極上沉積一層絕緣膜，然后以一定角度將氮離子植入絕緣膜；3、蝕刻絕緣膜從而在柵電極的側(cè)壁上形成包括氮的絕緣側(cè)壁；4、將雜質(zhì)引入柵電極和基片，從而形成源極和漏極擴(kuò)散區(qū)；5、使柵電極表面和源極及漏極擴(kuò)散區(qū)表面暴露出來(lái)，在其整個(gè)表面上沉積鈦膜，從而使鈦膜與柵電極和源極及漏極擴(kuò)散區(qū)之間發(fā)生反應(yīng)；及6、去除鈦膜的未反應(yīng)部分，從而以自-對(duì)準(zhǔn)的方式在源極和漏極擴(kuò)散區(qū)及柵電極上形成鈦的硅化物層。
在另一方面，根據(jù)本發(fā)明的生產(chǎn)半導(dǎo)體的方法具有如下步驟1、在硅基片上形成硅柵電極，其間具有柵極絕緣膜；2、在硅基片的整個(gè)表面和硅柵電極上沉積一層絕緣膜，然后以一定角度將氮離子植入絕緣膜；3、對(duì)絕緣膜進(jìn)行各向異性蝕刻，從而在硅柵電極的側(cè)面上形成包括氮的絕緣側(cè)壁；4、將雜質(zhì)引入硅柵極和硅基片，從而形成源極和漏極擴(kuò)散區(qū)；5、使硅柵電極表面和源極漏極擴(kuò)散區(qū)表面暴露出來(lái)，并在其整個(gè)表面上沉積一層鈦膜，此后通過(guò)熱處理使鈦膜和硅柵電極及源極和漏極擴(kuò)散區(qū)間發(fā)生反應(yīng)；及6、去除鈦膜的未反應(yīng)部分，從而以自-對(duì)準(zhǔn)的方式在源極和漏極擴(kuò)散區(qū)和柵電極上形成鈦的硅化物層。
在另一方面，根據(jù)本發(fā)明的生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法具有如下步驟1、在基片上形成一柵電極，其間具有一柵絕緣膜；2、在基片的整個(gè)表面上和柵電極上沉積一層第一絕緣膜，然后刻蝕第一絕緣膜，從而在柵電極的側(cè)面上形成第一絕緣膜側(cè)壁；3、將雜質(zhì)引入柵電極和基片，從而形成源極和漏極擴(kuò)散區(qū)；4、在整個(gè)表面上沉積一第二絕緣膜，然后將氮以一定角度離子植入第二絕緣膜；5、刻蝕第二絕緣膜，從而在柵電極的側(cè)表面上沿著第一絕緣膜的側(cè)壁形成包含有氮的一第二絕緣側(cè)壁；6、使柵電極表面和源極及漏擴(kuò)散區(qū)表面暴露出來(lái)，在其整個(gè)表面上沉積一層鈦膜，然后通過(guò)熱處理使鈦膜和柵電極及源極和漏極擴(kuò)散區(qū)之間發(fā)生反應(yīng)；及7、去除鈦膜的未反應(yīng)部分，從而以自-對(duì)準(zhǔn)方式在源極和漏極擴(kuò)散區(qū)及柵電極上形成鈦的硅化物層。
另外在另一方面，根據(jù)本發(fā)明的制造半導(dǎo)體器體的方法包含如下步驟1、在硅基片上形成一柵硅電極，其中間具有一柵極絕緣膜；2、在硅基片的整個(gè)表面上及硅柵電極上沉積一層第一絕緣膜，然后對(duì)第一絕緣膜進(jìn)行各向異性蝕刻，從而在硅柵電極的側(cè)面上形成第一絕緣側(cè)壁；3、將雜質(zhì)引入硅柵電極和硅基片，從而形成源極和漏極擴(kuò)散區(qū)；4、在其上的整個(gè)表面上沉積一層第二絕緣膜，然后將氮以一定角度離子植入第二絕緣膜；5、對(duì)第二絕緣膜進(jìn)行各向異性蝕刻，從而在硅柵電極的側(cè)面上沿所述第一絕緣側(cè)壁形成包含有氮的一第二絕緣側(cè)壁；6、使硅柵電極表面和源極及漏極擴(kuò)散區(qū)表面暴露出來(lái)，并在其整個(gè)表面上沉積一鈦膜，然后使鈦膜與硅柵電極和源極及漏極擴(kuò)散區(qū)間發(fā)生反應(yīng)；及7、去除鈦膜的未反應(yīng)部分，從而通過(guò)使用熱處理以自-對(duì)準(zhǔn)方式在源極和漏極擴(kuò)散區(qū)及柵電極上形成一層鈦的硅化物層。
將氮植入絕緣膜的植入角度最好在40到50度的范圍內(nèi)。
本發(fā)明的半導(dǎo)體是根據(jù)上述的生產(chǎn)方法制造的。
