專利名稱：凸點形成方法以及形成裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在半導(dǎo)體片上為形成凸點的凸點形成裝置以及由該凸點形成裝置中進行凸點形成的方法。
現(xiàn)有技術(shù)近年來，隨著例如象便攜式電話那樣的裝有電子部件的電器的非常小型化，上述電子部件也在小型化。為此，便產(chǎn)生了凸點形成裝置，該裝置有在半導(dǎo)體片上形成各個電路形成部分不需要從上述半導(dǎo)體片中切出而在上述半導(dǎo)體片上的這些上述電路形成部分中的電極部分分別形成凸點。在這樣的凸點形成裝置中，包括從收納凸點形成前的半導(dǎo)體片的第1收納容器中取出上述凸點形成前片的搬入裝置、收納形成了上述凸點的凸點形成后片的第2收納容器、載置上述凸點形成前的片為連接上述電極部分和凸點而將上述半導(dǎo)體片通常加熱到250℃到270℃左右的焊接臺、將上述凸點形成后的片收納在上述第2收納容器中的搬出裝置、從上述搬入裝置將上述片運送到上述焊接臺、以及從上述焊接臺運送到上述搬出裝置的移載裝置。
還有，象形成了在上述便攜式電話等中所使用的SAW(SurfaceAcoustic Way)濾波器的半導(dǎo)體片那樣，其基板不是現(xiàn)在所使用的硅，而是由水晶構(gòu)成的情況、或者鋰鉭、或者鋰鈮、或者砷化鎵等構(gòu)成的所謂化合物半導(dǎo)體片。在這樣的化合物半導(dǎo)體片中，形成上述凸點時雖然也是要加熱到最大150℃左右，但與現(xiàn)有的硅相比需要將加熱以及冷卻的速度放慢，特別是如果不慢慢進行冷卻，會有在上述化合物半導(dǎo)體片中產(chǎn)生熱電效應(yīng)破壞電路，或者由于片的熱變形引起龜裂片的情況發(fā)生。
這樣，在化合物半導(dǎo)體片上形成凸點的凸點形成裝置中，有必要進行和在現(xiàn)有的硅上形成凸點的現(xiàn)有凸點形成裝置中所實行的溫度控制不相同的溫度控制。
本發(fā)明的目的在于提供一種在半導(dǎo)體片的凸點形成前后進行和現(xiàn)有的不相同的溫度控制的凸點形成裝置以及由該凸點形成裝置所實行的凸點形成方法。
發(fā)明要解決的課題為了達成上述目的，本發(fā)明的第1形式的凸點形成方法，是在形成半導(dǎo)體片上的電路的電極上形成凸點的凸點形成方法，其特征是在為形成凸點所進行的上述半導(dǎo)體片的本加熱后的上述半導(dǎo)體片的凸點焊接之后，在將該半導(dǎo)體片收納在收納容器之前，對上述半導(dǎo)體片實施控制上述半導(dǎo)體片的溫度下降的后冷卻動作。
還有，本發(fā)明的第2形式的凸點形成方法，是在上述第1形式的凸點形成方法的基礎(chǔ)上，進一步也可以在上述本加熱之前，對上述半導(dǎo)體片預(yù)先進行預(yù)加熱動作。
還有，本發(fā)明的第5形式的凸點形成方法，是在上述第1形式的凸點形成方法的基礎(chǔ)上，進一步也可以在上述本加熱中將上述半導(dǎo)體片加熱到凸點焊接用溫度的焊接臺上載置上述半導(dǎo)體片之后而在進行上述凸點焊接之前，對于載置在上述焊接臺上的該半導(dǎo)體片，將與上述焊接臺接觸的該半導(dǎo)體片的臺接觸面?zhèn)戎械臏囟群团c上述臺接觸面對向的該半導(dǎo)體片的電路形成面?zhèn)戎械臏囟戎g的溫度差，控制在抑制該半導(dǎo)體片的彎曲到不成為凸點形成的障礙的彎曲不發(fā)生溫度范圍內(nèi)。
本發(fā)明的第3形式的凸點形成裝置，包括載置半導(dǎo)體片并且將上述半導(dǎo)體片本加熱到為在該半導(dǎo)體片的電路上所形成的電極上形成凸點所需要的凸點焊接用溫度的焊接臺、載置在上述焊接臺上在上述半導(dǎo)體片的上述電極上形成上述凸點的凸點形成頭、針對上述焊接臺可以進行裝卸的移載裝置的凸點形成裝置，其特征是包括在向上述本加熱后的上述半導(dǎo)體片進行凸點焊接之后，根據(jù)對上述半導(dǎo)體片的溫度下降控制進行上述半導(dǎo)體片的冷卻的后冷卻裝置。
