專利名稱：形成布線圖案的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種形成布線圖案的方法。本發(fā)明尤其涉及一種形成布線圖案的方法，在這種方法中，通過提起技術(shù)，形成精細(xì)的布線圖案，用于諸如半導(dǎo)體裝置、高頻集成電路等各種電子元件中。


圖1A到1E中示出根據(jù)通常所使用的提起技術(shù)的形成布線圖案的方法。在基片1上形成布線圖案4的傳統(tǒng)的方法中(圖1A)，在將負(fù)性光致抗蝕劑2a施加到基片1上后(如圖1B)，光致抗蝕劑2a通過光掩模(圖中未示)暴露于UV射線(I-射線)。負(fù)性的光致抗蝕劑2a的曝光的區(qū)域變得不溶解。相應(yīng)地，當(dāng)光致抗蝕劑顯像時(shí)，未曝光的區(qū)域從基片1分離，只有曝光的區(qū)域保留，從而形成如圖1C中所示的倒梯形抗蝕劑圖案2。結(jié)果，通過真空鍍膜或?yàn)R射，將電極材料4a以薄膜形狀通過抗蝕圖案2施加在基片1上，從而如圖1D所示，電極材料4a以薄膜的形狀沉淀在抗蝕圖案2上，同時(shí)通過抗蝕圖案2的開口3，沉淀在基片1上。此后，將基片浸泡在分離液中，從而使抗蝕圖案2從基片1中分離。在抗蝕圖案2上的電極材料4a與抗蝕圖案2-起分離，由此，得到如圖1E所示的布線圖案4。
在如上所述的布線形成處理中，考慮到電極材料4a的提起性能(即，為了使抗蝕圖案2上的電極材料4a和基片1上的電極完全分離)，將光致抗蝕劑2a的厚度設(shè)置在比理想的布線薄膜厚度更大的值，并且將真空鍍膜方法(其中微粒豎直射入性能高)或低壓濺射方法(其中通過使基底—目標(biāo)的距離變長而增強(qiáng)豎直射入性能)等方法用作薄膜形成處理。另外，由于在大約140℃的溫度下的熱破壞，使抗蝕圖案2變形。如上所述的抗蝕圖案2的變形使電極材料4a的提起性能明顯惡化，并且減小了變形圖案4的圖案精度。相應(yīng)地，當(dāng)形成布線圖案4的薄膜時(shí)，通常，不加熱基片就進(jìn)行薄膜的形成處理。
但是在形成厚度超過2μm的布線圖案的處理中，取相對長的時(shí)間形成薄膜。相應(yīng)地，雖然基片在薄膜形成過程中未加熱，但是基片的溫度升高到大約一百幾十℃-200℃，因?yàn)樗艿絹碜咱釄搴湍繕?biāo)的輻射熱、等離子(在薄膜形成時(shí)產(chǎn)生)等等的影響，從而抗蝕圖案受到影響或扭曲。另外，對于薄膜形成微粒它們本身，由于溫度的升高，晶粒長大變得旺盛了，從而使布線圖案的尺寸精度惡化。另外，由于晶粒的長大，在光致抗蝕劑和基片上的電極材料相互接觸，變得難以提起光致抗蝕劑上的電極材料。
另一方面，由于抗蝕圖案具有大的厚度(不小于2μm)，氣體從抗蝕圖案釋放，這是由當(dāng)電極材料形成為薄膜時(shí)溫度升高引起的，從而抗蝕劑本身容易收縮或扭曲?？刮g劑圖案的收縮或扭曲影響了布線圖案的尺寸精度。另外，從抗蝕圖案釋放氣體減小了薄膜形成裝置中的真空度。從而薄膜形成微粒散開或轉(zhuǎn)到抗蝕劑的側(cè)面。由此，不能提起抗蝕劑上的電極材料。
只考慮在電極材料的薄膜形成過程中引起的溫度的升高，可以通過使重復(fù)薄膜形成處理間隙地停止，讓薄膜接受冷卻，由此形成厚膜圖案，避免溫度的升高。但是，這需要大量處理時(shí)間，這是實(shí)際應(yīng)用中的一個(gè)問題。
本發(fā)明可以解決傳統(tǒng)技術(shù)中有關(guān)提起技術(shù)的上述問題，并通過提起技術(shù)，實(shí)現(xiàn)形成具有更高精度的布線圖案。
