專利名稱：利用始于溝槽側(cè)壁的橫向生長(zhǎng)來(lái)制造氮化鎵半導(dǎo)體層的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到微電子器件和制造方法，尤其涉及到氮化鎵半導(dǎo)體器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
氮化鎵正被廣泛地研究用于微電子器件，這些微電子器件包括，但不局限于，晶體管、場(chǎng)發(fā)射器和光電子器件?？梢岳斫獾氖?，正如這里使用的那樣，氮化鎵還包括氮化鎵的合金，如鋁鎵氮、銦鎵氮和鋁銦鎵氮。
在制造氮化鎵基微電子器件時(shí)，一個(gè)主要問(wèn)題是制造低缺陷密度的氮化鎵半導(dǎo)體層。已知引起缺陷密度的一個(gè)原因是要在其上生長(zhǎng)氮化鎵層的襯底。相應(yīng)地，盡管已經(jīng)在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)了氮化鎵層，但已知借助在自我形成于碳化硅襯底上的氮化鋁緩沖層上生長(zhǎng)氮化鎵層來(lái)降低缺陷密度。雖然已有了這些進(jìn)展，但所有進(jìn)一步降低缺陷密度。
還已知通過(guò)掩模中的窗口來(lái)制造氮化鎵結(jié)構(gòu)。例如，在制造場(chǎng)發(fā)射器陣列的過(guò)程中，已知在條形或圓形圖案化的襯底上選擇性地生長(zhǎng)氮化鎵。例如見(jiàn)Nam等人題為＂利用金屬有機(jī)氣相外延的GaN/AlN/6H-SiC(0001)襯底上的GaN和Al0.2Ga0.8N選擇性生長(zhǎng)(Selective Growth of GaN and Al0.2Ga0.8N on GaN/AlN/6H-SiC(0001)Multilayer Substrates Via Organometallic Vapor PhaseEpitaxy)＂,Proceedings of the Materials Research Society,December 1996，以及＂利用金屬有機(jī)氣相外延圖形化的襯底上的GaN和Al0.2Ga0.8N的生長(zhǎng)(Growth of GaN and Al0.2Ga0.8N on PatterenedSubstrates via Organometallic Vapor Phase Epitaxy)＂,JapaneseJournal of Applied Physics,Vol.36,Part 2,No.5A,May 1997,pp.L532-L535的文章。正如在這些文章中所公開(kāi)的那樣，在一定條件下，可能出現(xiàn)不希望的脊形生長(zhǎng)或橫向過(guò)生長(zhǎng)。
發(fā)明概述因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供制造氮化鎵半導(dǎo)體層的改進(jìn)了的方法以及這樣制造的改進(jìn)了的氮化鎵層。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供能夠制造具有低缺陷密度的氮化鎵半導(dǎo)體層的方法以及這樣制造的氮化鎵半導(dǎo)體層。
根據(jù)本發(fā)明，借助于將一個(gè)下方氮化鎵層的一個(gè)側(cè)壁橫向生長(zhǎng)到該下方氮化鎵層中的一個(gè)溝槽中，從而形成一個(gè)橫向氮化鎵層，而提供了這些和其它的目的。然后可以在這個(gè)橫向氮化鎵層中制作微電子器件。
已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，根據(jù)本發(fā)明，在下方氮化鎵層中，位錯(cuò)缺陷不再明顯地從側(cè)壁橫向傳播到溝槽中，致使橫向氮化鎵半導(dǎo)體層相對(duì)地?zé)o缺陷。在橫向氮化鎵層的生長(zhǎng)過(guò)程中，無(wú)需掩蔽下方氮化鎵層部分，就可以實(shí)現(xiàn)側(cè)壁生長(zhǎng)。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，下方氮化鎵層的一對(duì)側(cè)壁橫向生長(zhǎng)到位于這對(duì)側(cè)壁之間的、下方氮化鎵層中的溝槽中，直至生長(zhǎng)的側(cè)壁在這個(gè)溝槽中會(huì)合。可以用金屬有機(jī)氣相外延(MOVPE)來(lái)橫向生長(zhǎng)橫向氮化鎵半導(dǎo)體層。例如，可以用三乙基鎵(TEG)和氨氣(NH3)等前體，在1000-1100℃和45乇下橫向生長(zhǎng)橫向氮化鎵層。最好是13-39微摩爾/分鐘的TEG和1500sccm的NH3與3000sccm的H2稀釋劑組合使用。在1100℃的溫度和45乇下使用26微摩爾/分鐘的TEG、1500sccm的NH3和3000sccm的H2最佳。下方氮化鎵層最好制作在諸如6H-SiC(0001)之類的襯底上，該類襯底其本身包括一個(gè)位于其上的諸如氮化鋁之類的緩沖層?？梢允褂弥T如藍(lán)寶石之類的其它襯底和諸如低溫氮化鎵之類的其它緩沖層。也可以使用多襯底層和緩沖層。
可以借助于在下方氮化鎵層中制作溝槽來(lái)制作包括側(cè)壁的下方氮化鎵層，從而使溝槽包括側(cè)壁。另外，可以借助于在下方氮化鎵層上制作支柱來(lái)制作側(cè)壁，支柱包括側(cè)壁，并確定溝槽。最好制作一系列交替的溝槽和支柱，以形成多個(gè)側(cè)壁?？梢杂眠x擇性腐蝕、選擇性外延生長(zhǎng)、腐蝕與生長(zhǎng)的組合，或其它技術(shù)制作溝槽和/或支柱。溝槽可以延伸到緩沖層中和到襯底中。
下方氮化鎵層的側(cè)壁橫向生長(zhǎng)進(jìn)入溝槽中，從而形成一個(gè)缺陷密度低于下方氮化鎵層的缺陷密度的橫向氮化鎵層。也可能出現(xiàn)一些縱向生長(zhǎng)。在傳播較低的缺陷密度時(shí)，橫向生長(zhǎng)的氮化鎵層也會(huì)縱向生長(zhǎng)?？v向生長(zhǎng)也可以與橫向生長(zhǎng)同時(shí)發(fā)生。
