專利名稱：半導體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導體裝置的制造方法，特別涉及一種具有保險絲盒和使用一蝕刻停止薄膜，以使留在保險絲盒上的絕緣薄膜可具有一恒定厚度的半導體裝置的制造方法。
一般，在半導體裝置的制造工藝中，通過制造外線以取代行與列線來提高其成品率，以避免當在半導體裝置中的列行線的一個單元發(fā)生故障時而使整個芯片出現(xiàn)故障。該工藝成品率也可借由提供具有多個保險絲的多個保險盒取代劣等的線，并利用借由切斷連接到相應線的保險絲而連接到新線的修理方法得以提高。
另一方面，在半導體裝置中形成多層的情況，借由下列工藝可在保險絲盒上形成厚絕緣薄膜。一般，保險絲，例如，借由在半導體襯底上所形成的位線或字線連接。維持保險絲盒表面上的絕緣薄膜的恒定厚度是必需，因為在完成工藝和半導體裝置的芯片測試之后，在與故障線連接的保險絲處精確執(zhí)行切斷方法。
除此之外，其中金屬布線層的多層的層數(shù)根據(jù)半導體裝置逐漸地變成較高集成化而增加。其結(jié)果，使保險絲盒上的絕緣薄膜的厚度增加。
再者，在保險絲盒上的絕緣薄膜的厚度根據(jù)其在芯片中的位置而不同。厚度的差異使得在修復過程期間不可能精確地切斷在保險絲盒的保險絲。
圖1顯示一般保險絲盒的布局圖，其中多個保險絲2排列在保險絲盒4中。
圖2為顯示保險絲盒的狀態(tài)的截面圖，在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)完成半導體裝置之后，其根據(jù)圖1的線A-A顯示。
在下絕絕薄膜10上設置一種作為保險絲11的導電層。上絕緣薄膜13借由下列工藝將變厚，且除去在保險絲盒上所形成的上絕緣薄膜13以進行修復工藝直到在保險絲上的上絕緣薄膜13保持恒定的厚度B。此外，如果保險絲11暴露在大氣中，其將被腐蝕；因此，保險絲的表面必須具有絕緣薄膜所需的恒定厚度。
因此，如果在整體芯片中保險絲上的絕緣薄膜保持均勻則不會有問題發(fā)生，但是當制造半導體裝置的工藝成品率減少時，則會產(chǎn)生問題，這是由于其中保險絲沒有完全切斷的劣等修復方法而發(fā)生。因為厚度的差異視芯片的位置而定，留下的絕緣薄膜不完全被除去。
因此，本發(fā)明的一個目的在于解決包括在制造半導體裝置的常規(guī)方法中的上述問題和提供一種半導體裝置的制造方法，以此方法在保險絲盒上形成蝕刻停止薄膜，及完成半導體裝置的工藝。在最后步驟中，保險絲上的絕緣薄膜借由除去上絕緣薄膜和蝕刻停止薄膜的蝕刻方法保持恒定厚度。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種制造具有有用于修復的保險絲的半導體裝置的方法，包括以下各步驟在包含多個其中提供有多個保險絲的保險絲盒的整體結(jié)構(gòu)上形成中間絕緣薄膜；在保險絲盒上的該中間絕緣薄膜上形成蝕刻停止薄膜圖形；形成上絕緣薄膜；蝕刻在該保險絲盒上的該上絕緣薄膜，暴露該蝕刻停止薄膜圖形；和除去暴露的該蝕刻停止薄膜圖形，借此使該具有恒定厚度的中間絕緣薄膜留在各保險絲盒。
蝕刻停止薄膜由導電層或具有與中間絕緣薄膜不同的蝕刻速率的絕緣薄膜所組成。
本發(fā)明的另一個特征為形成在保險絲盒上的蝕刻停止薄膜。
本發(fā)明其他目的和方面將從下列參考附圖對具體實施例的說明而變?yōu)轱@而易見圖1為現(xiàn)有技術(shù)所使用的保險絲盒的布局圖。
圖2為根據(jù)圖1的線A-A的截面圖。
圖3至圖6為顯示根據(jù)本發(fā)明的方法制造半導體裝置的步驟的截面圖。
圖7為用于本發(fā)明的保險絲盒的布局圖。
優(yōu)選實施例的詳細說明以下，根據(jù)附圖詳細地解釋一種根據(jù)本發(fā)明的半導體裝置的制造方法。
圖3至圖6為顯示一種根據(jù)本發(fā)明制造半導體裝置的工藝的截面圖。
圖7為用于本發(fā)明的保險絲盒的布局圖，其表示多個保險絲50，保險絲盒70，和蝕刻停止薄膜圖形60。