形成布線圖案的方法包含步驟在基片形成具有抑制收縮效應(yīng)的抗蝕圖案；通過烘焙抗蝕圖案將氣體從抗蝕圖案中釋放出來；在基片以及抗蝕圖案上形成電極材料薄膜，同時(shí)將基片的溫度保持在低于抗蝕圖案的烘焙溫度；通過將抗蝕圖案從基片上分離，去除抗蝕圖案上的電極材料。
為了描述本發(fā)明的目的，在附圖中示出了幾種形式，它們是目前較好的，但是應(yīng)該知道，本發(fā)明不限于圖中所示的精確的安排和手段。
圖1A到1E示出根據(jù)傳統(tǒng)的提起方法形成布線圖案的處理。
圖2A到2F示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的形成布線圖案的處理。
圖3是用于上述實(shí)施例中的光刻處理中的光掩模的平面圖。
圖4是截面圖，示出用于相同的實(shí)施例中的薄膜形成處理中的真空鍍膜裝置的輪廓。
圖5A到5F示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的形成布線圖案的處理。
圖6是示出在圖5B的步驟中，在基片表面上所形成的抗蝕圖案的平面圖。
圖7是示出用于上述實(shí)施例的薄膜形成處理中的并列平板濺射裝置的截面圖。
根據(jù)本發(fā)明的較佳實(shí)施例，形成布線圖案的方法包含步驟在基片上形成具有抑制收縮效應(yīng)的抗蝕圖案，通過烘焙抗蝕圖案，將氣體從抗蝕圖案釋放，在基片和抗蝕圖案上以薄膜形成電極材料，同時(shí)將基片的溫度保持得低于抗蝕圖案的烘焙溫度，通過將抗蝕圖案從基片分離，去掉抗蝕圖案上的電極材料。
按照這種方法，抑制具有抑制收縮效應(yīng)的抗蝕圖案在烘焙過程中發(fā)生收縮。這樣，能夠增強(qiáng)布線圖案的精度。另外，根據(jù)本發(fā)明，在烘焙了抗蝕圖案后，電極材料在低于烘焙溫度的基片溫度形成為薄膜。相應(yīng)地，抑制了在形成電極材料薄膜過程中氣體從抗蝕圖案放出，并且抑制了由要沉淀在基片上的電極材料形成的浮動(dòng)微粒的散開，這種散開可能是由從抗蝕圖案釋放的氣體引起的。因此可以加強(qiáng)布線圖案的圖案精度。
另外，在形成電極材料薄膜之前，預(yù)先烘焙抗蝕圖案，從而充分釋放氣體。相應(yīng)地，在形成電極材料薄膜過程中，抑制氣體從抗蝕圖案釋放，由此防止由電極材料形成的浮動(dòng)微粒轉(zhuǎn)向碰到抗蝕圖案側(cè)上。因此，防止了當(dāng)通過提起技術(shù)形成布線圖案時(shí)出現(xiàn)的提起性能惡化。另外，由于在薄膜形成過程中的基片溫度低于抗蝕圖案的烘焙溫度，故可以抑制要形成在基片上的薄膜的電極材料的晶粒長大。即，可以防止由晶粒長大引起的提起性能的惡化以及布線圖案精度的降低。
結(jié)果，根據(jù)本發(fā)明，形成在抗蝕圖案以及抗蝕圖案開口中的電極材料可以被安全地分離。可以成功地提起沉淀在抗蝕薄膜上的電極材料。能夠通過提起技術(shù)形成布線圖案。另外，增加了布線圖案的圖案精度。
在形成布線的方法中，抗蝕圖案的烘焙溫度最好是從100℃到120℃，并且在形成電極材料薄膜過程中的基片溫度最好高到100℃。
當(dāng)抗蝕圖案的烘焙溫度低于100℃時(shí)，氣體無法充分地從抗蝕圖案中釋放。當(dāng)溫度高于120℃時(shí)，熱有可能使抗蝕圖案變形。在形成電極材料薄膜過程中，基片溫度(如果它高于100℃)有可能高于或在烘焙溫度附近。相應(yīng)地，保留在抗蝕薄膜中的氣體有可能從那里釋放。相應(yīng)地，希望抗蝕圖案的烘焙溫度是從100℃到120℃。另外，希望在形成電極材料時(shí)的基片溫度高到100℃。