借助于自橫向氮化鎵層生長(zhǎng)一個(gè)第二氮化鎵半導(dǎo)體層，可以進(jìn)一步降低過(guò)生長(zhǎng)的氮化鎵半導(dǎo)體層的缺陷密度。在一個(gè)實(shí)施例中，用其中包括一個(gè)窗口陣列的掩模將橫向氮化鎵層掩蔽。橫向氮化鎵層通過(guò)這個(gè)窗口陣列生長(zhǎng)到掩模上，從而形成一個(gè)過(guò)生長(zhǎng)的氮化鎵半導(dǎo)體層。在另一個(gè)實(shí)施例中，縱向生長(zhǎng)橫向氮化鎵層。多個(gè)第二側(cè)壁被制作在縱向生長(zhǎng)的橫向氮化鎵層中，以確定多個(gè)第二溝槽。然后縱向生長(zhǎng)的橫向氮化鎵層的多個(gè)第二側(cè)壁橫向生長(zhǎng)進(jìn)入多個(gè)第二溝槽中，從而形成一個(gè)第二橫向氮化鎵層。然后在這個(gè)氮化鎵半導(dǎo)體層中制作微電子器件。如上所述，可以用金屬有機(jī)氣相外延來(lái)生長(zhǎng)下方氮化鎵層的多個(gè)側(cè)壁。如上所述，可以借助于溝槽和/或支柱的腐蝕和/或選擇性外延生長(zhǎng)來(lái)生長(zhǎng)第二側(cè)壁。
根據(jù)本發(fā)明的氮化鎵半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括一個(gè)下方氮化鎵層和一個(gè)橫向氮化鎵層，下方氮化鎵層包括一個(gè)具有一個(gè)側(cè)壁的溝槽，而橫向氮化鎵層從下方氮化鎵層的側(cè)壁延伸進(jìn)入該溝槽中。一個(gè)縱向氮化鎵層自橫向氮化鎵層延伸。多個(gè)微電子器件包括在該縱向氮化鎵層中?？梢蕴峁┮幌盗薪惶娴臏喜酆椭е?，以便確定多個(gè)側(cè)壁。下方氮化鎵層包括一個(gè)預(yù)定的缺陷密度，而橫向氮化鎵層的缺陷密度低于此預(yù)定的缺陷密度。
根據(jù)本發(fā)明的氮化鎵半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的其它實(shí)施例包括一個(gè)掩模和一個(gè)縱向氮化鎵層，該掩模位于橫向氮化鎵層上，并在其中包括一個(gè)窗口陣列，而該縱向氮化鎵層通過(guò)窗口從橫向氮化鎵層延伸到掩模上的?；蛘?，一個(gè)縱向氮化鎵層自橫向氮化鎵層延伸，并且包括多個(gè)第二側(cè)壁。一個(gè)第二橫向氮化鎵層從多個(gè)第二側(cè)壁延伸。微電子器件包括在第二橫向氮化鎵層中。因此，可以生產(chǎn)低缺陷密度的氮化鎵半導(dǎo)體層，從而能夠生產(chǎn)高性能微電子器件。
附圖的簡(jiǎn)要說(shuō)明

圖1-5是根據(jù)本發(fā)明的中間制造步驟中氮化鎵半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例的橫截面圖。
圖6-10是根據(jù)本發(fā)明的中間制造步驟中氮化鎵半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)第二圖11-15是根據(jù)本發(fā)明的中間制造步驟中氮化鎵半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)第三最佳實(shí)施例的詳細(xì)描述以下參照附圖來(lái)更充分地描述本發(fā)明，附圖示出了本發(fā)明的最佳實(shí)施例。但本發(fā)明可以許多不同的形式實(shí)施，因而不應(yīng)該認(rèn)為是局限于此處指出的各個(gè)實(shí)施例。提供這些實(shí)施例只是為了使本公開(kāi)變得充分而完整，并將本發(fā)明的范圍完全傳達(dá)給本技術(shù)領(lǐng)域的熟練人員。為明晰起見(jiàn)，在附圖中夸大了各個(gè)層和區(qū)域的厚度。各個(gè)圖中相似的標(biāo)號(hào)表示相似的元件?？梢岳斫猓?dāng)一個(gè)元件，如一個(gè)層、區(qū)域或襯底，被稱為“在另一個(gè)元件上”或“到另一個(gè)元件上”時(shí)，它可以直接位于其它元件上，或者二者之間也可以存在插入的元件。而且，此處給出并描述的各個(gè)實(shí)施例也包括其互補(bǔ)導(dǎo)電類型的實(shí)施例。
現(xiàn)參照?qǐng)D1-5描述根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的、制造氮化鎵半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法。如圖1所示，在襯底102上生長(zhǎng)下方氮化鎵層104。襯底102可以包括一個(gè)6H-SiC(0001)襯底102a和一個(gè)氮化鋁緩沖層102b。此處使用的結(jié)晶學(xué)命名習(xí)慣對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域熟練人員而言是熟知的，因而無(wú)需進(jìn)一步描述。氮化鎵層104的厚度可以在1.0-2.0微米之間，并可以在1000℃下，用26微摩爾/分鐘的三乙基鎵、1500sccm的氨和3000sccm的氫稀釋劑，在冷壁垂直式、感應(yīng)加熱的金屬有機(jī)氣相外延系統(tǒng)中生長(zhǎng)在高溫(1100℃)氮化鋁緩沖層102b上，而后者淀積在6H-SiC襯底102a上。在T.W.Weeks等人的題為＂利用金屬有機(jī)氣相外延使用高溫單晶AlN緩沖層在α(6H)-SiC(0001)上淀積GaN薄膜(GaN Thin Films Deposited Via Organometallic VaporPhase Epitaxy on α(6H)-SiC(0001)Using High-TemperatureMonocrystallic AlN Buffer Layers)＂,Applied Physics Letters,Vol.67,No.3,July 17,1995,pp.401-403的論文中，可以找到這一生長(zhǎng)技術(shù)的其它細(xì)節(jié)，此處將其公開(kāi)列為參考?？梢允褂糜芯彌_層或沒(méi)有緩沖層的其它襯底。
