專利名稱：顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及利用薄膜晶體管(以下，稱TFT)驅(qū)動(dòng)和控制當(dāng)驅(qū)動(dòng)電流流過有機(jī)半導(dǎo)體膜時(shí)發(fā)光的EL(電致發(fā)光)元件或LED(發(fā)光二極管)元件等發(fā)光元件的有源矩陣型顯示裝置。更詳細(xì)地說，是涉及用于改進(jìn)其顯示特性的最佳配置技術(shù)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)已提出采用EL元件或LED元件等電流控制型發(fā)光元件的有源矩陣型顯示裝置。在這種類型的顯示裝置中采用的發(fā)光元件，本身都具有發(fā)光能力，所以，與液晶顯示裝置不同，不需要背照光，并具有視角依賴性小等優(yōu)點(diǎn)。
在圖13中，作為這種顯示裝置的一例，示出采用了電荷注入型有機(jī)薄膜EL元件的有源矩陣型顯示裝置的框圖。在該圖所示的顯示裝置1A的結(jié)構(gòu)中，在透明襯底上，形成多條掃描線gate、在與該掃描線gate的延伸方向交叉的方向上延伸的多條數(shù)據(jù)線sig、與該數(shù)據(jù)線sig并列配置的多條公用供電線com、及與數(shù)據(jù)線sig和掃描線gate的交叉點(diǎn)對(duì)應(yīng)的象素區(qū)域7。對(duì)數(shù)據(jù)線sig，構(gòu)成備有移位寄存器、電平移位器、視頻線、模擬開關(guān)的數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)電路3。對(duì)掃描線，構(gòu)成備有移位寄存器及電平移位器的掃描側(cè)驅(qū)動(dòng)電路4。此外，在各象素區(qū)域7內(nèi)，構(gòu)成通過掃描線在柵電極上供給掃描信號(hào)的第1TFT20、用于保持從數(shù)據(jù)線sig通過該第1TFT20供給的圖象信號(hào)的保持電容cap、在柵電極上供給由保持電容cap保持的圖象信號(hào)的第2TFT30、當(dāng)通過第2TFT30與公用供電線com電氣連接時(shí)從公用供電線com流入驅(qū)動(dòng)電流的發(fā)光元件40。
即，如圖14(A)、(B)所示，在任何一個(gè)象素區(qū)域內(nèi)，都利用2個(gè)島狀的半導(dǎo)體膜形成第1TFT20及第2TFT30，第2TFT30的源、漏區(qū)中的一個(gè)，通過第1層間絕緣膜51上的接觸孔與中繼電極35電氣連接，象素電極41與該中繼電極35電氣連接。在該象素電極41的上層側(cè)，層疊著空穴注入層42、有機(jī)半導(dǎo)體膜43、對(duì)置電極op。這里，對(duì)置電極op，在多個(gè)象素區(qū)域7的范圍上橫跨著數(shù)據(jù)線sig等形成。
第2TFT30的源、漏區(qū)中的另一個(gè)，通過接觸孔與公用供電線com電氣連接。與此不同，在第1TFT20中，與其源、漏區(qū)中的一個(gè)電氣連接的電位保持電極st，與柵電極31的延伸部分310電氣連接。半導(dǎo)體膜400，在其下層側(cè)，隔著柵絕緣膜50與延伸部分310相對(duì)，該半導(dǎo)體膜400，通過對(duì)其摻入雜質(zhì)而呈現(xiàn)導(dǎo)電性，所以與延伸部分310及柵絕緣膜50一起構(gòu)成構(gòu)成保持電容cap。其中，公用供電線com，通過第1層間絕緣膜51上的接觸孔與半導(dǎo)體膜400電氣連接。因此，保持電容cap，保持從數(shù)據(jù)線sig通過第1TFT20供給的圖象信號(hào)，所以即使第1TFT20截止，第2TFT30的柵電極31也仍保持在與圖象信號(hào)相當(dāng)?shù)碾娢簧?。其結(jié)果是，驅(qū)動(dòng)電流從公用供電線com持續(xù)地流入發(fā)光元件40，因而使發(fā)光元件40可以持續(xù)地發(fā)光。
但是，在上述顯示裝置中，與液晶顯示裝置不同，與象素電極41相對(duì)的對(duì)置電極op，在同一透明襯底10上，在其整個(gè)表面、或在多個(gè)象素區(qū)域7的范圍上形成，所以，在對(duì)置電極op與數(shù)據(jù)線sig之間只有第2層間絕緣膜52。因此，在數(shù)據(jù)線sig內(nèi)將會(huì)產(chǎn)生大的寄生電容，從而在現(xiàn)有的顯示裝置的情況下，使數(shù)據(jù)線sig承擔(dān)著大的負(fù)荷。由于在形成對(duì)置電極op時(shí)使其與數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)電路3和掃描側(cè)驅(qū)動(dòng)電路4的表面?zhèn)戎丿B，所以也將引起同樣的問題，即，由于在驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)形成的配線層與對(duì)置電極之間存在著大的寄生電容，所以將造成使數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)電路3的負(fù)荷大的問題。
這里，本發(fā)明人對(duì)由噴墨頭噴出的液狀材料在規(guī)定區(qū)域形成有機(jī)半導(dǎo)體膜的情況進(jìn)行了研究，同時(shí)還對(duì)在利用該方法形成有機(jī)半導(dǎo)體膜時(shí)為防止有機(jī)半導(dǎo)體膜從側(cè)面超出范圍而用由抗蝕劑等構(gòu)成的隔擋層包圍有機(jī)半導(dǎo)體膜的形成區(qū)域的情況進(jìn)行了研究。本發(fā)明人提出了利用上述結(jié)構(gòu)等解決上述問題的方案。
即，本發(fā)明的目的在于，提供一種可以利用在襯底上限定有機(jī)半導(dǎo)體膜的形成區(qū)域用的隔擋層防止在數(shù)據(jù)線和驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)產(chǎn)生寄生電容的顯示裝置。