按照這種方法，可以在減壓環(huán)境中進(jìn)行抗蝕圖案的烘焙。必須在烘焙抗蝕圖案的過程中充分釋放氣體，從而在后面的薄膜形成步驟中不釋放氣體。通常，在大氣壓力下進(jìn)行烘焙。在基片周圍的壓強(qiáng)減小的狀態(tài)下進(jìn)行烘焙的情況下，可以加速氣體從抗蝕圖案中釋放出來。
可以為緊固件或在形成電極材料薄膜的步驟中支撐基片的零件設(shè)置冷卻裝置。如果可以通過基片支撐件冷卻基片，則防止基片溫度在形成薄膜過程中升高。由此，可以抑制由基片溫度的升高引起的氣體從抗蝕圖案釋放，以及薄膜形成微粒的晶粒長大。還可以增加提起性能和圖案精度。
或者，可以在形成電極材料薄膜的步驟中，在基片的背面上設(shè)置具有高熱容量的材料。設(shè)置在基片的背面上的具有高熱容量的材料作為散熱器，它防止基片的溫度升高。可以抑制由基片溫度的升高引起的氣體從抗蝕圖案的釋放以及背面形成微粒的晶粒長大?？梢赃M(jìn)一步增加提起性能和圖案精度。
由于從抗蝕圖案釋放的氣體的量可以根據(jù)體積的減小而減少，故可以通過使抗蝕圖案的體積最小化得到具有抑制收縮效應(yīng)的抗蝕圖案。
例如，通過由其圖案的寬度不大于分辨率極限的光掩模曝光，以及在抗蝕圖案的表面中形成凹度以抑制抗蝕薄膜收縮，抗蝕圖案可以反映出抑制收縮效應(yīng)。
當(dāng)通過圖案的寬度不大于分辨率極限的光掩模進(jìn)行曝光時(shí)，曝光不充分，從而可以在抗蝕圖案的表面中形成凹槽或凹度，但不達(dá)到其背面?zhèn)取Ｓ纱?，可以用簡單的方法形成具有減小的體積和抗蝕薄膜抑制收縮效應(yīng)的圖案。另外，可以通過增加抗蝕圖案表面，放大氣體釋放表面。因而，可以使氣體的釋放更為積極，相應(yīng)地，可以抑制剩余的氣體在電極材料的薄膜形成過程中釋放出來。
或者，通過形成抗蝕圖案，以便包圍基片上的形成布線圖案的區(qū)域，使抗蝕圖案表現(xiàn)出抑制收縮效應(yīng)。
當(dāng)形成抗蝕圖案，以便包圍基片上布線圖案形成區(qū)域時(shí)，可以充分地使抗蝕抗蝕圖案面積最小化，由此，可以減小從抗蝕圖案釋放的氣體的量，并可以減少抗蝕圖案的扭曲和收縮。在這種情況下，電極材料沉淀在布線圖案形成區(qū)域以外的區(qū)域中。相應(yīng)地，在后面的處理中去掉不必要的電極材料。
下面，參照附圖，更為詳細(xì)地解釋本發(fā)明的較佳實(shí)施例。
第一實(shí)施例圖2A到2F是描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的布線圖案形成方法的附圖。這個(gè)實(shí)施例使用了(Zn，Sn)TiO4(ZrxSn1-xTiO4)基片11(圖2A)。在基片11上，以2000rpm旋轉(zhuǎn)涂敷光敏化學(xué)放大型負(fù)性抗蝕劑12a(ZPN-1100由NipponZeon Co.，Ltd.生產(chǎn))，薄膜厚度為5μm，并預(yù)先在90℃，在加熱板上烘焙90秒。
隨后，形成在基片11上的抗蝕薄膜12a通過光掩模13曝光于紫外線(I-ray)。在這種情況下，使用與普通情況相比的過渡曝光。如圖3中所示，這里所使用的光掩模13包含形成在要去掉抗蝕薄膜12a的區(qū)域內(nèi)的遮蔽圖案14b(由斜線條表示)，它的線寬(5-200μm)不小于曝光的分辨率極限，還有遮蔽圖案14a，用于形成凹槽，如下面將更為詳細(xì)地描述的，它的線寬(1μm)不大于分辨率極限。對于曝光，使用1/5還原投影曝光裝置。曝光為80mJ/cm2。
