專(zhuān)利名稱(chēng)：獨(dú)石陶瓷電容器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于電子設(shè)備的陶瓷電容器，尤其涉及具有鎳或鎳合金構(gòu)成的內(nèi)電極的獨(dú)石陶瓷電容器。
獨(dú)石陶瓷電容器的生產(chǎn)工藝一般如下。首先，制備片狀介電陶瓷材料，在其表面上涂敷有成為內(nèi)電極的電極材料。例如，作為介電陶瓷材料，可使用以BaTiO3作為主要成分的材料。然后，通過(guò)在加熱條件下進(jìn)行壓合(press)并在1250到1350℃溫度下的普通大氣中煅燒成為一體的疊層，把涂敷有電極材料的片狀介電陶瓷材料層疊起來(lái)從而獲得具有內(nèi)電極的介電陶瓷。此外，通過(guò)燒制外電極以在側(cè)面連接內(nèi)電極來(lái)獲得獨(dú)石陶瓷電容器。
相應(yīng)地，內(nèi)電極的材料必須滿(mǎn)足以下條件(a)因?yàn)橥瑫r(shí)對(duì)介電陶瓷和內(nèi)電極進(jìn)行煅燒，所以?xún)?nèi)電極材料具有與介電陶瓷煅燒溫度相同或更高的熔點(diǎn)。
(b)該材料即使在高溫的氧化氣氛中也不氧化，而且不與介電陶瓷起反應(yīng)。
作為滿(mǎn)足這些條件的電極，已使用貴金屬或其合金，諸如鉑、金、鈀、銀-鈀合金等材料。然而，雖然這些電極材料具有優(yōu)良的特性，但它們非常昂貴并成為增加獨(dú)石陶瓷電容器生產(chǎn)成本的最大因素。
其它賤金屬高熔點(diǎn)材料包括諸如Ni、Fe、Co、W、Mo等材料，但這些賤金屬容易在高溫氧化氣氛中氧化，從而它們變得不能用作電極。相應(yīng)地，為了把這些賤金屬用作獨(dú)石陶瓷電容器的內(nèi)電極，必須在中性或還原氣氛中對(duì)賤金屬和介電陶瓷進(jìn)行煅燒。然而，常規(guī)介電陶瓷材料的缺陷在于，當(dāng)在此中性或還原氣氛中煅燒這些材料時(shí)，它們被大大還原并變?yōu)轭?lèi)似于半導(dǎo)體的材料。
為了克服上述缺陷，例如，提出了如JP-B-57-42588所示的一種介電陶瓷材料，其中鋇晶格點(diǎn)(site)/鈦晶格點(diǎn)的比值超過(guò)鈦酸鋇固體溶液中理想配比比值，以及如JP-A-61-101459中所示的一種介電陶瓷材料，該材料由加有諸如La、Nd、Sm、Dy、Y等稀土元素的氧化物的鈦酸鋇固體溶液所構(gòu)成。
此外，例如，作為介電常數(shù)隨溫度變化很小的介電陶瓷材料，提出了如JP-A-62-256422所示由BaTiO3-CaZrO3-MnO-MgO系列成分所構(gòu)成的介電陶瓷材料以及如JP-B-61-14611中所示由BaTiO3-(Mg、Zn、Sr、Ca)O-B2O3-SiO2系列成分所構(gòu)成的介電陶瓷材料。
通過(guò)使用如上所述的介電陶瓷材料，即使在還原氣氛中煅燒介電陶瓷，該材料也不會(huì)變?yōu)轭?lèi)似于半導(dǎo)體的材料，從而可生產(chǎn)用諸如鎳等賤金屬材料作為內(nèi)電極的獨(dú)石陶瓷電容器。
隨著近來(lái)電子學(xué)的發(fā)展，小尺寸的電子零件進(jìn)展飛速，而增加獨(dú)石陶瓷電容器之電容量的要求也變得很明顯。于是，介電陶瓷材料介電常數(shù)的增加以及介電陶瓷層的變薄也進(jìn)展得非?？臁Ｏ鄳?yīng)地，對(duì)具有介電常數(shù)隨溫度變化很小的高介電常數(shù)且可靠性?xún)?yōu)良的介電陶瓷材料的需求變得越來(lái)越大。
雖然JP-B-57-42588和JP-A-61-101459中所示的介電陶瓷材料給出高的介電常數(shù)，但它們所具有的缺陷是，所獲得的介電陶瓷的晶粒較大，從而在獨(dú)石陶瓷電容器中介電陶瓷層的厚度變?yōu)?0微米或更薄時(shí)，每一層上的晶粒數(shù)減少且可靠性降低。此外，在這些介電陶瓷材料中，還存在介電常數(shù)隨溫度變化大的問(wèn)題。于是，上述介電陶瓷材料不能滿(mǎn)足市場(chǎng)的需要。
此外，雖然JP-A-62-256422中所示介電陶瓷材料中的介電常數(shù)相當(dāng)高，所獲得的介電陶瓷的晶粒很小且介電常數(shù)隨溫度的變化也很小，但由于煅燒工藝中形成的CaZrO3和CaTiO3易于形成具有MnO等的次生相，所以問(wèn)題在于高溫下的可靠性。
此外，在JP-B-61-14611所示介電陶瓷材料中存在的缺陷是，獲得的介電陶瓷的介電常數(shù)從2,000到2,800，且在減小獨(dú)石陶瓷電容器的尺寸和增加電容方面，該材料在是不利的。此外，還有一個(gè)問(wèn)題是該介電陶瓷材料不能滿(mǎn)足EIA標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的X7R特性，即在-55℃到+125℃的溫度范圍內(nèi)，靜電電容量的變化率在±15％以?xún)?nèi)。
此外，在JP-A-63-103861中所揭示的非還原介電陶瓷中，絕緣電阻和電容量的溫度變化率受到主要成分BaTiO3的晶體尺寸的極大影響，從而難于對(duì)獲得穩(wěn)定的特性進(jìn)行控制。此外，當(dāng)把絕緣電阻示作它與靜電電容量的積(即，CR)時(shí)，該積在1,000到2,000MΩ·μF，不能說(shuō)非還原介電陶瓷在商業(yè)上是有用的。
為了解決上述問(wèn)題，在JP-A-5-9066、JP-A-5-9067和JP-A-5-9068中提出了各種元件。然而，作為進(jìn)一步減小尺寸和增加電容量的需要的結(jié)果，對(duì)介電陶瓷層的減薄和可靠性的市場(chǎng)需求越來(lái)越嚴(yán)格，對(duì)具有更好可靠性以及符合厚度減薄的介電陶瓷材料的需求日益增加。
