專利名稱：半導(dǎo)體集成電路的故障分析裝置及其方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路中定時故障的故障分析裝置及其方法，特別涉及一種可在短時間內(nèi)很容易地檢測出半導(dǎo)體集成電路中的故障發(fā)生區(qū)的故障分析裝置及其方法。
最近，隨著半導(dǎo)體集成電路中布線密度的增加，漂移電容也隨之增加。因此，在檢測晶片電氣特性的分揀過程中，由于定時裝置中出現(xiàn)故障，即降低了晶片的合格率。通常，在電氣特性的檢測中，定時故障的特性是以特殊的測試圖形來顯示故障的發(fā)生。由于晶片的測試圖形與上述電性能檢測中的被報廢的晶片的測試圖形相同，當除去晶片表面上的鈍化膜時，晶片不報廢而當再次在晶片上形成鈍化膜時，可以判斷出晶片要報廢。
假設(shè)這類定時故障的發(fā)生是通過晶片上鈍化膜的存在與否引起在半導(dǎo)體集成電路中使用的金屬布線間的漂移電容的改變而造成的，而且，定時故障又引起電路的時間常數(shù)的變化。
為了分析有定時故障的非正常晶片，在所要分析的地區(qū)形成電容量，并且觀察定時是如何偏離的。這種用于分析不合格晶片的方法將在下面詳述。首先，在已報廢晶片的測試圖形中，一位精通電路技術(shù)的工程師足以推斷出片區(qū)中布線的故障發(fā)生地，然后，用激光器在可能有故障地區(qū)的鈍化膜上打一個孔，并在該處設(shè)一個探針。進而，當用示波器確認信號已通過該布線時，通過探針就可探測出該故障。如果出現(xiàn)故障的部位用這種探測手段能夠檢查出來，在該區(qū)就形成一個有W(鎢)膜的電容電極，實際上該電容就形成了，當用大規(guī)模集成電路探測儀判斷出故障電平是否降低后，故障分析就可繼續(xù)進行。
然而，上述的故障分析方法有如下的問題。第一個問題就是在一個批量生產(chǎn)的工廠中，該工程師能夠確定是否出現(xiàn)了定時故障，但是該工程師要識別出故障發(fā)生的地區(qū)以及繼續(xù)完成故障分析是很困難的。這是由于為了在發(fā)生故障的測試圖形上設(shè)定一個半導(dǎo)體集成電路的故障部位，專家必須即具有電路方面的知識又具有測試圖形和電路操作方面的知識。
第二個問題就是在基于測試圖形上有故障的前提下，在半導(dǎo)體集成電路故障部位的鈍化膜上用激光器打一個孔后，將探針放入到布線上是及其困難的。這是由于當器件作得極精細時，半導(dǎo)體集成電路布線之間的布線寬度和距離小于1μm。
第三個問題就是當檢測出故障部位后，在該區(qū)設(shè)置一個象W膜一類的電極時，在每一個區(qū)中要形成W膜需要花1到2個小時的時間。隨后，在幾個部位形成電容需要超過8小時的時間。這是由于用于形成W膜的裝置如聚焦離子束和聚焦激光束裝置是一種真空裝置并且需要抽真空的時間。此外，確定形成電容的區(qū)域較困難，所以造成了形成W膜的時間延長。其結(jié)果，使得在每個區(qū)形成W膜的時間需要1到2個小時。
本發(fā)明的目的是提供一種半導(dǎo)體集成電路的故障分析裝置及其方法，其可縮短識別集成電路中產(chǎn)生定時故障位置的時間，能在極短的時間內(nèi)進行故障分析，能在初期減少次品的產(chǎn)生，并且能提高生產(chǎn)率。