仍然參照?qǐng)D1，下方氮化鎵層104包括其中的多個(gè)側(cè)壁105。本技術(shù)領(lǐng)域的熟練人員可以理解，側(cè)壁105可以想象為由亦可稱為“臺(tái)面”、“支座”或“柱”的多個(gè)分隔開(kāi)的支柱106確定。側(cè)壁105也可以想象為由亦稱為“阱”的、下方氮化鎵層104中的多個(gè)溝槽107確定。側(cè)壁105還可以想象為由一系列交替的溝槽107和支柱106確定?？梢岳斫?，可以用選擇性腐蝕和/或選擇性外延生長(zhǎng)和/或其它常規(guī)方法來(lái)制造確定側(cè)壁105的支柱106和溝槽107。而且也可以理解，側(cè)壁無(wú)需與襯底102正交，而是可以傾斜于襯底。最后還可以理解，雖然側(cè)壁105以剖面形式示于圖1中，但支柱106和溝槽107可以確定直的、V形的或其它形狀的拉長(zhǎng)的區(qū)域。如圖1所示，溝槽107可以延伸進(jìn)入緩沖層102b中和進(jìn)入襯底102a中，致使后續(xù)的氮化鎵生長(zhǎng)擇優(yōu)地發(fā)生在側(cè)壁105上，而不是在溝槽底部。在其它實(shí)施例中，根據(jù)，舉例來(lái)說(shuō)，溝槽的幾何形狀和氮化鎵的橫向?qū)v向生長(zhǎng)速率，溝槽可以不延伸進(jìn)入襯底102a中，而且也可以不延伸進(jìn)入緩沖層102b中。
現(xiàn)參照?qǐng)D2，橫向生長(zhǎng)下方氮化鎵層104的側(cè)壁105，以在溝槽107中形成橫向氮化鎵層108a?？梢栽?000-1100℃和45乇下獲得氮化鎵的橫向生長(zhǎng)?？梢耘c3000sccm的H2稀釋劑組合使用13-39微摩爾/分鐘的TEG和1500sccm的NH3的前體。若制作氮化鎵合金，則也可以使用，舉例來(lái)說(shuō)，額外的鋁或銦的常規(guī)前體。如此處所使用的那樣，術(shù)語(yǔ)“橫向”意味著一個(gè)正交于側(cè)壁105的方向。也可以理解，在始于側(cè)壁105的橫向生長(zhǎng)過(guò)程中，支柱106上也可以發(fā)生一些縱向生長(zhǎng)。如此處所使用的那樣，術(shù)語(yǔ)“縱向”表示一個(gè)平行于側(cè)壁105的方向。
現(xiàn)參照?qǐng)D3，橫向氮化鎵層108a的繼續(xù)生長(zhǎng)引起到下方氮化鎵層104上，具體地講是到支柱106上的縱向生長(zhǎng)，從而形成縱向氮化鎵層108b?？v向生長(zhǎng)的生長(zhǎng)條件可以保持為與結(jié)合圖2所述的相同。同樣如圖3所示，可以在溝槽的底部發(fā)生進(jìn)入溝槽107中的繼續(xù)縱向生長(zhǎng)。
現(xiàn)參照?qǐng)D4，允許生長(zhǎng)繼續(xù)，直至橫向生長(zhǎng)前沿在溝槽107中會(huì)合于界面108c處，以便在溝槽中形成一個(gè)連續(xù)的氮化鎵半導(dǎo)體層。總的生長(zhǎng)時(shí)間可以是約60分鐘。如圖5所示，然后可以在橫向氮化鎵半導(dǎo)體層108a中制作微電子器件110。器件也可以制作在縱向氮化鎵層108b中。
因此在圖5中示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的氮化鎵半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100。氮化鎵結(jié)構(gòu)100包括襯底102。襯底可以是藍(lán)寶石或氮化鎵或其它常規(guī)襯底。但襯底最好包括6H-SiC(0001)襯底102a和位于碳化硅襯底102a上的氮化鋁緩沖層102b。氮化鋁緩沖層102b的厚度可以是0.1微米。
對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域熟練人員來(lái)說(shuō)，襯底102的制造是眾所周知的，因此無(wú)需進(jìn)一步描述。例如在授予Palmour的美國(guó)專利4865685中、在授予Davis等人的Re 34861中、在授予Kong等人的4912064中、以及授予Palmour等人的4946547中，描述了碳化硅襯底的制造，此處將這些公開(kāi)列為參考。
對(duì)著襯底102a、位于緩沖層102b上的下方氮化鎵層104也包括在其中。下方氮化鎵層104的厚度可以在大約1.0與2.0微米之間，并可以用金屬有機(jī)氣相外延(MOVPE)來(lái)制作。下方氮化鎵層通常具有不希望有的相對(duì)高的缺陷密度。例如，大約108與1010cm-2之間的位錯(cuò)密度可以出現(xiàn)在下方氮化鎵層中。這些高的缺陷密度可能來(lái)自緩沖層102b與下方氮化鎵層104之間的晶格常數(shù)失配和/或其它原因。這些高的缺陷密度可以影響制作在下方氮化鎵層104中的微電子器件的性能。
仍然繼續(xù)描述圖5，下方氮化鎵層104包括多個(gè)可能由多個(gè)支座106和/或多個(gè)溝槽107確定的側(cè)壁105。如上所述，側(cè)壁可以是傾斜的，并具有各種各樣拉長(zhǎng)的形狀。
繼續(xù)描述圖5，橫向氮化鎵層108a從下方氮化鎵層104的多個(gè)側(cè)壁105延伸?？梢栽诖蠹s1000-1100℃和45乇下，用金屬有機(jī)氣相外延來(lái)制作橫向氮化鎵層108a。可以與3000sccm的H2稀釋劑組合使用前體13-39微摩爾/分鐘的三乙基鎵(TEG)和1500sccm的氨(NH3)來(lái)制作橫向氮化鎵層108a。
仍然繼續(xù)描述圖5，氮化鎵半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100還包括從支柱106縱向延伸的縱向氮化鎵層108b。
