專利名稱：皇冠型電容結構的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及高密度半導體存儲元件的制造方法。更具體地說，是用來在動態(tài)隨機存取存儲元件(DRAM)中產生由于皇冠型電容結構增大的表面積而增加電容值的皇冠型電容結構的工藝方法。
半導體工業(yè)的目標除了在于持續(xù)地改進元件性能外，更嘗試降低特定半導體晶片的制造成本。這些目標的部分已經藉由半導體工業(yè)制造具有次微米特征或微米縮小化的晶片來實現。較小的特征使得特性變差的電容與電感的減少得以實現。
此外，較小的特征雖導致較小的晶片，卻與較大特征所制造獲得的半導體晶片具有相同的集成化程度。這使得更緊密，更小的晶片得以從一片特殊尺寸起始基底中獲得，因而導致單一晶片具有較低的制造成本。
動態(tài)隨機存取存儲元件(DRAM)的電容為堆疊電容結構(STC)，當在動態(tài)隨機存取存儲元件(DRAM)的制造上使用較小的特征時，顯現了在嘗試增加堆疊電容的電容值的困難性。
一個動態(tài)隨機存取存儲單元通常包括堆疊電容結構，其重疊著一個傳輸柵晶體管，并連接到這個傳輸柵晶體管的源極。然而，傳輸柵晶體管尺寸的縮小限制了堆疊電容結構的大小。為了增加由兩個電極所組成并以一層介電層分隔開的STC結構的電容值，必須降低介電層的厚度或增加電容的面積。介電層厚度的降低受限于過薄的介電層所遭遇可靠性與成品率風險的增加。此外，STC結構的面積亦受限于下面的傳輸柵晶體管尺寸。單晶片64百萬單元(Mb)或更高密度的動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)技術的進步已經導致一種具有較小傳輸柵晶體管的特殊單元被使用，也因此在不干擾相鄰單元的情形下，限制了重疊STC結構所能占用的總面積。
針對STC結構，縮小設計區(qū)域的方案已經藉由新的半導體制造程序實現，可以獲得STC結構的下方或存儲節(jié)點電極表面積的增加并維持與原設計區(qū)域STC結構相同的面積。實現這個目標的一種方法為Fazan等人的美國專利第5278091號，在下方電極的表面上產生一個包括一個半球型顆粒(HSG)多晶硅層的下方多晶硅形狀或電極。HSG層粗糙的表面可導致下方電極表面積增加，因而增加STC結構的電容值。然而，HSG層的粗糙程度嚴重受到沉積條件的影響，使得HSG粗糙程度的重復性差，從而難以保持其電容值。
本發(fā)明將描述一種藉由將下方電極或儲存節(jié)點形狀形成皇冠形狀所獲得的皇冠型STC結構的制造方法?；使谛螤畹拇鎯?jié)點結構可以在不使用難以控制的HSG沉積程序下實現增加表面積或電容值的目的。根據本發(fā)明，皇冠形狀的存儲節(jié)點結構的產生只用到兩道光刻光掩模步驟，并使新的工藝順序特征化，例如需要用來制造皇冠型存儲節(jié)點結構的定時的多晶硅層干蝕刻程序亦被用在皇冠型STC結構。
本發(fā)明的主要目的為產生一個具有STC結構的動態(tài)隨機存取存儲器元件，其中藉由產生一個多晶硅皇冠形狀存儲節(jié)點結構以增加STC結構的表面積。本發(fā)明的另一個目的為只利用兩道光刻光掩模步驟產生多晶硅皇冠形狀存儲節(jié)點結構。
本發(fā)明還有另一個目的為使用定時，各向異性，干蝕刻步驟來限定多晶硅，以產生多晶硅皇冠形狀存儲節(jié)點結構。