發(fā)明的公開為解決上述課題，在本發(fā)明中提供一種顯示裝置，在襯底上，具有多條掃描線、在與該掃描線的延伸方向交叉的方向上延伸的多條數(shù)據(jù)線、與該數(shù)據(jù)線并列配置的多條公用供電線、及由上述數(shù)據(jù)線和上述掃描線按矩陣狀形成的象素區(qū)域，在該各象素區(qū)域內(nèi)，具有通過上述掃描線在柵電極上供給掃描信號(hào)的第1TFT、用于保持從上述數(shù)據(jù)線通過該第1TFT供給的圖象信號(hào)的保持電容、在柵電極上供給由該保持電容保持的上述圖象信號(hào)的第2TFT、及發(fā)光元件，該發(fā)光元件在上述每個(gè)象素區(qū)域內(nèi)形成的象素電極和橫跨上述數(shù)據(jù)線并與多個(gè)上述象素電極對(duì)應(yīng)的對(duì)置電極的層間備有當(dāng)上述象素電極通過上述第2薄膜晶體管與上述公用供電線電氣連接時(shí)借助于在上述象素電極和上述對(duì)置電極之間流過的驅(qū)動(dòng)電流而發(fā)光的有機(jī)半導(dǎo)體膜，該顯示裝置的特征在于上述有機(jī)半導(dǎo)體膜中的發(fā)光區(qū)域，被由厚度大于上述有機(jī)半導(dǎo)體膜的絕緣膜構(gòu)成的隔擋層包圍，同時(shí)，在結(jié)構(gòu)上使該隔擋層覆蓋上述數(shù)據(jù)線的至少一部分。
在本發(fā)明中，對(duì)置電極，至少在象素區(qū)域的整個(gè)表面、或在一個(gè)寬的區(qū)域上按條紋狀形成，并處在與數(shù)據(jù)線相對(duì)的狀態(tài)。因此，在這種狀態(tài)下，對(duì)數(shù)據(jù)線將會(huì)寄生大的電容。然而，在本發(fā)明中，在數(shù)據(jù)線與對(duì)置電極之間夾有隔擋層，所以能夠防止在與對(duì)置電極之間形成的電容寄生在數(shù)據(jù)線內(nèi)。其結(jié)果是，可以減低數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路的負(fù)荷，并能降低耗電量或使顯示動(dòng)作高速化。
在本發(fā)明中，在上述襯底上，有時(shí)與上述多個(gè)象素區(qū)域一起形成對(duì)上述數(shù)據(jù)線輸出上述圖象信號(hào)的第1驅(qū)動(dòng)電路、或?qū)ι鲜鰭呙杈€輸出上述掃描信號(hào)的第2驅(qū)動(dòng)電路。如這種驅(qū)動(dòng)電路的形成區(qū)域也與上述對(duì)置電極彼此相對(duì)，則在驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)形成的配線層中也將會(huì)寄生大的電容。然而，在本發(fā)明中，由于驅(qū)動(dòng)電路也由隔擋層覆蓋，所以能夠防止在與對(duì)置電極之間形成的電容寄生在驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)。其結(jié)果是，可以減低驅(qū)動(dòng)電路的負(fù)荷，并能降低耗電量或使顯示動(dòng)作高速化。
在本發(fā)明中，上述有機(jī)半導(dǎo)體膜，例如是用噴墨法在由上述隔擋層包圍的區(qū)域內(nèi)形成的膜，上述隔擋層，是在用噴墨法形成上述有機(jī)半導(dǎo)體膜時(shí)用于防止其超出范圍的防水性膜。此外，從防止上述有機(jī)半導(dǎo)體膜超出范圍的觀點(diǎn)出發(fā)，上述隔擋層，可以由1μm以上的膜厚構(gòu)成，在這種情況下，即使上述有機(jī)半導(dǎo)體膜不是防水性的，該隔擋層仍能起到間隔壁的作用。
在本發(fā)明中，上述象素電極形成區(qū)域中與上述第1TFT和上述第2TFT重疊的區(qū)域最好也由上述隔擋層覆蓋。在本發(fā)明中，在象素電極形成區(qū)域中與上述第1TFT的形成區(qū)和上述第2TFT的形成區(qū)重疊的區(qū)域內(nèi)，即使例如在與對(duì)置電極之間流過驅(qū)動(dòng)電流而使有機(jī)半導(dǎo)體膜發(fā)光，該光也被第1TFT或第2TFT遮擋，因而對(duì)顯示不起作用。在這種對(duì)顯示不起作用的部分上流過有機(jī)半導(dǎo)體膜的驅(qū)動(dòng)電流，從顯示的角度看，可稱作無功電流。因此，在本發(fā)明中，在若是以往本應(yīng)流過這種無功電流的部分上形成隔擋層，以防止驅(qū)動(dòng)電流流過該部分。其結(jié)果是，可以減小流過公用供電線的電流，因此，如相應(yīng)地減小公用供電線的寬度，則作為其結(jié)果可以使發(fā)光面積相應(yīng)地增加，并能使亮度、對(duì)比度等顯示性能得到改進(jìn)。
在本發(fā)明中，上述隔擋層最好由黑色的抗蝕膜構(gòu)成，將其用作黑底，以提高顯示的品位。即，在本發(fā)明的顯示裝置中，如使對(duì)置電極至少在象素區(qū)域的整個(gè)表面、或在一個(gè)寬的區(qū)域上按條紋狀形成，則來自對(duì)置電極的反射光將使對(duì)比度降低。然而，在本發(fā)明中，由于用黑色的抗蝕劑構(gòu)成了還擔(dān)負(fù)著防止寄生電容的功能的隔擋層，所以也起著作為黑底的作用。因此，來自對(duì)置電極的反射光被隔擋層遮擋，因而使對(duì)比度提高。
在本發(fā)明中，在公用供電線上流過用于驅(qū)動(dòng)各象素的發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)電流，所以流過的電流比數(shù)據(jù)線大。因此，在本發(fā)明中，最好是使上述公用供電線的每單位長度的電阻值小于上述數(shù)據(jù)線的每單位長度的電阻值，從而增大其電流容量。例如，當(dāng)上述公用供電線和上述數(shù)據(jù)線的材料及膜厚相同時(shí)，使上述公用供電線的線寬大于上述數(shù)據(jù)線的線寬。