如圖5所示，橫向氮化鎵層108a在界面108c處會(huì)合，從而在溝槽中形成一個(gè)連續(xù)的橫向氮化鎵半導(dǎo)體層108a。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，下方氮化鎵層104中的位錯(cuò)密度通常不以與從下方氮化鎵層104縱向傳播相同的密度從側(cè)壁105橫向傳播。于是，橫向氮化鎵層108a可以具有相對(duì)低的缺陷密度，例如低于104cm-2。因此，橫向氮化鎵層108b可以形成器件質(zhì)量的氮化鎵半導(dǎo)體材料。于是，如圖5所示，可以在橫向氮化鎵半導(dǎo)體層108a中制作微電子器件110。還可以理解，由于橫向生長(zhǎng)從側(cè)壁105進(jìn)行，故無(wú)需使用掩模來(lái)制造圖5的氮化鎵半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100。
現(xiàn)參照?qǐng)D6-10來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明的氮化鎵半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和制造方法的第二實(shí)施例。首先，按照如已參照?qǐng)D1-4所述的方法制造圖4的氮化鎵半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。然后參照?qǐng)D6，用其中包括一個(gè)窗口陣列的掩模206掩蔽支柱106。此掩?？梢园穸葹?000埃的二氧化硅，并可以在410℃下用低壓化學(xué)氣相淀積進(jìn)行淀積?？梢允褂闷渌难诒尾牧?。可以用標(biāo)準(zhǔn)的光刻技術(shù)制作掩模的圖形，并在緩沖HF溶液中進(jìn)行腐蝕。在一個(gè)實(shí)施例中，窗口的寬度為3微米，以3到40微米的距離平行延伸，其取向沿橫向氮化鎵層108a中的<1100>方向。在進(jìn)一步處理之前，可以將此結(jié)構(gòu)浸入50％的鹽酸(HCl)溶液中，以便清除表面氧化物?？梢岳斫猓m然掩模206最好位于支柱106上，但也可以偏離支柱106。
現(xiàn)參照?qǐng)D7，通過(guò)窗口陣列生長(zhǎng)橫向氮化鎵半導(dǎo)體層108a，從而在窗口中形成縱向氮化鎵層208a。按照結(jié)合圖2所述的方法可以獲得氮化鎵的生長(zhǎng)。
可以理解，可以用二維生長(zhǎng)來(lái)形成一個(gè)過(guò)生長(zhǎng)的氮化鎵半導(dǎo)體層。具體地講，可以將掩模206圖形化成包括一個(gè)沿諸如<11-00>和<112-0>的二個(gè)正交方向延伸的窗口陣列。于是，窗口能夠形成一個(gè)正交條形圖形的矩形。在此情況下，矩形各邊的比率最好正比于{1120}和{1101}晶面生長(zhǎng)速率的比率，例如1.4∶1的比率。窗口相對(duì)于<1100>和<1120>之類的方向可以是等邊三角形。
現(xiàn)參照?qǐng)D8，縱向氮化鎵層208a的繼續(xù)生長(zhǎng)引起到掩模206上的橫向生長(zhǎng)，從而形成第二橫向氮化鎵層208b。可以將過(guò)生長(zhǎng)的條件保持為如結(jié)合圖7所述的那樣。
現(xiàn)參照?qǐng)D9，允許橫向過(guò)生長(zhǎng)繼續(xù)，直至橫向生長(zhǎng)前沿在掩模206上的第二界面208c處會(huì)合，從而形成連續(xù)的過(guò)生長(zhǎng)氮化鎵半導(dǎo)體層208。總的生長(zhǎng)時(shí)間可以是大約60分鐘。如圖10所示，然后可以在第二橫向氮化鎵層208b中制作微電子器件210。微電子器件也可以制作在縱向氮化鎵層208a中。
因此，借助于提供第二橫向生長(zhǎng)層208b，甚至可以進(jìn)一步降低原來(lái)出現(xiàn)在連續(xù)氮化鎵半導(dǎo)體層108中的缺陷，從而在氮化鎵半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200中獲得器件質(zhì)量的氮化鎵。
現(xiàn)參照?qǐng)D11-15來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明的氮化鎵半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和制造方法的第三實(shí)施例。首先，如已結(jié)合圖1-4所述那樣制造圖4的氮化鎵半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。然后制作多個(gè)第二側(cè)壁305?？梢越柚诘诙е?06的選擇性外延生長(zhǎng)、借助于腐蝕第一支柱106中的第二溝槽307和/或它們的組合，來(lái)制作第二側(cè)壁305。如上所述，第二側(cè)壁305無(wú)需正交于襯底102，而可以是傾斜的。第二溝槽307無(wú)需直接在第一支柱106上，而是可以橫向偏離支柱106。第二溝槽最好深一些，以便橫向生長(zhǎng)擇優(yōu)發(fā)生在側(cè)壁305上而不是在第二溝槽306的底部。
現(xiàn)參照?qǐng)D12，橫向生長(zhǎng)第二支柱306和/或第二溝槽307的第二側(cè)壁305，以便在第二溝槽307中形成第二橫向氮化鎵層308a。如上所述，可以在1000-1100℃和45乇下獲得氮化鎵的橫向生長(zhǎng)?？梢耘c3000sccm的H2稀釋劑組合使用前體13-39微摩爾/分鐘的TEG和1500sccm的NH3。若制作氮化鎵合金，則也可以使用例如鋁或銦的額外常規(guī)前體。也可以理解，在始于第二側(cè)壁305的橫向生長(zhǎng)過(guò)程中，第二支柱306上也可以發(fā)生一些縱向生長(zhǎng)。
現(xiàn)參照?qǐng)D13，第二橫向氮化鎵層308a的繼續(xù)生長(zhǎng)引起到第二支柱306上的縱向生長(zhǎng)，從而形成第二縱向氮化鎵層308b。同樣如圖所示，也可能發(fā)生始于第二溝槽底部和始于第二支柱頂部的縱向生長(zhǎng)。縱向生長(zhǎng)的生長(zhǎng)條件可以保持為結(jié)合圖12所述的那樣。