當(dāng)簡(jiǎn)單地在確定的額定電壓下使介電陶瓷層減薄時(shí)，則增加了每一層的場(chǎng)強(qiáng)。相應(yīng)地，降低了室溫和高溫下的絕緣電阻，可靠性也大大降低。于是，當(dāng)減薄介電陶瓷層時(shí)，需要降低常規(guī)介電陶瓷中的額定電壓。
相應(yīng)地，需要提供一種在高的場(chǎng)強(qiáng)下具有高絕緣電阻且可靠性?xún)?yōu)良的獨(dú)石陶瓷電容器，即使在介電陶瓷層的厚度減薄時(shí)也不需要降低額定電壓。
為了適合小尺寸和大容量的獨(dú)石陶瓷電容器的表面安裝，在通過(guò)烘焙導(dǎo)電金屬粉末形成的外電極上形成具有軟焊料等材料的鍍膜。通常將電解鍍方法作為形成鍍膜的方法。
當(dāng)在焙燒的電極上形成鍍膜的情況下，問(wèn)題出在當(dāng)獨(dú)石陶瓷電容器浸入鍍液內(nèi)時(shí)，鍍液通過(guò)烘焙的電極的空間進(jìn)入并到達(dá)內(nèi)電極與介電陶瓷層之間的界面，由此降低了可靠性。
本發(fā)明的主要目的是提供一種成本低、尺寸小且電容量大的獨(dú)石陶瓷電容器，其中介電常數(shù)至少為3,000；如果由絕緣電阻與靜電電容量之積(CR)來(lái)表示絕緣電阻，則在2kV/mm，以及在室溫和125℃下絕緣電阻的CR積分別為至少6,000MΩ·μF和至少2,000MΩ·μF，在20kV/mm以及在室溫和125℃下絕緣電阻的CR積分別高達(dá)2,000MΩ·μF和至少500MΩ·μF；靜電電容量的溫度特性滿(mǎn)足JIS標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的B特性并滿(mǎn)足EIA標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的X7R特性，即便外電極上形成鍍層，其可靠性也是高的。
現(xiàn)已發(fā)現(xiàn)如下所述的本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)上述目的。
本發(fā)明的第一方面是獨(dú)石陶瓷電容器，它包括多個(gè)介電陶瓷層，將介電陶瓷層夾在其間的至少一對(duì)內(nèi)電極，內(nèi)電極的邊緣交替暴露于上述陶瓷層的兩個(gè)邊緣面，外電極如此形成，使每個(gè)外電極電連接到交替露出的內(nèi)電極，其中，每個(gè)介電陶瓷層為這樣一種材料，它包括以下主要成分含有重量百分比不超過(guò)約0.02的堿性金屬氧化物作為雜質(zhì)的鈦酸鋇，從鈧氧化物和釔氧化物中選出的至少一個(gè)氧化物，從釤氧化物、銪氧化物和釓氧化物中選出的至少一個(gè)氧化物，以及從錳氧化物、鈷氧化物和鎳氧化物中選出的至少一個(gè)氧化物，以及數(shù)量從大約0.5到5.0摩爾作為MgO計(jì)算的鎂氧化物作為次要成分，到由以下成分公式表示的100摩爾主要成分中
(1-α-β-γ){BaO}m·TiO2+αM2O3+βRe2O3+γ(Mn1-x-yNixCoy)O這里，M2O3是Sc2O3和Y2O3的至少一個(gè)；Re2O3是Sm2O3、Eu2O3和Gd2O3的至少一個(gè)；以及α、β、γ、m、x和y為0.0025≤α+β≤0.025，0＜β≤0.0075，0.0025≤γ≤0.05，γ/(α+β)≤4，0≤x＜1.0，0≤y＜1.0，0≤x+y≤1.0，以及1.000＜m≤1.035)，并進(jìn)一步包含重量為大約0.2至3.0份的Al2O3-MO-B2O3系氧化物玻璃，其中，MO為從BaO，CaO，SrO，MgO，ZnO和MnO中選出的至少一個(gè)氧化物，直至重量總和為100份的主要成分和鎂氧化物。
較佳地，堿金屬雜質(zhì)的重量百分比約為0.012或更低，0.04≤α+β≤0.02，0.001≤β≤0.005，0.015≤γ≤0.04，γ/(α+β)≤3，0.05≤x≤0.5，0.05≤y≤0.6，0.2≤x+y≤0.6，1.005≤m≤1.015，MgO每一百約為0.8-1.2摩爾，玻璃量約為重量的0.8-1.5份。較佳地，該成分包含Y2O3和Sm2O3，MO包括BaO。
而且，較佳地，上述內(nèi)電極由鎳或鎳合金來(lái)構(gòu)成。
本發(fā)明的第二方面是根據(jù)第一方面的一種獨(dú)石陶瓷電容器，其中，當(dāng)形成三角坐標(biāo){Al2O3，MO，B2O3}(其中，單位為摩爾％)時(shí)，(Al2O3，MO，B2O3)系氧化物玻璃的成分位于由連接6個(gè)點(diǎn)的6條線(xiàn)所包圍的區(qū)域內(nèi)或這些線(xiàn)上，這6個(gè)點(diǎn)是A(1，14，85)；B(20，10，70)；C(30，20，50)；D(40，50，10)；E(20，70，10)；F(1，39，60)。
本發(fā)明的第三方面是根據(jù)第一方面的獨(dú)石陶瓷電容器，其中由導(dǎo)電金屬粉末或?qū)щ娊饘俜勰┡c玻璃料的燒結(jié)層構(gòu)成每個(gè)外電極。
本發(fā)明的第四方面是根據(jù)第一方面的獨(dú)石陶瓷電容器，其中由導(dǎo)電金屬粉末或?qū)щ娊饘俜勰┡c玻璃料的燒結(jié)層構(gòu)成的第一層以及由第一層上形成鍍層構(gòu)成的第二層來(lái)構(gòu)成每個(gè)外電極。


圖1是示出本發(fā)明的獨(dú)石陶瓷電容器一個(gè)實(shí)施例的示意剖面圖，圖2是示出具有本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的內(nèi)電極的介電陶瓷層的示意平面圖，圖3是示出本發(fā)明的陶瓷疊層一個(gè)實(shí)施例的分解透視圖，以及圖4是表示本發(fā)明中Al2O3-MO-B2O3系氧化物玻璃組成范圍的3種成分的三角成分圖{Al2O3，MO，B2O3}。
