專利名稱：半導(dǎo)體器件及其生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件主要以鐵電材料或高介電常數(shù)的材料作為其電容器的絕緣膜；本發(fā)明還涉及這種半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法。
近年來，在與非易失存儲(chǔ)器有關(guān)的，以及與隨機(jī)存取存儲(chǔ)器有關(guān)的半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，人們一直在進(jìn)行著開發(fā)工作。在相關(guān)的非易失存儲(chǔ)器的電容器區(qū)，使用具有磁滯特性的鐵電材料如Pb(Zr,Ti)O3和SrBi2Ta2O9作為電容器的絕緣膜；而在相關(guān)的隨機(jī)存儲(chǔ)器中，由于使用鐵電材料如(Sr,Ba)TiO3作為電容器的絕緣膜，其電容器區(qū)具有大量的存儲(chǔ)電荷。
我們知道，在上述半導(dǎo)體器件中使用的鐵電材料如Pb(Zr,Ti)O3和(Sr,Ba)TiO3是用氧化物制成的。因而，當(dāng)其處于大氣還原作用的環(huán)境之下時(shí)，其絕緣性能和鐵電性能就會(huì)下降。特別是，當(dāng)這種介電材料暴露于氫氣之中時(shí)，半導(dǎo)體器件的性能將會(huì)嚴(yán)重下降。在極個(gè)別的情況下，還可能出現(xiàn)導(dǎo)電極脫皮的現(xiàn)象。
然而，在半導(dǎo)體器件如大規(guī)模集成電路(“LSI”)的生產(chǎn)過程中，不可避免地會(huì)出現(xiàn)氫氣環(huán)境。例如，作為層間絕緣膜使用的SiO2薄膜通常是用化學(xué)汽相淀積(“CVD”)法形成的。該反應(yīng)用來表示。這一反應(yīng)方程式表明，氫氣是作為反應(yīng)的生成物而產(chǎn)生的。而且，由于半導(dǎo)體器件的尺寸日趨變小，鎢(“W”)的化學(xué)汽相淀積在長(zhǎng)度直徑比更大的連接孔的預(yù)埋方面必將得到更為廣泛的應(yīng)用。這里，鎢是由化學(xué)反應(yīng)淀積的。這一反應(yīng)方程式表明，該反應(yīng)是在強(qiáng)烈的還原氣氛下進(jìn)行的。而且，在Al引線結(jié)構(gòu)形成之后為確保MOS晶體管的性能，熱處理過程需要在含氫的氣氛中進(jìn)行。
正如在本領(lǐng)域所知的那樣，為使電介質(zhì)電容器免受氫氣的損害，人們已在幾種半導(dǎo)體器件中采取了一些措施。例如，圖27中所示的，由日本非審查專利公開H4-102367透露的一個(gè)半導(dǎo)體器件，在其電容器部件19的層間絕緣膜16上形成一個(gè)TiN膜或者TiON膜，作為其氫氣隔離膜17。在圖27所示的結(jié)構(gòu)中，一個(gè)器件隔離氧化膜2，一個(gè)層間絕緣膜6，一個(gè)下部電極8，一個(gè)電容器絕緣膜9，一個(gè)上部電極10，一個(gè)層間絕緣膜13，一個(gè)連線層14，一個(gè)層間絕緣膜16，和一個(gè)氫氣隔離膜17，按照所述順序被成功地淀積在硅基片1上。而且，柵極5形成在硅基片1上的雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)3之間的柵極氧化膜4上。
至于日本非審查性專利公開H7-111318透露的介電存儲(chǔ)器，其結(jié)構(gòu)如圖28所示，AlN或者是Ti3N4，作為氫氣隔離膜11形成在電容器部件19的上部電極10上。另一方面，在圖29所示的結(jié)構(gòu)中，Si3N4作為氫氣隔離膜12形成在該器件的整個(gè)表面上。
更具體地說，在圖28所示的結(jié)構(gòu)中，一器件隔離氧化膜2，一個(gè)層間絕緣膜6，一個(gè)下部電極8，一個(gè)電容器絕緣膜9，一個(gè)上部電極10，一個(gè)氫氣隔離膜11，一個(gè)層間絕緣膜13和一個(gè)連線層14，按照所述的順序成功地淀積在硅基片1上。另外，柵極5形成在硅基片1中雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)3間的柵氧化膜4上。在圖29所示的結(jié)構(gòu)中，一個(gè)器件隔離氧化膜2，一個(gè)層間絕緣膜6，一個(gè)下部電極8，一個(gè)電容器絕緣膜9，一個(gè)上部電極10，一個(gè)氫氣隔離膜11，一個(gè)氫氣隔離膜12，一個(gè)層間絕緣膜13和一個(gè)連線層14，按照所述的順序成功地淀積在硅基片1上。這里，氫氣隔離膜12形成的目的在于覆蓋下部電極8、電容器絕緣膜9、上部電極10和氫氣隔離膜11。另外，柵極5形成在硅基片1上的雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)3之間柵極氧化膜4上。
正如圖27中所示的通用半導(dǎo)體器件那樣，在電容器部件19的層間絕緣膜16上形成氫氣隔離膜17的地方，氫氣隔離膜17必須以線度為幾個(gè)微米或更大的面積來覆蓋電容部件19以使其免受來自橫向的氫氣的侵害。然而，由于存儲(chǔ)器的高度集成，單元面積已經(jīng)減少，正如刊物NikkeyMicro Device1995年3月號(hào)第31頁(yè)透露的，256MB以上的高集成存儲(chǔ)器的單元面積已等于或小于1μm2。這樣，電容器件19上的氫氣隔離膜17的面積必須等于或小于單元面積。因此，來自側(cè)向的氫氣的侵害就不能夠充分防止。另外，由于氫氣隔離膜形成于連線層14的上方，在連線層又使用鎢的化學(xué)汽相淀積工藝。因此，通用型半導(dǎo)體器件在避免由此產(chǎn)生的氫氣對(duì)電容器部件19的侵害方面并非是完全有效的。