如圖3所示，截面圖表示由在下絕緣薄膜20上的導電層制造的保險絲21，中間絕緣薄膜23，和包含導電薄膜或與下絕緣薄膜23的蝕刻速率不同的絕緣薄膜的蝕刻停止薄膜25，在其上面涂覆一層光致抗蝕劑薄膜，以及借由曝光和顯影工藝所形成的用于蝕刻停止薄膜圖形的光致抗蝕劑薄膜圖形30。
另一方面，四乙基氧硅烷(TEOS)可用以作為蝕刻停止薄膜25。此外，在制造位線或字線時，可同時制造保險絲21。
參考圖4，使用光致抗蝕劑薄膜圖形30以蝕刻暴露的蝕刻停止薄膜25，形成蝕刻停止薄膜圖形25A。在除去光致抗蝕劑薄膜圖形30之后，在蝕刻停止薄膜圖形25A上形成上絕緣薄膜27。在此時，上絕緣薄膜27可包含多個在下一個工藝過程待形成的絕緣薄膜。
此外，還示出光致抗蝕劑薄膜被涂覆在上絕緣薄膜上。光致抗蝕劑薄膜圖形40是在曝光和顯影工藝中利用保險絲盒掩模形成的。
任何的材料，例如BPSG(硼磷硅玻璃)，PSG(磷硅玻璃)，BSG(硼硅玻璃)，或SOG(在玻璃上旋涂)，都具有高于蝕刻停止薄膜25的蝕刻速率，可作為上絕緣膜27使用。
保險絲盒掩模可用作板掩模，但是視環(huán)境而定，新掩?？捎脕硇纬杀ｋU絲盒。
參考圖5，除去上絕緣薄膜27，暴露蝕刻停止薄膜圖形25A。
參考圖6，示出維持恒定的厚度，借由除去光致抗蝕劑圖形40和蝕刻停止薄膜圖形25A，只有中間絕緣薄膜23可留在保險絲盒的保險絲22上。
在此時，中間絕緣薄膜的厚度在每條保險絲上保持恒定。因此，所需要的保險絲可在修理過程期間使用激光精確地切斷。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的方法，在保險絲盒上形成中間絕緣薄膜，并在其上形成蝕刻停止薄膜，及借由下一步工藝形成上絕絕薄膜。其后，在半導體裝置的最后工藝中除去上絕緣薄膜和保險絲盒上的蝕刻停止薄膜。結(jié)果，可提高半導體裝置的生產(chǎn)率。
雖然本發(fā)明的較佳具體實施例已因說明的目的而揭示，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會認知那些沒有脫離如所附權(quán)利要求所揭示的本發(fā)明的范圍和精神的各種修正，增添和替代。
權(quán)利要求
1．一種具有用于修復的保險絲的半導體裝置的制造方法，包括以下各步驟在包含多個其中提供有多個保險絲的保險絲盒的整個結(jié)構(gòu)上形成中間絕緣薄膜；在所述保險絲盒上的該中間絕緣薄膜上形成蝕刻停止薄膜圖形；形成上絕緣薄膜；蝕刻在所述保險絲盒上的上絕緣薄膜圖形，暴露出所述蝕刻停止薄膜圖形；以及除去暴露的所述蝕刻停止薄膜圖形，借此使所述具有恒定厚度的中間絕緣薄膜留在各保險絲盒。
2．根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述蝕刻停止薄膜為導電層。
3．根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述蝕刻停止薄膜為與所述中間絕緣薄膜的蝕刻速率不同的絕緣薄膜。
4．根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述蝕刻停止薄膜形成得稍微寬于所述保險絲盒。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半導體裝置及其制造方法,特別涉及,一種借由使用在保險絲盒上所形成的絕緣薄膜上的蝕刻停止薄膜,所以絕緣薄膜可以恒定厚度留在保險絲盒上的方法。蝕刻停止層在半導體裝置進行最后一道工藝過程時被除去。結(jié)果,半導體裝置的制造方法可提高制造工藝的成品率,當修理保險絲時,借由均勻地維持保險絲盒上的絕緣薄膜的厚度,避免劣等修理,而改善可靠性。
文檔編號H01L21/822GK1215911SQ9812003
公開日1999年5月5日 申請日期1998年9月24日 優(yōu)先權(quán)日1997年10月27日
發(fā)明者金錫銖 申請人:現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)株式會社