以下將詳細(xì)描述本發(fā)明。
通過(guò)使用介電陶瓷材料來(lái)獲得本發(fā)明的獨(dú)石陶瓷電容器，所述材料包括鈦酸鋇、從鈧氧化物和釔氧化物中選出的至少一個(gè)氧化物；從釤氧化物、銪氧化物和釓氧化物中選出的至少一個(gè)氧化物；以及從錳氧化物、鈷氧化物和鎳氧化物中選出的至少一個(gè)氧化物，這些氧化物依據(jù)上述組成比來(lái)調(diào)節(jié)并與鎂氧化物和Al2O3-MO-B2O3系氧化物玻璃(其中，MO為從BaO，CaO，SrO，MgO，ZnO和MnO中選出的至少一個(gè)氧化物)組合，作為介電陶瓷層的材料，可對(duì)所述獨(dú)石陶瓷電容器進(jìn)行煅燒，從而即使在還原氣氛中對(duì)其進(jìn)行煅燒時(shí)也不降低其特性，其靜電電容量的溫度特性滿(mǎn)足JIS標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的B特性以及ETA標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的X7R特性，所述電容器在高場(chǎng)強(qiáng)下在室溫和高溫下具有高的絕緣電阻并具有高的可靠性。
此外，由于所獲的介電陶瓷層的粒徑可以小到1微米或更小，故可增加每個(gè)介電陶瓷層中所存在的晶粒數(shù)目，從而即使在獨(dú)石陶瓷電容器每個(gè)介電陶瓷層的厚度減薄時(shí)，可防止可靠性降低。
此外，已確定，由鈦酸鋇，從鈧氧化物和釔氧化物中選出的至少一個(gè)氧化物，從釤氧化物、銪氧化物和釓氧化物中選出的至少一個(gè)氧化物以及從錳氧化物、鈷氧化物和鎳氧化物中選出的至少一個(gè)氧化物所構(gòu)成介電陶瓷層的介電陶瓷材料的主要成分中，還存在少量堿土金屬氧化物諸如SrO、CaO等、堿金屬氧化物諸如Na2O、K2O等以及其它氧化物諸如Al2O3、SiO2等作為雜質(zhì)。在這些雜質(zhì)中，堿金屬氧化物諸如Na2O、K2O等的含量尤其對(duì)獨(dú)石陶瓷電容器的電學(xué)特性有很大的影響。
即，已確定，使用其中作為雜質(zhì)存在的堿金屬氧化物含量不大于約0.02％重量的鈦酸鋇，可獲得3,000或更高的介電常數(shù)。
此外，已確定，通過(guò)將Al2O3-MO-B2O3系氧化物玻璃(其中，MO為從BaO，CaO，SrO，MgO，ZnO和MnO中選出的至少一個(gè)氧化物)作為主要成分加到介電陶瓷層，使燒結(jié)特性變佳，也可改善鍍層電阻。
在使用上述介電陶瓷材料來(lái)形成介電陶瓷層時(shí)，可實(shí)現(xiàn)尺寸小而電容量大的獨(dú)石陶瓷電容器，該電容器示出靜電電容量隨溫度的較小變化并具有高的可靠性，該電容器也可使用鎳或鎳合金或與少量陶瓷粉末混合的每種金屬作為內(nèi)電極。
對(duì)外電極的成分沒(méi)有特殊的限制。例如，可由諸如Ag、Pd、Ag-Pd、Cu、Cu合金等每種導(dǎo)電金屬粉末的燒結(jié)層或由上述導(dǎo)電金屬粉末與諸如B2O3-Li2O-SiO2-BaO系玻璃料、B2O3-SiO2-BaO系玻璃料、B2O3-SiO2-ZnO系玻璃料、Li2O-SiO2-BaO系玻璃料等的每種玻璃料的燒結(jié)層來(lái)構(gòu)成外電極。此外，可把少量陶瓷粉末與導(dǎo)電金屬粉末和玻璃料混合在一起。最好在燒結(jié)層上形成鍍層，該鍍層可以是只由Ni、Cu、Ni-Cu合金等構(gòu)成的鍍層，或者在鍍層上還可具有軟焊接劑、錫等構(gòu)成的鍍層。
以下將根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例更詳細(xì)地描述本發(fā)明，但本發(fā)明不限于此實(shí)施例。
圖1是表示本發(fā)明的獨(dú)石陶瓷電容器一個(gè)實(shí)施例的示意剖面圖，圖2是表示具有本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的內(nèi)電極的介電陶瓷層的示意平面圖，以及圖3是表示本發(fā)明的陶瓷疊層一個(gè)實(shí)施例的分解透視圖。
如圖1所示，本發(fā)明的獨(dú)石陶瓷電容器1是由陶瓷疊層3所構(gòu)成的矩形平行六面體片狀電容器，陶瓷疊層3是多個(gè)介電陶瓷層2a、2b，內(nèi)電極4和外電極5的疊層3，外電極5在陶瓷疊層3的兩個(gè)側(cè)面形成，包括由鎳、銅等構(gòu)成的第一鍍層6以及由軟焊接劑、錫等構(gòu)成的第二鍍層7。
以下，按照生產(chǎn)步驟來(lái)說(shuō)明上述本發(fā)明的獨(dú)石陶瓷電容器1的生產(chǎn)方法。
首先，形成陶瓷疊層3。如圖2所示，使用以下材料粉末所做的漿料，所述材料包括鈦酸鋇；從鈧氧化物和釔氧化物中選出的至少一個(gè)氧化物；從釤氧化物、銪氧化物和釓氧化物中選出的至少一個(gè)氧化物；從錳氧化物、鈷氧化物和鎳氧化物中選出的至少一個(gè)氧化物；以及作為主要成分的由Al2O3-MO-B2O3系氧化物玻璃(其中，MO為從BaO，CaO，SrO，MgO，ZnO和MnO中選出的至少一個(gè)氧化物)，制備片狀的介電陶瓷層2(未煅燒的薄片)，在層2的一個(gè)表面上形成鎳或鎳合金所構(gòu)成的內(nèi)電極4。通過(guò)絲網(wǎng)漏印法、氣相淀積法或電鍍法來(lái)形成內(nèi)電極4。