而且，圖28中所示的另一個(gè)通用半導(dǎo)體器件對(duì)于防止來自側(cè)向的氫氣的侵害也并非是完全有效的。另外，在圖29中所示的另一個(gè)通用半導(dǎo)體器件中，由于Si3N4薄膜形成所產(chǎn)生的氫氣熱處理效應(yīng)造成妨礙這種情況已是眾所周知的，正如1983年版“氮化硅絕緣薄膜上專題討論會(huì)科研報(bào)告集”第94至110頁(yè)所敘述的那樣。
在遵循本項(xiàng)發(fā)明的半導(dǎo)體器件中，電容器部件直接用氫氣隔離膜來覆蓋，而且，除了覆蓋電容器部件的那一部分之外，氫氣隔離膜的其余部分已被去除。因此，MOS晶體管的性能不受到不利影響，而且電容器部件性能的下降也可以有效地避免。
在根據(jù)本項(xiàng)發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件中，電容器部件以鐵電材料或高介電常數(shù)的材料作為絕緣膜。電容器部件被氫氣隔離膜覆蓋，而除電容器部件之外的其余部分并不被氫氣隔離膜覆蓋。
根據(jù)本發(fā)明生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的一個(gè)方法是，第一步，形成包括一個(gè)下部電極、一個(gè)鐵電材料或高介電常數(shù)的材料為材料的電容器絕緣膜、和一個(gè)上部電極的電容器部件；第二步，形成用于覆蓋電容器件部件的氫氣隔離膜；第三步，通過腐蝕法去除氫氣隔離膜的一部分。
本發(fā)明的特征在于用一個(gè)具有一個(gè)電容器部件的半導(dǎo)體器件，該電容器部件被氫氣隔離膜覆蓋，而半導(dǎo)體器件的其余部分不被氫氣隔離膜覆蓋。
本發(fā)明的特征之二在于電容器件部件上的一個(gè)接觸部分，其通過去除電容器部件上的部分氫氣隔離膜而成。
本發(fā)明的特征之三在于一個(gè)不導(dǎo)電的氫氣隔離膜，其中至少包括一種從Si3N4、SiON和由Si3N4、SiON以及SiO2構(gòu)成的混合物中選出的材料。
本發(fā)明的特征之四在于一個(gè)導(dǎo)電的氫氣隔離膜，其中至少包括一種從Ti、Zr、Nb、Ta、Hf，或者W的氮化物中選出的材料。
本發(fā)明的特征之五在于把導(dǎo)電的氫氣隔離膜作為存儲(chǔ)器電容器的上部電極來使用。
在本發(fā)明的第一個(gè)基本實(shí)施例中包括一個(gè)基片，一個(gè)在基片上具有柵極氧化膜的晶體管部件，柵極氧化膜上的一個(gè)柵極，和基片上的一個(gè)雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)。該實(shí)例還包括一個(gè)電容器部件，該部件含有一個(gè)電容器絕緣膜和一個(gè)表面。一個(gè)氫氣隔離膜定位于電容器部件的表面。通過將電容器部件上的氫氣隔離膜去除一部分的方式在電容器部件的表面形成一個(gè)接觸部位。接觸部位的作用在于連接電容器部件和晶體管部件。電容器部件與晶體管部件并不搭迭。
對(duì)本發(fā)明的第一個(gè)基本實(shí)施例作一改動(dòng)，在層間絕緣膜上形成一個(gè)不導(dǎo)電的氫氣隔離膜，則一個(gè)下部電極和一個(gè)電容器絕緣膜就形成了。這樣，一個(gè)上部電極和一個(gè)導(dǎo)電的氫氣屏障，或者只是一個(gè)也用作電極的導(dǎo)電氫氣屏障就形成了。這些薄膜上被制出本布線圖，然后，制好布線的表面再用第二層不導(dǎo)電的氫氣隔離膜覆蓋。在第二層不導(dǎo)電的氫氣隔離膜上制出一個(gè)接觸孔，以便在下面的導(dǎo)電膜上形成接觸部位。
在對(duì)第一個(gè)基本實(shí)施例所作的另一項(xiàng)改動(dòng)中，在電容器絕緣膜上形成上部電極，這些薄膜被制出布線以形成一個(gè)電容器，然后形成第二層不導(dǎo)電的氫氣隔離膜以覆蓋電容器的表面。然后，不導(dǎo)電的氫氣隔離膜的一部分被清除以形成一個(gè)接觸孔，并在上部電極上形成一個(gè)接觸部位。然后，形成導(dǎo)電的氫氣隔離膜以填充接觸孔并覆蓋接觸部位和電容器的部件上表面?；蛘?，在第二層不導(dǎo)電的氫氣隔離膜上形成層間絕緣膜，貫通層間絕緣膜和第二層不導(dǎo)電的氫氣隔離膜而制出接觸孔，然后用導(dǎo)電的氫氣隔離膜來蓋住接觸部位。
在本發(fā)明的第二個(gè)基本實(shí)施例中包括一個(gè)基片，一個(gè)在基片上具有柵極氧化膜的晶體管部件，柵極氧化膜上的一柵極，以及在基片上的一個(gè)雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)。該實(shí)例還包括多個(gè)電容器部件，每個(gè)電容器部件具有一個(gè)下部電極和一個(gè)電容器絕緣膜，而且每一個(gè)電容器件均搭迭一晶體管部件。每個(gè)電容器部件均定位在一個(gè)插塞上，該插塞與一個(gè)晶體管部件接通。第一層不導(dǎo)電的氫氣隔離膜形成在層間絕緣膜上。第二層導(dǎo)電的氫氣隔離膜形成在第一層不導(dǎo)電的氫氣隔離膜和插塞上。下部電極形成在第二導(dǎo)電的氫氣隔離膜上。下部電極和第二層導(dǎo)電的氫氣隔離膜被制出布線圖形以形成布線的表面。電容器絕緣膜形成在布線表面上，然后，除覆蓋在電容器部件的上表面和側(cè)表面上的部分之外，其余部分均被清除。第三層導(dǎo)電的氫氣隔離膜形成在電容器絕緣膜和第一層不導(dǎo)電的氫氣隔離膜上。然后，第三層導(dǎo)電的氫氣隔離膜和第一層不導(dǎo)電的氫氣隔離膜被從作為基礎(chǔ)的層間絕緣膜上清除掉，但是在電容器部件上面的部分并不清除。這樣，電容器部件即被氫氣隔離膜覆蓋，但是，有一部分未被覆蓋。