根據(jù)本發(fā)明在半導(dǎo)體襯底上形成的半導(dǎo)體電路的故障分析裝置，包括一個用于安裝所述襯底的晶片放置臺，一個用于在半導(dǎo)體的某部位上滴入一種溶液的溶液滴入裝置，以便形成介電常數(shù)在2到5之間的檢測膜，一個安裝在該溶液滴入裝置上方的顯微鏡，并且顯微鏡用于放大半導(dǎo)體襯底的表面圖像和一個相對于晶片放置臺在水平方向上移動顯微鏡和溶液滴入裝置的移動裝置。
這種溶液滴入裝置能夠根據(jù)溶液滴入?yún)^(qū)域的面積來控制溶液滴入的量。并且溶液滴入裝置有一個裝有該溶液的筒及一個穿過該溶液筒的針狀體。因此，溶液能夠沿著該針狀體滴入到半導(dǎo)體襯底上。此時，針狀體的直徑為0.1到1mm。該溶液可以是聚酰亞胺溶液。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路故障分析方法是準備一定量的有相同布線圖的小晶片并且在布線圖上有鈍化膜。然后去掉小晶片上的鈍化膜，就可測量出小晶片上的定時故障并將其數(shù)字化，在介電常數(shù)為2到5的測試膜形成以前就可得到一個定時故障值。在去掉鈍化膜后，選擇性地在這些小晶片中的一個晶片上形成測試膜。在形成所述的檢測膜之后，測量其定時故障并將其數(shù)字化，以便獲得形成檢測膜之后的定時故障值。對比檢測膜形成前后的定時故障值，并作如下判斷，如果在形成測試膜之后的定時故障值降低了，就可斷定形成測試膜的區(qū)域內(nèi)有故障。如果在形成測試膜之后的定時故障值沒有降低，則故障存在于沒有形成測試膜的區(qū)域。此后，選擇性地在許多沒有被識別過的樣片之一上的某一區(qū)域形成所述的測試膜。通過上述比較和判斷步驟而識別出與有故障的區(qū)域一致的區(qū)域。在另一樣片的區(qū)域上，通過交替重復(fù)上述比較和判斷的步驟以及有選擇性地形成測試膜的步驟而識別出失效區(qū)。
所述的許多小晶片是指被定義在一塊晶片上的許多小晶片的面積。在清除鈍化膜后，選擇性地在許多小晶片之一上形成測試膜的步驟是指在所述一個樣片的1/2表面區(qū)域上形成測試膜的步驟。選擇性地在與被鑒定出有故障的區(qū)域相符的區(qū)域上形成測試膜是指在與被鑒定出有故障的區(qū)域相符的區(qū)域的1/2區(qū)域上形成測試膜的步驟。然而，這些區(qū)域沒有必要是精確的1/2，只是差不多1/2就可以。
該樣片有一個輸入端和輸出端，其獲得定時故障值的步驟是向輸入端提供電壓，測量其輸出端輸出的實際電壓與期望電壓值之間的壓差的步驟。
該樣片有一個輸入端和輸出端，其獲得定時故障值的步驟是在一個預(yù)定的時間向輸入端輸入信號，測量從輸出端輸出信號的實際時間與期望時間值之間的時間差。該測試膜可以是聚酰亞胺膜。
用一塊帶有布線圖并且在布線圖上形成有鈍化膜的樣片上識別出故障發(fā)生區(qū)域是可行的。在鑒別出存在有故障的步驟以后，就可得到清除樣片上測試膜的步驟。
在本發(fā)明中，在一個樣片上選擇性地形成測試膜以后，比較在測試膜形成前后的被數(shù)字化的定時故障電平變化?；谏鲜霰容^結(jié)果，產(chǎn)生定時故障的區(qū)域就可成功地被識別出來。在本發(fā)明中，用這種方法，由于不再需要電路知識并且可以通過機械操作而識別出故障區(qū)域，操作人員能夠很容易地識別出發(fā)生故障的地區(qū)而與其知識水平無關(guān)。在本發(fā)明中，由于采用了針狀體等結(jié)構(gòu)，所以不再需要用于識別故障產(chǎn)生區(qū)的相關(guān)電路，即使隨著器件的精細程度增加而使布線間的布線寬度及間隔變窄發(fā)生故障的區(qū)域能夠容易的被識別出來。