還有，本發(fā)明的第4形式的凸點形成裝置，是在上述第3形式的凸點形成裝置的基礎(chǔ)上，進一步也可以包括在上述焊接臺上載置上述半導(dǎo)體片在將上述半導(dǎo)體片加熱到上述凸點焊接用溫度之前對上述半導(dǎo)體片預(yù)先進行預(yù)加熱動作的預(yù)加熱裝置。
還有，本發(fā)明的第6形式的凸點形成裝置，是在上述第3形式的凸點形成裝置的基礎(chǔ)上，進一步也可以包括在上述焊接臺上載置上述半導(dǎo)體片后在進行上述凸點焊接前，對載置在上述焊接臺上的該半導(dǎo)體片，將與上述焊接臺接觸的該半導(dǎo)體片的臺接觸面?zhèn)戎械臏囟群团c上述臺接觸面?zhèn)葘ο虻脑摪雽?dǎo)體片的電路形成側(cè)中的溫度之間的溫度差，控制在抑制該半導(dǎo)體片的彎曲到不對凸點形成產(chǎn)生障礙的程度的彎曲不發(fā)生溫度范圍內(nèi)的片溫度控制裝置。
依據(jù)上述本發(fā)明的第1形式的凸點形成方法、以及第3形式的凸點形成裝置，包括后冷卻裝置，通過在片上形成凸點后，實行控制該片的溫度下降的后冷卻動作，即使處理對溫度變化敏感的化合物半導(dǎo)體片時，也不會發(fā)生由熱電效應(yīng)引起的電路破壞、或者熱變形引起的龜裂等不良現(xiàn)象。
進一步，依據(jù)上述本發(fā)明的第2形式的凸點形成方法、以及第4形式的凸點形成裝置，在上述后冷卻裝置的基礎(chǔ)上進一步包括預(yù)加熱裝置，通過在片上形成凸點前邊控制該片的溫度上升邊加熱該片，可以進一步防止由熱電效應(yīng)引起的電路破壞、或者熱變形引起的龜裂等不良現(xiàn)象發(fā)生。
還有，依據(jù)上述本發(fā)明的第5形式的凸點形成方法、以及第6形式的凸點形成裝置，進一步包括片溫度控制裝置，通過對載置在焊接臺上的半導(dǎo)體片在抑制該半導(dǎo)體片的彎曲到不對凸點形成產(chǎn)生障礙的程度下進行溫度控制，例如即使在200℃～250℃的高溫下也能保持半導(dǎo)體片基本處于平坦?fàn)顟B(tài)，因此可以在上述高溫下在上述半導(dǎo)體片上形成凸點。
以下對附圖作簡要說明。
本發(fā)明的這些目的和其他目的以及特征，通過附圖從以下的有關(guān)優(yōu)選實施例的說明中加以明確。在這些附圖中，圖1為表示本發(fā)明實施例中的凸點形成裝置的透視圖，圖2為表示圖1所示的搬送裝置的透視圖，圖3為表示圖1所示的移載裝置的透視圖，
圖4為表示圖3所示的移載裝置的變形例的透視圖，圖5為表示圖3所示的移載裝置的俯視圖，圖6為表示圖3所示的移載裝置的夾持機構(gòu)的剖視圖，圖7為表示圖1所示凸點形成裝置中所執(zhí)行的凸點形成方法的動作的流程圖，圖8為表示圖7所示第5步的預(yù)加熱中各種溫度上升曲線的曲線圖，圖9為表示圖7所示第5步的預(yù)加熱中各種溫度上升曲線的曲線圖，圖10為表示圖7所示第8步和第9步的溫度下降曲線的曲線圖，圖11為表示圖1所示的搬出裝置的變形例的剖視圖，圖12為表示圖1所示的搬出裝置的變形例的剖視圖，圖13為表示圖1所示的搬出裝置的變形例的剖視圖，圖14為表示圖11到圖13所示搬出裝置中的凸出部分的剖視圖，圖15為表示圖1所示的移載裝置的變形例的圖，圖16為表示圖1所示凸點形成裝置中預(yù)支撐部件的透視圖，圖17為表示圖1所示凸點形成裝置的變形例的框圖，圖18為表示圖1所示凸點形成裝置中裝載了構(gòu)成片溫度控制裝置的加熱吹風(fēng)裝置后的透視圖，圖19為表示在焊接臺上將水晶半導(dǎo)體片反置狀態(tài)的圖，圖20為表示圖1所示凸點形成裝置中裝載了溫度控制裝置后圖7的第6步中的動作流程圖。
為實施發(fā)明的最佳方式實施例1以下參照