為實現上述目的，本發(fā)明提供一種在動態(tài)隨機存取存儲器元件中制造皇冠形狀存儲節(jié)點結構的STC結構的方法。先在半導體基底上形成一個由薄柵極絕緣層，多晶硅柵極結構，低摻雜濃度源極與漏極區(qū)域，多晶硅柵極結構邊墻上的絕緣間隔，以及高摻雜濃度源極與漏極區(qū)域所組成的傳輸柵晶體管。接著沉積第一絕緣層，并將之平坦化。在第一絕緣層上形成存儲節(jié)點的接觸窗口，以將傳輸柵晶體管的源極與漏極暴露出來。在第一絕緣層上表面之上沉積一層第一多晶硅層，并完全將存儲節(jié)點的接觸窗口填滿。接著在第一多晶硅層上沉積一層第二絕緣層，并藉由光刻與干蝕刻程序將之構圖，以在第一多晶硅層上形成一個絕緣塊，直接重疊于多晶硅所填滿的存儲節(jié)點的接觸窗口上。在絕緣塊暴露的表面上以及第一多晶硅層未被絕緣塊蓋住區(qū)域的上表面上沉積一層第二多晶硅層。然后使用第一次定時，選擇性，各向異性干蝕刻步驟將位于絕緣塊上表面上以及第一多晶硅層未被絕緣塊蓋住區(qū)域的上表面上的第二多晶硅層移除，以在絕緣塊的邊緣產生多晶硅間隔。接著，使用第二次定時，選擇性，各向異性干蝕刻步驟將未被絕緣塊保護住的第一絕緣層的上半部分去除，以形成包圍住絕緣塊的第一多晶硅層的底部部分。然后去除絕緣塊，并接著去除第一多晶硅層的底部部分暴露出來的部分，以形成由位于未被蝕刻的第一多晶硅形狀上的多晶硅間隔，以及在存儲節(jié)點接觸窗口中連接源極與漏極區(qū)域的未被蝕刻的第一多晶硅形狀所組成的皇冠型存儲節(jié)點結構。在皇冠型存儲節(jié)點結構上形成一層電容器介電層，并接著產生上層多晶硅電極，以完成皇冠形狀STC結構的制造程序。
本發(fā)明的目的與其他優(yōu)點在優(yōu)選實施例和相關附圖中作了詳細解釋。附圖中

圖1至圖9顯示了皇冠形狀STC結構的關鍵制造步驟的剖面示意圖。
現在將描述在動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)中，形成具有因為皇冠型低層電極增加的表面積導致電容值增加的皇冠形狀存儲節(jié)點結構的STC結構的方法。具有皇冠型存儲節(jié)點結構的動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)中所用的傳輸柵晶體管將以N型通道元件來描述。然而，根據本發(fā)明的具有皇冠型存儲節(jié)點結構的STC結構也可以運用在p型通道元件的傳輸柵晶體管。
如圖1，使用具有<100>單晶方向的P型半導體基底1。區(qū)域2的場氧化層(FOX)被用來實現隔離的目的。簡單地說，場氧化層(FOX)區(qū)域2是藉由氧-水蒸氣混合氣體，在溫度界于攝氏850至1050度的高溫氧化法形成界于3000至5000埃的厚度。構圖的氮化硅-二氧化硅的氧化阻隔掩模被用來避免場氧化層(FOX)區(qū)域2生長在基底1作為后續(xù)元件使用的區(qū)域上。在生長場氧化層區(qū)域2之后，藉由熱磷酸溶液溶解上方的氮化硅層，并以氫氟酸緩沖溶液溶解下方的二氧化硅層將氧化阻隔掩模去除。在一連串濕清洗步驟后，藉由氧-水蒸氣混合氣體，溫度界于攝氏850至1050度的高溫氧化法形成界于50至150埃厚度的二氧化硅的柵極氧化層3。然后使用低壓化學氣相沉積(LPCVD)步驟在溫度約為攝氏500至700度沉積界于1000至3000埃厚度的多晶硅柵極層。多晶硅柵極層的生長可以藉由結合砷或磷到硅甲烷氣體中同步執(zhí)行摻雜步驟，或者，多晶硅柵極層中可以單獨生長，然后再藉由離子植入或POCl3步驟摻雜。傳統(tǒng)光刻技術與反應性離子蝕刻法(RIE)，使用氯氣Cl2作為多晶硅柵極層的蝕刻劑，被用來產生如圖1所示的多晶硅柵極結構4。并藉由氧氣等離子以及小心地濕清洗步驟完成光致抗蝕劑的移除。