此外，由于本發(fā)明中，該區(qū)域被分成兩部分，并且重復(fù)兩分法，用于評估在一個地區(qū)上的損壞程度并能夠在大約5分鐘左右使在每一片上產(chǎn)生測試膜及對故障電平數(shù)字化，故障地區(qū)的識別過去約需1天左右，現(xiàn)在只需大約70分鐘。由此，識別時間故障區(qū)所需要的時間被縮短為原工藝的1/7，并且可很容易地以極短的時間到達故障產(chǎn)生區(qū)。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的具體實例而給出的故障分析裝置的示意圖2A-2F是以本發(fā)明第一實施例的故障分析方法中的步驟而識別出故障位置這一過程的示意圖；圖3是本發(fā)明第一實施例的故障分析方法的流程圖；圖4是本發(fā)明第二實施例的故障分析方法的流程圖。
下面將參照附圖對本發(fā)明的最佳實施例進行描述。圖1是本發(fā)明最佳實施例一種故障分析裝置的示意圖。參見圖1，安置有晶片1的晶片放置臺2被安置在基座8上并可沿水平X方向和水平Y(jié)方向移動，其Y方向垂直于X方向。在晶片放置臺2的上方有一個裝有聚酰亞胺溶液的聚酰亞胺筒3，聚酰亞胺筒3有一個細長的尖端和一個以穿過該管的方式安置在其上的針狀體7。然后，垂直方向移動針狀體7，在需要聚酰亞胺沿著針狀體7滴下時，聚酰亞胺筒3內(nèi)的聚酰亞胺溶液能落在晶片1的特定區(qū)域內(nèi)。
此外，有一個被安裝在晶片放置臺2上方的顯微鏡4，并且顯微鏡能使晶片1的表面圖像放大以便通過顯微鏡來觀察。
晶片放置臺2能安裝直徑為125-300mm的晶片1。另外，用顯微鏡4將聚酰亞胺溶液滴入晶片1內(nèi)的指定區(qū)域，由此在晶片1的指定區(qū)域內(nèi)形成聚酰亞胺膜。
針狀體7的直徑最好為0.1-1mm。為了能夠?qū)⒕埘啺啡芤旱稳氪笥?0mm2的區(qū)域，針狀體7的直徑最好為1mm。換句話說，為了將聚酰亞胺溶液滴入晶片1上的大約幾個μm2的極窄區(qū)域內(nèi)，針狀體7的直徑最好為0.1mm。從而，使用裝有直徑大約0.5mm針狀體7的聚酰亞胺筒3則具有400μm2-1mm2的使用區(qū)域。
在圖1所示的實例中，裝有針狀體7的聚酰亞胺筒3是作為向晶片1上滴注聚酰亞胺溶液的裝置，但是本發(fā)明不僅限于此，例如，可以使用一種能噴射微量聚酰亞胺溶液的裝置如噴射器。
下面結(jié)合圖1進一步描述用于半導(dǎo)體集成電路的基于故障分析方法的故障分析裝置。圖2A-2F是以本發(fā)明第一實施例中故障分析方法中的工藝順序而識別出故障位置的過程示意圖，而圖3是本發(fā)明第一實施例的故障分析方法的流程圖。在圖2A-圖2F中以螺紋線標出用來識別在晶片1上故障產(chǎn)生區(qū)而形成的聚酰亞胺薄膜區(qū)。為了分析定時故障，有必要在需要分析的區(qū)域形成一個電容并且觀察時間是如何產(chǎn)生偏差的。因此，將在下面詳述識別電容形成位置亦即，定時故障產(chǎn)生的位置的方法。