根據(jù)本發(fā)明，形成一個(gè)柵電極且在其整個(gè)表面上沉積一絕緣膜。此后，以一定角度將氮植入此絕緣膜。接著，使用各向異性蝕刻來(lái)蝕刻絕緣膜，從而在柵電極的側(cè)壁上形成含有氮的絕緣膜。由于此原因，當(dāng)進(jìn)行熱處理時(shí)，使將蓋住整個(gè)表面的鈦膜、柵電極及源和漏極擴(kuò)散區(qū)之間發(fā)生反應(yīng)，氮侵入與絕緣膜側(cè)壁相接觸的鈦膜。其結(jié)果，抑制了鈦的硅化物不知不覺(jué)混入絕緣膜側(cè)壁，從而可防止源極和漏極擴(kuò)散區(qū)與柵電極間的短路和漏電。


圖1為根據(jù)本發(fā)明的制造MOS晶體管的方法的第一個(gè)實(shí)施例的截面圖；圖2為根據(jù)本發(fā)明的制造MOS晶體管的方法第一個(gè)實(shí)施例的截面圖；圖3為根據(jù)本發(fā)明的制造MOS晶體管的方法的第二個(gè)實(shí)施例的截面圖；圖4為根據(jù)本發(fā)明的制造MOS晶體管的方法的第二個(gè)實(shí)施例的截面圖；圖5為根據(jù)本發(fā)明的制造MOS晶體管的方法的第二個(gè)實(shí)施例的截面圖；圖6為生產(chǎn)具有硅化物結(jié)構(gòu)的MOS晶體管的標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)方法的截面圖；圖7為生產(chǎn)具有硅化物結(jié)構(gòu)的MOS晶體管的標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)方法的截面圖8為過(guò)去的生產(chǎn)MOS晶體管的方法的截面圖；圖9為過(guò)去的生產(chǎn)MOS晶體管的另一種方法的截面圖。
下面描述本發(fā)明的實(shí)施例。同時(shí)參考相應(yīng)的附圖。圖1和圖2為根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的生產(chǎn)MOS晶體管的主要生產(chǎn)工藝步驟的截面圖。
首先，如圖1(a)中所示，在P-型硅基片1上形成厚度為150到300nm的多晶硅柵電極3，其具有5-10nm厚的中間柵極氧化物薄膜(絕緣膜)，此后，使用CVD工藝或類似工藝來(lái)在其整個(gè)表面上沉積70到150nm厚的氧化物薄膜(絕緣膜)4。然后，用5到20KeV的加速能量來(lái)植入氮離子51，從而在某一定角度可分給1×1015/cm-2或更大的劑量。離子植入角度的范圍為從40度到50度，且最好為45度。當(dāng)以45度為角度用10KeV的加速能量植入氮離子時(shí)，進(jìn)入的范圍大約為15nm，從而保證僅植入氧化物膜4。
接著，對(duì)氧化物膜4進(jìn)行各向異性蝕刻，從而如圖1(b)中所示，在多晶硅柵電極3的側(cè)面形成含有氮的氧化物膜側(cè)壁5。另外，在以30到50KeV的加速能量和1×1015/cm-2到5×1015/cm2的劑量植入砷離子后，在950到1050℃的溫度，進(jìn)行10到60秒鐘的激活熱處理，從而形成圖1(c)中所示的n-型源極和漏極擴(kuò)散區(qū)6。
接著，通過(guò)含氟酸處理，使源極和漏極擴(kuò)散區(qū)6的表面及硅柵電極3的頂部露出，使用濺射，在其整個(gè)表面上沉積如圖2(a)中所示的厚度為20到40nm的鈦膜7。然后進(jìn)行熱處理使得鈦膜7和源極及漏極擴(kuò)散區(qū)6、及硅柵電極3之間發(fā)生反應(yīng)，從而形成如圖2(b)中所示的厚度為40到80nm的鈦的硅化物膜8。
最后，例如，在氨和過(guò)氧化氫的混合溶液中進(jìn)行浸入，從而通過(guò)濕法蝕刻去除未反應(yīng)的鈦膜9。其結(jié)果，如圖2(c)中所示，在源極和漏極擴(kuò)散區(qū)6的表面區(qū)域上及硅柵3的頂部形成鈦的硅化物層8。