在本發(fā)明第二個(gè)基本實(shí)施例的第一個(gè)改動(dòng)變形中，包括一個(gè)如上所述的形成在插塞和層間膜絕緣膜上的第一層不導(dǎo)電的氫氣隔離膜，但是其電容器絕緣膜的布線圖形是在與第三層導(dǎo)電的氫氣隔離膜和不導(dǎo)電的氫氣隔離膜相同的過程中制成的。在第二個(gè)改動(dòng)變形中，在層間絕緣層上沒有不導(dǎo)電的氫氣隔離膜，而第二層導(dǎo)電的氫氣隔離膜，電容器絕緣膜，和第一層導(dǎo)電的氫氣隔離膜是在相同的過程中制成布線圖形的。
本發(fā)明的一個(gè)特征在于，電容器絕緣膜可以含有鐵電材料或是高介電常數(shù)的材料。
鐵電材料是鐵電金屬氧化物，如Pb(Zr,Ti)O3和SrBi2O9等。高介電系數(shù)的材料是一種非鐵性的絕緣金屬氧化物如(Sr,Ba)TiO3。
本發(fā)明為數(shù)眾多的特征，目的，及優(yōu)點(diǎn)在結(jié)合附圖閱讀以下說明的時(shí)候會(huì)變得更為明了。


圖1為則向橫截面圖，展示的是與本項(xiàng)發(fā)明第一實(shí)施例相對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)。
圖2至圖9為側(cè)向橫截面圖，展示的是圖1所示的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)方法各步驟的示意圖。
圖10為側(cè)向橫截面圖，展示的是圖1所示的半導(dǎo)體器件的一個(gè)經(jīng)過修改的實(shí)例的基本結(jié)構(gòu)。
圖11側(cè)向橫截面圖，展示的是圖1所示的半導(dǎo)體器件的另一經(jīng)過修改的實(shí)例的基本結(jié)構(gòu)。
圖12側(cè)向橫截面圖，展示的是圖1所示的半導(dǎo)體器件的又一個(gè)經(jīng)過修改的實(shí)例的基本結(jié)構(gòu)。
圖13展示的是圖1所示的半導(dǎo)體器件在氫氣熱處理前后它的一個(gè)電容器部件的磁滯現(xiàn)象的測(cè)量結(jié)果。
圖14展示的是圖1所示的半導(dǎo)體器件(晶體管)在氫氣熱處理前后電壓測(cè)量值的頻率分布情況。
圖15側(cè)向橫截面圖，展示的是與本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例相對(duì)應(yīng)半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)。
圖16至圖24側(cè)向橫截面圖，展示的是圖15所示的半導(dǎo)體器件生產(chǎn)方法的每一個(gè)步驟。
圖25側(cè)向橫截面圖，展示的是圖15所示的半導(dǎo)體器件的一個(gè)經(jīng)過修改的實(shí)例的基本結(jié)構(gòu)。
圖26側(cè)向橫截面圖，展示的是圖15所示的半導(dǎo)體器件的另一個(gè)經(jīng)過修改的實(shí)施例的基本結(jié)構(gòu)。
圖27側(cè)向橫截面圖，展示的是一個(gè)通用半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)，其中，在一個(gè)層間絕緣膜上生成一個(gè)氫氣隔離膜。
圖28側(cè)向橫截面圖，展示的是另一個(gè)通用半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)，其中，在該器件的上部電極上生成一個(gè)氫氣隔離膜。
圖29側(cè)向橫截面圖，展示的是另一個(gè)通用半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)，其中，在該器件的整個(gè)表面上生成一個(gè)氫氣隔離膜。
在此，參照附圖，通過幾個(gè)實(shí)例，對(duì)一個(gè)半導(dǎo)體器件及其生產(chǎn)方法進(jìn)行說明。
顯示的附圖1至12，附圖15至26并不是真實(shí)的集成電路器件的實(shí)際設(shè)計(jì)圖紙或任何一個(gè)具體部件的橫截面圖。在實(shí)際的器件中，膜層并不是規(guī)則的，而且其厚度尺寸也可能不同。實(shí)際器件中的膜層常常是彎曲的，而且邊緣常常是搭接的，這些起替代作用的附圖表示的是理想化的模型，用來更清晰更全面地描述本項(xiàng)發(fā)明。此外，這些附圖代表的僅是能夠用本項(xiàng)發(fā)明來制造的鐵電器件的難以計(jì)數(shù)的變種中的一種。為了便于理解，在附圖中描繪的本發(fā)明的不同實(shí)施例中，相似的部件用相同的標(biāo)號(hào)來標(biāo)識(shí)。
正如在前面的問題提出中所討論的那樣，電容器絕緣膜的電介質(zhì)是一種氧化物，即可以是鐵電氧化物Pb(Zr,Ti)O3和SrBi2Ta2O9，也可以是非鐵的介電氧化物，如(Sr,Ba)TiO3。
圖1是一個(gè)側(cè)向橫截面圖，展示的是與本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例相對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)，在該半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)中，一個(gè)器件隔離氧化物2，一個(gè)層間絕緣膜6，一個(gè)氫氣隔離膜7，一個(gè)下部電極8，一個(gè)電容器絕緣膜9，一個(gè)上部電極10，一個(gè)氫氣隔離膜11，一個(gè)氫氣隔離膜12，一個(gè)層間絕緣膜13和一個(gè)連線層14，按照所述順序淀積在硅基片1上。包括下部電極8，電容器絕緣膜(介電膜)9和上部電極10的電容器部件19被氫氣隔離膜7,11和12完全覆蓋。而且，柵極5形成在硅基片1中的雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)3之間的柵極氧化膜4上。這樣，在電容器部件19制成之后形成還原氣的生產(chǎn)過程中，電容器部件19的性能不會(huì)退化，因?yàn)殡娙萜骷?9已被氫氣隔離膜7、11和12完全覆蓋。而且，MOS性能可以得到氫氣處理的有效保障，晶體管部件的Vt不會(huì)出現(xiàn)偏移，因?yàn)榫w管部件上的氫氣隔離層已被清除。