首先，在發(fā)生定時故障的晶片1中，制作出有相同測試圖形的約20片故障區(qū)(步驟S1)。然后，將故障區(qū)上的鈍化薄膜清除(步驟S2)。當記錄下晶片上的地址后，所有5a-5f片區(qū)域內(nèi)的定時故障電平將被一個大規(guī)模集成電路探測器數(shù)字化(步驟S3)。顯示這一故障電平的數(shù)值可以用電壓或時間，或其他數(shù)值，并且可以采用一種適合這一探測的數(shù)字化方法。
數(shù)字化該定時故障電平的方法，舉例如下，一種方法是記錄該片輸入部位處的各種電壓值并且用一個大規(guī)模集成電路探測器測量，以確定是否能從輸出部位得到預(yù)期的電壓值。使用這種方法允許將預(yù)期值(電壓值)的偏差作為故障電平。此外，還有一種方法是以各種時間形式記錄進入該片輸入部位處的信號并且用一個大規(guī)模集成電路探測器來確定是否這一信號是在預(yù)定時間從輸出部位處輸出的。在這種情況下，來自預(yù)期值(時間)的偏差可以被規(guī)定為故障電平。
當在一片區(qū)域內(nèi)探測出許多故障產(chǎn)生區(qū)域時，首先，識別出在該區(qū)作用最大的故障產(chǎn)生區(qū)域用于分析故障，并且根據(jù)需要識別出下一個故障產(chǎn)生區(qū)域。為了在晶片1的該片區(qū)域內(nèi)特定一個故障產(chǎn)生區(qū)域，在晶片放置臺2上安裝晶片1后，例如圖2A或圖2B所示，使用聚酰亞胺筒3將一定量的聚酰亞胺溶液滴在該片區(qū)域5a和該片區(qū)域5b的上半圓區(qū)域6a或下半圓區(qū)域6b上(步驟S4)。此時，由于晶片放置臺2是相對襯底8可水平方向移動地安裝的，當用顯微鏡來觀察晶片1的表面時，可以通過移動晶片放置臺2精確地調(diào)節(jié)聚酰亞胺溶液滴入?yún)^(qū)域。然后，使用探測器將形成聚酰亞胺膜后的該片的定時故障電平數(shù)字化(步驟S5)。
其后，在該片區(qū)域5a的上半圓區(qū)域6a中比較用于確定形成聚酰亞胺膜后的定時故障電平是否比形成聚酰亞胺膜前的定時故障電平降低(步驟S6)。用這樣的方法，在該片區(qū)的金屬布線間滴入聚酰亞胺溶液能夠改變兩個布線間的電容。隨后，通過比較該片形成聚酰亞胺膜后的定時故障電平與形成聚酰亞胺膜前的定時故障電平，可以判斷形成該區(qū)域的聚酰亞胺膜是否有故障。
例如，在步驟S6中，如果形成聚酰亞胺膜后的定時故障電平與形成聚酰亞胺膜前的定時故障電平相比沒有降低，這種現(xiàn)象就說明形成該區(qū)域的聚酰亞胺膜不含有故障區(qū)。隨后，回到步驟S4中，在除上半圓區(qū)域6a以外的區(qū)域內(nèi)選擇性地滴入聚酰亞胺溶液并且進行相同的測定。
如果步驟S6的比較結(jié)果顯示了在上半圓區(qū)域6a上形成的具有聚酰亞胺膜的該片的故障電平被降低了，這種情況說明上半圓區(qū)域6a含有故障區(qū)，并且由此判斷該區(qū)域是否被充分識別出來(步驟S7)。在步驟S7中，如果斷定對故障產(chǎn)生區(qū)域的識別不夠充分，則回到步驟S4。即如圖2C所示，在下一片區(qū)域5C內(nèi)，在上半圓區(qū)域6C的一半內(nèi)滴入聚酰亞胺溶液。此后，用相同的方法，進行步驟S6的測定和步驟S7的判斷以及測定在該片區(qū)5d，5e，和5f上的故障區(qū)6d，6e和6f如圖2D-圖2F所示，直到故障產(chǎn)生區(qū)域被充分地縮小為止。