根據(jù)本發(fā)明，在形成柵電極3之后再用氧化物薄膜覆蓋住其整個(gè)表面，以一定角度對(duì)絕緣膜進(jìn)行氮的離子植入。然后，對(duì)此氧化物薄膜進(jìn)行各向異性蝕刻，從而在柵電極3的側(cè)面上形成含有氮的氧化物薄膜側(cè)壁5。由于此原因，當(dāng)使用熱處理使蓋住整個(gè)表面的鈦膜7與柵電極3和源極及擴(kuò)散區(qū)6之間發(fā)生反應(yīng)時(shí)，會(huì)使氨侵入與氧化物膜側(cè)壁5接觸的鈦膜7。其結(jié)果，可以抑制鈦的硅化物混入氧化物薄膜側(cè)壁5，并可以源極和漏極擴(kuò)散層6與柵電極3之間的短路和漏電。
也可用氮化物薄膜代替氧化物薄膜4，并使用相同的方法來(lái)形成含氮的氧化物側(cè)壁。同樣在此情況下，正如使用氧化物薄膜側(cè)壁一樣也可獲得相同的效果。
如上所述，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的一個(gè)實(shí)施例包括在硅片1的表面上提供絕緣柵極膜2、在硅基片1上形成具有一中間的柵極絕緣膜2的一多晶硅膜3，在多晶硅膜3上形成鈦的硅化物膜8、圍繞絕緣柵極膜2、多晶硅膜3和鈦的硅化物膜8的側(cè)面3 a形成絕緣側(cè)壁5、并在形成于硅基片1之上的源極區(qū)和漏極區(qū)6上形成鈦的硅化物膜8，且其中絕緣側(cè)壁5中包含有氮51。
接著，參考相應(yīng)附圖對(duì)本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例進(jìn)行描述。圖3到圖5為生產(chǎn)根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施例的MOS晶體管的主要生產(chǎn)工藝步驟的截面圖。
首先，從圖3(a)中所示，在P-型硅基片1上，形成150到300nm厚的多晶硅柵電極3，其具有5到10nm厚的中間柵極氧化物膜2，此后，用CVD工藝或類似工藝來(lái)在其整個(gè)表面上沉積35到75nm厚的第一氧化物膜(第一絕緣膜)10。然后，對(duì)第一氧化物膜10進(jìn)行多向異性蝕刻，從而形成如圖3(b)中所示的在多晶硅柵極3的側(cè)面上的第一氧化膜側(cè)壁壁11。
接著，用30到50KeV的加速能量植入砷離子從而分給1×1015/cm-2至5×1015/cm-2的劑量。此后，在950到1050℃進(jìn)行10到60秒鐘的激活熱處理，從而形成如圖3(c)中所示的n-型源極和漏極擴(kuò)散區(qū)6。
然后，使用CVD方法或類似方法在其整個(gè)表面上沉積35到75nm厚的如圖4(a)中所示的第二氧化物膜(第二絕緣膜)12，并用5到20KeV的加速能量植入氮離子，從而分給1×1015/cm2的一劑量。植入角為40度到50度之間，且最好為45度。
當(dāng)以45度角用10Kev的加速能量植入氮離子時(shí)，深入的范圍大約為15nm，從而能使植入僅進(jìn)到第二氧化物薄膜12。
接著，對(duì)第二氧化物膜12進(jìn)行各向異性蝕刻，從而沿第一氧化物膜側(cè)壁11在多晶硅柵電極3的側(cè)面上形成含有氮的第二氧化物側(cè)壁13。
然后，通過(guò)含氟酸的處理，使源極和漏極擴(kuò)散區(qū)6的表面及硅柵電極3的頂部表面露出，使用濺射在其整個(gè)表面上形成如圖4(c)所示的厚度為20到40nm的鈦膜7。然后進(jìn)行熱處理，使得鈦膜7和源極及漏極擴(kuò)散區(qū)6以及硅柵電極3之間發(fā)生反應(yīng)，從而形成如圖5(a)中所示的厚度為40到80nm的鈦的硅化物層8。
最后，在諸如氨和過(guò)氧化氫的混合溶液中進(jìn)行浸入，從而通過(guò)濕法刻能去除未反應(yīng)的鈦膜。其結(jié)果，如圖5(b)中所示，在源極和漏極擴(kuò)散區(qū)6的表面區(qū)上及硅柵電極3的頂部形成鈦的硅化物膜8。