本發(fā)明的實施例的凸點形成裝置以及由在該凸點形成裝置所實行的凸點形成方法。在附圖中相同的部件采用相同的參考符號。還有，如圖1所示，本實施例的凸點形成裝置101適用于處理上述化合物半導(dǎo)體片，在以下的說明中雖然是以在上述化合物半導(dǎo)體片中形成凸點的情況為例，但處理對象并不限定于上述化合物半導(dǎo)體，當(dāng)然也可以處理現(xiàn)有的硅片。還有，在這種情況下，形成凸點時的片的溫度如上所述需要加熱到250℃～270℃。還有，上述凸點形成裝置101雖然包括分層收納凸點形成前的化合物半導(dǎo)體片201的第1收納容器205和分層收納凸點形成后的化合物半導(dǎo)體片202的第2收納容器206兩者，即所謂的雙倉盒類型，但并不限定于該類型，也可以構(gòu)成為將上述凸點形成前化合物半導(dǎo)體片201和凸點形成后化合物半導(dǎo)體片202收納在一個收納容器中的所謂的單倉盒類型。
上述凸點形成裝置101的基本構(gòu)成并不是改變了現(xiàn)有的凸點形成裝置的構(gòu)成。即，該凸點形成裝置101大致包括一個焊接臺110、一個凸點形成頭120、搬送裝置120、一個移載裝置140、針對上述收納容器205、206分別設(shè)置的升降收納容器205、206的升降裝置150、以及控制裝置180。但是，在該凸點形成裝置101中，如后述的動作說明所示，特別是處理上述化合物半導(dǎo)體片時可以進行不讓在該化合物半導(dǎo)體片上發(fā)生上述那樣的片龜裂等現(xiàn)象的溫度控制，在上述控制裝置180的控制所實行的動作這一點上和現(xiàn)有的凸點形成裝置有很大不同。以下說明上述各構(gòu)成部分。
上述焊接臺110載置上述凸點形成前化合物半導(dǎo)體片(以下簡稱凸點形成前片)201，同時將凸點形成前片201加熱到為了在凸點形成前片201上所形成的電路中的電極上形成凸點所需要的凸點焊接用溫度。
上述凸點形成頭120是為了載置在上述焊接臺110上加熱到上述凸點焊接用溫度后的凸點形成前片201的上述電極上形成凸點的公知的裝置，除包括成為凸點材料的金線的線供給部121以外，還包括熔化上述金線形成焊球?qū)⒃撊刍盖虬磯涸谏鲜鲭姌O上的凸點制作部、在進行上述按壓時向凸點施加超聲波的超聲波發(fā)生部。還有，這樣構(gòu)成的凸點形成頭120例如被設(shè)置在具有球螺紋構(gòu)造可以在平面上相互垂直的X、Y方向上移動的X、Y臺122上，為了在固定的上述凸點形成前片201的各上述電極上形成凸點，通過上述X、Y臺122可以在上述X、Y方向上移動。
在該凸點形成裝置101中，作為上述搬送裝置130設(shè)置了兩種，其一種為搬入裝置131，是從上述第1收納容器205中取出上述凸點形成前片201的裝置，另一種為搬出裝置132，將凸點形成后的化合物半導(dǎo)體片(以下簡稱凸點形成后片)202搬送到上述第2收納容器206進行收納的裝置。詳細如圖2所示，上述搬入裝置131以及上述搬出裝置132沿上述X方向并排設(shè)置，分別通過各自獨立的固定在框體133上的空心汽缸134的可動部134a，還有在固定在框體133上的導(dǎo)引部件135的導(dǎo)引下在X方向上移動。還有，如圖1所示，在搬入裝置131和搬出裝置132之間，配置上述焊接臺110，搬入裝置131在上述第1收納容器205和焊接臺110之間移動，搬出裝置132在焊接臺110和上述第2收納容器206之間移動。