將該區(qū)域分成兩部分并且重復(fù)這一兩-兩分開的方法以便測定在一個區(qū)域內(nèi)的降低值，用這一方法能夠在極短的時間內(nèi)極其容易地找出故障產(chǎn)生區(qū)域。例如，準備出20片區(qū)域的樣區(qū)，對于面積大約是16mm2的片區(qū)而言可以將故障產(chǎn)生區(qū)集中在30μm2內(nèi)。如果選擇了一個一邊為2mm長的矩形片區(qū)則在17個片區(qū)中通過17次測定過程，將識別出故障產(chǎn)生區(qū)的范圍在30μm2。在這一過程中，由于在每一個地方滴入聚酰亞胺溶液所需要的時間大約為1-3分鐘，試驗時間是幾秒鐘，并且，將晶片裝入探測器中檢測大約需要2分鐘，識別出故障區(qū)大約需要70分鐘。
在識別出故障產(chǎn)生區(qū)域后，在故障產(chǎn)生區(qū)形成由W膜等構(gòu)成的電容電極，從而構(gòu)成這個實際的電容，并且無論故障電平降低與否都可用大規(guī)模集成電路探測器來判斷，從而識別出這一故障的位置。
圖4是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例而給出的故障分析方法的流程圖。如果僅準備了一至二個片區(qū)(晶片)作為樣片，這些樣片被確認為有定時故障出現(xiàn)，但卻不能向?qū)嵤├?中那樣在許多樣片(片區(qū))上成功地形成聚酰亞胺膜。因此，在本實施例中，在清除已經(jīng)形成的聚酰亞胺膜后，該聚酰亞胺膜可以再次形成。這一過程將在下面詳細描述。
首先，準備一塊損壞的晶片(步驟S11)，不密封這一損壞的晶片(步驟S12)。并且確保這一不密封的晶片已經(jīng)發(fā)生了定時故障(步驟S13)。然后，清除晶片表面上的鈍化膜(步驟S14)。其次對已被除去鈍化膜的晶片的定時故障電平進行檢測和數(shù)字化(步驟S15)。
接下來，如圖2A-圖2B所示，在該片表面的上半圓區(qū)或下半圓區(qū)滴入聚酰亞胺溶液(步驟S16)。然后，在聚酰亞胺膜成型后，用一種測試儀使該片的定時故障電平數(shù)字化(步驟S17)。
此后的步驟與第一實施例相同，比較形成聚酰亞胺膜后的定時故障電平是否比形成聚酰亞胺膜前的定時故障電平降低(步驟S18)。在步驟S18中，如果這一電平降低值不是很明顯時，那就意味著形成聚酰亞胺膜的區(qū)域不含一塊故障區(qū)，在除去已成型的聚酰亞胺膜后(步驟S20)返回到步驟S16。
換句話說，如果通過步驟S18的比較，就可以確定在聚酰亞胺膜成型區(qū)包含有一塊故障區(qū)，那么判斷是否能完全確認這一故障產(chǎn)生區(qū)(步驟S19)。如果這一故障產(chǎn)生區(qū)不能完全確認，在除去聚酰亞胺膜后(步驟S20)，返回到步驟S16。
在用這種方法識別出故障產(chǎn)生區(qū)后，其余的步驟與第一實施例相同，完成故障分析。
在第二實施例中，由于聚酰亞胺膜被再次成型并且在清除已成型的聚酰亞胺膜后故障區(qū)被檢測出來，即使有許多的樣片，但是也僅需一塊已損壞的晶片，就能夠很容易地被檢測出故障區(qū)來。作為用于清除聚酰亞胺膜的裝置，可使用一種氧等離子體儀。如果在半導(dǎo)體裝置的處理過程中選用一種用于清除光刻膠膜的氧等離子體儀，那么就不需要重新準備另一臺儀器。例如，當使用一臺一千瓦型的氧等離子體儀，聚酰亞胺膜能夠在一分鐘內(nèi)被清除，并且檢測出該故障區(qū)不需要花太長時間。在第一和第二實施例中，通過判斷在聚酰亞胺膜成型區(qū)是否存在有一個故障區(qū)，從而檢測出該故障區(qū)，而本發(fā)明不僅限于該聚酰亞胺膜。例如，一種介電常數(shù)在2-5之間的測試膜，就可用上述實施例中相同的方法檢測出故障區(qū)。然而，由于在半導(dǎo)體設(shè)備的加工過程中，聚酰亞胺膜是一種常用的材料，所以聚酰亞胺膜的使用也就排除了使用其他特殊材料的可能性。