在本發(fā)明中，最好是將與上述公用供電線之間進(jìn)行上述驅(qū)動(dòng)電流的通電的象素區(qū)域配置在該公用供電線的兩側(cè)，并使上述數(shù)據(jù)線相對(duì)于該象素區(qū)域而在與上述公用供電線相對(duì)的一側(cè)通過。即，將數(shù)據(jù)線、與其連接的象素群、1條公用供電線、與其連接的象素群、及向該象素群供給象素信號(hào)的數(shù)據(jù)線作為一個(gè)單位，并將其沿著掃描線的延伸方向反復(fù)配置，當(dāng)采用這種結(jié)構(gòu)時(shí)，對(duì)2列的象素，只需用1條公用供電線即可。因此，與對(duì)每1列象素群形成公用供電線的情況相比，可以減小公用供電線的形成區(qū)域，因此，可以相應(yīng)地使發(fā)光面積增加，并能使亮度、對(duì)比度等顯示性能得到改進(jìn)。
另外，當(dāng)采用上述結(jié)構(gòu)時(shí)，由于使2條數(shù)據(jù)線并列配置，所以在這2條數(shù)據(jù)線之間有可能發(fā)生串?dāng)_。因此，在本發(fā)明中，最好在與2條數(shù)據(jù)線之間相當(dāng)?shù)奈恢蒙闲纬膳渚€層。當(dāng)采用這種結(jié)構(gòu)時(shí)，由于在2條數(shù)據(jù)線之間配置著與其不同的配線層，所以，只須在圖象的至少一個(gè)水平掃描周期中使上述配線層保持固定電位，即可防止發(fā)生上述的串?dāng)_。
在本發(fā)明中，如果用噴墨法形成上述有機(jī)半導(dǎo)體膜，則在沿著上述掃描線的延伸方向鄰接的任何象素區(qū)域之間最好使上述有機(jī)半導(dǎo)體膜的形成區(qū)域的中心距都相等。當(dāng)采用這種結(jié)構(gòu)時(shí)，只須將上述有機(jī)半導(dǎo)體膜的材料沿著掃描線的延伸方向按等間隔的位置從噴墨頭噴出即可，所以能以簡(jiǎn)單的方式實(shí)現(xiàn)位置控制機(jī)構(gòu)，同時(shí)使位置精度提高。
附圖的簡(jiǎn)單說明圖1是示意地表示應(yīng)用了本發(fā)明的顯示裝置及在該顯示裝置中形成的隔擋層的形成區(qū)域的說明圖。
圖2是應(yīng)用了本發(fā)明的顯示裝置的框圖。
圖3是將應(yīng)用了本發(fā)明的顯示裝置的象素區(qū)域放大后示出的平面圖。
圖4是圖3中的A-A’線斷面圖。
圖5是圖3中的B-B’線斷面圖。
圖6(A)是圖3中的C-C’線斷面圖，圖6(B)是沒有將隔擋層的形成區(qū)域擴(kuò)展到覆蓋中繼電極的結(jié)構(gòu)的斷面圖。
圖7是表示在圖1所示顯示裝置中使用的發(fā)光元件的Ⅰ-Ⅴ特性的曲線圖。
圖8是表示應(yīng)用了本發(fā)明的顯示裝置的制造方法的工序斷面圖。
圖9是表示圖1所示顯示裝置的改進(jìn)例的框圖。
圖10(A)是表示在圖9所示顯示裝置中形成的隔離配線層的斷面圖，圖10(B)是其平面圖。
圖11是表示圖1所示顯示裝置的變形例的框圖。
圖12(A)是將在圖11所示顯示裝置中形成的象素區(qū)域放大后示出的平面圖，圖12(B)是其斷面圖。
圖13是現(xiàn)有的顯示裝置的框圖。
圖14(A)是將在圖13所示顯示裝置中形成的象素區(qū)域放大后示出的平面圖，圖14(B)是其斷面圖。
1--顯示裝置2--顯示部3--數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)電路(第1驅(qū)動(dòng)電路)4--掃描側(cè)驅(qū)動(dòng)電路(第2驅(qū)動(dòng)電路)5--檢查電路6--安裝焊接點(diǎn)7--象素區(qū)10--透明襯底20--第1TFT21--第1TFT的柵電極30--第2TFT31--第2TFT的柵電極40--發(fā)光元件41--膜象素電極42--空穴注入層43--有機(jī)半導(dǎo)體膜50--柵絕緣膜51--第1層間絕緣膜52--第2層間絕緣膜DA--隔離配線層dank --隔擋層cap --保持電容cline --電容線com --公用供電線gate --掃描線op--對(duì)置電極sig --數(shù)據(jù)線st--電位保持電極用于實(shí)施發(fā)明的最佳形態(tài)參照


本發(fā)明的實(shí)施形態(tài)。
(有源矩陣襯底的總體結(jié)構(gòu))圖1是示意地表示顯示裝置的總體配置的框圖。
如該圖所示，在本形態(tài)的顯示裝置1中，作為其基礎(chǔ)構(gòu)件的透明襯底10的中央部分，構(gòu)成顯示部2。在透明襯底10的外周部分中，在數(shù)據(jù)線sig的兩端，構(gòu)成輸出圖象信號(hào)的數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)電路3(第1驅(qū)動(dòng)電路)及檢查電路5，在掃描線gate的兩端，構(gòu)成輸出掃描信號(hào)的掃描側(cè)驅(qū)動(dòng)電路4(第2驅(qū)動(dòng)電路)。在這2個(gè)驅(qū)動(dòng)電路3、4中，由N型TFF和P型TFT構(gòu)成互補(bǔ)型TFT，該互補(bǔ)型TFT，構(gòu)成移位寄存器、電平移位器、模擬開關(guān)等。另外，在透明襯底10上，在靠數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)電路3外側(cè)的外周區(qū)域內(nèi)，形成用作輸入圖象信號(hào)、各種電位、及脈沖信號(hào)用的端子群的安裝焊接點(diǎn)6。
在按上述方式構(gòu)成的顯示裝置1中，與液晶顯示裝置的有源矩陣襯底一樣，在透明襯底10上，構(gòu)成多條掃描線gate、在與該掃描線gate的延伸方向交叉的方向上延伸的多條數(shù)據(jù)線sig，并構(gòu)成由該數(shù)據(jù)線sig和掃描線gate按矩陣狀形成的多個(gè)象素區(qū)域7。