接著，藉由能量約為20至50千電子伏特的離子植入磷原子形成摻雜濃度約為1×1013至×1014原子/平方厘米(atoms/cm2)的低摻雜濃度源極與漏極區(qū)域5。然后利用低壓化學氣相沉積(LPCVD)或等離子增強化學氣相沉積法(PECVD)，在溫度約為攝氏400至700度沉積大約1500至4000埃厚度的二氧化硅的邊墻絕緣層，并接著以CHF3作為蝕刻劑的各向異性反應性離子蝕刻法(RIE)在多晶硅柵極結構4的邊墻上形成絕緣間隔6。然后，能量約為30至80千電子伏特的離子植入砷原子形成摻雜濃度約為1×1015至1×1016原子/平方厘米的高摻雜濃度源極與漏極區(qū)域7。這些步驟的結果如圖1所示。
然后利用低壓化學氣相沉積(LPCVD)或等離子增強化學氣相沉積法(PECVD)，在溫度約為攝氏400至700度沉積大約5000至10000埃厚度的二氧化硅的絕緣層8。使用化學機械研磨步驟將絕緣層8平坦化，以產生如圖2所示的平滑的外形表面。接下來說明用來產生皇冠形狀存儲節(jié)點結構的第一光刻光掩模步驟。先在絕緣層8上方形成光致抗蝕劑圖形9，接著運用以CHF3作為蝕刻劑的傳統(tǒng)光刻技術與各向異性反應性離子蝕刻法(RIE)在絕緣層8中開啟存儲節(jié)點的接觸窗口10，以暴露出高摻雜濃度源極與漏極區(qū)域7的上表面。在藉由氧氣等離子以及小心地濕清洗步驟去除光致抗蝕劑圖形9之后，利用低壓化學氣相沉積(LPCVD)法沉積多晶硅11a，并藉由結合砷或磷到硅甲烷氣體中同步完成摻雜步驟。多晶硅層11a是以溫度約為攝氏500至700度沉積約為1000至2000埃的厚度，并完全填滿存儲節(jié)點接觸窗口10，如圖3所示。
接著，如圖3所示，再一次運用低壓化學氣相沉積(LPCVD)或是等離子增強化學氣相沉積法(PECVD)，在溫度約為攝氏400至700度沉積大約5000至10000埃厚度的另一絕緣層12a。
接下來運用第二光刻光掩模步驟，以形成皇冠形狀存儲節(jié)點結構。光致抗蝕劑圖形13被用來作為絕緣塊12b的光掩模，并藉由以CHF3作為蝕刻劑的選擇性，各向異性反應性離子蝕刻法(RIE)形成絕緣塊12b。選擇性反應性離子蝕刻(RIE)氣體允許在形成絕緣塊12b的過程中對下方的第一多晶硅層11a產生侵蝕，而且在CHF3過度蝕刻步驟中，確保未被光致抗蝕劑圖形13覆蓋的區(qū)域的絕緣層12a可完全移除。如圖4所示。絕緣塊12b直接重疊在較狹窄的多晶硅所填滿的儲存節(jié)點接觸窗口上。
在藉由氧氣等離子以及小心地濕清洗步驟去除光致抗蝕劑圖形13之后，利用低壓化學氣相沉積(LPCVD)法沉積厚度約為500至1000埃的薄多晶硅層14a。多晶硅層14a藉由添加磷化氫到硅甲烷氣體中同步完成N型摻雜沉積步驟。如圖5所示。接著使用關鍵的，各向異性反應性離子蝕刻(RIE)法來展開形成多晶硅下方電極形狀。使用氯氣作為多晶硅的選擇性蝕刻劑的反應性離子蝕刻(RIE)法是被定時于開始從絕緣塊12b上方表面去除多晶硅層14a，以形成位于絕緣塊12b周邊的多晶硅間隔14b。
此步驟同時從下方絕緣層11a未被絕緣塊12b所覆蓋區(qū)域的上方表面去除多晶硅層14a。氯氣的選擇性并不允許在多晶硅蝕刻結束點之前發(fā)生絕緣塊12b的蝕刻。
定時，各向異性反應性離子蝕刻(RIE)法接著在未被絕緣塊12b所覆蓋區(qū)域的多晶硅層11a上繼續(xù)去除多晶硅層11a所露出的上半部分，并將導致厚度約為500至1000埃的薄多晶硅層11b，存留于下方絕緣層8上面。如圖6所示。