權(quán)利要求
1，一種分析在半導(dǎo)體襯底上形成的半導(dǎo)體集成電路的故障的裝置，包括一個用于安裝所述襯底的晶片層；一個溶液滴入裝置，其將溶液滴在所述的半導(dǎo)體襯底的某個部位上以便形成一個介電常數(shù)為2-5的檢測膜；一個安裝在所述溶液滴入裝置上方的顯微鏡，該顯微鏡用于放大所述的半導(dǎo)體襯底的表面圖形；一個可相對于所述的晶片層沿水平方向移動所述的顯微鏡和溶液滴入裝置的機構(gòu)。
2，根據(jù)權(quán)利要求1所述的故障分析裝置，其所述的溶液滴入裝置可根據(jù)將要滴入溶液的區(qū)域的尺寸來控制所述溶液的滴入量。
3，根據(jù)權(quán)利要求1所述的故障分析裝置，其所述溶液滴入裝置包括一個裝有所述溶液的溶液筒，和一個安裝在溶液筒上并且可穿過該溶液筒的針狀體，所述溶液可沿著所述的針狀體滴在所述的半導(dǎo)體襯底上。
4，根據(jù)權(quán)利要求3所述的故障分析裝置，其所述針狀體的直徑為0.1-1mm。
5，根據(jù)權(quán)利要求1所述的故障分析裝置，其所述的溶液是聚酰亞胺溶液。
6，一種半導(dǎo)體集成電路的故障分析方法，包括下列步驟準備一些具有相同布線圖的樣片，并且所述布線上形成有鈍化膜；清除所述樣片上的鈍化膜；在清除所述鈍化膜后，測量并數(shù)字化所述樣片的定時故障，以便在形成介電常數(shù)為2-5的檢測膜之前獲得定時故障值；在清除所述鈍化膜后，選擇性地在許多樣片中的一片上形成所述的檢測膜；在形成所述檢測膜之后，測量并數(shù)字化所述樣片的定時故障，以便獲得形成檢測膜之后的定時故障值；對比所述的形成檢測膜之前和形成檢測膜之后的定時故障值，并且判斷如下如果所述定時故障值在形成所述檢測膜后降低了，則故障存在于形成了檢測膜的區(qū)域，如果所述定時故障值在形成所述檢測膜后沒有降低，則故障存在于沒有形成檢測膜的區(qū)域；選擇性地在許多沒有經(jīng)過識別的樣片之一的某一個區(qū)域上形成所述的檢測膜，該區(qū)域與通過上述比較和判斷步驟確定出有故障的區(qū)域相符；用交替地重復(fù)上述比較和判斷的步驟，以及選擇性地在所述另一樣片的區(qū)域內(nèi)形成檢測膜的步驟來識別故障區(qū)。
7，根據(jù)權(quán)利要求6所述的故障分析方法，其所述的許多小晶片是指被定義在一個晶片內(nèi)的許多小晶片的面積。
8，根據(jù)權(quán)利要求6所述的故障分析方法，其所述在清除鈍化膜后選擇性地在許多樣片之一上形成檢測膜的步驟是指在所述一個樣片的二分之一表面區(qū)域上形成檢測膜的步驟；所述選擇性地在與已被判斷為有故障的區(qū)域相符的區(qū)域上形成檢測膜的步驟是指在與已被判斷為有故障的區(qū)域相符的區(qū)域的二分之一區(qū)域上形成檢測膜的步驟。
9，根據(jù)權(quán)利要求6所述的故障分析方法，其樣片有一個輸入部位和一個輸出部位，其獲得定時故障值的步驟是向輸入部位提供電壓，測量其輸出端輸出的實際電壓與期望電壓值之間的壓差的步驟。