然后，將基片11放置在具有加熱器的真空室中，在100℃溫度下，以2×10-3Pa或更低的真空中烘焙10分鐘，用強(qiáng)堿顯像劑顯像，清洗，并用N2吹煉干燥，這導(dǎo)致在基片11上形成抗蝕圖案12。在這種情況下，形成在基片11上的抗蝕圖案12由三類狀態(tài)構(gòu)成，即，“抗蝕薄膜12a完全分解的區(qū)域”(相應(yīng)于上述遮蔽圖案14b)、“抗蝕薄膜12a未全部分解區(qū)域15a”(相應(yīng)于光掩模13的光可傳送部分14c)、以及“抗蝕薄膜12a未全部分解以及部分溶解區(qū)域15b(相應(yīng)于上述遮蔽圖案14a)。
抗蝕薄膜12a完全分解和去掉的區(qū)域是UV射線完全被光掩模13a(其線寬不小于分辨率極限)的遮蔽圖案14b攔截的區(qū)域?？刮g薄膜12a未完全分解的區(qū)域15a是通過光掩模13的光可傳送部分14c曝光的區(qū)域。抗蝕薄膜12a未完全分解和部分溶解的區(qū)域15b是UV射線被線寬不大于UV射線分辨率極限的遮蔽圖案14a打斷的區(qū)域。區(qū)域形成得具有梳形形狀，它包含其深度不達(dá)到基片11的深的窄的凹槽，并且表面為波形(在下文中，由不打穿到背面?zhèn)壬系纳畹恼陌疾蹣?gòu)成的波形圖案將被稱為啞圖案)。如此產(chǎn)生的抗蝕薄膜圖案12具有倒梯形圖案。厚度T為5μm，一側(cè)上的開口的寬度S為400μm。
在這個(gè)實(shí)施例中，通過在應(yīng)該最初曝光的區(qū)域中形成線寬不大于分辨率極限的遮蔽圖案14a，并且照射UV射線部分地溶解抗蝕薄膜12a，從而曝光區(qū)域的截面為梳形形狀，以形成啞圖案，和通常的抗蝕圖案相比，可以減小抗蝕圖案12的體積。由此，可以減小從抗蝕圖案12釋放的氣體的量。另外，可以減小由抗蝕圖案12的去氣引起的抗蝕圖案12的收縮和扭曲?？刮g圖案具有抑制收縮效應(yīng)，這由啞圖案的存在導(dǎo)致。另外，由于在抗蝕圖案12的表面中形成有截面為梳形形狀的啞圖案，從而抗蝕圖案12的表面積增加，故抗蝕圖案12的氣體的釋放區(qū)域增加。另外，在抗蝕圖案12的烘焙處理中，以相對高的溫度加熱抗蝕圖案12。由此，氣體可以在烘焙處理中完全從抗蝕圖案12中去除。如上所述，從抗蝕圖案12釋放的氣體的絕對值減小，并且氣體在烘焙處理中完全從抗蝕圖案12中去掉。相應(yīng)地，可以顯著地減小在后來的電極材料薄膜形成處理中從抗蝕圖案12釋放的氣體的量。
希望在減小的氣壓中執(zhí)行烘焙處理。通過在減小的氣壓中烘焙，可以防止釋放的氣體飽和，并且可以加速在烘焙處理中從抗蝕圖案12釋放的氣體。
此后，將基片11放置在真空鍍膜裝置20中，該裝置設(shè)置有水冷卻型基片緊固件23。圖4示出了真空鍍膜設(shè)備20的輪廓。真空室21設(shè)置有抽空通道22，其中真空室中21中的氣體被迫排放。在真空室21的底板上，設(shè)置了一個(gè)坩堝26，用于加熱電極材料以蒸發(fā)，并且在頂上設(shè)置基片緊固件23。在基片緊固件23中，設(shè)置水循環(huán)管道24，從而基片緊固件23可以通過全部在基片緊固件23中的冷卻水的循環(huán)而被強(qiáng)冷卻。