如圖2所示，在該象素區(qū)域7的任何一個(gè)內(nèi)，都構(gòu)成通過掃描線gate在柵電極21(第1柵電極)上供給掃描信號(hào)的第1TFT20。該第1TFT20的源、漏區(qū)中的一個(gè)，與數(shù)據(jù)線sig電氣連接，而另一個(gè)則與電位保持電極st電氣連接。電容線cline與掃描線gate并列配置，并在該電容線cline與電位保持電極st之間形成保持電容cap。因此，當(dāng)由掃描信號(hào)選擇而使第1TFT20變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時(shí)，將圖象信號(hào)從數(shù)據(jù)線sig通過第1TFT20寫入保持電容cap。
第2TFT30的柵電極31(第2柵電極)與電位保持電極st電氣連接。第2TFT30的源、漏區(qū)中的一個(gè)，與公用供電線com電氣連接，而另一個(gè)則與發(fā)光元件40的一個(gè)電極(后文所述的象素電極)電氣連接。公用供電線com保持在固定電位。因此，當(dāng)?shù)?TFT30變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時(shí)，公用供電線com的電流通過第2TFT30流入發(fā)光元件40，從而使發(fā)光元件40發(fā)光。
但是，在本形態(tài)中，具有在與公用供電線com之間供給驅(qū)動(dòng)電流的發(fā)光元件40的象素區(qū)域7，配置在該公用供電線com的兩側(cè)，并使2條數(shù)據(jù)線sig相對(duì)于該象素區(qū)域7而在與上述公用供電線com相對(duì)的一側(cè)通過。即，將數(shù)據(jù)線sig、與其連接的象素群、1條公用供電線com、與其連接的象素群、及向該象素群供給象素信號(hào)的數(shù)據(jù)線sig作為一個(gè)單位，并將其沿著掃描線gate的延伸方向反復(fù)配置，公用供電線com，用1條對(duì)2列的象素供給驅(qū)動(dòng)電流。因此，與對(duì)每1列象素群形成公用供電線com的情況相比，可以減小公用供電線com的形成區(qū)域，并能使發(fā)光面積增加，因而能提高亮度、對(duì)比度等顯示性能。另外，在這種結(jié)構(gòu)中，使2列象素連接于1條公用供電線com，所以，可以在每2條數(shù)據(jù)線sig并列配置的狀態(tài)下對(duì)各列的象素群供給圖象信號(hào)。
(象素區(qū)域的結(jié)構(gòu))參照?qǐng)D3～圖6(A)，詳細(xì)說明按如上方式構(gòu)成的顯示裝置1的各象素區(qū)域7的結(jié)構(gòu)。
圖3是將在本形態(tài)的顯示裝置1中形成的多個(gè)象素區(qū)域7中的3個(gè)象素區(qū)域7放大后示出的平面圖，圖4、圖5、及圖6(A)，分別為其A-A’線的斷面圖、B-B’線的斷面圖、及C-C’線的斷面圖、首先，如圖4所示，在與圖3的A-A’線相當(dāng)?shù)奈恢?，在透明襯底10上，在各象素區(qū)域7內(nèi)形成用于形成第1TFT20的島狀硅膜200，并在其表面上形成柵絕緣膜50。并且，在柵絕緣膜50的表面上形成柵電極21，并相對(duì)于該柵電極21形成以自調(diào)整方式摻入了高濃度雜質(zhì)的源、漏區(qū)22、23。在柵絕緣膜50的表面?zhèn)龋纬傻?層間絕緣膜51，并使數(shù)據(jù)線sig及電位保持電極st分別通過在該層間絕緣膜上形成的接觸孔61、62與源、漏區(qū)22、23電氣連接。
在與掃描線gate及柵電極21相同的層間(柵絕緣膜50和第1層間絕緣膜51之間)形成電容線cline，使其在各象素區(qū)域7內(nèi)與掃描線gate并列配置，相對(duì)于該電容線cline并隔著第1層間絕緣膜51與電位保持電極st的延伸部分st1重疊。因此，電容線cline與電位保持電極st的延伸部分st1，構(gòu)成以第1層間絕緣膜51為電介質(zhì)膜的保持電容cap。另外，在電位保持電極st及數(shù)據(jù)線sig的表面?zhèn)刃纬傻?層間絕緣膜52。
如圖5所示，在與圖3的B-B’線相當(dāng)?shù)奈恢?，在透明襯底10上形成的第1層間絕緣膜51及第2層間絕緣膜52的表面上，形成2條與各象素區(qū)域7對(duì)應(yīng)的處于并列狀態(tài)數(shù)據(jù)線sig。
如圖6(A)所示，在與圖3的C-C’線相當(dāng)?shù)奈恢?，在透明襯底10上形成用于形成第2TFT30的島狀硅膜300，使其橫跨中間隔著公用供電線com的2個(gè)象素區(qū)域7，并在其表面上形成柵絕緣膜50。并且，在柵絕緣膜50的表面上，在各象素區(qū)域7內(nèi)分別形成柵電極31，使其中間隔著公用供電線com，并相對(duì)于該柵電極31形成以自調(diào)整方式摻入了高濃度雜質(zhì)的源、漏區(qū)32、33。在柵絕緣膜50的表面?zhèn)?，形成?層間絕緣膜51，并使中繼電極35通過在該層間絕緣膜上形成的接觸孔63與源、漏區(qū)62電氣連接。另一方面，使公用供電線com通過第1層間絕緣膜51上的接觸孔64與位于硅膜300中央的在2個(gè)象素區(qū)域7內(nèi)用作公用源、漏區(qū)33的部分電氣連接。在該公用供電線com及中繼電極35的表面上形成第2層間絕緣膜52。在第2層間絕緣膜52的表面上形成由IT0膜構(gòu)成的象素電極41。該象素電極41，通過在第2層間絕緣膜52上形成的接觸孔65與中繼電極35電氣連接，并通過中繼續(xù)電極35與第2TFT30的源、漏區(qū)32電氣連接。