然后，如圖3所示，把必要數(shù)量的具有內(nèi)電極4的介電陶瓷層2b層疊起來(lái)并夾在無(wú)內(nèi)電極4的介電陶瓷層2a之間，隨后進(jìn)行壓合而形成一疊層。其后，在還原氣氛中以一定溫度煅燒層疊的陶瓷層2a、2b、…、2b、2a來(lái)形成一陶瓷疊層3。
接下來(lái)，在陶瓷疊層3的兩個(gè)側(cè)面處分別形成兩個(gè)外電極5，從而把這兩個(gè)電極連到內(nèi)電極4。
作為外電極5的材料，可使用與內(nèi)電極4相同的材料。此外，也可用銀、鈀、銀-鈀合金、銅、銅合金等作為外電極的材料，還可把上述金屬粉末與諸如B2O3-SiO2-BaO系玻璃、Li2O-SiO2-BaO系玻璃等玻璃料所組合的材料用作外電極的材料。即，依據(jù)獨(dú)石陶瓷電容器的用途和預(yù)期環(huán)境來(lái)選擇適當(dāng)?shù)牟牧稀?br> 可通過(guò)在煅燒而獲得的陶瓷疊層3的兩個(gè)側(cè)面上涂敷形成外電極的包含金屬粉末的導(dǎo)電糊來(lái)形成外電極5隨后再烘焙，但在另一方法中，在煅燒前把導(dǎo)電糊涂敷在陶瓷疊層3的兩個(gè)側(cè)面上并在煅燒陶瓷疊層3的同時(shí)形成外電極5。其后，把鎳、銅等鍍層加到每個(gè)外電極5，以形成第一鍍層6。最后，把軟焊接劑、錫等第二鍍層7加到第一鍍層6上，以形成片狀獨(dú)石陶瓷電容器1。
通過(guò)以下的實(shí)例更詳細(xì)地描述本發(fā)明。
例1首先，在制備和稱(chēng)量用作原材料的TiCl4和Ba(NO3)2的各種純凈物質(zhì)后，使它們與草酸作為草酸鈦氧鋇(BaTiO(C2O4)·4H2O)沉淀，以獲得沉淀物。把沉淀物加熱到1,000℃或更高的溫度使其分解，以產(chǎn)生后面表1所示的四種鈦酸鋇(BaTiO3)。
在稱(chēng)重、混合和碾磨每種成分的氧化物、碳酸鹽和氫氧化物，使它們的組成比例成為0.25Al2O3-0.17BaO-0.03MnO-0.55B2O3(摩爾比)的混合物之后，使碾磨的混合物經(jīng)歷蒸發(fā)到干燥獲得粉末。在鋁坩堝內(nèi)將粉末加熱到1,300℃使之熔化以后，將粉末淬火和碾磨，由此獲得平均粒徑為1微米或更小的氧化物玻璃粉末。
然后，制備用于控制鈦酸鋇中Ba/Ti摩爾比(m)的BaCO3以及Sc2O3、Y2O3、Sm2O3、Eu2O3、Gd2O3、MnCO3、NiO、CoO和MgO(每種純度為99％或更高)。把這些原材料粉末與上述氧化物玻璃粉末混合起來(lái)，從而實(shí)現(xiàn)后面表2所示的各種成分比，以提供混合的產(chǎn)品。
表2中，1樣品號(hào)；2BaTiO3種類(lèi)；3氧化物玻璃(重量百分比)；4星號(hào)(*)表示的樣品不在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
給如此獲得的每種混合產(chǎn)品加入聚乙烯丁縮醛系列粘合劑和有機(jī)溶劑諸如乙醇等，在球磨機(jī)中對(duì)混合物進(jìn)行濕式碾磨來(lái)制備陶瓷漿。其后，通過(guò)刮片法使陶瓷漿形成一薄片，以提供厚度為11微米的矩形未燒結(jié)的薄片。然后，在上述未燒結(jié)的陶瓷薄片上印刷包含Ni作為主要成分的導(dǎo)電糊，以形成用于構(gòu)成內(nèi)電極的導(dǎo)電層。
制備多個(gè)未燒結(jié)的陶瓷薄片，其上形成導(dǎo)電糊層，上述導(dǎo)電糊層的一側(cè)從薄片的一側(cè)伸出。把這些未燒結(jié)的的陶瓷薄片層疊起來(lái)，從而使導(dǎo)電糊層的伸出側(cè)交錯(cuò)提供一個(gè)疊層。通過(guò)在氮?dú)庵邪勋@得的疊層加熱到350℃而對(duì)粘合劑燒制后，在以下表3所示的溫度下，在由氧分壓從10-9到10-12MPa的H2、N2和H2O氣體所構(gòu)成的還原氣氛中對(duì)該疊層煅燒2小時(shí)，以提供陶瓷燒結(jié)材料。
用掃描電子顯微鏡以1,500的放大率來(lái)觀(guān)察所獲的陶瓷燒結(jié)材料的表面并測(cè)量粒徑。
在煅燒后，在所獲得的燒結(jié)材料的側(cè)面上涂敷包含B2O3-Li2O-SiO2-BaO系玻璃料的銀糊，并在600℃的溫度下在氮?dú)庵羞M(jìn)行焙燒，以交替形成電連接至內(nèi)電極的外電極。
如上所述獲得的獨(dú)石陶瓷電容器的外部尺寸為，寬度1.6mm×長(zhǎng)度3.2mm×厚度1.2mm。此外，位于內(nèi)電極之間的介電陶瓷層的厚度為8微米。
有效介電陶瓷層的總數(shù)為19，每一層相對(duì)電極的面積為2.1mm2。
測(cè)量所獲得的這些獨(dú)石陶瓷電容器的電學(xué)特性。在1kHz的頻率、1Vrms和25℃的溫度下，使用自動(dòng)電橋型測(cè)量設(shè)備來(lái)測(cè)量靜電電容量(C)和介質(zhì)損耗(tanδ)，并根據(jù)靜電電容量計(jì)算介電常數(shù)(ε)。
在25℃和125℃下，使用絕緣電阻計(jì)加上16V的直流電壓2分鐘來(lái)測(cè)量絕緣電阻(R)，獲得靜電電容量(C)與絕緣電阻(R)的積，即積CR。
為了測(cè)量在20kV/mm的電場(chǎng)下的絕緣電阻(R)，通過(guò)加上160V的直流電壓2分鐘來(lái)類(lèi)似地測(cè)量25℃和125℃下的絕緣電阻(R)并獲得積CR。
此外，測(cè)量了有關(guān)靜電電容量隨溫度的變化率。
另外，確定了靜電電容量隨溫度的變化率，以20℃時(shí)的靜電電容量作為標(biāo)準(zhǔn)的在-25℃和85℃的變化率(ΔC/C20℃)，以25℃時(shí)的靜電電容量作為標(biāo)準(zhǔn)的在-55℃和125℃的變化率(ΔC/C25℃)，以及在-55℃到125℃范圍內(nèi)變化率的最大絕對(duì)值(max)。