可以將多個(gè)其側(cè)面具有抗蝕圖案形成在其上的多個(gè)基片11面朝下地附著在基片緊固件23的下側(cè)面。安裝到基片緊固件23的基片11安排得與坩堝相對。另外，將由支撐柱28支撐的檔板29設(shè)置在坩堝26和基片緊固件23之間。關(guān)閉檔板29，從而中斷在坩堝76中加熱的電極材料27的蒸發(fā)微粒，或打開檔板29，從而打開了坩堝27和基片緊固件23之間蒸發(fā)微粒的通道。
由此，在將基片11設(shè)置在基片緊固件23上之后，用電子束(圖中示出)對坩堝26中的Ti和Cu加熱。當(dāng)含Cu的坩堝的檔板29關(guān)閉時(shí)，含Ti的坩堝27的檔板29打開，從而蒸發(fā)微粒沉淀在基片11的表面上，從形成厚50nm的，Ti薄膜。隨后，當(dāng)含Ti的坩堝26的檔板29關(guān)閉時(shí)，含Cu的坩堝26的檔反29打開，從而蒸發(fā)微粒沉淀在基片11的表面上，從形成厚4μm的Cu薄膜。在這種情況下，由于使用冷卻水冷卻基片緊固件23，故予以將最大基片溫度溫度控制在95℃。
如上所述，通過真空鍍膜(圖2E)，形成電極材料的薄膜16a(Ti/Cu)，它由厚50nm的Ti制成的下層和厚4μm的由Cu制成的上層構(gòu)成，此后，將基片11浸在丙酮中，從而在抗蝕圖案12上的Ti/Cu薄膜和抗蝕圖案12-起被分開，從而得到理想的精細(xì)的布線圖案16(Cu微帶線)。
形成在基片11的總面上的抗蝕圖案12的體積減小了，這時(shí)由啞圖案引起的，從而和普通的抗蝕圖案相比，從抗蝕圖案23釋放的氣體的絕對量減小。另外，氣體釋放所通過的表面區(qū)域由于啞圖案而增加。相應(yīng)地，在烘焙抗蝕圖案12的過程中，可以將氣體完全從抗蝕圖案12中去除。另外，由于在這個(gè)薄膜形成處理中，基片溫度低于烘焙溫度，幾乎沒有氣件從抗蝕圖案12釋放出來，那里的氣體已經(jīng)在烘賠處理中完全被去掉。
相應(yīng)地，在布線圖案的電極材料16a真空鍍膜的處理中，在真空室21中可以保持高真空，并且禁止真空鍍膜微粒與氣體微粒碰撞和散開。由此，可以禁止蒸氣微粒轉(zhuǎn)向到達(dá)抗蝕圖案12的側(cè)面?？梢苑乐褂捎谵D(zhuǎn)到側(cè)面的蒸氣微粒引起的，沉淀在抗蝕圖案12上的電極材料27連接到基片11上的電極材料27。另外，由于在薄膜形成過程中基片11可以冷卻，從而保持基片11的溫度較低，可以抑制電極材料27的晶粒長大，因此還可以防止母轉(zhuǎn)到側(cè)面的蒸發(fā)微粒引起的，沉淀在抗蝕圖案12上的電極材料27連接到基片11上的電極材料27。相應(yīng)地，實(shí)現(xiàn)了通過提起技術(shù)形成布線圖案16。
另外，由于可以通過冷卻保持基片的溫度較低，故可以禁止抗蝕圖案12的熱破壞。如上所述，由氣體釋放引起的和母熱破壞引起的抗蝕圖案12的惡化可以得到禁止。相應(yīng)地，可以增加通過使用抗蝕圖案12形成的布線圖案16的圖案精度。
本實(shí)施例中使用的抗蝕劑不限于化學(xué)放大型負(fù)性抗蝕劑。任何種類的抗蝕劑，在它實(shí)現(xiàn)可以提起的形狀的條件下，是予從使用的。曝光系統(tǒng)不限于還原投影曝光。任何曝光系統(tǒng)，只要通過它可從得到理想的分辨率，都給出類似的效果。薄膜形成方法不限于真空鍍膜。任何系統(tǒng)，只要可以通過它提起是可能的，都可使用?；牧虾筒季€材料不限于上述情況?？梢詰?yīng)用其它不同類型的材料。第二實(shí)施例圖5A到5F是描述根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，使用藍(lán)寶石基片31(圖5A)，形成布線圖案的方法的示圖。首先，在基片31上放置涂敷正性型抗蝕劑(AZ1500由Clariant生產(chǎn))。然后，通過使用氮苯技術(shù)的光刻，印刷抗蝕劑，從而形成抗蝕劑圖案32，其截面為倒梯形，厚度T為3μm，并且一側(cè)上的開口度S是200μm(圖5B)。在這個(gè)光刻處理中，使用h射線(405nm)做為曝光源。曝光為120mV/cm2。氯笨的液體溫度為30℃，具有抗蝕劑的基片31被浸被15分鐘。