圖2至圖9是側(cè)向橫截面圖，按照相應(yīng)的生產(chǎn)步驟來展示上述的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法。
首先，如圖2所示，用公知的CMOS工藝技術(shù)，在硅基片1中的雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)3之間的柵極氧化膜4上形成柵極5，以此制成晶體管部件。而后，形成BPSG層的第一個(gè)層間絕緣膜6，并在層間絕緣膜6上形成厚度在100至2000埃(例如500埃)之間的第一層氫氣隔離膜7。氫氣隔離膜7是一個(gè)Si3N4膜，是用減壓CVD法或?yàn)R射法形成的。如果氫氣隔離膜7的厚度小于100埃，就不能提供足夠的屏障功能。另一方面，如果膜厚超過2000埃，由于Si3N4膜的應(yīng)力作用，硅基片1就會(huì)出現(xiàn)翹曲。因此，厚度超過100至2000埃的范圍是不合乎要求的。用減壓CVD法制成的Si3N4膜很厚，氫氣的容量也不大。接著，如圖3所示，下部電極8，電容器絕緣膜9，上部電極10和第二層氫氣隔離膜11被成功地淀積在隔離膜7上。一個(gè)接觸層，如SiO2層，也可以在氫氣隔離層7和下部電極8之間形成。例如，在氫氣隔離膜上形成厚度為500埃的NSG接觸層的地方，可以用濺射法淀積包括一個(gè)厚度為500埃的Ti膜和一個(gè)厚度為2000埃的Pt層的下部電極8。而且，膜厚為2000埃的電容器絕緣膜9是用Sol-gel工藝制成的。接著，在它的上面用濺射法成功地淀積出膜厚為200埃的Pt上部電極10和膜厚為500埃的TiN的氫氣隔離膜11。隔離膜11必須能夠?qū)щ?，因此，用?dǎo)電的氮化物，如TiN和TaN來制成。而且，其膜厚定為100?；蛞陨?，以利獲得足夠的隔離功能。
于是，如圖4所示，氫氣隔離膜11、上部電極10、電容器絕緣膜9和下部電極8用腐蝕法制成了。
如圖5所示，當(dāng)?shù)谌龑託錃飧綦x膜12在整個(gè)上表面形成之后，晶體管上方的氫氣隔離膜7和氫氣隔離膜12被腐蝕掉。以達(dá)到圖6所描述的狀態(tài)。例如，厚度為500埃的Si3N4質(zhì)的氫氣隔離膜12用濺射法淀積而成。然后，如圖6所示，氫氣隔離膜7和12被從層間絕緣膜6上清除，但電容器部件19上面的部分除外。
另外，氫氣隔離膜12用Si3N4制成，并使其厚度與氫氣隔離膜7相同。然而，需要把濺射法作為淀積方法，因?yàn)镃VD方法會(huì)形成氫氣氣氛，對(duì)電容性能造成損害。Si3N4和SiO2的多層，或用SiON(換句話說，SiON即表示從Si3N4,SiON及SiO2中選出的一個(gè))表示的含氧和氮的膜也適合于氫氣隔離膜12。
其次，如圖7所示，用CVD法形成第二層SiO2絕緣膜13之后，形成如圖8所示的接觸孔。如圖9所示，用CVD法最后形成一個(gè)W膜之后，用深腐蝕法將W嵌入接觸部位20,Al質(zhì)連線層14被淀積并制出布線。接著，以400℃的溫度進(jìn)行氫氣熱處理，以便在連線層14上形成一個(gè)保護(hù)膜。
圖10是一個(gè)側(cè)向橫截面圖，展示的是對(duì)應(yīng)于圖1所示的半導(dǎo)體器件的一個(gè)變形的基本結(jié)構(gòu)。在這樣的半導(dǎo)體器件中，制作氫氣屏障的工序與圖1所示的半導(dǎo)體器件不同。也就是說，在本例中，第二隔離膜11是在第二層層間絕緣膜13被制成以及接觸孔腐蝕好之后形成的。接著，除位于電容器部件19上方的部分之外，第二層氫氣隔離膜11的其余部分被清除。用以上的生產(chǎn)方法即可獲得與圖1所示的半導(dǎo)體器件相同的結(jié)構(gòu)。
在圖1所示的結(jié)構(gòu)中，在含氧氣氣氛中進(jìn)行的高溫?zé)崽幚頍o法實(shí)現(xiàn)，因?yàn)樵诘诙託錃飧綦x膜11形成之后，電容器絕緣膜9已與氧化作用隔絕。然而，可以在制成電容器絕緣膜9之后以氧氣熱處理的方式來改善電容性能，因?yàn)樵诒窘Y(jié)構(gòu)中，第二層氫氣隔離膜11并不是與電容器絕緣膜9同時(shí)制成的。
圖11是一個(gè)側(cè)向橫截面圖，展示的是對(duì)應(yīng)于圖1所示半導(dǎo)體器件的另一個(gè)變型例子的基本結(jié)構(gòu)。
在這樣的半導(dǎo)體器件中，第二層氫氣隔離膜11是在第三層氫氣隔離膜12制成而且電容器部件19的接觸孔已腐蝕好之后制成的。接著，與圖1所示的半導(dǎo)體器件相對(duì)照，除位于電容器部件19上方的部件外，氫氣隔離膜11和12的其余部分被去除。用以上的生產(chǎn)方法可以獲得相當(dāng)于圖1所示的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)。
圖12是一個(gè)側(cè)向橫截面圖，展示的是與圖1所示的半導(dǎo)體器件的另一個(gè)變型相對(duì)應(yīng)的基本結(jié)構(gòu)。在這樣的半導(dǎo)體器件中，與圖1所示的半導(dǎo)體器件相對(duì)比，第一層氫氣隔離膜7是與下部電極9同時(shí)進(jìn)行腐蝕的。用這種生產(chǎn)方法可以獲得相當(dāng)于圖1所示的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)。