現(xiàn)參照?qǐng)D14，允許生長(zhǎng)繼續(xù)，直至橫向生長(zhǎng)前沿在第二溝槽307中會(huì)合于第二界面308c處，從而形成第二連續(xù)氮化鎵半導(dǎo)體層308?？偟纳L(zhǎng)時(shí)間可以是大約60分鐘。如圖15所示，然后可以在第二連續(xù)氮化鎵半導(dǎo)體層308中制作微電子器件310。
因此，可以制作根據(jù)本發(fā)明的氮化鎵半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)300的第三實(shí)施例，而且無(wú)需為了確定橫向生長(zhǎng)而掩蔽氮化鎵。而是可以利用始于第一和第二側(cè)壁的橫向生長(zhǎng)。借助于執(zhí)行二個(gè)分立的橫向生長(zhǎng)，可以顯著降低缺陷密度。
下面提供有關(guān)本發(fā)明的方法和結(jié)構(gòu)的其它討論。第一和第二溝槽107和307以及掩模206中的窗口最好是下方氮化鎵層104或第一橫向氮化鎵層108a上沿<1120>和/或<1100>方向擇優(yōu)延伸的矩形溝槽和窗口。對(duì)于沿<1120>方向的溝槽和/或掩模窗口，可以獲得具有(1101)傾斜晶面和窄(0001)頂部晶面的截角三角形條形。沿<1100>方向可以生長(zhǎng)具有(0001)頂部晶面、(1120)垂直側(cè)面和(1101)傾斜晶面的矩形條形。如果生長(zhǎng)時(shí)間達(dá)到3分鐘，則可以得到與取向無(wú)關(guān)的相似形貌。若繼續(xù)生長(zhǎng)，則條形發(fā)展成不同的形狀。
橫向生長(zhǎng)量通常表現(xiàn)為強(qiáng)烈依賴于溝槽和/或掩模窗口的取向。通常，<1100>取向的溝槽和/或掩模窗口的橫向生長(zhǎng)速率遠(yuǎn)快于沿<1120>的速率。因此，將溝槽和/或掩模窗口定向成沿下方氮化鎵層104或第一橫向氮化鎵層108a的<1100>方向延伸為最佳。
作為溝槽和/或掩模窗口取向的函數(shù)，不同的形貌發(fā)展看來(lái)與氮化鎵結(jié)構(gòu)中結(jié)晶面的穩(wěn)定性有關(guān)。沿<1120>取向的溝槽和/或掩模窗口可以具有寬的(1100)傾斜晶面以及一個(gè)非常窄的(0001)頂部晶面，或者沒(méi)有后者，這取決于生長(zhǎng)條件。這可能是因?yàn)?1101)是氮化鎵纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)中最穩(wěn)定的面，且此面的生長(zhǎng)速率低于其它面的生長(zhǎng)速率。<1100>取向的溝槽和/或掩模窗口的{1101}面可以是波浪形的，這意味著存在一個(gè)以上的密勒指數(shù)?？磥?lái)，在淀積過(guò)程中出現(xiàn)了選定的{1101}面的競(jìng)爭(zhēng)生長(zhǎng)，它使這些面變得不穩(wěn)定，并且相對(duì)于沿<1120>取向的溝槽和/或掩模窗口的(1101)的生長(zhǎng)速率，它們的生長(zhǎng)速率提高了。
從沿<1100>取向的溝槽和/或掩模窗口選擇性地生長(zhǎng)的氮化鎵層的形貌通常也強(qiáng)烈地表現(xiàn)為生長(zhǎng)溫度的函數(shù)。在1000℃下生長(zhǎng)的層可以具有截角三角形形狀。隨著生長(zhǎng)溫度的提高，這一形貌可以逐漸地改變?yōu)榫匦纹拭?。這種形貌變化可以歸因于隨著生長(zhǎng)溫度的提高，鎵粒子的擴(kuò)散系數(shù)隨之增大，從而使之沿(0001)頂面到{1101}面的流量增大。這可能導(dǎo)致(0001)面生長(zhǎng)速率的降低和{1101}面生長(zhǎng)速率的提高。在二氧化硅上的砷化鎵選擇性生長(zhǎng)中，也觀察到了這種現(xiàn)象。因此，1100℃的溫度看來(lái)是最佳的。
氮化鎵區(qū)的形貌發(fā)展還表現(xiàn)出對(duì)TEG流速的依賴。TEG供應(yīng)的增大通常使沿橫向和縱向的生長(zhǎng)速率都增大。但橫向/縱向生長(zhǎng)速率的比率從TEG流速為13微摩爾/分鐘時(shí)的1.7降低到39微摩爾/分鐘時(shí)的0.86。TEG流速對(duì)沿<0001>的生長(zhǎng)速率相對(duì)于<1120>生長(zhǎng)速率的這一增大了的影響，可能與所用的、其中反應(yīng)氣體縱向且垂直于襯底流動(dòng)的反應(yīng)器有關(guān)。表面上鎵粒子濃度的顯著增大可以顯著地阻礙其擴(kuò)散到{1101}面，致使(0001)面上更容易發(fā)生化學(xué)吸附和氮化鎵生長(zhǎng)。
用寬3微米、間距7微米、并沿<1100>取向的溝槽和/或掩模窗口，在1100℃和26微摩爾/分鐘的TEG流速下，可以獲得厚度為2微米的連續(xù)氮化鎵半導(dǎo)體層。此連續(xù)氮化鎵半導(dǎo)體層可以包括二個(gè)生長(zhǎng)前沿會(huì)合時(shí)形成的表面下的孔穴。使用會(huì)使具有垂直{1120}側(cè)晶面的矩形溝槽和/或掩模窗口發(fā)展的橫向生長(zhǎng)條件，最有可能出現(xiàn)這種孔穴。
連續(xù)的氮化鎵半導(dǎo)體層可以具有微觀平坦且無(wú)坑的表面。橫向生長(zhǎng)的氮化鎵層的表面可以包括臺(tái)階結(jié)構(gòu)，其平均臺(tái)階高度為0.32nm。這一臺(tái)階結(jié)構(gòu)可能與橫向生長(zhǎng)的氮化鎵有關(guān)，因?yàn)樗ǔ２话ㄔ趦H僅生長(zhǎng)在氮化鋁緩沖層上的更大面積的膜中。平均RMS粗糙度值可以相似于從下方氮化鎵層104得到的值。
