專利名稱：半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在半絕緣性基片上形成的半導(dǎo)體器件的制造方法，特別涉及調(diào)整電阻值的電阻形成方法。
在以往的電極間的電阻形成方法中，在電阻區(qū)域上利用光刻膠形成電阻調(diào)整用的開口部，借助于在開口部蝕刻電阻區(qū)域，在對電流進(jìn)行監(jiān)視的同時、得到所要的電阻值。
下面，參照圖3所示的剖視圖(A1～F1)和平面圖(A2～F2)、對以往的基于使用光刻膠圖形的電阻值調(diào)整法的電阻形成方法進(jìn)行說明。
首先，在GaAs等的半絕緣性基片1上形成具有開口部2的光刻膠3，在半絕緣性基片1上進(jìn)行雜質(zhì)的離子注入，形成高雜質(zhì)濃度的電阻接觸區(qū)域4(圖3的A1，A2)。
接著，除去光刻膠6，在半絕緣性基片1上形成具有開口部5的新的光刻膠6。然后，在半絕緣性基片1上進(jìn)行雜質(zhì)的離子注入，形成低雜質(zhì)濃度的電阻接觸區(qū)域7(圖3的B1，B2)。
接著，除去光刻膠6，在半絕緣性基片1上形成具有電極形成用開口部8的光刻膠9(圖3的C1，C2)。
接著，在形成金屬膜后，除去光刻膠9，由剝離法形成歐姆電極10(圖3的D1，D2)。
接著，在半絕緣性基片1上形成具有橫穿電阻區(qū)域7的電阻調(diào)整用的開口部11的光刻膠12，在電阻區(qū)域7上施行蝕刻后，在測定電阻值的同時進(jìn)行調(diào)整、以便成為所要的電阻值(圖3的E1，E2)。
最后，借助于除去光刻膠12，形成電阻值被調(diào)整的電極間的電阻(圖3的F1，F(xiàn)2)。
但是，在前述的電阻形成方法中，如圖3的E2所示，因形成完全地橫穿電阻區(qū)域7的光刻膠12的開口部11，所以如圖4所示，在通過開口部11對電阻區(qū)域7進(jìn)行蝕刻，并在監(jiān)視電流的同時進(jìn)行電阻值的調(diào)整時，因從某個蝕刻時間開始電阻值急劇地增高，所以僅僅稍微超過蝕刻調(diào)整時間就會穿通電阻區(qū)域7，使電阻成為無限大的電阻值如圖4所示，因用于使電阻值符合設(shè)計值范圍的蝕刻時間以秒為單位非常地短，所以其問題在于，由于電阻值很難控制，其電阻值離散性較大，因此使合格率降低。
為了提高原材料利用率，一般、在集成電路的電阻形成中，要求改善電極間的電阻值的控制性。本發(fā)明的目的是謀求在這種電極間的電阻形成中改善電阻值的控制性。
用于解決這種問題的本發(fā)明的電阻形成方法，包括在半絕緣性半導(dǎo)體基片上利用離子注入或者擴(kuò)散雜質(zhì)有選擇地形成電阻區(qū)域，在電阻區(qū)域的兩端部上形成電極，在表面形成膜后、形成不橫穿所述電阻區(qū)域的膜的開口部，借助于在開口部蝕刻露出的所述電阻區(qū)域、進(jìn)行所述電阻區(qū)域的電阻值的調(diào)整。
因此，即使蝕刻達(dá)到穿通電阻區(qū)域的程度，電阻值也不會變成無限大，同時因能有充足的時間進(jìn)行用于與設(shè)定值相符合的電阻值的調(diào)整的蝕刻，所以能謀得擴(kuò)散電阻值的控制性的改善和原材料利用率的提高。


圖1表示本發(fā)明實施例的電阻形成方法的流程圖。
圖2表示本發(fā)明的對于蝕刻時間的薄膜電阻值的變化。
圖3表示以往的電阻形成方法的流程圖。
圖4表示以往的對于蝕刻時間的薄膜電阻值的變化。
下面，參照圖1和圖2對本發(fā)明的實施例進(jìn)行說明。
實施例下面，參照圖1所示的剖視圖(A1～F1)和平面圖(A2～F2)、對本發(fā)明實施例的基于使用完全不橫穿電阻區(qū)域的光刻膠圖形的電阻值調(diào)整法的電阻形成方法進(jìn)行說明。
首先，在GaAs等半導(dǎo)體的半絕緣性基片1上形成具有開口部2的光刻膠3，利用在半絕緣性基片1上進(jìn)行雜質(zhì)的離子注入或者雜質(zhì)的擴(kuò)散，形成高雜質(zhì)濃度的電阻接觸區(qū)域4(圖1的A1，A2)。