在本明的第二實(shí)施例中，由于進(jìn)行了目的在于形成源極和漏極擴(kuò)散區(qū)的激活熱處理，接著形成含氮的第二氧化物膜側(cè)壁，從而不存在由于激活所導(dǎo)致的氮外擴(kuò)散的危險(xiǎn)，由此使得可以加強(qiáng)抑制鈦的硅化物混入氧化物膜側(cè)壁的效果。
如上所述，本發(fā)明的關(guān)導(dǎo)體器件的另一個(gè)實(shí)施例包含在硅基片1的表面上提供的一絕緣柵極膜2、在基片1上形成的具有中間柵極絕緣膜2的多晶硅膜3、在多晶硅膜3上形成的鈦的硅化物膜8、圍繞絕緣柵極膜2、多晶硅膜3及鈦的硅化物膜8的側(cè)面3a形成的第一絕緣側(cè)壁11，及在形成于硅基片1之上的源極區(qū)和漏極區(qū)6上形成的鈦的硅化物膜8，且其中還形成第二絕緣側(cè)壁13以圍住第一絕緣側(cè)壁11和其中含有氮的第二絕緣側(cè)壁13。
根據(jù)本發(fā)明，由于在整個(gè)表面上沉積絕緣膜后，以一定角度將離子植入絕緣膜，當(dāng)使用熱處理來(lái)使蓋住整個(gè)表面的鈦膜與源極及漏極擴(kuò)散區(qū)之間發(fā)生反應(yīng)時(shí)，從而形成鈦的硅化物層，由于有由被植入絕緣膜側(cè)壁的氮引起的來(lái)自鈦膜內(nèi)的氮化的進(jìn)行，從而可以抑制鈦的硅化物混入絕緣膜側(cè)壁內(nèi)，因此，可防止源極和漏極擴(kuò)散區(qū)與柵電極間的短路和漏電。
權(quán)利要求
1.一種生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于包含如下步驟(1).在基片上形成一個(gè)柵電極，其具有一個(gè)中間的柵極絕緣膜；(2).在基片的整個(gè)表面上及所述柵電極上沉積一層絕緣膜，然后以一定角度將氮離子植入所述絕緣膜；(3).刻蝕所述絕緣膜，從而在所述柵電極的側(cè)面上形成包含氮的一絕緣側(cè)壁；(4).將雜質(zhì)引入所述柵電極和所述基片，從而形成源極和漏極擴(kuò)散區(qū)；(5).使所述柵電極表面和源極及漏極擴(kuò)散區(qū)表面露出，在其整個(gè)表面上沉積一層鈦膜，從而使所述鈦膜及所述柵電極和源極及漏極擴(kuò)散區(qū)之間發(fā)生反應(yīng)；及(6).去除所述鈦膜的未反應(yīng)部分，從而在所述源極和漏極擴(kuò)散區(qū)上及柵電極上以自一對(duì)準(zhǔn)方式形成鈦硅化物層。
2.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于包含如下步驟(1).在硅基片上形成一層硅柵電極，其具有一中間的柵極絕緣膜；(2).在所述基片的整個(gè)表面上及所述硅柵電極上沉積一層絕緣膜，然后以一定角度將氮離子植入所述絕緣膜；(3).對(duì)所述絕緣膜進(jìn)行各向異性刻蝕，從而在所述硅柵電極的側(cè)面上形成含氮的絕緣側(cè)壁；(4).將雜質(zhì)引入所述硅柵電極和所述硅基片，從而形成源極和漏極擴(kuò)散區(qū)；(5).使所述硅柵電極表面和源極及漏極擴(kuò)散區(qū)表面露出，并在其整個(gè)表面上沉積鈦膜，此后通過(guò)熱處理使所述鈦膜、及所述硅柵電極和源極及漏極擴(kuò)散區(qū)之間發(fā)生反應(yīng)；及(6)去除所述鈦膜的未反應(yīng)部分，從而在所述源極和漏極擴(kuò)散區(qū)上及柵電極上以自一對(duì)準(zhǔn)的方式形成鈦硅化物層。
3.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于包含如下步驟(1).在基片上形成一柵電極，其具有一中間的柵極絕緣膜；(2).在所述基片和所述柵電極整個(gè)表面上沉積第一絕緣膜，然后刻蝕所述第一絕緣膜，從而在所述柵電極的側(cè)面上形成第一絕緣膜側(cè)壁；(3).將雜質(zhì)引入所述柵電極和基片，從而形成源極和漏極擴(kuò)散區(qū)；(4).在整個(gè)表面上沉積第二絕緣膜，然后以一定角度將氮離子植入所述第二絕緣膜；(5).蝕刻所述第二絕緣膜，從而沿所述第一絕緣膜側(cè)壁在所述柵電極的側(cè)面上形成含氮的第二絕緣側(cè)壁；(6).使所述柵電極表面和源極及漏極擴(kuò)散區(qū)表面露出，并在其整個(gè)表面上沉積一層鈦膜，然后通過(guò)熱處理使所述鈦膜和所述柵電極及源極和漏極擴(kuò)散區(qū)之間發(fā)生反應(yīng)；及(7).去除所述鈦膜的未反應(yīng)部分，從而在所述源極和漏極擴(kuò)散區(qū)上及所述棚電極上以自一準(zhǔn)的方式形成鈦硅化物層。