接著描述絕緣塊12b的去除方法。使用氫氟酸緩沖溶液的濕蝕刻步驟，或使用CHF3為蝕刻劑的干反應性離子蝕刻(RIE)的選擇性蝕刻法選擇性地去除絕緣塊12b，并使得由未被蝕刻的多精細層11a組成的多晶硅間隔14b從下方多晶硅形狀向上延伸突出。在此步驟中，薄多晶硅層11b保護住絕緣層8。如圖7所示。接著藉由使用另一個以氯氣為蝕刻劑的各向異性反應性離子蝕刻(RIE)法將位于絕緣層8上表面的多晶硅層11b選擇性移除，以形成皇冠型存儲節(jié)點結構的最終形狀。如圖8所示。此步驟同時導致位于多晶硅間隔14b之間的多晶硅層11a變薄，形成厚度約為500至1000埃的多晶硅形狀11c。形成皇冠型存儲節(jié)點結構可以藉由改變絕緣間隔厚度，并影響后續(xù)的多晶硅間隔高度，以調整表面積的增加量。圖9顯示了具有皇冠型存儲節(jié)點結構的完整STC結構。電容器介電層15被形成重疊于皇冠型存儲節(jié)點結構上。電容器介電層15可以是具有高介電常數的絕緣層，例如藉由射頻濺射技術所形成厚度約為10至100埃的五氧化二鉭(Ta2O5)。電容器介電層15也可以是ONO(氧化物-氮化硅-二氧化硅)。ONO層是先開始沉積一層厚度約為10至50埃的二氧化硅，并接著沉積一層厚度約為10至20埃的氮化硅。然后以高溫氧化氮化硅層的上半部分，以導致在氮化硅未氧化部分上形成氧氮硅化物層，重疊于二氧化硅層上方，而且二氧化硅層的等效厚度約為40至80埃。最后，利用低壓化學氣相沉積(LPCVD)步驟，在溫度約為攝氏500至700度沉積大約1000至3000埃厚度的另一層多晶硅層16。此多晶硅層的摻雜再一次藉由添加磷化氫到硅甲烷氣體中與沉積步驟同步完成。以氯氣作為蝕刻劑的光刻與反應性離子蝕刻(RIE)步驟接著被用來產生如圖9所示多晶硅上層電極或極板電極。如圖9所示，具有皇冠型存儲節(jié)點結構的STC結構17擁有因為多晶硅間隔14b與下方多晶硅形狀11c所導致表面積增加，而提供與平面存儲節(jié)點電極形狀所制造的相對應STC結構較大的電容值。光致抗蝕劑再一次藉由氧氣等離子以及小心地濕清洗步驟去除。
權利要求
1．一種在半導體基底上制造具有皇冠型存儲節(jié)點結構的堆疊電容器結構的方法，包括下列步驟(1)提供一個傳輸柵晶體管；(2)在前述的傳輸柵晶體管上沉積第一絕緣層；(3)在前述的第一絕緣層上形成存儲節(jié)點接觸窗口，以露出前述的傳輸柵晶體管的源極與漏極；(4)在前述的第一絕緣層沉積第一多晶硅層，并完全填滿前述的存儲節(jié)點接觸窗口；(5)從第二絕緣層，在前述的第一多晶硅層上形成一個絕緣塊，并直接重疊在前述的存儲節(jié)點接觸窗口；(6)從第二多晶硅層，在前述的絕緣塊的周邊形成多晶硅間隔；(7)去除前述的第一多晶硅層未被前述的絕緣塊所覆蓋的區(qū)域的上半部分，以在前述的第一絕緣層未被前述的絕緣塊所覆蓋的區(qū)域上留下前述的第一多晶硅層的薄的底部部分，并且保留前述的絕緣塊和所附屬的前述的多晶硅間隔，重疊于未被蝕刻的第一多晶硅形狀上；(8)去除前述的絕緣塊；(9)從前述的第一絕緣層上去除前述的第一多晶硅層的薄的底部部分，以導致由前述的第一多晶硅形狀向上突出的前述的多晶硅間隔所組成的皇冠型存儲節(jié)點結構；(10)在前述的皇冠型存儲節(jié)點結構上形成一層電容器介電層；以及(11)在前述的電容器介電層上形成多晶硅上層電極。
2．如權利要求1所述的方法，其中所述的傳輸柵晶體管是N型通道或P型通道的金屬氧化物半導體場效應晶體管，擁有二氧化硅柵極絕緣層，多晶硅柵極結構，絕緣邊墻間隔物，以及N型或P型的源極與漏極區(qū)域。