接著，除去光刻膠3，在半絕緣性基片1上形成具有電阻區(qū)域形成用的開口部5的新的光刻膠6。然后，以光刻膠6作為掩模，在半絕緣性基片1上進(jìn)行離子注入或者擴(kuò)散，形成低雜質(zhì)濃度的電阻區(qū)域7(圖1的B1，B2)。
然后，除去光刻膠6，在半絕緣性基片1上形成具有電極形成用的開口部8的新的光刻膠9(圖1的C1，C2)。
接著，在表面形成AuGeNi等的金屬膜后，除去光刻膠9，由剝離法形成歐姆電極10(圖1的D1，D2)。
接著，在半絕緣性基片1上形成具有不橫穿電阻區(qū)域7的2個電阻調(diào)整用的開口部13的光刻膠14，浸潤在蝕刻液中，并在開口部13對電阻區(qū)域7施行蝕刻。然后，從蝕刻液中取出半絕緣性基片1，將探針與一部分被開口的電極接觸、流過電流，測定是否成為所要的電阻值。如果沒有成為所要的電阻值，則再次進(jìn)行蝕刻，然后取出并測定電阻值。借助于重復(fù)這種工序，進(jìn)行調(diào)整、以便成為所要的電阻值(圖1的E1，E2)。
最后，借助于除去光刻膠14，形成電阻值被調(diào)整后的電極間的電阻(圖1的F1，F(xiàn)2)。
圖2表示由本發(fā)明的實施例得到的蝕刻時間與薄膜電阻值的關(guān)系。
由圖可知，與以往的電阻形成方法相比(參照圖4)，在本發(fā)明的電阻形成方法中，對于蝕刻時間的電阻值變化率小。為此，如圖2的斜線部分所示，用于與設(shè)計值范圍內(nèi)的電阻值相符合的蝕刻時間比過去要長，所以即使稍稍超過蝕刻時間，電阻值也能保持在設(shè)計值內(nèi)，能謀得電阻值的均勻性的改善和原材料利用率的提高。
因利用用于電阻值調(diào)整的蝕刻，即使例如穿通電阻區(qū)域，也能防止電阻值成為無限大，所以能比以往更安全地容易地進(jìn)行電阻值調(diào)整。
此外，在實施例中，借助于形成例如2個電阻值調(diào)整用的開口部那樣，形成偶數(shù)個開口部，能使電阻形狀對稱而取得平衡。但是，也可以將電阻值調(diào)整用的開口部的個數(shù)做成奇數(shù)個，盡管電阻的形狀為非對稱但前述的效果不變。
采用本發(fā)明的電阻形成方法，則因用于在設(shè)計值內(nèi)的電阻值調(diào)整的蝕刻時間十分充足，并且用于電阻值調(diào)整用的蝕刻，即使導(dǎo)致例如穿通電阻區(qū)域，電阻值也不會成為無限大，所以容易進(jìn)行電阻值的調(diào)整，同時因電阻值的離散性減小，所以能求得原材料利用率的提高。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括下述工序在半絕緣性半導(dǎo)體基片上利用離子注入或者擴(kuò)散雜質(zhì)有選擇地形成電阻區(qū)域的工序，在該電阻區(qū)域的兩端部上形成電極的工序，在所述基片的表面上形成膜后，形成不橫穿所述電阻區(qū)域的所述膜的開口部的工序，借助于在該開口部蝕刻露出的所述電阻區(qū)域，進(jìn)行所述電阻區(qū)域的電阻值的調(diào)整的工序。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，形成多個不橫穿電阻區(qū)域的開口部。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種半導(dǎo)體器件的制造方法,包括在半絕緣性半導(dǎo)體基片上有選擇地形成電阻區(qū)域,在該電阻區(qū)域的兩端部上有選擇地形成歐姆電極。在電極間形成有開口部的光刻膠,使完全不橫穿電阻區(qū)域。借助于一點一點不斷地蝕刻除去所述開口內(nèi)的電阻區(qū)域,得到所要的電阻值。本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法,能事先防止電阻值變得無限大,能改善電阻值的控制性和均勻性,并能提高原材料的利用率。
文檔編號H01L29/8605GK1192039SQ98105298
公開日1998年9月2日 申請日期1998年2月27日 優(yōu)先權(quán)日1997年2月27日
發(fā)明者福井武司, 古川秀利, 上田大助 申請人:松下電子工業(yè)株式會社