圖6示出抗蝕圖案32的平面圖(圖5中所示的抗蝕圖案32的寬度比圖6所示的抗蝕圖案32的更寬)。在通常由提開技術(shù)產(chǎn)生的抗蝕圖案32中，只有電極形成區(qū)域是打開的，而在其它區(qū)域，抗蝕圖案32被保住。但是，在本實(shí)施例中，在電極形成區(qū)域31a中，抗蝕圖案32打開，同時(shí)，保留抗蝕圖案32將電極形成區(qū)域31a包圍在其薄的寬度中。在另外的區(qū)域31b(包含沒有形成電極的區(qū)域)中，打開或去掉抗蝕圖案32。按照這種方法，可以獲得抗蝕圖案32的面積和體積大大減小的結(jié)構(gòu)的抗蝕圖案32。理想的，將抗蝕圖案32的寬度設(shè)置得盡可能小，在其范圍中，沒有由于圖案強(qiáng)度的減弱而發(fā)生圖案的塌毀。
接著，將基片31設(shè)置在加熱板上，并在120℃烘焙10秒鐘。在這種情況下，氣體充分地從抗蝕圖案32中釋放出來。
然后，將基片31設(shè)置在平行平板濺射裝置40中。圖7示出在這種情況下使用的平行平板濺射裝置40的輪廓。在真空室41中，設(shè)置送氣通道42(Ar氣體通過該通過從恒定的流速流入，和氣體排出通道43(用于將其中的氣體強(qiáng)制排出)。在真空室41的底面上設(shè)置目標(biāo)46，它是電極材料33a。在目標(biāo)46上方設(shè)置基片緊固件44(電極部分)用這樣的方法將多片基片31設(shè)置在基片緊固件44的下側(cè)面，從而每個(gè)基片和基片緊固件44之間夾著由Cu薄片制成，厚10mm的散熱器45。另外，將由支撐柱47支撐的檔板48設(shè)置在目標(biāo)46和基片緊固件44之間。
在將基片31設(shè)置在基片緊固件44上之后，通過將Ti用作目標(biāo)46，在每一個(gè)基片31上沉淀Ti薄膜，薄膜厚度為100nm。然后，在通過將Au用作目標(biāo)46，在Ti薄膜上沉淀Au薄膜，其厚度為2μm(圖5C)?；诒∧ば纬蛇^程中心最大溫度控制為86℃。由于盡可能地減小抗蝕圖案的面積，從抗蝕圖案32釋放的氣體量大大減小。另外，由于基片在薄膜形成過程中的溫度低于抗蝕圖案32的烘焙溫度，故可以禁止氣體從抗蝕圖案32釋放出來。另外，由于將散熱器45設(shè)置在基片31的下面，故來自基片31的熱被散熱器吸收，從而禁止基片31的溫度升高。相應(yīng)地，可以減小在薄膜形成過程中抗蝕圖案32的畸變或收縮，并可以防止由于釋放氣體引起的，電極材料33a的薄膜形成過程中的缺陷。
如上所述，在形成Ti/Au的電極材料薄膜后，將基片31浸泡在有機(jī)溶劑中，使抗蝕圖案32分離，由此提起了抗蝕圖案32上的電極材料33a和抗蝕圖案32。然后再次將抗蝕劑涂敷在基片31的表面上。印刷基片31上的抗蝕劑，從而如此形成抗蝕圖案34，從而它只敷蓋最后需要作為布線圖案的電極材料33a(圖5E)。在用抗蝕圖案34涂敷了必需的電極材料33a的情況下進(jìn)行蝕刻，從而分離了從抗蝕圖案34曝光的不必要的電極材料，由此產(chǎn)生理想的布線圖案(Au接合區(qū))33。