作為高溫負(fù)荷壽命測(cè)試，在每種情況下準(zhǔn)備36個(gè)樣品，通過(guò)加上100V的直流電壓，在150℃的溫度下測(cè)量每個(gè)樣品的絕緣電阻隨時(shí)間的變化。此外，在高溫負(fù)荷壽命測(cè)試中，把每個(gè)樣品的絕緣電阻值(R)變?yōu)?06歐姆或更低的時(shí)刻定義為壽命，并確定所有樣品壽命的平均值。
在后面的表3中示出上述測(cè)試結(jié)果。
表3中，1樣品號(hào)；2燒制溫度；3介電常數(shù)；4介質(zhì)損耗；5電容量隨溫度變化率；6CR積；7平均壽命；8粒徑；9應(yīng)用；10因變成半導(dǎo)體而無(wú)法計(jì)量；11因燒結(jié)不夠而無(wú)法計(jì)量；12星號(hào)(*)表示的樣品不在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
由后面表1到3可清楚地看出，在本發(fā)明的獨(dú)石陶瓷電容器中，介電常數(shù)為3,000或更高，介質(zhì)損耗為2.5％或更低，靜電電容量隨溫度的變化率滿(mǎn)足-25℃到85℃范圍內(nèi)JIS標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的B特性標(biāo)準(zhǔn)，也滿(mǎn)足-55℃到125℃范圍內(nèi)EIA標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的X7R特性標(biāo)準(zhǔn)。
此外，當(dāng)用CR積來(lái)表示20kV/mm的高電場(chǎng)強(qiáng)度下25℃和125℃時(shí)的絕緣電阻，則這些積分別高達(dá)2,000MΩ·μF或更高以及500MΩ·μF或更高。
此外，平均壽命長(zhǎng)達(dá)500小時(shí)或更長(zhǎng)。
此外，關(guān)于煅燒溫度，可在相對(duì)較低的1,300℃或更低的溫度下實(shí)行燒結(jié)。此外，粒徑小到如1μm或更小。
以下說(shuō)明對(duì)用于本發(fā)明的獨(dú)石陶瓷電容器的介電陶瓷材料的成分進(jìn)行限制的原因。
在(1-α-β-γ){BaO}m·TiO2+αM2O3+βRe2O3+γ(Mn1-x-yNixCoy)O(這里，M2O3是Sc2O3和Y2O3的至少一個(gè)；Re2O3是Sm2O3、Eu2O3和Gd2O3的至少一個(gè))中，如1號(hào)樣品，當(dāng)(M2O3+Re2O3)的量(α+β)少于大約0.0025時(shí)，介電常數(shù)低于3,000，靜電電容量的溫度變化率變大，125℃時(shí)高壓的絕緣電阻降低，而與低或高的電場(chǎng)強(qiáng)度無(wú)關(guān)，平均壽命大大縮短。
如22號(hào)樣品，當(dāng)(M2O3+Re2O3)的量(α+β)超過(guò)大約0.025時(shí)，介電常數(shù)低于3,000，25℃和125℃時(shí)的絕緣電阻降低，平均壽命縮短，燒結(jié)溫度變高。
如2號(hào)樣品，當(dāng)(Mn、Ni、Co)O的量γ小于大約0.0025時(shí)，在還原氣氛中煅燒的介電陶瓷被還原成為類(lèi)似于半導(dǎo)體的材料，且絕緣電阻降低。
如23號(hào)樣品，當(dāng)(Mn、Ni、Co)O的量γ超過(guò)大約0.05時(shí)，無(wú)論是低電場(chǎng)強(qiáng)度還是高電場(chǎng)強(qiáng)度，125℃的絕緣電阻降低，平均壽命縮短，而且，此情況下，靜電電容量隨溫度的變化率變大。
如26、27和28號(hào)樣品，當(dāng)介電陶瓷材料完全不包含Mn時(shí)，絕緣電阻降低，且平均壽命變得比500小時(shí)短。
如3號(hào)樣品，當(dāng)Re2O3的量β為0時(shí)，平均壽命變?yōu)楸?00小時(shí)短。
如25號(hào)樣品，當(dāng)Re2O3的量β超過(guò)大約0.0075時(shí)，靜電電容量隨溫度的變化率變大，而且不滿(mǎn)足JIS標(biāo)準(zhǔn)的B特性以及EIA標(biāo)準(zhǔn)的X7R特性。
如30號(hào)樣品，當(dāng)(Mn、Ni、Co)O的量γ與(M2O3+Re2O3)的量(α+β)之比γ/(α+β)超過(guò)大約4時(shí)，靜電電容量隨溫度的變化率變大，2.0kV/mm內(nèi)125℃的絕緣電阻不滿(mǎn)足2,000MΩ·μm，平均壽命變得比500小時(shí)短。
當(dāng)NiO的量x或CoO的量y如26或27號(hào)樣品那樣為1.0時(shí)，2.0kV/mm下125℃時(shí)的絕緣電阻降低，且20kV/mm下25℃和125℃時(shí)的絕緣電阻分別未符合2000MΩ·μm和500MΩ·μm，平均壽命變得比500小時(shí)短。
如4和5號(hào)樣品，當(dāng)鈦酸鋇的摩爾比m為大約1.000以下時(shí)，介電陶瓷在還原氣氛中煅燒時(shí)變?yōu)轭?lèi)似于半導(dǎo)體的材料，使絕緣電阻降低，平均壽命變得相當(dāng)短。
如29號(hào)樣品，當(dāng)鈦酸鋇的摩爾比m超過(guò)大約1.035時(shí)，燒結(jié)性能極次。
如5號(hào)樣品，當(dāng)MgO的量少于大約0.1摩爾時(shí)，20kV/mm下的絕緣電阻降低，平均壽命變得比500小時(shí)短，靜電電容量隨溫度的變化率不能滿(mǎn)足JIS標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的B特性和EIA標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的X7R特性。