這里，象素電極41構(gòu)成發(fā)光元件40的一個(gè)電極。即，在象素電極41的表面上，層疊空穴注入層42及有機(jī)半導(dǎo)體膜43，進(jìn)一步，在有機(jī)半導(dǎo)體膜43的表面上，形成由含鋰的鋁、鈣等金屬膜構(gòu)成的對(duì)置電極op。該對(duì)置電極op，是至少在象素區(qū)域41的整個(gè)表面、或按條紋狀形成的公用電極，并保持在一定的電位上。
在按上述方式構(gòu)成的發(fā)光元件40中，將對(duì)置電極op及象素電極41分別作為正極和負(fù)極并施加電壓，如圖7所示，在施加電壓超過了閾值電壓的區(qū)域，流過有機(jī)半導(dǎo)體膜43的電流(驅(qū)動(dòng)電流)急劇增大。其結(jié)果是，發(fā)光元件40作為電致發(fā)光元件或LED元件而發(fā)光，發(fā)光元件40的光，由對(duì)置電極op反射，并透過透明的象素電極41及透明襯底10射出。
這種用于進(jìn)行光發(fā)射的驅(qū)動(dòng)電流，流過由對(duì)置電極op、有機(jī)半導(dǎo)體膜43、空穴注入孔42、象素電極41、第2TFT30、及公用供電線com構(gòu)成的電流路徑，所以，當(dāng)?shù)?TFT30變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)時(shí)，停止流動(dòng)。但是，在本形態(tài)的顯示裝置1中，當(dāng)由掃描信號(hào)選擇而使第1TFT20變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時(shí)，將圖象信號(hào)從數(shù)據(jù)線sig通過第1TFT20寫入保持電容cap。因此，即使第1TFT20變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)，第2TFT30的柵電極也由保持電容cap保持與圖象信號(hào)相當(dāng)?shù)碾娢唬允沟?TFT30仍保持導(dǎo)通狀態(tài)。因此，使驅(qū)動(dòng)電流繼續(xù)流入發(fā)光元件40，并使其象素保持點(diǎn)亮狀態(tài)。這種狀態(tài)，一直保持到有新的圖象數(shù)據(jù)寫入保持電容cap并使第2TFT30變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)為止。
(顯示裝置的制造方法)在按上述方式構(gòu)成的顯示裝置1的制造方法中，從開始到在透明襯底10上制作第1TFT20及第2TFT30的工序，與液晶顯示裝置1的有源矩陣襯底的制作工序大致相同，所以，參照?qǐng)D8對(duì)其進(jìn)行概括的說明。
圖8是示意地表示顯示裝置1的各構(gòu)成部分的形成過程的工序斷面圖。
即，如圖8(A)所示，根據(jù)要求以TEOS(四乙氧基硅烷)和氧氣等為原料氣體并利用等離子體CVD法對(duì)透明襯底10形成由厚度約為2000～5000埃的氧化硅膜構(gòu)成的底層保護(hù)膜(圖中為示出)。接著，將襯底的溫度設(shè)定為約350℃，并用等離子體CVD法在底層保護(hù)膜的表面上形成由厚度約為300～700埃的非晶形硅膜構(gòu)成的半導(dǎo)體膜100。然后，對(duì)由非晶形硅膜構(gòu)成的半導(dǎo)體膜100進(jìn)行激光退火或固相生長法等結(jié)晶化工序，使半導(dǎo)體膜100結(jié)晶為多晶硅膜。在激光退火法中，例如，可采用由受激準(zhǔn)分子激光器發(fā)射的光束長度尺寸為400mm的直線光束，其輸出強(qiáng)度例如為200mJ/cm2。就直線光束而言，在以該直線光束進(jìn)行掃描時(shí)，應(yīng)使其寬度方向上的與激光強(qiáng)度峰值的90％相當(dāng)?shù)牟糠指采w各個(gè)區(qū)域。
其次，如圖8(B)所示，對(duì)半導(dǎo)體膜100進(jìn)行圖案制作，從而形成島狀的半導(dǎo)體膜200、300，并以TEOS(四乙氧基硅烷)和氧氣等為原料氣體、利用等離子體CVD法在其表面上形成由厚度約為600～1500埃的氧化硅膜或氮化硅構(gòu)成的柵絕緣膜50。
接著，如圖8(C)所示，用濺射法形成由鋁、鉭、鉬、鈦、鎢等金屬膜構(gòu)成的導(dǎo)電膜，然后，進(jìn)行圖案制作，形成柵電極21、31(柵電極形成工序)。在該工序中，還形成掃描線gate及電容線cline。此外，圖中的310，是柵電極31的延伸部分。
在該狀態(tài)下，通過注入高濃度的磷離子，以自調(diào)整的方式在硅薄膜200、300內(nèi)形成與柵電極21、31相對(duì)的源、漏區(qū)22、23、32、33。而沒有摻入雜質(zhì)的部分，構(gòu)成溝道區(qū)27、37。
下一步，如圖8(D)所示，在形成第1層間絕緣膜51后，形成接觸孔61、62、63、64、69，并形成數(shù)據(jù)線sig、備有與電容線cline和柵電極31的延伸部分310重疊的延伸部分st1的電位保持電極st、公用供電線com、及中繼電極35。其結(jié)果是，電位保持電極st，通過接觸孔69及延伸部分310與柵電極31電氣連接。按照這種方式，即可形成第1TFT20和第2TFT30。另外，由電容線cline與電位保持電極st的延伸部分st1形成保持電容cap。
然后，如圖8(E)所示，形成第2層間絕緣膜52，并在該層間絕緣膜上在與中繼電極35相當(dāng)?shù)牟糠中纬山佑|孔65。接著，在第2層間絕緣膜52的整個(gè)表面上形成ITO膜后，進(jìn)行圖案制作，形成通過接觸孔65與第2TFT30的源、漏區(qū)32電氣連接的象素電極41。
下一步，如圖8(F)所示，在第2層間絕緣膜52的表面?zhèn)刃纬珊谏目刮g層后，留下該抗蝕劑形成隔擋層bank，使其包圍形成發(fā)光元件40的空穴注入層42及有機(jī)半導(dǎo)體膜43從而可構(gòu)成發(fā)光區(qū)域的整個(gè)區(qū)域。其中，有機(jī)半導(dǎo)體膜43，在對(duì)每個(gè)象素獨(dú)立地例如按盒狀形成、或沿?cái)?shù)據(jù)線sig按條紋狀形成等任何情況下，都只須采用本形態(tài)的制造方法形成形狀與之對(duì)應(yīng)的隔擋層bank即可。