起源于下方氮化鎵層104和緩沖層102b之間界面的針孔位錯(cuò)，看來(lái)傳播到了下方氮化鎵層104的上表面。這些區(qū)域內(nèi)的位錯(cuò)密度約為109cm-2。相反，針孔位錯(cuò)(threading dislocation)看來(lái)不容易橫向傳播。而且橫向氮化鎵區(qū)域108a和308a中僅僅包含很少的位錯(cuò)。通過(guò)垂直針孔位錯(cuò)在再生長(zhǎng)區(qū)域中彎曲90度之后的延伸，可以平行于(0001)面形成這些少量位錯(cuò)。這些位錯(cuò)看來(lái)不傳播到過(guò)生長(zhǎng)的氮化鎵層的上表面。
正如所述，選擇性地生長(zhǎng)的氮化鎵層的形成機(jī)制是橫向外延。此機(jī)制的二個(gè)主要階段是縱向生長(zhǎng)和橫向生長(zhǎng)。在通過(guò)掩模的縱向生長(zhǎng)過(guò)程中，顯然是由于鎵原子在氮化鎵表面上的附著系數(shù)s(s=1)比在掩模上的(s＜＜1)大得多，而使淀積的氮化鎵在掩模窗口中比在掩模上更容易選擇性地生長(zhǎng)。由于SiO2鍵合強(qiáng)度為799.6千焦/摩爾，比Si-N(439千焦/摩爾)、Ga-N(103千焦/摩爾)和Ga-O(353.6千焦/摩爾)大得多，故Ga或N原子鍵合到掩模表面的數(shù)量和時(shí)間都不應(yīng)當(dāng)輕易在達(dá)到足以形成氮化鎵核的程度。它們可能或者蒸發(fā)，或者沿掩模表面擴(kuò)散到掩模窗口中或到已經(jīng)形成的縱向氮化鎵表面。在橫向生長(zhǎng)過(guò)程中，氮化鎵同時(shí)縱向和橫向生長(zhǎng)。
在氮化鎵的選擇性生長(zhǎng)中，鎵和氮在氮化鎵表面上的擴(kuò)散可以起作用。材料的主要來(lái)源看來(lái)來(lái)自氣相。TEG流速的增大引起(0001)頂部晶面的生長(zhǎng)速率的發(fā)展快于(1101)側(cè)晶面，從而控制了橫向生長(zhǎng)的這一事實(shí)可以證明這一點(diǎn)。
橫向生長(zhǎng)的氮化鎵與下方掩模的鍵合足夠強(qiáng)，以致在冷卻時(shí)它通常不會(huì)剝離。但由于冷卻時(shí)產(chǎn)生的熱應(yīng)力，可能發(fā)生SiO2掩模中的橫向破裂。SiO2在1050℃下的粘度(p)約為1015.5泊，這比體非晶體材料中在大約6小時(shí)內(nèi)釋放應(yīng)力的應(yīng)變點(diǎn)(大約1014.5泊)大一個(gè)數(shù)量級(jí)。于是，SiO2掩模在冷卻時(shí)可以提供有限的柔量。由于非晶SiO2表面的原子排列與GaN表面差別很大，故僅僅當(dāng)合適的原子對(duì)處于緊鄰時(shí)才可能發(fā)生化學(xué)鍵合。硅和氧以及鎵和氮原子在SiO2的各個(gè)表面和/或其體內(nèi)的極小弛豫可以調(diào)節(jié)氮化鎵，并使之鍵合到氧化物。因此，無(wú)需使用掩模的、圖1-5和11-15的實(shí)施例可能是特別有利的。
總之，通過(guò)MOVPE可以得到始于下方氮化鎵層側(cè)壁的橫向外延過(guò)生長(zhǎng)。此生長(zhǎng)可能強(qiáng)烈地依賴于側(cè)壁取向、生長(zhǎng)溫度和TEG流速。通過(guò)7微米寬的支柱之間的、沿<11-00>方向延伸的3微米寬的溝槽，在1100℃和26微摩爾/分鐘的TEG流速下，可以獲得過(guò)生長(zhǎng)的氮化鎵區(qū)域的會(huì)合，從而形成位錯(cuò)密度極低且表面光滑無(wú)坑的區(qū)域。通過(guò)MOVPE得到的始于側(cè)壁的氮化鎵橫向過(guò)生長(zhǎng)，可以用來(lái)獲得用于微電子器件的低缺陷密度區(qū)域，而且無(wú)需使用掩模。
在附圖和說(shuō)明書(shū)中，已經(jīng)公開(kāi)了本發(fā)明的典型最佳實(shí)施例，雖然使用了具體的術(shù)語(yǔ)，但僅僅以一般性的描述意義加以使用，而不是為了限制的目的，本發(fā)明的范圍陳述在下列權(quán)利要求中。
權(quán)利要求
1．一種制造一個(gè)氮化鎵半導(dǎo)體層的方法，它包括步驟將一個(gè)下方氮化鎵層的一個(gè)側(cè)壁橫向生長(zhǎng)進(jìn)入該下方氮化鎵層的一個(gè)溝槽中，從而形成一個(gè)橫向氮化鎵半導(dǎo)體層。
2．如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，緊隨該橫向生長(zhǎng)步驟之后是步驟在該橫向氮化鎵半導(dǎo)體層中制作微電子器件。
3．如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該橫向生長(zhǎng)步驟包括步驟將該下方氮化鎵層的一對(duì)側(cè)壁生長(zhǎng)進(jìn)入該對(duì)側(cè)壁之間的該下方氮化鎵層中的一個(gè)溝槽中，直至生長(zhǎng)的該對(duì)側(cè)壁在該溝槽中會(huì)合。
4．如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該橫向生長(zhǎng)步驟包括步驟用金屬有機(jī)氣相外延橫向生長(zhǎng)該下方氮化鎵層的該側(cè)壁。
5．如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在該橫向生長(zhǎng)步驟之前為步驟在一個(gè)襯底上制作包括該側(cè)壁的該下方氮化鎵層。
6．如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，該制作步驟包括下列步驟在一個(gè)襯底上制作一個(gè)緩沖層；和相對(duì)于該襯底、在該緩沖層上制作該下方氮化鎵層。
7．如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，該制作步驟包括步驟在該下方氮化鎵層中制作該溝槽，該溝槽包括該側(cè)壁。
8．如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，該制作步驟包括步驟在該下方氮化鎵層上制作一個(gè)支柱，該支柱包括該側(cè)壁并確定該溝槽。