如30號(hào)樣品，當(dāng)MgO的量超過(guò)大約5.0摩爾時(shí)，燒結(jié)溫度變高，介電常數(shù)變得低于3,000，平均壽命不超過(guò)500小時(shí)。
如6號(hào)樣品，當(dāng)Al2O3-MO-B2O3系氧化物玻璃的量低于大約0.2重量百分比時(shí)，燒結(jié)變得不充分。
如31號(hào)樣品，當(dāng)Al2O3-MO-B2O3系氧化物玻璃的量超過(guò)大約3.0重量百分比時(shí)，介電常數(shù)不超過(guò)3000。
如32號(hào)樣品，當(dāng)作為鈦酸鋇中的雜質(zhì)的堿金屬氧化物的量超過(guò)大約0.02的重量百分比時(shí)，介電常數(shù)降低。
例2用上述表1中的鈦酸鋇作為介電陶瓷材料，制備原材料從而獲得MgO為1.2摩爾至98.0摩爾的{BaO}1.010·TiO2+0.9y2O3+0.4Eu2O3+1.0(Mn0.3Ni0.7)O的成分，與原材料組合每種Al2O3-MO-B2O3系氧化物玻璃，該玻璃通過(guò)用與實(shí)例1所示的同樣方法將溫度從1200℃加熱至1500℃，制備如以下表4所示的1微米或更小的平均粒徑，用與實(shí)例1相同的方法形成由銀制成的電連接到內(nèi)電極的外電極，以制備每個(gè)獨(dú)石陶瓷電容器。此外，所制備的每個(gè)獨(dú)石陶瓷電容器的外形和尺寸與實(shí)例1的相同。
表4中，1氧化物玻璃(重量％)；2氧化物玻璃的成分(摩爾％)；3星號(hào)(*)表示的樣品不在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
這樣制備的獨(dú)石陶瓷電容器的電氣特性已被測(cè)量。
在1kHz頻率、1Vrms和25℃溫度下用自動(dòng)電橋測(cè)量裝置測(cè)量每個(gè)樣品的靜電電容(C)和介電常數(shù)(tanδ)，并且根據(jù)靜電電容量計(jì)算介電常數(shù)(ε)。然后，利用絕緣電阻器，通過(guò)施加160V的介電電流電壓2分鐘，測(cè)量每個(gè)樣品在25℃和125℃溫度時(shí)的絕緣電阻(R)，測(cè)得20kV/mm電場(chǎng)下的絕緣電阻(R)，于是獲得CR積。
此外，測(cè)量靜電電容量隨溫度變化的變化率。
此外，確定有關(guān)靜電電容量隨溫度的變化率，以20℃時(shí)的靜電電容量作為標(biāo)準(zhǔn)的在-25℃和85℃的變化率(ΔC/C20℃)，以25℃時(shí)的靜電電容量作為標(biāo)準(zhǔn)的在-55℃和125℃的變化率(ΔC/C25℃)，以及在-55℃到125℃范圍內(nèi)變化率的最大絕對(duì)值(max)。
測(cè)量之后，制備含有硫酸鎳、氯化鎳和硼酸的鍍鎳液，通過(guò)滾筒電鍍方法將鎳涂層加到銀的外電極上。
最后，制備由AS浴(磺酸烷醇)組成的軟焊料鍍液，焊料鍍?cè)阱冩嚹ど弦蕴峁┚哂腥绱隋儗拥耐怆姌O的每個(gè)獨(dú)石陶瓷電容器。
至于每個(gè)獨(dú)石陶瓷電容器，在1kHz頻率、1Vrms和25℃的溫度下用自動(dòng)電橋測(cè)量裝置測(cè)量靜電電容量(C)。然后，利用絕緣電阻器，通過(guò)施加160V的介電電流電壓2分鐘，測(cè)量每個(gè)樣品在25℃和125℃溫度時(shí)的絕緣電阻(R)，測(cè)得20kV/mm電場(chǎng)下的絕緣電阻(R)，并獲得CR積。
上述結(jié)果示于后面的表5內(nèi)。
表5中，1樣品號(hào)；2燒制溫度；3介電常數(shù)；4介質(zhì)損耗；5溫度對(duì)電容量關(guān)系；6CR(施加20kV/mm)；7電鍍前；8電鍍后；9因未充分燒結(jié)而不可計(jì)量；星號(hào)(*)表示的樣品不在本發(fā)明的范圍內(nèi)從上述表4和表5可見(jiàn)，在由含有Al2O3-MO-B2O3系氧化物玻璃的介電陶瓷層組成的本發(fā)明的獨(dú)石陶瓷電容器中，介電常數(shù)高達(dá)3000或更高，介質(zhì)損耗為2.5％或更低，靜電電容量對(duì)溫度的變化率，在-25℃至85℃的范圍內(nèi)滿(mǎn)足JIS標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的B特性標(biāo)準(zhǔn)，在-55℃至125℃溫度范圍內(nèi)滿(mǎn)足EIA標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的X7R特性標(biāo)準(zhǔn)。而且，當(dāng)采用電鍍時(shí)電性能不會(huì)劣化。
現(xiàn)在說(shuō)明限制氧化物玻璃成分用作本發(fā)明的獨(dú)石陶瓷電容器的理由。
在A(yíng)l2O3-MO-B2O3(其中，MO是從BaO，CaO，SrO，MgO，ZnO和MnO中選出的至少一個(gè)氧化物)系氧化物玻璃的{Al2O3，MO，B2O3}的成分圖中，43至48號(hào)樣品不存在于由連接6個(gè)點(diǎn)的6條線(xiàn)所包圍的區(qū)域內(nèi)，也不存在于上述6條線(xiàn)上。這6個(gè)點(diǎn)為點(diǎn)A，成分是Al2O3為1摩爾％，MO為14摩爾％，B2O3為85摩爾％；點(diǎn)B，成分是Al2O3為20摩爾％，MO為10摩爾％，B2O3為70摩爾％；點(diǎn)C，成分是Al2O3為30摩爾％，MO為20摩爾％，B2O3為50摩爾％；點(diǎn)D，成分是Al2O3為40摩爾％，MO為50摩爾％，B2O3為10摩爾％；點(diǎn)E，成分是Al2O3為20摩爾％，MO為70摩爾％，B2O3為10摩爾％；點(diǎn)F，成分是Al2O3為1摩爾％，MO為39摩爾％，B2O3為60摩爾％。這些樣品的燒結(jié)不充分，或者燒結(jié)后，絕緣電阻也因電鍍而極低。