接著，從噴墨頭IJ對(duì)隔擋層bank的內(nèi)側(cè)區(qū)域噴射用于構(gòu)成空穴注入層42的液狀材料(前體)，并在隔擋層bank的內(nèi)側(cè)區(qū)域形成空穴注入層42。同樣，從噴墨頭IJ對(duì)隔擋層bank的內(nèi)側(cè)區(qū)域噴射用于構(gòu)成有機(jī)半導(dǎo)體膜43的液狀材料(前體)，并在隔擋層bank的內(nèi)側(cè)區(qū)域形成有機(jī)半導(dǎo)體膜43。這里，由于隔擋層bank由抗蝕劑構(gòu)成，所以具有防水性。與此不同，有機(jī)半導(dǎo)體膜43的前體采用親水性的溶劑，所以有機(jī)半導(dǎo)體膜43的涂敷區(qū)域由隔擋層bank可靠地限定，使其不會(huì)超出范圍而延伸到鄰接的象素。因此，可以使有機(jī)半導(dǎo)體膜43等只在規(guī)定的區(qū)域內(nèi)形成。但是，如果預(yù)先使由隔擋層bank構(gòu)成的間隔壁為1μm左右的高度，則即使隔擋層bank不具有防水性，隔擋層bank也能充分地起到間隔壁的作用。在形成隔擋層bank后，即使空穴注入層42及有機(jī)半導(dǎo)體膜43不是用噴墨法而是用涂敷法形成時(shí)，也仍能限定其形成區(qū)域。
這樣，在用噴墨法形成有機(jī)半導(dǎo)體膜43及空穴注入層42的情況下，為提高其工作效率，如圖3所示，在本形態(tài)中，在沿著掃描線gate的延伸方向鄰接的任何象素區(qū)域7之間，使上述有機(jī)半導(dǎo)體膜43的形成區(qū)域的中心距P都相等。因此，如箭頭Q所示，只須將有機(jī)半導(dǎo)體膜43的材料等沿著掃描線gatc的延伸方向按等間隔的位置從噴墨頭IJ噴出即可，所以具有工作效率高的優(yōu)點(diǎn)。另外，由于噴墨頭IJ可等間距地移動(dòng)，所以，使噴墨頭IJ的移動(dòng)機(jī)構(gòu)變得簡(jiǎn)單，且易于提高噴墨頭IJ的噴射精度。
然后，如圖8(G)所示，在透明襯底10的整個(gè)表面上、或按條紋狀形成對(duì)置電極op。因隔擋層bank由黑色的抗蝕劑構(gòu)成，所以，如下文所述，保持其原有狀態(tài)即可用作黑底BM及減低寄生電容用的絕緣層。
在圖1所示的數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)電路3和掃描側(cè)驅(qū)動(dòng)電路4中也形成TFT，這些TFT可以引用在上述象素區(qū)域7內(nèi)形成TFT時(shí)的全部或一部分工序形成。因此，構(gòu)成驅(qū)動(dòng)電路的TFT，也可以在與象素區(qū)域7的TFT相同的層間形成。
另外，上述第1TFT20及第2TFT30，可以兩個(gè)都是N型、兩個(gè)都是P型、或者一個(gè)是N型而另一個(gè)是P型，無論是上述哪一種組合，都可以用眾所周知的方法形成TFT，所以其說明省略。
作為發(fā)光元件40，有時(shí)將空穴注入層42省去，盡管這將使發(fā)光效率(空穴注入率)稍有降低。此外，有時(shí)還代替空穴注入層42而在與空穴注入層42相反的一側(cè)對(duì)有機(jī)半導(dǎo)體膜43形成電子注入層，在某些情況下，空穴注入層42和電子注入層，也可以兩者都形成。
(隔擋層的形成區(qū)域)在本形態(tài)中，在圖1所示的透明襯底10的整個(gè)周邊區(qū)域上形成上述隔擋層bank(在形成區(qū)域上畫有斜線)。因此，數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)電路3和掃描側(cè)驅(qū)動(dòng)電路4，都被隔擋層bank覆蓋。所以，即使是在對(duì)置電極op重疊于兩個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的形成區(qū)的狀態(tài)下，在驅(qū)動(dòng)電路的配線層與對(duì)置電極op之間也存在著隔擋層bank。因此，由于能夠防止在驅(qū)動(dòng)電路3、4內(nèi)產(chǎn)生寄生電容，所以，可以減低驅(qū)動(dòng)電路3、4的負(fù)荷，并能降低耗電量或使顯示動(dòng)作高速化。
另外，在本形態(tài)中，如圖3～圖5所示，形成有覆蓋數(shù)據(jù)線sig的隔擋層bank。因此，在數(shù)據(jù)線sig與對(duì)置電極op之間存在著隔擋層bank，所以能防止在數(shù)據(jù)線sig內(nèi)產(chǎn)生寄生電容。其結(jié)果是，可以減低數(shù)據(jù)側(cè)驅(qū)動(dòng)電路3的負(fù)荷，因而能降低耗電量或使顯示動(dòng)作高速化。
進(jìn)一步，在本形態(tài)中，如圖3、圖4和圖6(A)所示，在象素電極41的形成區(qū)域中與中繼電極35重疊的區(qū)域上也形成著隔擋層bank。如圖6(B)所示，例如在與中繼電極35重疊的區(qū)域上沒有設(shè)置隔擋層bank，則即使與對(duì)置電極op之間流過驅(qū)動(dòng)電流而使有機(jī)半導(dǎo)體膜43發(fā)光，該光也被封擋在中繼電極35與對(duì)置電極op之間而不能向外部射出，因而對(duì)顯示不起作用。在這種對(duì)顯示不起作用的部分上流過的驅(qū)動(dòng)電流，從顯示的角度看，可稱作無功電流。然而，在本形態(tài)中，在若是以往本應(yīng)流過這種無功電流的部分上形成隔檔層bank，以防止驅(qū)動(dòng)電流流過該部分，所以，可以防止無功電流流過公用供電線com。因此，可以相應(yīng)地減小公用供電線com的寬度，例如，在本形態(tài)中，在公用供電線com上，與數(shù)據(jù)線sig不同，要求流過用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件40的大的電流，而且對(duì)2列象素供給驅(qū)動(dòng)電流。因此，對(duì)公用供電線com來說，雖然以與數(shù)據(jù)線sig相同的材料構(gòu)成，但將其線寬設(shè)定得大于數(shù)據(jù)線sig的線寬，所以公用供電線com的每單位長度的電阻值，小于數(shù)據(jù)線sig的每單位長度的電阻值。因此，在本形態(tài)中，通過抑制上述無功電流流過公用供電線com，可以將公用供電線com的線寬減小到所需要的最低限度的線寬，所以，可以使象素區(qū)域7的發(fā)光面積增加，并能使亮度、對(duì)比度等顯示性能得到改進(jìn)。