上述搬入裝置131，如圖2所示，包括安裝在支撐部件1314上可動側(cè)夾持部件1311和固定側(cè)夾持部件1312，在上述可動側(cè)夾持部件1311上可載置上述凸點形成前片201。還有，通過安裝在上述支撐部件1314上的具有汽缸的驅(qū)動部131，上述可動側(cè)夾持部件1311可以在凸點形成前的直徑方向移動。還有，上述驅(qū)動部1313是為了讓可動側(cè)夾持部件1311離開固定側(cè)夾持部件1312的方向上，即打開方向上移動，向接近固定側(cè)夾持部件1311的方向，即關(guān)閉方向的可動側(cè)夾持部件1311的移動可以通過例如彈簧等彈性部件的施彈力進行。向上述打開方向移動上述可動側(cè)夾持部件1311，通過上述空心汽缸134的可動部134a將這樣構(gòu)成的搬入裝置131移動到與上述第1收納容器205內(nèi)的凸點形成前片201對應(yīng)的位置上，該移動完成后，讓上述可動側(cè)夾持部件1311向上述關(guān)閉方向移動，通過設(shè)置在可動側(cè)夾持部件1311上的定位滾軸1315和設(shè)置在固定夾持部件1312上的限定位置滾軸1316夾持上述凸點形成前片201。還有，第1收納容器205載置在構(gòu)成上述升降裝置150的第1升降裝置151上，該第1升降裝置151升降上述第1收納容器205，以便讓上述搬入裝置131配置在可以取出上述凸點形成前片201的位置上。還有，通過搬入裝置131從第1收納容器205取出的凸點形成前片201由上述移載裝置140夾持。還有，搬入裝置131的上述動作，由控制裝置180控制。
上述搬出裝置132包括載置從移載裝置140移載的上述凸點形成后載置片202的載置部件1321。在該載置部件1321上與所載置的凸點形成后片202的大致中央部位相對應(yīng)成列狀形成有為吸引住凸點形成后片202的多個吸引孔1322。這些吸引孔1322與由控制裝置180進行動作控制的吸引裝置1323連接。進一步，在搬出裝置132上，作為本實施例的特征之一，在與上述吸引孔1322相鄰的位置上形成有為噴出凸點形成后片202的冷卻控制用氣體的多個送氣孔1324。這些送氣孔1324與由控制裝置180進行動作控制的送風(fēng)裝置1325連接。因此，通過由送風(fēng)裝置1325從送氣孔1324噴出的溫度控制后的氣體，在本實施例中為溫度控制后的空氣，進行載置在載置部件1321上的凸點形成后片202的冷卻，與自然冷卻的情況相比，可以緩慢進行冷卻。還有，從送氣孔1324噴出的空氣，通過形成在載置部件1321上的排氣用溝1326向載置部件1321的外部排出。還有，上述送氣孔1324在上述排氣用溝1326上開口，另一方面，上述吸引孔1322在凸點形成后片202接觸的載置部件1321的表面1321a上開口。因此，從送氣孔1324噴出的空氣通過排氣用溝1326時，不會發(fā)生由上述噴出的空氣將凸點形成后片202從載置部件1321吹走的事情。還有，送氣孔1324、排氣用溝1326以及吸引孔1322的數(shù)并不限定于圖中所示的數(shù)量。
還有，上述送氣孔1324、送風(fēng)裝置1325以及排氣用溝1326也可以進一步設(shè)置在上述搬入裝置131上載置片201的部件、本實施例的情況為可動側(cè)夾持部件1311。
移載裝置140是從上述搬入裝置131向上述焊接臺110移載上述凸點形成前片201、并且從焊接臺110向上述搬出裝置132移載上述凸點形成后片202的裝置，如圖3所示，在本實施例中，包括夾持片201、202的一個支撐部141、具有讓該支撐部141沿上述X方向移動的球螺釘結(jié)構(gòu)并由電機1421驅(qū)動的驅(qū)動部142、在所保持的片201、202的厚度方向升降上述支撐部141的移動部143。上述支撐部141配置在上述焊接臺110、以及上述搬入裝置131的可動側(cè)夾持部件1311和固定側(cè)夾持部件1312、以及上述搬出裝置132中載置部件1321的上部的位置上，如上所述，通過移動部143的升降在上述焊接臺110、上述搬入裝置131以及上述搬出裝置132之間進行上述片201、202的移載。這樣構(gòu)成的移載裝置140由控制裝置180進行動作控制。還有，如圖3所示，在移載裝置140上也可以設(shè)置能以非接觸測定上述片201、202的溫度并將測定結(jié)果輸送給控制裝置180的溫度測定器1419。