9．如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該下方氮化鎵層包括一個(gè)預(yù)定的缺陷密度，而且將一個(gè)下方氮化鎵層的一個(gè)側(cè)壁橫向生長(zhǎng)進(jìn)入該下方氮化鎵層中的一個(gè)溝槽中，從而形成一個(gè)橫向氮化鎵層的步驟包括下列步驟橫向生長(zhǎng)該下方氮化鎵層的該側(cè)壁，從而形成其缺陷密度比該預(yù)定缺陷密度更低的該橫向氮化鎵層；和在傳播該較低的缺陷密度時(shí)，縱向生長(zhǎng)該橫向氮化鎵層。
10．如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該生長(zhǎng)步驟包括步驟在1000℃-1100℃的溫度下，用13-39微摩爾/分鐘的三乙基鎵和1500sccm的氨，使用金屬有機(jī)氣相外延生長(zhǎng)該下方氮化鎵層的該側(cè)壁。
11．如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，該溝槽制作步驟包括步驟選擇性地腐蝕該下方氮化鎵層，以形成包括該側(cè)壁的該溝槽。
12．如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，該支柱制作步驟包括步驟選擇性地生長(zhǎng)該下方氮化鎵層，以形成包括該側(cè)壁的該支柱。
13．一種氮化鎵半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括一個(gè)包括一個(gè)具有一個(gè)側(cè)壁的溝槽的下方氮化鎵層；和一個(gè)從該下方氮化鎵層的該側(cè)壁延伸進(jìn)入該溝槽的橫向氮化鎵層。
14．如權(quán)利要求13所述的結(jié)構(gòu)，還包括一個(gè)從該橫向氮化鎵層延伸的縱向氮化鎵層。
15．如權(quán)利要求13所述的結(jié)構(gòu)，還包括在該縱向氮化鎵層中的多個(gè)微電子器件。
16．如權(quán)利要求13所述的結(jié)構(gòu)，還包括一個(gè)襯底，而且其中的該下方氮化鎵層位于該襯底上。
17．如權(quán)利要求16所述的結(jié)構(gòu)，還包括一個(gè)位于該襯底與該下方氮化鎵層之間的緩沖層。
18．如權(quán)利要求13所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該溝槽包括一對(duì)該側(cè)壁，而且該橫向氮化鎵層自該對(duì)側(cè)壁延伸，以確定一個(gè)連續(xù)的橫向氮化鎵。
19．如權(quán)利要求13所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該下方氮化鎵層包括其上的一個(gè)支柱，該支柱包括該側(cè)壁，并確定該溝槽。
20．如權(quán)利要求13所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該下方氮化鎵層包括一個(gè)預(yù)定的缺陷密度，其中該橫向氮化鎵層具有比該預(yù)定缺陷密度更低的缺陷密度。
21．一種制造一個(gè)氮化鎵半導(dǎo)體層的方法，包括下列步驟將一個(gè)下方氮化鎵層的多個(gè)側(cè)壁橫向生長(zhǎng)進(jìn)入該下方氮化鎵層中的多個(gè)溝槽中，從而形成一個(gè)橫向氮化鎵層。
22．如權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，在該橫向生長(zhǎng)步驟之后是下列步驟用一個(gè)其中包括一個(gè)窗口陣列的掩模掩蔽該橫向氮化鎵層；和通過(guò)該窗口陣列，將該橫向氮化鎵層生長(zhǎng)到該掩模上，從而形成一個(gè)過(guò)生長(zhǎng)的氮化鎵半導(dǎo)體層。
23．如權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，該生長(zhǎng)步驟之后為下列步驟縱向生長(zhǎng)該橫向氮化鎵層；在該縱向生長(zhǎng)的橫向氮化鎵層中制作多個(gè)第二側(cè)壁，以確定多個(gè)第二溝槽；和將該縱向生長(zhǎng)的橫向氮化鎵層的該多個(gè)第二側(cè)壁橫向生長(zhǎng)進(jìn)入該多個(gè)第二溝槽中，從而形成一個(gè)第二橫向氮化鎵半導(dǎo)體層。
24．如權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，該橫向生長(zhǎng)步驟之后是步驟在該過(guò)生長(zhǎng)的氮化鎵半導(dǎo)體層中制作微電子器件。
25．如權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，該橫向生長(zhǎng)該多個(gè)第二側(cè)壁的步驟之后是步驟在該第二橫向氮化鎵半導(dǎo)體層中制作微電子器件。
26．如權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，該橫向生長(zhǎng)步驟包括步驟將該下方氮化鎵層的該多個(gè)側(cè)壁生長(zhǎng)進(jìn)入該下方氮化鎵層中的該多個(gè)溝槽中，直至該多個(gè)生長(zhǎng)的側(cè)壁在該溝槽中會(huì)合。
27．如權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，該生長(zhǎng)步驟包括步驟通過(guò)該窗口陣列將該橫向氮化鎵層生長(zhǎng)到該掩模上，直至該生長(zhǎng)的橫向氮化鎵層在該掩模上會(huì)合，從而形成一個(gè)連續(xù)的過(guò)生長(zhǎng)氮化鎵半導(dǎo)體層。
28．如權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，該橫向生長(zhǎng)該多個(gè)第二側(cè)壁的步驟包括步驟將該縱向生長(zhǎng)的橫向氮化鎵層的該多個(gè)第二側(cè)壁橫向生長(zhǎng)進(jìn)入該多個(gè)第二溝槽中，直至該多個(gè)橫向生長(zhǎng)的第二側(cè)壁在該多個(gè)第二溝槽中會(huì)合。