4.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于包含如下步驟(1).在基片上形成硅電極，其中間具有一柵極絕緣膜；(2).在所述硅基片和所述硅柵電極的整個(gè)表面上沉積第一絕緣膜，然后對(duì)所述第一絕緣膜進(jìn)行各向異性蝕刻，從而在所述硅柵電極的側(cè)面上形成第一絕緣側(cè)壁；(3).將雜質(zhì)引入所述柵電極和硅基片，從而形成源極和漏極擴(kuò)散區(qū)；(4).在其整個(gè)表面上沉積第二絕緣膜，然后以一定角度離子植入所述第二絕緣膜；(5).對(duì)所述第二絕緣膜進(jìn)行各向異性蝕刻，從而沿所述第一絕緣膜側(cè)壁在所述硅柵電極的側(cè)面上形成含氮的第二絕緣側(cè)壁；(6).使所述柵電極表面和源極及漏極擴(kuò)散區(qū)表面露出，并在其整個(gè)表面上沉積一層鈦膜，然后通過(guò)熱處理使所述鈦膜和所述柵電極及源極和漏極擴(kuò)散區(qū)之間發(fā)生反應(yīng)；及(7).去除所述鈦膜的未反應(yīng)部分，從而在所述源極和漏極擴(kuò)散區(qū)上和所述柵電極上以自一對(duì)準(zhǔn)的方式形成鈦硅化物層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體制造方法，其特征在于用于將氮離子植入所述絕緣膜的植入角在40度到50度之間。
6.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于包含在硅基片表面上形成的絕緣柵極膜；在所述硅基片上形成的具有中間柵極絕緣膜的多晶硅薄膜；在所述多晶硅膜上形成的鈦硅化物膜；圍繞所述絕緣柵極膜、所述多晶硅膜和所述鈦的硅化物膜的側(cè)面形成的絕緣側(cè)壁；及在形成于所述硅基片上的源極區(qū)和漏極區(qū)上分別形成的鈦硅化物膜；且其中所述絕緣側(cè)壁中含有氮。
7.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于包含在硅基片的表面上形成的絕緣柵極膜；在所述硅基片上形成的具有中間柵極絕緣膜的多晶硅膜；在所述多晶硅膜上形成的鈦硅化物膜；圍繞所述柵極絕緣膜，所述多晶硅膜及所述鈦硅化物膜形成的第一絕緣側(cè)壁；及在分別形成于所述基片上的源極區(qū)及漏極區(qū)上分別形成的鈦硅化物膜；且其中第二絕緣側(cè)壁還被成形為包圍住所述第一絕緣側(cè)壁且所述第二絕緣側(cè)壁中含氮。
全文摘要
一種半導(dǎo)體器件的制造方法,包含如下步驟:在基片上形成具有中間絕緣膜的柵電極;然后在基片及柵電極整個(gè)表面上沉積絕緣膜;然后以一定角度將氮離子植入絕緣膜;通過(guò)蝕刻絕緣膜在柵電極的側(cè)面上形成含氮的絕緣膜側(cè)壁;將雜質(zhì)引入柵電極和基片以形成源極和漏極擴(kuò)散區(qū);暴露柵電極和源極及漏極擴(kuò)散區(qū)的表面并在其上沉積鈦膜,去除鈦膜的未反應(yīng)部分,從而以自—對(duì)準(zhǔn)方式在源極和漏極擴(kuò)散區(qū)上和柵電極上形成鈦硅化物層。
文檔編號(hào)H01L21/336GK1188982SQ9810014
公開(kāi)日1998年7月29日 申請(qǐng)日期1998年1月20日 優(yōu)先權(quán)日1998年1月20日
發(fā)明者安藤岳 申請(qǐng)人:日本電氣株式會(huì)社