圖13展示的是對(duì)圖1所示的半導(dǎo)體器件進(jìn)行氫氣熱處理前后電容器件部分的曲線(極化(μC/cm2)，是電壓(V)的函數(shù))的測(cè)量結(jié)果。電容器絕緣膜由SrBi2Ta2O9組成。結(jié)果曲線表明，經(jīng)過氫氣熱處理后幾乎沒有出現(xiàn)退化。
圖14展示的是對(duì)圖1所示的半導(dǎo)體器件進(jìn)行氫氣熱處理(對(duì)于nMOS和pMOS晶體管而言)前后測(cè)得的Vt值的頻率分布。從測(cè)量結(jié)果中發(fā)現(xiàn)，氫氣熱處理之后Vt的波動(dòng)大為減少。
圖15是一個(gè)側(cè)向橫截面圖，展示的是與本發(fā)明第的第二個(gè)實(shí)施例相對(duì)應(yīng)的一個(gè)半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)。
器件隔離氧化膜2，帶有插塞15的層絕緣膜6，氫氣隔離膜7，氫氣隔離膜11，下部電極8，電容器絕緣膜9，氫氣隔離膜12和連線層14按照下述順序淀積在硅基片1上面。在這種情況下，帶有下部電極8和電容器絕緣膜(介電膜)9的電容器件19被氫氣隔離膜7、11和12完全覆蓋，而柵極5形成在硅基片1中的雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)3之間的柵極氧化膜4上。在本例中，與第一實(shí)例相對(duì)照，下部電極8通過插塞15與晶體管的源極和漏極相連。然而，正如第一個(gè)實(shí)例一樣，電容器部件19被氫氣隔離膜7、11和12覆蓋，而且除了電容器部件19上面的部分之外，這些氫氣隔離膜的其余部分被清除。雖然電容器部件19如圖15所示的那樣實(shí)際上迭搭在晶體管部位，而且氫氣隔離膜7、11和12被定位在晶體管部位的上方，但是MOS性能還是可以由氫氣熱處理來保障，因?yàn)闅淇梢詮碾娙萜鞑考?9之間的部位充分?jǐn)U散，這個(gè)部位的氫氣屏障已被清除。
圖16至圖24為側(cè)向橫截面圖，對(duì)應(yīng)著每一個(gè)生產(chǎn)步驟，展示圖15所示的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)方法。
首先，如圖16所示，第一層氫氣隔離膜7按照與第一個(gè)實(shí)施例相同的工序制成，而且如圖17所示，接觸孔被腐蝕出來。然后，如圖18所示，在用CVD法淀積出多晶硅之后用深腐蝕的方式制成插塞15。
然后，如圖19所示，第二層氫氣隔離膜11和下部電極8被制成。氫氣隔離膜11用TiN、TaN及類似物質(zhì)作成，因?yàn)樗仨毷菍?dǎo)電的。氫氣隔離膜11的厚度為100?；蛞陨弦员惬@得足夠的屏障性能。例如，用濺射法制成膜厚為500埃的TaN氫氣隔離膜11和Ru質(zhì)的下部電極8。
再者，如圖20所示，對(duì)下部電極8和氫氣隔離膜11進(jìn)行腐蝕處理，然后如圖21所示，在其上面形成電容器絕緣膜9。如圖22所示，對(duì)電容器絕緣膜9進(jìn)行腐蝕處理。例如，用TaN膜構(gòu)成的氫氣隔離膜11和Ru層構(gòu)成的下部電極8被腐蝕處理之后，用CVD法制成由(Sr,Ba)TiO3構(gòu)成的電容器絕緣膜9，接著，進(jìn)行腐蝕處理。
接下來，如圖23所示，制成導(dǎo)電的第三層氫氣隔離膜12，然后在其上制出作為平板引線層的連線層14。例如，用CVD法制成厚度為500埃的TiN氫氣隔離膜12，然后用CVD法制成多晶硅的平板引線層，以得到連線層14。在這種情況下，用于制作氫氣隔離膜12的CVD方法提供了一個(gè)具有臺(tái)階覆蓋的膜層。在連線層14的制作過程中，多晶硅是還原氣氛中形成的，在這里，進(jìn)行了由表示的化學(xué)反應(yīng)。然而，電容器絕緣膜9不會(huì)被分解，因?yàn)門iN膜構(gòu)成的氫氣隔離膜12已經(jīng)就位。
接著，如圖24所示，連線層14，氫氣隔離膜12和7在電容器部件19之間的部分被腐蝕掉。然后，第二層間絕緣膜13和Al質(zhì)的連線層(圖中未示出)在其上面形成。接著，以400℃的溫度進(jìn)行氫氣熱處理。
該半導(dǎo)體器件(nMOS和PMOS晶體管)中電容器絕緣膜9(Ba,Sr)TiO3的介電常數(shù)約為300，而晶體管的Vt波動(dòng)為10％或更小，對(duì)于nMOS和pMOS晶體管而言均是如此。
圖25是一個(gè)側(cè)向橫截面圖，展示的是與圖15所示的半導(dǎo)體器件的一個(gè)經(jīng)過修改的實(shí)例相對(duì)應(yīng)的基本結(jié)構(gòu)。在該半導(dǎo)體器件中，電容器絕緣膜9形成之后的腐蝕工序被省略，而電容器絕緣膜9是與連線層14同時(shí)進(jìn)行腐蝕的。用以上生產(chǎn)工序，可以得到與圖15所示的半導(dǎo)體器件基本相同的結(jié)構(gòu)。該半導(dǎo)體器件的優(yōu)點(diǎn)在于減少了生產(chǎn)工序。然而，與圖15所描繪的半導(dǎo)體器件相比，該半導(dǎo)體器件更易受到氫氣的損害，因?yàn)殡娙萜鹘^緣膜9的側(cè)面是暴露的。但是，輕度的損害是可以接受的。因?yàn)槠鋫?cè)面并不與下部電極8接觸，在電容器中并不起作用。
圖26是一個(gè)側(cè)向橫截面圖，展示的是與圖15所示的半導(dǎo)體器件的另一個(gè)經(jīng)過修改的實(shí)例相對(duì)應(yīng)的基本結(jié)構(gòu)。在該半導(dǎo)體器件中，與圖15所示的半導(dǎo)體器件相比可以發(fā)現(xiàn)，第一層氫氣隔離膜7被略去，而第二層氫氣隔離膜11是與連線層14同時(shí)進(jìn)行腐蝕處理的，用以上生產(chǎn)工序可以獲得與圖15所示的半導(dǎo)體器件基本相同的結(jié)構(gòu)。在該例中，雖然與圖25中的半導(dǎo)體器件相同，電容器絕緣膜9在側(cè)面上是暴露的，但該半導(dǎo)體器件是具有縮短生產(chǎn)流程的優(yōu)點(diǎn)。