另外，當(dāng)以如上所述的方式形成隔擋層bank時(shí)，可將隔擋層bank用作黑底，并能提高對(duì)比度等顯示的品位。即，在本形態(tài)的顯示裝置1中，在透明襯底10的表面?zhèn)?，使?duì)置電極op在象素區(qū)域7的整個(gè)表面、或在一個(gè)寬的區(qū)域上按條紋狀形成，所以來自對(duì)置電極op的反射光將使對(duì)比度降低。然而，在本形態(tài)中，由于用黑色的抗蝕劑構(gòu)成了擔(dān)負(fù)著防止寄生電容的功能的隔擋層bank，所以隔擋層bank還起著黑底的作用并遮擋來自對(duì)置電極op的反射光，因而使對(duì)比度提高。
在上述形態(tài)中，在公用供電線com的兩側(cè)分別配置與該公用供電線com之間有驅(qū)動(dòng)電流流動(dòng)的象素區(qū)域7，并使2條數(shù)據(jù)線sig相對(duì)于該象素區(qū)域7而在與上述公用供電線相對(duì)的一側(cè)并列通過。所以，在2條數(shù)據(jù)線sig之間有可能發(fā)生串?dāng)_。因此，如圖9、圖10(A)、(B)所示，在本形態(tài)中，在與2條數(shù)據(jù)線sig之間相當(dāng)?shù)奈恢蒙闲纬筛綦x配線層DA。作為該隔離配線層DA，例如，可以利用與象素電極41同時(shí)形成的ITO膜DA1。此外，也可以構(gòu)成從電容線cline延伸到2條數(shù)據(jù)線sig之間的延伸部分DA2，作為該隔離配線層DA。也可以將這兩者都用作隔離配線層DA。
當(dāng)采用這種結(jié)構(gòu)時(shí)，由于在并列的2條數(shù)據(jù)線sig之間配置著與其不同的配線層DA，所以，只須在圖象的至少一個(gè)水平掃描周期中使上述配線層DA(DA1、DA2)保持固定電位，即可防止發(fā)生上述的串?dāng)_。即，第1層間絕緣膜51及第2層間絕緣膜52，膜厚約為1.0μm，而2條數(shù)據(jù)線sig的2條的間隔約在2μm以上，所以，與各數(shù)據(jù)線sig和隔離配線層DA(DA1、DA2)之間構(gòu)成的電容相比，完全可以將2條數(shù)據(jù)線sig之間構(gòu)成的電容忽略。因此，從數(shù)據(jù)線sig漏泄的高頻信號(hào)被隔離配線層DA吸收，所以能夠防止在2條數(shù)據(jù)線sig之間發(fā)生的串?dāng)_。
在上述形態(tài)中，為構(gòu)成保持電容cap而形成了電容線cline(電容電極)，但如在現(xiàn)有技術(shù)中所說明過的那樣，也可以利用構(gòu)成TFT用的多晶硅膜構(gòu)成保持電容cap。
另外，如圖11所示，也可以在公用供電線com和電位保持電極st之間構(gòu)成保持電容cap。在這種情況下，如圖12(A)、(B)所示，只須將用于使電位保持電極st與柵電極31電氣連接的柵電極31的延伸部分310擴(kuò)展到公用供電線com的下層側(cè)并構(gòu)成以位于該延伸部分310和公用供電線com之間的第1層間絕緣膜51為電介質(zhì)膜的保持電容cap即可。
發(fā)明的可利用性如上所述，本發(fā)明的顯示裝置的特征在于，在數(shù)據(jù)線與對(duì)置電極之間、或在驅(qū)動(dòng)電路與對(duì)置電極之間形成用于限定構(gòu)成發(fā)光元件的有機(jī)半導(dǎo)體膜的形成區(qū)域的絕緣性隔擋層。因此，即使形成與數(shù)據(jù)線或驅(qū)動(dòng)電路重疊的對(duì)置電極，也能防止在數(shù)據(jù)線或驅(qū)動(dòng)電路的配線層內(nèi)產(chǎn)生寄生電容。其結(jié)果是，可以減低驅(qū)動(dòng)電路的負(fù)荷，同時(shí)能實(shí)現(xiàn)圖象信號(hào)的高頻化。
權(quán)利要求
1．一種顯示裝置，在襯底上，具有多條掃描線、在與該掃描線的延伸方向交叉的方向上延伸的多條數(shù)據(jù)線、與該數(shù)據(jù)線并列配置的多條公用供電線、及由上述數(shù)據(jù)線和上述掃描線按矩陣狀形成的象素區(qū)域，在該各象素區(qū)域內(nèi)，具有通過上述掃描線在第1柵電極上供給掃描信號(hào)的第1薄膜晶體管、用于保持從上述數(shù)據(jù)線通過該第1薄膜晶體管供給的圖象信號(hào)的保持電容、在第2柵電極上供給由該保持電容保持的上述圖象信號(hào)的第2薄膜晶體管、及發(fā)光元件，該發(fā)光元件在上述每個(gè)象素區(qū)域內(nèi)形成的象素電極和橫跨上述數(shù)據(jù)線并與多個(gè)上述象素電極對(duì)應(yīng)的對(duì)置電極的層間備有當(dāng)上述象素電極通過上述第2薄膜晶體管與上述公用供電線電氣連接時(shí)借助于在上述象素電極和上述對(duì)置電極之間流過的驅(qū)動(dòng)電流而發(fā)光的有機(jī)半導(dǎo)體膜，該顯示裝置的特征在于上述有機(jī)半導(dǎo)體膜中的發(fā)光區(qū)域，被由厚度大于上述有機(jī)半導(dǎo)體膜的絕緣膜構(gòu)成的隔擋層包圍，同時(shí)，在結(jié)構(gòu)上使該隔擋層覆蓋上述數(shù)據(jù)線的至少一部分。