盡管在上述實(shí)例中利用草酸法制備鈦酸鋇粉末，但本發(fā)明中鈦酸鋇并不局限于上述粉末，用烴氧化物方法或水熱合成法制備的鈦酸鋇粉末也可采用。通過(guò)采用后一種鈦酸鋇粉末，所獲得的獨(dú)石陶瓷電容器性能可以比上述實(shí)例所示的更好。
盡管在上述例子中使用鈧氧化物、釔氧化物、釤氧化物、銪氧化物、釓氧化物、錳氧化物、鈷氧化物、鎳氧化物和鎂氧化物粉末，但本發(fā)明不限于這些粉末，在把氧化物混合起來(lái)，從而構(gòu)成本發(fā)明所規(guī)定的成分范圍的介電陶瓷層時(shí)，即使采用醇鹽、有機(jī)金屬等的溶液也不會(huì)降低所獲的獨(dú)石陶瓷電容器的特性。
由于本發(fā)明的獨(dú)石陶瓷電容器由介電陶瓷材料所構(gòu)成，該材料即使在還原氣氛中煅燒時(shí)也不被還原而且不會(huì)變?yōu)轭?lèi)似于半導(dǎo)體的材料，所以可把鎳或鎳合金這種賤金屬用作電極材料，可在相對(duì)低的溫度諸如1,300℃或1,300℃以下煅燒此陶瓷材料，并可減少獨(dú)石陶瓷電容器的成本。
在使用介電陶瓷材料的獨(dú)石陶瓷電容器中，介電常數(shù)為3,000或更高，介電常數(shù)隨溫度的變化率很小。
此外，本發(fā)明的獨(dú)石陶瓷電容器在高電場(chǎng)下具有高的絕緣電阻，高溫下的壽命較長(zhǎng)。因此，即使介電陶瓷層的厚度減小時(shí)，也不必降低額定電壓。
此外，因?yàn)榫w粒徑小到1微米或更小，所以當(dāng)介電陶瓷層減薄時(shí)，與常規(guī)的獨(dú)石陶瓷電容器相比，疊層陶瓷層中存在的晶粒數(shù)增加，從而可獲得尺寸小而電容量大的獨(dú)石陶瓷電容器，該電容器具有高度的可靠性。而且，由于電性能未因電鍍而劣化，本發(fā)明的獨(dú)石陶瓷電容器可以勝任表面安裝。
雖然參考本發(fā)明的特殊實(shí)施例詳細(xì)地描述了本發(fā)明，但顯然在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員還可對(duì)此作出各種變化和修改。
盡管本發(fā)明是針對(duì)其特定實(shí)施例描述的，對(duì)于本領(lǐng)域熟練人員而言其它許多變換和利用將是顯然的。因此，本發(fā)明并不局限于其中所述的特定描述，而僅僅由所附的權(quán)利要求書(shū)所限定。
表1
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表2
表3<
>
表4<
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表權(quán)利要求
1.一種獨(dú)石陶瓷電容器，其特征在于包括一對(duì)外電極；位于所述外電極之間的多個(gè)介電層，以及至少兩個(gè)內(nèi)電極，每個(gè)內(nèi)電極置于相鄰的介電層之間，其中，每個(gè)所述介電層包括鈦酸鋇，包含重量不超過(guò)大約0.02％的堿金屬氧化物雜質(zhì)，從鈧氧化物和釔氧化物構(gòu)成的組中選出的至少一個(gè)氧化物，從釤氧化物、銪氧化物和釓氧化物構(gòu)成的組中選出的至少一個(gè)氧化物，以及從錳氧化物、鈷氧化物和鎳氧化物構(gòu)成的組中選出的至少一個(gè)氧化物，在由以下成分公式來(lái)表示的每100摩爾主要成分中還包含作為MgO計(jì)算的數(shù)量從大約0.5到5.0摩爾的鎂氧化物(1-α-β-γ){BaO}m·TiO2+αM2O3+βRe2O3+γ(Mn1-x-yNixCoy)O其中，M2O3是Sc2O3和Y2O3中的至少一個(gè)；Re2O3是Sm2O3、Eu2O3和Gd2O3中的至少一個(gè)；以及α、β、γ、m、x和y是0.0025≤α+β≤0.025，0＜β≤0.0075，0.0025≤γ≤0.05，γ/(α+β)≤4，0≤x＜1.0，0≤y＜1.0，0≤x+y≤1.0，1.000＜m≤1.035；且進(jìn)一步包括從重量百分比約為0.2至3.0的Al2O3-MO-B2O3氧化物玻璃到重量百分比為100的主要成分和鎂氧化物的總和，其中，MO是從BaO，CaO，SrO，MgO，ZnO和MnO中選出的至少一個(gè)氧化物。
2.如權(quán)利要求1所述的獨(dú)石陶瓷電容器，其特征在于，堿金屬雜質(zhì)的重量百分比約為0.012或更低，0.04≤α+β≤0.02，0.001≤β≤0.005，0.015≤γ≤0.04，γ/(α+β)≤3，0.05≤x≤0.5，0.05≤y≤0.6，0.2≤x+y≤0.6，1.005≤m≤1.015，MgO每一百約為0.8-1.2摩爾，玻璃量約為重量的0.8-1.5份。
3.如權(quán)利要求2所述的獨(dú)石陶瓷電容器，其特征在于介電層包含Y2O3，Sm2O3，其中MO包含BaO。
4.如權(quán)利要求3所述的獨(dú)石陶瓷電容器，其特征在于，Al2O3-MO-B2O3氧化物玻璃的成分位于由連接6個(gè)點(diǎn)的6條線(xiàn)所包圍的三角坐標(biāo)圖{Al2O3，MO，B2O3}區(qū)域內(nèi)或這些線(xiàn)上，其中單位為摩爾％，這6個(gè)點(diǎn)是A(1，14，85)；B(20，10，70)；C(30，20，50)；D(40，50，10)；E(20，70，10)；F(1，39，60)。