如上所述，應(yīng)用本發(fā)明發(fā)提供的生產(chǎn)方法，在這些半導(dǎo)體器件中，可以完全避免氫氣對(duì)電容器絕緣膜(介質(zhì)膜)造成的損害，并且獲得卓越的電容性能。盡管生產(chǎn)工序是處于還原氣氛之中。因此，由于應(yīng)用范圍的擴(kuò)大，生產(chǎn)能力得以提高。另外，因?yàn)殡娙萜骷?9直接被氫氣隔離膜覆蓋，可以獲得卓越的電容性能。而且，在電容器部件19形成之后，可以在不增加用于電容器部分19的氫氣隔離膜尺寸的情況下，淀積W的生產(chǎn)過程可以用CVD法來進(jìn)行。因此，電容器部件19所必要的單元面積縮小，而且可以形成縱橫尺寸比更高的接觸部位20。另外，因?yàn)闅錃飧綦x膜對(duì)于氫氣和水均有高度的屏蔽性能，可以避免電容器部件19的性能隨著時(shí)間的流逝而出現(xiàn)的退化，而且可靠性也可以得到改善。
上面對(duì)于允許暴露于氫氣中的鐵電集成電路的生產(chǎn)方法進(jìn)行了描述，并進(jìn)一步導(dǎo)出具有良好電氣性能的鐵電器件。匆須多言，在附圖中展示并在該文中說明的各應(yīng)用實(shí)施例是作為例子而出現(xiàn)的，不應(yīng)該被認(rèn)為是對(duì)還將在下面的權(quán)利要求中進(jìn)行敘述的本發(fā)明的一種限制。而且，很顯然，該技術(shù)領(lǐng)域中的人員在不違背本項(xiàng)發(fā)明的思想的情況下，現(xiàn)在可以對(duì)所述的具體實(shí)施例進(jìn)行大量的使用及修改。同樣顯然的是，在某些情況下，所述的工序可以按不同的順序加以實(shí)施，或者說，類似的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)及生產(chǎn)流程可以代替所述的各個(gè)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和生產(chǎn)流程。因此，對(duì)于在所述的生產(chǎn)流程，電子器件，以及電子器件的生產(chǎn)方法中所呈現(xiàn)出來的以及/或者它們所具有的特色而言，本項(xiàng)發(fā)明應(yīng)該被看作是對(duì)每一項(xiàng)新奇特色以及它們的新奇組合的一種掌握。
權(quán)利要求
1.一個(gè)半導(dǎo)體器件，其特征在于它包括一個(gè)具有電容器絕緣膜的電容器部件，所說的電容器絕緣膜是從由鐵電材料或者高介電常數(shù)的材料組成的一批物質(zhì)中選出的一種材料制成的；一個(gè)氫氣隔離膜，所說的氫氣隔離膜覆蓋所說的電容器部件；和一個(gè)沒有氫氣隔離膜的部件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1中所說的半導(dǎo)體器件，其特征在于還包括一個(gè)晶體管部件；所說的電容器部件上的一個(gè)表面；和一個(gè)定位于所說的的表面上的接觸部位，用于將所說的晶體管部件和所說的電容器部件進(jìn)行電氣連接，所說的氫氣隔離膜覆蓋除所說的接觸部位之外的電容器部件的所說表面。
3.一個(gè)半導(dǎo)體器件，其特征在于它包括一個(gè)基片，所說的基片形成一個(gè)基片平面；一個(gè)晶體管部件，該部件在所說的基片上有一個(gè)柵極氧化膜，所說的柵極氧化膜上有一個(gè)柵極，該部件還有一個(gè)雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)；一個(gè)電容器部件，該部件有一個(gè)電容器絕緣膜，所說的電容器絕緣膜是從由鐵電材料或高介電常數(shù)的材料組成的一批物質(zhì)中選出的一種材料構(gòu)成的，所說的電容器部件有一個(gè)表面而所說的表面有一個(gè)接觸部位對(duì)所說的雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)和所說的電容器部件進(jìn)行電氣連接，在基片平面上所說的電容器部件和所說的晶體管部件相互之間并不搭迭；和一個(gè)氫氣隔離膜，所說的氫氣隔離膜定位在所說的表面上除所說的接觸部位之外的部分；所說的晶體管部件上沒有所說的氫氣隔離膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求3中所說的半導(dǎo)體器件，其特征在于，其中所說的電容器部件有一個(gè)上部電極和一個(gè)下部電極，而所說的下部是電極有一個(gè)上表面，所說的電容器絕緣膜定位于所說的上表面上；所說的半導(dǎo)體器件包括一個(gè)第一層氫氣隔離膜，所說的第一層氫氣隔離膜是不導(dǎo)電的并被定位于所說的下部電極的下面但不包括所說的氫氣隔離膜部位；所說的半導(dǎo)體器件包括一個(gè)第二層氫氣隔離膜，所說的第二層氫氣隔離膜定位于所說的電容器件部件的上面，而且所說的第二層氫氣隔離膜可以是導(dǎo)電的氫氣隔離膜也可以是不導(dǎo)電的氫氣隔離膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求4中所說的半導(dǎo)體器件，其特征在于，其中所說的不導(dǎo)電的氫氣隔離膜至少包括一種從由Si3N4,SiON和Si3N4,SiON及SiO2的混合物組成的一批物質(zhì)中挑選出來的物質(zhì)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3中所說的半導(dǎo)體器件，其特征在于，其中所說的電容器部件有一個(gè)導(dǎo)電的上部電極和一個(gè)導(dǎo)電的下部電極，而所說的下部電極有一個(gè)上表面和一個(gè)側(cè)表面，而所說的電容器絕緣膜被定位在所說的上表面和所說的側(cè)表面上；所說的電容器絕緣膜有一個(gè)下表面；并且所說的半導(dǎo)體器件包括一個(gè)不導(dǎo)電的氫氣隔離膜，所說的不導(dǎo)電的氫氣隔離膜覆蓋所說電容器部件的所說導(dǎo)電的上部、所說下部電極的所說側(cè)表面和所說電容器絕緣膜的所說下表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求6中所說的半導(dǎo)體器件，其特征在于，其中所說的半導(dǎo)體器件包括一個(gè)導(dǎo)電的氫氣隔離膜，而所說導(dǎo)電的氫氣隔離膜覆蓋所說的接觸部位。