2．根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于在上述襯底上，與上述多個(gè)象素區(qū)域一起形成對(duì)上述數(shù)據(jù)線輸出上述圖象信號(hào)的第1驅(qū)動(dòng)電路和對(duì)上述掃描線輸出上述掃描信號(hào)的第2驅(qū)動(dòng)電路中的至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路，同時(shí)，該驅(qū)動(dòng)電路由上述隔擋層覆蓋。
3．一種顯示裝置，在襯底上，具有多條掃描線、在與該掃描線的延伸方向正交的方向上延伸的多條數(shù)據(jù)線、與該數(shù)據(jù)線并列配置的多條公用供電線、對(duì)上述數(shù)據(jù)線輸出上述圖象信號(hào)的第1驅(qū)動(dòng)電路和對(duì)上述掃描線輸出上述掃描信號(hào)的第2驅(qū)動(dòng)電路中的至少一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路、及由上述數(shù)據(jù)線和上述掃描線按矩陣狀形成的象素區(qū)域，在該各象素區(qū)域內(nèi)，具有通過上述掃描線在第1柵電極上供給掃描信號(hào)的第1薄膜晶體管、用于保持從上述數(shù)據(jù)線通過該第1薄膜晶體管供給的圖象信號(hào)的保持電容、在第2柵電極上供給由該保持電容保持的上述圖象信號(hào)的第2薄膜晶體管、及發(fā)光元件，該發(fā)光元件在上述每個(gè)象素區(qū)域內(nèi)形成的象素電極和橫跨上述數(shù)據(jù)線并與多個(gè)上述象素電極對(duì)應(yīng)的對(duì)置電極的層間備有當(dāng)上述象素電極通過上述第2薄膜晶體管與上述公用供電線電氣連接時(shí)借助于在上述象素電極和上述對(duì)置電極之間流過的驅(qū)動(dòng)電流而發(fā)光的有機(jī)半導(dǎo)體膜，該顯示裝置的特征在于上述有機(jī)半導(dǎo)體膜中的發(fā)光區(qū)域，被由厚度大于上述有機(jī)半導(dǎo)體膜的絕緣膜構(gòu)成的隔擋層包圍，同時(shí)，在結(jié)構(gòu)上使該隔擋層覆蓋上述驅(qū)動(dòng)電路。
4．根據(jù)權(quán)利要求1～3中的任何一項(xiàng)所述的顯示裝置，其特征在于上述有機(jī)半導(dǎo)體膜，是用噴墨法在由上述隔擋層包圍的區(qū)域內(nèi)形成的膜，上述隔擋層，是具有防水性的膜。
5．根據(jù)權(quán)利要求1～3中的任何一項(xiàng)所述的顯示裝置，其特征在于上述有機(jī)半導(dǎo)體膜，是用噴墨法在由上述隔擋層包圍的區(qū)域內(nèi)形成的膜，上述隔擋層的膜厚在1μm以上。
6．根據(jù)權(quán)利要求1～5中的任何一項(xiàng)所述的顯示裝置，其特征在于上述象素電極形成區(qū)域中與上述第1薄膜晶體管和上述第2薄膜晶體管重疊的區(qū)域，由上述隔擋層覆蓋。
7．根據(jù)權(quán)利要求1～6中的任何一項(xiàng)所述的顯示裝置，其特征在于上述隔擋層由黑色的抗蝕膜構(gòu)成。
8．根據(jù)權(quán)利要求1～7中的任何一項(xiàng)所述的顯示裝置，其特征在于上述公用供電線的每單位長度的電阻值，小于上述數(shù)據(jù)線的每單位長度的電阻值。
9．根據(jù)權(quán)利要求1-7中的任何一項(xiàng)所述的顯示裝置，其特征在于上述公用供電線和上述數(shù)據(jù)線的材料及膜厚相同，且上述公用供電線的線寬大于上述數(shù)據(jù)線的線寬。
10．根據(jù)權(quán)利要求1～9中的任何一項(xiàng)所述的顯示裝置，其特征在于將與上述公用供電線之間進(jìn)行上述驅(qū)動(dòng)電流的通電的象素區(qū)域配置在該公用供電線的兩側(cè)，并使上述數(shù)據(jù)線相對(duì)于該象素區(qū)域而在與上述公用供電線相對(duì)的一側(cè)通過。
11．根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其特征在于在與相對(duì)于上述象素區(qū)域而在上述公用供電線的相對(duì)一側(cè)通過的2條數(shù)據(jù)線之間相當(dāng)?shù)奈恢蒙闲纬膳渚€層。
12．根據(jù)權(quán)利要求1～11中的任何一項(xiàng)所述的顯示裝置，其特征在于在沿著上述掃描線的延伸方向鄰接的任何象素區(qū)域之間，使上述有機(jī)半導(dǎo)體膜的形成區(qū)域的中心距都相等。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供一種可以利用在襯底上限定有機(jī)半導(dǎo)體膜的形成區(qū)域用的隔擋層防止在數(shù)據(jù)線或驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)產(chǎn)生寄生電容的顯示裝置。當(dāng)在象素區(qū)域(7)內(nèi)形成用于構(gòu)成電致發(fā)光元件或LED元件之類的發(fā)光元件的有機(jī)半導(dǎo)體膜時(shí),在其周圍形成看由黑色的抗蝕劑構(gòu)成的隔擋層(bank)。在向象素區(qū)域7的第1TFT(20)及保持電容(cap)供給圖象信號(hào)的數(shù)據(jù)線(sig)和對(duì)置電極(op)之間,也形成該隔擋層(bank),用以防止在數(shù)據(jù)線(Sig)內(nèi)產(chǎn)生寄生電容。
文檔編號(hào)H01L27/00GK1237258SQ9880121
公開日1999年12月1日 申請(qǐng)日期1998年7月1日 優(yōu)先權(quán)日1997年7月2日
發(fā)明者小澤德郎 申請(qǐng)人:精工愛普生株式會(huì)社