29．如權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，該橫向生長(zhǎng)步驟包括步驟用金屬有機(jī)氣相外延橫向生長(zhǎng)該下方氮化鎵層的該多個(gè)側(cè)壁。
30．如權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，該橫向生長(zhǎng)步驟之前為步驟在一個(gè)襯底上制作包括該多個(gè)側(cè)壁的該下方氮化鎵層。
31．如權(quán)利要求30所述的方法，其特征在于，該制作步驟包括下列步驟在一個(gè)襯底上制作一個(gè)緩沖層；和相對(duì)于該襯底、在該緩沖層上制作該下方氮化鎵層。
32．如權(quán)利要求30所述的方法，其特征在于，該制作步驟包括步驟在該下方氮化鎵層中制作該多個(gè)溝槽，該多個(gè)溝槽包括該多個(gè)側(cè)壁。
33．如權(quán)利要求30所述的方法，其特征在于，該制作步驟包括步驟在該下方氮化鎵層中制作多個(gè)支柱，該多個(gè)支柱包括該多個(gè)側(cè)壁，并確定該多個(gè)溝槽。
34．如權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，該下方氮化鎵層包括一個(gè)預(yù)定的缺陷密度，而且步驟將該下方氮化鎵層的多個(gè)側(cè)壁橫向生長(zhǎng)進(jìn)入該下方氮化鎵層中的該多個(gè)溝槽中，從而形成一個(gè)橫向氮化鎵層，包括下列步驟將該下方氮化鎵層的該多個(gè)側(cè)壁橫向生長(zhǎng)進(jìn)入該多個(gè)溝槽，從而形成一個(gè)其缺陷密度比該預(yù)定缺陷密度更低的橫向氮化鎵半導(dǎo)體層；和在傳播該更低缺陷密度時(shí)，縱向生長(zhǎng)該橫向氮化鎵層。
35．如權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，該橫向生長(zhǎng)步驟包括步驟在1000℃-1100℃的溫度下，用13-39微摩爾/分鐘的三乙基鎵和1500sccm的氨，使用金屬有機(jī)氣相外延，橫向生長(zhǎng)該下方氮化鎵層的該多個(gè)側(cè)壁。
36．一種氮化鎵半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括一個(gè)包括多個(gè)具有多個(gè)側(cè)壁的溝槽的下方氮化鎵層；和一個(gè)從該下方氮化鎵層的該多個(gè)側(cè)壁延伸進(jìn)入該多個(gè)溝槽的橫向氮化鎵層。
37．如權(quán)利要求36所述的結(jié)構(gòu)，還包括一個(gè)位于該橫向氮化鎵層上的、其中包括一個(gè)窗口陣列的掩模；和一個(gè)從該橫向氮化鎵層通過(guò)該窗口延伸到該掩模上的縱向氮化鎵層。
38．如權(quán)利要求36所述的結(jié)構(gòu)，還包括一個(gè)從該橫向氮化鎵層延伸的縱向氮化鎵層，其中該縱向氮化鎵層包括其中的多個(gè)第二側(cè)壁；和一個(gè)從該多個(gè)第二側(cè)壁延伸的第二橫向氮化鎵層。
39．如權(quán)利要求37所述的結(jié)構(gòu)，還包括在該橫向氮化鎵層中的多個(gè)微電子器件。
40．如權(quán)利要求38所述的結(jié)構(gòu)，還包括在該第二橫向氮化鎵層中的多個(gè)微電子器件。
41．如權(quán)利要求36所述的結(jié)構(gòu)，還包括一個(gè)襯底，且該下方氮化鎵層位于該襯底上。
42．如權(quán)利要求41所述的結(jié)構(gòu)，還包括一個(gè)位于該襯底與該下方氮化鎵層之間的緩沖層。
43．如權(quán)利要求36所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于該橫向氮化鎵層從該多個(gè)側(cè)壁延伸進(jìn)入該多個(gè)溝槽中，以在該溝槽中確定一個(gè)連續(xù)的橫向氮化鎵層。
44．如權(quán)利要求36所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于該下方氮化鎵層包括位于其上的多個(gè)支柱，該多個(gè)支柱包括該多個(gè)側(cè)壁，并確定該多個(gè)溝槽。
45．如權(quán)利要求36所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于該下方氮化鎵層包括一個(gè)預(yù)定的缺陷密度，且該橫向氮化鎵層的缺陷密度低于該預(yù)定缺陷密度。
全文摘要
一個(gè)下方氮化鎵層(106)的一個(gè)側(cè)壁(105)橫向生長(zhǎng)進(jìn)入該下方氮化鎵層中的一個(gè)溝槽(107)中,從而形成一個(gè)橫向氮化鎵半導(dǎo)體層(108a)。然后可以在該橫向氮化鎵層中制作微電子器件。在該下方氨化鎵層中,位錯(cuò)缺陷不會(huì)明顯地從該側(cè)壁橫向傳播進(jìn)入該溝槽中,致使該橫向氮化鎵半導(dǎo)體層相對(duì)地說(shuō)是無(wú)缺陷的。而且,在該橫向氮化鎵層的生長(zhǎng)過(guò)程中,無(wú)需掩蔽該下方氮化鎵層的部分就可以實(shí)現(xiàn)該側(cè)壁的生長(zhǎng)。借助于從該橫向氮化鎵層生長(zhǎng)一個(gè)第二氮化鎵半導(dǎo)體層,可以進(jìn)一步降低該橫向氮化鎵半導(dǎo)體層的缺陷密度。
文檔編號(hào)H01L21/20GK1305639SQ99807244
公開(kāi)日2001年7月25日 申請(qǐng)日期1999年6月9日 優(yōu)先權(quán)日1998年6月10日
發(fā)明者T·熱爾伊娃, D·B·湯姆森, S·A·史密斯, K·J·林西克姆, T·格爾克, R·F·戴維斯 申請(qǐng)人:北卡羅萊納州立大學(xué)