8.根據(jù)權(quán)利要求7中所說的半導(dǎo)體器件，其特征在于，其中所說的導(dǎo)電的氫氣隔離膜至少包括由從Ti、Zr、Nb、Ta、Hf和W的氮化物中選出的一種物質(zhì)。
9.根據(jù)權(quán)利要求6中所說的半導(dǎo)體器件，其特征在于，其中所說的不導(dǎo)電的氫氣隔離膜至少包括從由Si3N4,SiON和Si3N4,SiON及SiO2的混合物組成的一批物質(zhì)中挑選出來的物質(zhì)。
10.根據(jù)權(quán)利要求6中所說的半導(dǎo)體器件，其特征在于，其中包括一個(gè)上部電極。
11.一個(gè)半導(dǎo)體器件，其特征在于它包括一個(gè)基片；一個(gè)晶體管部件，所說的晶體管部件在所說的基片上有一個(gè)柵極氧化膜，所說的柵極氧化膜上有一個(gè)柵極，該部件還有一個(gè)雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)；多個(gè)電容器部件，每個(gè)所說的電容器部件有一個(gè)電容器絕緣膜，所說電容器絕緣膜由鐵電材料或高介電常數(shù)的材料所組成，每個(gè)所說的電容器部件均形成于一個(gè)與所說的雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)有電氣連接的插塞之上，而每個(gè)所說的電容器部件都有一個(gè)帶有一個(gè)接觸部位的表面，所說的接觸部位與所說的二晶體管部件有電氣連接；而且一個(gè)氫氣隔離膜定位于所說的表面上除開所說的接觸部位的部分；在所說的電容器部件之間的位置上沒有氫氣隔離膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求11中所說的半導(dǎo)體器件，其特征在于，其中所說的電容器部件有一個(gè)上部電極和一個(gè)下部電極，而所說的下部電極有一個(gè)上表面，所說的電容器絕緣膜定位于所說的上表面上；所說的半導(dǎo)體器件包括一個(gè)第一層氫氣隔離膜，所說的第一層氫氣隔離膜是不導(dǎo)電的并被定位于所說的下部電極的下面但不包括所說接觸部位；所說的半導(dǎo)體器件包括一個(gè)第二層氫氣隔離膜，所說的第二層氫氣隔離膜定位于所說的電容器件部件的頂面，而且所說的第二層氫氣隔離膜可以是導(dǎo)電的氫氣隔離膜也可以是不導(dǎo)電的氫氣隔離膜。
13.根據(jù)權(quán)利要求12中所說的半導(dǎo)體器件，其特征在于，其中所說的不導(dǎo)電的氫氣隔離膜至少包括一種從由Si3N4,SiON和Si3N4,SiON及SiO2的混合物組成的一批物質(zhì)中挑選出來的物質(zhì)。
14.根據(jù)權(quán)利要求11中所說的半導(dǎo)體器件，其特征在于，其中所說的電容器部件有一個(gè)導(dǎo)電的上部電極和一個(gè)導(dǎo)電的下部電極，而所說的下部電極有一個(gè)上表面和一個(gè)側(cè)表面，而所說的電容器絕緣膜被定位在所說的上表面和所說的側(cè)表面上；所說的電容器絕緣膜有一個(gè)下表面；并且所說的半導(dǎo)體器件包括一個(gè)不導(dǎo)電的氫氣隔離膜，所說的不導(dǎo)電的氫氣隔離膜覆蓋所說電容器部件的所說導(dǎo)電的上部、所說下部電極的所說側(cè)表面和所說電容器絕緣膜的所說下表面。
15.根據(jù)權(quán)利要求14中所說的半導(dǎo)體器件，其特征在于，其中所說的半導(dǎo)體器件包括一個(gè)導(dǎo)電的氫氣隔離膜，而所說導(dǎo)電的氫氣隔離膜覆蓋所說的接觸部位。
16.根據(jù)權(quán)利要求15中所說的半導(dǎo)體器件，其特征在于，其中所說的導(dǎo)電的氫氣隔離膜至少包括由從Ti、Zr、Nb、Ta、Hf和W的氮化物中選出的一種物質(zhì)。
17.根據(jù)權(quán)利要求6中所說的半導(dǎo)體器件，其特征在于，其中所說的不導(dǎo)電的氫氣隔離膜至少包括從由Si3N4,SiON和Si3N4,SiON及SiO2的混合物組成的一批物質(zhì)中挑選出來的物質(zhì)。
18.根據(jù)權(quán)利要求14中所說的半導(dǎo)體器件，其特征在于，其中包括一個(gè)上部電極。
19.一個(gè)半導(dǎo)體器件，其特征在于它包括一個(gè)具有一個(gè)電容器絕緣膜的電容器部件，所說的電容器絕緣膜含有一種金屬氧化物；一個(gè)氫氣隔離膜，所說的氫氣隔離膜覆蓋所說的電容器部件；并且一個(gè)沒有氫氣隔離膜的部位。
20.根據(jù)權(quán)利要求19中所說的半導(dǎo)體器件，其特征在于，其中所說的金屬氧化物是指從Pb(Zr,Ti)O3、SrBi2Ta2O9和(Sr,Ba)TiO3中挑選出來的任何一個(gè)。