在這個(gè)實(shí)施例中，在薄膜形成中，在形成電極材料薄膜33a之前，在高于基片的溫度的溫度下烘焙抗蝕圖案32，從而在薄膜形成之前進(jìn)行從抗蝕圖案32釋放氣體的處理。相應(yīng)地，防止了在薄膜形成生時(shí)氣體的釋放，并且可以抑制薄膜形成微粒轉(zhuǎn)向到抗蝕圖案32的側(cè)面。另外，由于抗蝕圖案32的面積減小，故可以禁止在烘焙中氣體的釋放引起的，抗蝕圖案32的收縮和畸變。另外，由于在薄膜形成中將具有高熱容量的材料(散熱器45)安裝到基片31，故可以抑制薄膜形成時(shí)溫度的升高，并且可以防治對抗蝕圖案32的熱破壞和薄膜形成微粒的晶粒長大，這改進(jìn)了提起性能。在本實(shí)施例中，由于上述效果的結(jié)合，可以通過提起技術(shù)，形成具有高精度的布線圖案33。
雖然已經(jīng)揭示了本發(fā)明的較佳實(shí)施例，但是實(shí)現(xiàn)這里所揭示的原理的各種模式都在下面的權(quán)利要求的范圍內(nèi)。因此，應(yīng)該知道本發(fā)明的范圍只由權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求
1.一種形成布線圖案的方法，其特征在于包含步驟在基片上形成具有抑制收縮效應(yīng)的抗蝕圖案；通過烘焙抗蝕圖案，使氣體從抗蝕圖案釋放；在基片和抗蝕圖案上形成電極材料薄膜，同時(shí)將基片的溫度保持在低于抗蝕圖案的烘焙溫度；及通過將抗蝕圖案從基片分離，去掉抗蝕圖案上的電極材料。
2.如權(quán)利要求1所述的形成布線圖案的方法，其特征在于抗蝕圖案的烘焙溫度是從100℃到120℃，并且在電極材料薄膜形成時(shí)基片的溫度小于100℃。
3.如權(quán)利要求1所述的形成布線圖案的方法，其特征在于在降壓環(huán)境下進(jìn)行抗蝕圖案的烘焙。
4.如權(quán)利要求1所述的形成布線圖案的方法，其特征在于在形成電極材料薄膜的步驟中為支撐基片的部件提供冷卻裝置。
5.如權(quán)利要求1所述的形成布線圖案的方法，其特征在于在形成電極材料薄膜的步驟中，在基片的背面上設(shè)置高熱容量的材料。
6.如權(quán)利要求1所述的形成布線圖案的方法，其特征在于具有抑制收縮效應(yīng)的抗蝕圖案的體積最小化。
7.如權(quán)利要求6所述的形成布線圖案的方法，其特征在于通過由光掩模對光線曝光，并在抗蝕圖案的表面形成凹度，提供抑制收縮效應(yīng)，所述光掩模圖案的寬度不大于光線的分辨率極限。
8.如權(quán)利要求6所述的形成布線圖案的方法，其特征在于通過形成抗蝕圖案，從而包圍基片上的布線圖案形成區(qū)域，提供抑制收縮效應(yīng)。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種形成布線圖案的方法,其特征在于包含步驟:在基片上形成具有抑制收縮效應(yīng)的抗蝕圖案;通過烘焙抗蝕圖案使氣體從抗蝕圖案中釋放;在基片和抗蝕圖案上形成電極材料薄膜,同時(shí)將基片的溫度保持在低于抗蝕圖案的烘焙溫度;并通過將抗蝕圖案從基片分離,去除抗蝕圖案上的電極材料。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1254945SQ9912582
公開日2000年5月31日 申請日期1999年11月25日 優(yōu)先權(quán)日1998年11月25日
發(fā)明者豐田祐二, 越戶義弘, 藤林桂, 高橋亮一郎, 大川忠行 申請人:株式會(huì)社村田制作所