3．如權利要求1所述的方法，其中所述的第一多晶硅層是藉由低壓化學氣相沉積步驟沉積大約界于1000至2000埃的厚度，并使用添加砷或磷到硅甲烷氣體中同步完成摻雜步驟。
4．如權利要求1所述的方法，其中所述的絕緣塊是先藉由低壓化學氣相沉積或等離子增強化學氣相沉積法，沉積厚度大約5000至10000埃的絕緣層，并接著藉由光刻步驟和以CHF3作為蝕刻劑的各向異性反應性離子蝕刻步驟將絕緣層構圖形成的。
5．如權利要求1所述的方法，其中所述的多晶硅間隔是形成于前述的絕緣塊周邊，先藉由低壓化學氣相沉積步驟沉積厚度大約界于500至1000埃的薄多晶硅層，并接著以氯氣作為蝕刻劑的各向異性反應性離子蝕刻步驟蝕刻。
6．如權利要求1所述的方法，其中所述的第一多晶硅層未被前述的絕緣塊所覆蓋的區(qū)域的前述的上半部分，是藉由一個定時，以氯氣作為蝕刻劑的各向異性反應性離子蝕刻步驟蝕刻，以在前述的第一絕緣層上方留下厚度約為500至1000埃的前述的第一多晶硅層的前述的薄的底部部分。
7．如權利要求1所述的方法，其中所述的絕緣塊是藉由氫氟酸緩沖溶液或以CHF3作為蝕刻劑的各向異性反應性離子蝕刻步驟，從下方未被蝕刻的第一多晶硅層加以選擇性地去除。
8．如權利要求1所述的方法，其中所述的前述的第一多晶硅層的薄的底部部分是藉由以氯氣作為蝕刻劑的各向異性反應性離子蝕刻步驟，從下方前述的第一絕緣層予以選擇性去除。
9．如權利要求1所述的方法，其中所述的皇冠型存儲節(jié)點結構包括位于下方前述的第一多晶硅形狀上的前述的多晶硅間隔，其中前述的第一多晶硅形狀厚度約界于500至1000埃。
10．如權利要求1所述的方法，其中所述的電容器介電層為氧氮硅化物-氮化硅-二氧化硅(ONO)層，先運用高溫氧化前述的存儲節(jié)點電極的上表面，以形成厚度約為10至50埃的二氧化硅層，并接著沉積一層厚度約為10至20埃的氮化硅層，然后以高溫氧化前述的氧化氮化硅層的上半部分，以在氮化硅未氧化部分上形成氧氮硅化物層，重疊于二氧化硅層上方。
11．一種在半導體基底上制造具有皇冠型存儲節(jié)點結構以增加動態(tài)隨機存取存儲器中堆疊電容器結構的表面積的制造方法，包括下列步驟(1)在前述的半導體基底上提供一個傳輸柵晶體管；(2)在前述的傳輸柵晶體管上沉積第一絕緣層；(3)使用第一個光刻步驟并接著以各向異性反應性離子蝕刻步驟在前述的第一絕緣層上開啟存儲節(jié)點接觸窗口，以在前述的存儲節(jié)點接觸窗口底部露出前述的傳輸柵晶體管的源極與漏極；(4)在前述的第一絕緣層上表面沉積同步摻雜的第一多晶硅層，并完全填滿前述的存儲節(jié)點接觸窗口；(5)在前述的同步摻雜的第一多晶硅層上沉積第二絕緣層；(6)使用第二個光刻步驟并接著以各向異性反應性離子蝕刻步驟在前述的同步摻雜的第一多晶硅層上形成絕緣塊；(7)沉積一層薄的第二多晶硅層；(8)在前述的絕緣塊周邊，以第一個定時，各向異性反應性離子蝕刻步驟，從前述的薄的第二多晶硅層產生多晶硅間隔；(9)以第二個定時，各向異性反應性離子蝕刻步驟，從前述的第一絕緣層未被前述的絕緣塊所覆蓋的區(qū)域上表面去除前述的同步摻雜的第一多晶硅層的上半部分，并在前述的第一絕緣層的上表面留下前述的同步摻雜的第一多晶硅層的薄的底部部分；(10)去除前述的絕緣塊，以露出由前述的同步摻雜的第一多晶硅層未被蝕刻區(qū)域所組成的第一多晶硅圖形；(11)從前述的第一絕緣層上表面選擇性去除前述的同步摻雜的第一多晶硅層的前述的薄的底部部分，以導致由前述的第一多晶硅圖形向上突出的前述的多晶硅間隔所組成的前述的皇冠型存儲節(jié)點結構；(12)在前述的皇冠型存儲節(jié)點結構上形成一層電容器介電層；以及(13)在前述的電容器介電層上形成多晶硅上層電極。