21.一個(gè)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于工序包括制成一個(gè)電容器部件，該部件有一個(gè)下部電極，一個(gè)電容器絕緣膜，和一個(gè)上部電極，而所說的電容器絕緣膜是由鐵電材料或者高介電常數(shù)的材料中選出的；制成一個(gè)氫氣隔離膜，該膜覆蓋所說的電容器部件；并且用腐蝕法去除所說的氫氣隔離膜的一部分。
22.一個(gè)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于工序包括在第一層氫氣隔離膜上制成一個(gè)下部電極；在所說的下部電極上制成一個(gè)電容器絕緣膜；在所說的電容器絕緣膜上制成一個(gè)上部電極；在所說的上部電極上制成第二層氫氣隔離膜；對(duì)所說的第一層氫氣隔離膜，所說的下部電極，所說的電容器絕緣膜，所說的上部電極，和所說的第二層氫氣隔離膜一起進(jìn)行布線處理，以形成一個(gè)包括電容器部件在內(nèi)的已制好布線的表面；在所說的已作好布線結(jié)構(gòu)的表面上制成第三層氫氣隔離膜，所說的第三層氫氣隔離膜是不導(dǎo)電的；從已作好布線的表面上清除第三層氫氣隔離膜，但電容器部件上面的部分除外；并且清除所說的第三層氫氣隔離膜在所說的上部電極上面的一個(gè)部分，以形成一個(gè)接觸部位。
23.一個(gè)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于工序包括在第一層氫氣隔離膜上形成下部電極；在所說的下部電極上形成電容器絕緣膜；在所說的電容器絕緣膜上形成上部電極；對(duì)所說的第一層氫氣隔離膜，所說的下部電極，所說的電容器絕緣膜和所說的上部電極一起進(jìn)行布線處理，以形成一個(gè)包括一個(gè)電容器部件在內(nèi)的已布好線的表面；在所說的已布好線的表面上表面上形成第三層氫氣隔離膜，并且清除所說的第三層氫氣隔離膜，但是位于電容器部件上面的部分除外；清除所說的第三層氫氣隔離膜位于所說的上部電極上的一部分，以形成一個(gè)接觸部位；并且形成第二層氫氣隔離膜以覆蓋所說的接觸部位，所說的第二層氫氣隔離膜是導(dǎo)電的。
24.一個(gè)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于工序包括在層間絕緣膜上形成不導(dǎo)電的第一層氫氣隔離膜；形成插塞；在所說的插塞上形成導(dǎo)電的第二層氫氣隔離膜；在所說導(dǎo)電的第二層氫氣隔離膜上形成下部電極；對(duì)所說的下部電極和所說的導(dǎo)電的第二層氫氣隔離膜進(jìn)行布線處理以形成一個(gè)包括一個(gè)電容器部件在內(nèi)的做好布線處理的表面；在所說的已作好布線處理的表面上形成一個(gè)電容器絕緣膜；從所說的已作好布線處理的表面上清除所說的電容器絕緣膜，但所說的電容器部件上面的部分除外；在包括所說的電容器部件在內(nèi)的所說的已作好布線處理的表面上形成導(dǎo)電的第三層氫氣隔離膜；從所說的層間絕緣膜上清除所說的導(dǎo)電的第三層氫氣隔離膜和所說的不導(dǎo)電的第一層氫氣隔離膜，但所說的電容器部件上面的部分除外。
25.一個(gè)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于工序如下在層間絕緣膜上形成不導(dǎo)電的第一層氫氣隔離膜；在所說的不導(dǎo)電的第一層氫氣隔離膜中以及在所說的層間絕緣膜中形成一個(gè)插塞；在所說的插塞上以及在所說的不導(dǎo)電的第一層氫氣隔離膜形成導(dǎo)電的第二層氫氣隔離膜；在所說的導(dǎo)電的第二層氫氣隔離膜上形成一個(gè)下部電極；對(duì)所說的下部電極和所說的導(dǎo)電的第二層氫氣隔離膜進(jìn)行布線處理，以形成一個(gè)包括電容器件在內(nèi)的作好布線處理的表面；在包括所說的電容器部件在內(nèi)的所說的已作好布線處理的表面上形成一個(gè)電容器絕緣膜；在所說包括在所說的電容器部件的已作好布線處理的表面上，形成導(dǎo)電的第三層氫氣隔離膜；從所說的層間絕緣膜上清除所說的導(dǎo)電的第三層氫氣隔離膜，所說的電容器絕緣膜和所說的不導(dǎo)電的第一層氫氣隔離膜，但所說的電容器部件上面的部分除外。
26.一個(gè)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于工序如下在層間絕緣膜中形成一個(gè)插塞；在所說的插塞上和在所說的層間絕緣膜上形成導(dǎo)電的第一層氫氣隔離膜。在所說的導(dǎo)電的第一層氫氣隔離膜上形成一個(gè)下部電極；對(duì)所說的下部電極進(jìn)行布線處理，以形成包括一個(gè)電容器部件在內(nèi)的一個(gè)已作好布線處理的表面；在所說包括所說的電容器部件的已作好布線處理的表面上，形成一個(gè)電容器絕緣膜；在所說包括所述的電容器部件的已作好布線處理的表面上，形成導(dǎo)電的第二層氫氣隔離膜；從所說的層間絕緣膜上清除所說的導(dǎo)電的第二層氫氣隔離膜，所說的電容器絕緣膜和所說的導(dǎo)電的第一層氫氣隔離膜，但是不包括所說的電容器部件上面的部分。
全文摘要
一個(gè)半導(dǎo)體器件具有一個(gè)器件隔離氧化膜,一個(gè)層間絕緣膜,幾個(gè)氫氣隔離膜,一個(gè)下部電極,一個(gè)電容器件絕緣膜,一個(gè)上部電極,一個(gè)層間絕緣膜和一個(gè)連線層,形成在硅基片上。一個(gè)柵極形成在硅基片上雜質(zhì)擴(kuò)散區(qū)之間的柵極氧化膜上。而且,一個(gè)電容器部件,包括下部電極,電容器絕緣膜和上部電極,被幾個(gè)氫氣隔離膜完全覆蓋。
文檔編號(hào)H01L27/10GK1216403SQ9812441
公開日1999年5月12日 申請(qǐng)日期1998年10月30日 優(yōu)先權(quán)日1997年10月31日
發(fā)明者天沼一志 申請(qǐng)人:日本電氣株式會(huì)社, 辛姆特瑞克斯公司