5.如權(quán)利要求4所述的獨(dú)石陶瓷電容器，其特征在于每個(gè)外電極包括導(dǎo)電金屬粉末或?qū)щ娊饘俜勰┡c玻璃料組合的燒結(jié)層。
6.如權(quán)利要求5所述的獨(dú)石陶瓷電容器，其特征在于內(nèi)電極為鎳或鎳合金。
7.如權(quán)利要求4所述的獨(dú)石陶瓷電容器，其特征在于每個(gè)外電極包括由導(dǎo)電粉末或組合玻璃料的導(dǎo)電粉末的燒結(jié)層構(gòu)成的第一層以及在所述第一層上形成的第二鍍層。
8.如權(quán)利要求7所述的獨(dú)石陶瓷電容器，其特征在于內(nèi)電極為鎳或鎳合金。
9.如權(quán)利要求3所述的獨(dú)石陶瓷電容器，其特征在于，Al2O3-MO-B2O3氧化物玻璃的成分位于由連接6個(gè)點(diǎn)的6條線(xiàn)所包圍的三角坐標(biāo)圖{Al2O3，MO，B2O3}區(qū)域內(nèi)或這些線(xiàn)上，其中單位為摩爾％，這6個(gè)點(diǎn)是A(1，14，85)；B(20，10，70)；C(30，20，50)；D(40，50，10)；E(20，70，10)；F(1，39，60)。
10.如權(quán)利要求9所述的獨(dú)石陶瓷電容器，其特征在于每個(gè)外電極包括導(dǎo)電金屬粉末或?qū)щ娊饘俜勰┡c玻璃料組合的燒結(jié)層。
11.如權(quán)利要求9所述的獨(dú)石陶瓷電容器，其特征在于每個(gè)外電極包括由導(dǎo)電粉末或組合玻璃料的導(dǎo)電粉末的燒結(jié)層構(gòu)成的第一層以及在所述第一層上形成的第二鍍層。
12.如權(quán)利要求1所述的獨(dú)石陶瓷電容器，其特征在于每個(gè)外電極包括導(dǎo)電金屬粉末或?qū)щ娊饘俜勰┡c玻璃料組合的燒結(jié)層。
13.如權(quán)利要求1所述的獨(dú)石陶瓷電容器，其特征在于每個(gè)外電極包括由導(dǎo)電粉末或組合玻璃料的導(dǎo)電粉末的燒結(jié)層構(gòu)成的第一層以及在所述第一層上形成的第二鍍層。
14.如權(quán)利要求1所述的獨(dú)石陶瓷電容器，其特征在于內(nèi)電極為鎳或鎳合金。
15.一種介電陶瓷成分，其特征在于包括鈦酸鋇，包含重量不超過(guò)大約0.02％的堿金屬氧化物雜質(zhì)，從鈧氧化物和釔氧化物構(gòu)成的組中選出的至少一個(gè)氧化物，從釤氧化物、銪氧化物和釓氧化物構(gòu)成的組中選出的至少一個(gè)氧化物，以及從錳氧化物、鈷氧化物和鎳氧化物構(gòu)成的組中選出的至少一個(gè)氧化物，在由以下成分公式來(lái)表示的每100摩爾主要成分中還包含作為MgO計(jì)算的數(shù)量從大約0.5到5.0摩爾的鎂氧化物(1-α-β-γ){BaO}m·TiO2+αM2O3+βRe2O3+γ(Mn1-x-yNixCoy)O其中，M2O3是從Sc2O3和Y2O3中選出的至少一個(gè)；Re2O3是從Sm2O3、Eu2O3和Gd2O3中選出的至少一個(gè)；以及α、β、γ、m、x和y是0.0025≤α+β≤0.025，0＜β≤0.0075，0.0025≤γ≤0.05，γ/(α+β)≤4，0≤x＜1.0，0≤y＜1.0，0≤x+y≤1.0，1.000＜m≤1.035；且進(jìn)一步包括從重量百分比約為0.2至3.0的Al2O3-MO-B2O3氧化物玻璃到重量百分比為100的主要成分和鎂氧化物的總和，其中，MO是從BaO，CaO，SrO，MgO，ZnO和MnO中選出的至少一個(gè)氧化物。
16.如權(quán)利要求15所述的介電陶瓷成分，其特征在于A(yíng)l2O3-MO-B2O3氧化物玻璃的成分位于由連接6個(gè)點(diǎn)的6條線(xiàn)所包圍的三角坐標(biāo)圖{Al2O3，MO，B2O3}區(qū)域內(nèi)或這些線(xiàn)上，其中單位為摩爾％，這6個(gè)點(diǎn)是A(1，14，85)；B(20，10，70)；C(30，20，50)；D(40，50，10)；E(20，70，10)；F(1，39，60)。
17.如權(quán)利要求16所述的介電陶瓷成分，其特征在于，堿金屬雜質(zhì)的重量百分比約為0.012或更低，0.04≤α+β≤0.02，0.001≤≤β≤0.005，0.015≤γ≤0.04，γ/(α+β)≤3，0.05≤x≤0.5，0.05≤y≤0.6，0.2≤x+y≤≤0.6，1.005≤m≤1.015，MgO每一百約為0.8-1.2摩爾，玻璃量約為重量的0.8-1.5份。
18.如權(quán)利要求17所述的介電陶瓷成分，其特征在于介電層包含Y2O3，Sm2O3，其中MO包含BaO。
19.如權(quán)利要求15所述的介電陶瓷成分，其特征在于，堿金屬雜質(zhì)的重量百分比約為0.012或更低，0.04≤α+β≤0.02，0.001≤β≤0.005，0.015≤γ≤0.04，γ/(α+β)≤3，0.05≤x≤0.5，0.05≤y≤0.6，0.2≤x+y≤0.6，1.005≤m≤1.015，MgO每一百約為0.8-1.2摩爾，玻璃量約為重量的0.8-1.5份。
20.如權(quán)利要求19所述的介電陶瓷成分，其特征在于介電層包含Y2O3，Sm2O3，其中MO包含BaO。
全文摘要
介電陶瓷成分包括:鈦酸鋇,主要成分(1－α－β－γ){BaO}
文檔編號(hào)H01G4/12GK1192569SQ9810714
公開(kāi)日1998年9月9日 申請(qǐng)日期1998年3月4日 優(yōu)先權(quán)日1997年3月4日
發(fā)明者原田和宏, 佐野晴信 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所