10，根據(jù)權(quán)利要求6所述的故障分析方法，其所述樣片有一個輸入部位和一個輸出部位，其獲得定時故障值的步驟是指在一個預(yù)定的時間向輸入部位輸入信號，測量從輸出部位輸出信號的實際時間與期望時間值之間的時間差。
11，根據(jù)權(quán)利要求6所述的故障分析方法，其所述的檢測膜是聚酰亞胺膜。
12，一種半導(dǎo)體集成電路的故障分析方法，包括如下步準備一塊樣片，該樣片具有布線圖，并且布線圖上形成有鈍化膜；清除所述樣片上的鈍化膜；清除所述的鈍化膜后，測量并數(shù)字化所述樣片的定時故障，以便在形成介電常數(shù)為2-5的檢測膜之前獲得定時故障值；在清除所述的鈍化膜之后，選擇性地在所述樣片上形成所述的檢測膜；在形成所述的檢測膜后，測量并數(shù)字化所述樣片的定時故障，以便獲得形成所述的檢測膜之后的定時故障值；比較形成所述檢測膜之前和形成檢測膜之后的定時故障值并且判斷如下如果形成檢測膜后的定時故障值降低了，則說明故障存在于檢測膜形成區(qū)域，如果形成檢測膜后的定時故障值沒有降低，則說明故障存在于沒有形成檢測膜的區(qū)域；清除所述樣片上的檢測膜；選擇性在所述樣片內(nèi)的某個區(qū)域上形成所述的檢測膜，該區(qū)域與用所述比較和判斷步驟判定為有故障的區(qū)域相符；用重復(fù)所述的比較和判定步驟、移動所述測量膜的步驟和選擇性地在所述樣片上形成所述檢測膜的步驟來識別故障區(qū)域。
13，根據(jù)權(quán)利要求12所述的故障分析方法，其所述的在清除所述的鈍化膜后選擇性地在所述樣片上形成所述檢測膜的步驟是指在所述樣片的二分之一的區(qū)域上形成所述檢測膜的步驟，并且所述選擇性的在與已被判定為有故障區(qū)域相符合的區(qū)域上形成檢測膜的步驟是指在被判定為有故障區(qū)域的二分之一區(qū)域上形成檢測膜。
14，根據(jù)權(quán)利要求12所述的故障分析方法，其樣片有一個輸入端和一個輸出端，其獲得定時故障值的步驟是向輸入端提供電壓，測量其輸出端輸出的實際電壓與期望電壓值之間的壓差的步驟。
15，根據(jù)權(quán)利要求12所述的故障分析方法，其所述樣片有一個輸入部位和一個輸出部位，其獲得定時故障值的步驟是指在一個預(yù)定的時間向輸入部位輸入信號，測量從輸出部位輸出信號的實際時間與期望時間值之間的時間差。
16，根據(jù)權(quán)利要求12所述的故障分析方法，其所述的檢測膜是聚酰亞胺膜。
全文摘要
首先,在清除樣片表面的鈍化膜之后,用一臺檢測器將樣片表面的定時故障電平數(shù)字化。然后,在樣片表面的上半圓區(qū)滴入聚酰亞胺溶液。接著,再用檢測器將形成了聚酰亞胺膜后的樣片的定時故障電平數(shù)字化。之后,對形成了聚酰亞胺膜之后的定時故障值和形成聚酰亞胺膜之前的定時故障值進行比較。根據(jù)比較結(jié)果,就可判斷出故障區(qū)。隨后,重復(fù)選擇性地在含有故障的區(qū)域上形成聚酰亞胺膜并判斷故障區(qū)域的步驟,就可識別出故障區(qū)域。
文檔編號H01L21/66GK1205544SQ9810323
公開日1999年1月20日 申請日期1998年6月26日 優(yōu)先權(quán)日1998年6月26日
發(fā)明者五十嵐均一 申請人:日本電氣株式會社