12．如權利要求11所述的方法，其中所述的傳輸柵晶體管是N型通道或P型通道的金屬氧化物半導體場效應晶體管，擁有二氧化硅柵極絕緣層，多晶硅柵極結構，絕緣邊墻間隔物，以及N型或P型的源極與漏極區(qū)域。
13．如權利要求11所述的方法，其中所述的第一絕緣層是二氧化硅層，藉由低壓化學氣相沉積或等離子增強化學氣相沉積步驟，在溫度約為攝氏400至700度沉積大約5000至10000埃的厚度。
14．如權利要求11所述的方法，其中所述的同步摻雜的第一多晶硅層是藉由低壓化學氣相沉積步驟，配合添加砷或磷到硅甲烷氣體中，在溫度約為攝氏500至700度沉積約為1000至2000埃的厚度。
15．如權利要求11所述的方法，其中所述的第二絕緣層是藉由低壓化學氣相沉積或等離子增強化學氣相沉積步驟，在溫度約為攝氏400至700度沉積大約5000至10000埃的厚度。
16．如權利要求11所述的方法，其中所述的絕緣塊是使用前述的第二光刻步驟和以CHF3作為蝕刻劑的各向異性反應性離子蝕刻步驟所形成。
17．如權利要求11所述的方法，其中所述的薄的第二多晶硅層藉由低壓化學氣相沉積步驟，沉積大約500至1000埃的厚度。
18．如權利要求11所述的方法，其中所述的多晶硅間隔，是藉由在前述的薄的第二多晶硅層上使用以氯氣為蝕刻劑的前速的第一個定時，各向異性反應性離子蝕刻步驟形成。
19．如權利要求11所述的方法，其中所述的第二個定時，各向異性反應性離子蝕刻步驟是用來以氯氣為蝕刻劑去除前述的同步摻雜的第一多晶硅層的上半部分，并在前述的第一絕緣層上表面留下厚度約為500至1000埃的前述的同步摻雜的第一多晶硅層的前述的薄的底部部分。
20．如權利要求11所述的方法，其中所速的絕緣塊是藉由氫氟酸緩沖溶液或以CHF3作為蝕刻劑的各向異性反應性離子蝕刻步驟，從下方未被蝕刻的同步摻雜的第一多晶硅層加以選擇性地去除。
21．如權利要求11所述的方法，其中所述的同步摻雜的第一多晶硅層的前述的薄的底部部分，是藉由以氯氣為蝕刻劑的各向異性反應性離子蝕刻步驟，從前述的第一絕緣層上予以選擇性地去除。
22．如權利要求11所述的方法，其中所述的電容器介電層為氧氮硅化物-氮化硅-二氧化硅(ONO)，等效于二氧化硅厚度界于40至80埃，是先在前述的存儲節(jié)點電極之上生長一層厚度約為10至50埃的二氧化硅層，并接著沉積一層厚度約為10至20埃的氮化硅層，然后氧化前述的氧化氮化硅層的上半部分，以在前述的氮化硅未氧化部分上形成氧氮硅化物層，重疊于前述的薄二氧化硅層上方。
23．如權利要求11所述的方法，其中所述的前述的堆疊電容結構的多晶硅上層電極是由一同步摻雜的多晶硅層構成，藉由低壓化學氣相沉積步驟沉積大約1000至3000埃的厚度，并使用以氯氣作為蝕刻劑的各向異性反應性離子蝕刻步驟予以構圖。
全文摘要
一種在DRAM中制造皇冠形狀存儲節(jié)點結構的STC結構的方法。先在半導體基底上形成一傳輸柵晶體管。接著沉積第一絕緣層，并將之平坦化。在第一絕緣層上形成存儲節(jié)點的接觸窗口。沉積第一多晶硅層。在第一多晶硅層上沉積第二絕緣層，將之構圖，形成一絕緣塊，重疊于接觸窗口上。沉積一第二多晶硅層。然合使用第一和第二次定時選擇性各向異性干蝕刻步驟，以產生多晶硅間隔，形成包圍住絕緣塊的第一多晶硅層的底部部分。然后去除絕緣塊。
文檔編號H01L21/70GK1237789SQ9810871
公開日1999年12月8日 申請日期1998年5月29日 優(yōu)先權日1998年5月29日
發(fā)明者宋建邁 申請人:世界先進積體電路股份有限公司