專利名稱：衛(wèi)星用半導(dǎo)體探測器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種半導(dǎo)體應(yīng)用技術(shù)，尤其是一種衛(wèi)星用半導(dǎo)體探測器。
現(xiàn)有的衛(wèi)星用半導(dǎo)體探測器因其初始表面的粗糙度較低，表面較光潔，因而在作鋰補(bǔ)償時，鋰的附著率較低，電阻率較低的半導(dǎo)體材料的缺陷受主完全補(bǔ)償。另其電極上無電極引線，采用壓接觸法，其抗振動能力差。另現(xiàn)有的探測器的保護(hù)槽表面未作處理，且槽內(nèi)未填以絕緣物質(zhì)；因而其穩(wěn)定性差和噪聲大。
本實用新型的目的在于提供一種采用鋰補(bǔ)償時的鋰附著率高、在較低溫度下擴(kuò)散可減少半導(dǎo)體材料缺陷，具有極好的長期穩(wěn)定性、抗振動、抗干擾能力的衛(wèi)星用半導(dǎo)體探測器。
本實用新型的目的可通過如下措施來實現(xiàn)一種衛(wèi)星用半導(dǎo)體探測器，包括電極、管殼、絕緣墊、硅片；在電極上直接聯(lián)有電極引線，且所述的硅片的初始表面粗糙度為M20-30。另在保護(hù)槽內(nèi)作腐蝕處理，并在保護(hù)槽內(nèi)填以絕緣物質(zhì)。
本實用新型相比現(xiàn)有技術(shù)具有如下優(yōu)點(diǎn)1、本實用新型的硅片的初始表面較粗糙，因而有利于提高鋰的附著率，可使在采用鋰補(bǔ)償時達(dá)到足夠的濃度，擴(kuò)散之后將多余的鋰去掉，去除表面氧化物，可減少可能造成的缺陷，從而可提高探測器的電特性。
2、本實用新型在電極上采用特定工藝，直接聯(lián)接電極引線可提高探測器的抗振動能力。
3、本實用新型在封裝前對保護(hù)槽內(nèi)作腐蝕處理，可提高探測器的穩(wěn)定性和降低噪聲。
本實用新型的具體結(jié)構(gòu)由以下附圖給出

圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖1-電極 2-電極引線 3-管殼 4-絕緣墊5-硅片 6-保護(hù)槽本實用新型還將結(jié)合附圖1實施例作進(jìn)一步詳述參照圖1，一種衛(wèi)星用半導(dǎo)體探測器，包括電極1、管殼3、絕緣墊4、硅片5；在電極1上直接聯(lián)有電極引線2，且所述的半導(dǎo)體探測器5的表面粗糙度為M28。在保護(hù)槽6內(nèi)作酸腐蝕處理，并在保護(hù)槽6內(nèi)填以絕緣物質(zhì)。
權(quán)利要求1.一種衛(wèi)星用半導(dǎo)體探測器，包括電極(1)、管殼(3)、絕緣墊(4)、硅片(5)；其特征在于在電極(1)上直接聯(lián)有電極引線(2)，且所述的硅片(5)的初始表面粗糙度為M20-30。
2.如權(quán)利要求1所述的衛(wèi)星用半導(dǎo)體探測器，其特征在于在所述的保護(hù)槽(6)內(nèi)作腐蝕處理，并在保護(hù)槽(6)內(nèi)填以絕緣物質(zhì)。
專利摘要本實用新型涉及一種衛(wèi)星用半導(dǎo)體探測器,包括電機(jī)、管殼、絕緣墊、硅片;在電極上直接聯(lián)有電極引線,且所述的硅片的初始表面粗糙度為M20—30;本實用新型的鋰附著率高、可減少半導(dǎo)體材料缺陷,在保護(hù)槽內(nèi)作表面處理并在槽內(nèi)填以絕緣物質(zhì);具有極好的長期穩(wěn)定性、抗振動、抗干擾能力。
文檔編號H01L31/0224GK2406339SQ9925617
公開日2000年11月15日 申請日期1999年12月30日 優(yōu)先權(quán)日1999年12月30日
發(fā)明者譚繼廉, 李存璠, 盧子偉, 張金霞, 王柱生 申請人:中國科學(xué)院近代物理研究所