如圖3及圖5所示，上述支撐部141，作為本實施例的特征之一，包括在上述片201、202的平面上從相互垂直的兩個方向夾持上述片201、202的分別由一對夾持部件構(gòu)成的第1夾持部件1411-1、1411-2(有時也總稱為第1夾持部件1411)以及第2夾持部件1412-1、1412-2(有時也總稱為第2夾持部件1412)、以及讓上述第1夾持部件1411-1、1411-2和第2夾持部件1412-1、1412-2合攏張開的驅(qū)動機構(gòu)1413。在上述第1夾持部件1411上第1夾持部件1411-1和第1夾持部件1411-2之間相互對向的位置上分別設(shè)置了2組，而在在上述第2夾持部件1412上第2夾持部件1412-1和第2夾持部件1412-2之間相互對向的位置上分別設(shè)置了1組夾持機構(gòu)1414。這些夾持機構(gòu)1414，如圖6所示，包括殼體1415、在其厚度方向貫通上述第1夾持部件1411以及第2夾持部件1412并且在殼體1415內(nèi)沿軸方向可滑動的栓1416、在該栓1416的軸轉(zhuǎn)動方向可自由轉(zhuǎn)動的狀態(tài)下安裝在上述栓1416的端部并且具有防止上述片201、202落下用的鍔1418的支撐用具1417、設(shè)置在上述殼體1415內(nèi)在軸方向壓住上述栓1416的彈簧1418。這樣的夾持機構(gòu)1414沿由上述第1夾持部件1411以及第2夾持部件1412所夾持的上述片201、202的周圍以大致均勻的間隔配置了6個，因此上述支撐用具1417在上述6處支撐上述片201、202。
在本實施例中，不僅只有第1夾持部件1411，而且包括第2夾持部件1412，如上所述在大致均勻間隔的6處夾持上述片201、202，因而不會給上述片201、202施加力學(xué)上的偏應(yīng)力，并且不會給予熱學(xué)上的偏溫度分布。即，由于上述支撐用具1417接觸上述片201、202的周圍而支撐該片201、202，特別是加熱狀態(tài)下凸點形成后片202的場合，會從該凸點形成后片202向上述支撐用具1417產(chǎn)生熱傳遞。但是，由于在大致均勻間隔的6處配置支撐用具1417，所以即使是夾持凸點形成后片202的情況，上述支撐用具1417也不會引起片202在熱學(xué)上的偏溫度分布。因此，如上所述不僅只有第1夾持部件1411而且包括第2夾持部件1412、并且在均勻間隔的6處支撐上述片201、202的本實施例的構(gòu)成，特別是對于凸點形成后的冷卻與硅片相比需要緩慢進行的對溫度變化敏感的化合物半導(dǎo)體片，可以有效防止上述龜裂等不良情況的發(fā)生。
進一步，由于上述栓1416可以沿其軸方向移動，上述支撐用具1417也可以沿上述軸方向移動。例如當(dāng)從上述焊接臺110夾持凸點形成后片202時，加熱后的凸點形成后片202由于熱有可能產(chǎn)生彎曲變形。這樣彎曲變形的凸點形成后片202由上述支撐用具1417夾持時，凸點形成后片202隨著冷卻會從上述彎曲變化狀態(tài)回到原來的平坦?fàn)顟B(tài)。這樣隨著凸點形成后片202的復(fù)元上述支撐用具1417也會在上述軸方向移動，夾持機構(gòu)1414不會給上述片202施加應(yīng)力。
讓上述第1夾持部件1411以及第2夾持部件1412合攏張開的驅(qū)動機構(gòu)1413包括驅(qū)動源的汽缸14131、與上述夾持部件1411-2的移動同步而讓第2夾持部件1412-1、1412-2移動的第2夾持部件移動機構(gòu)14132。第2夾持部件移動機構(gòu)14132具有通過關(guān)節(jié)部14136連接一端與上述第1夾持部件1411-2連接的第1部件14133和可以沿轉(zhuǎn)動中心軸14134的軸轉(zhuǎn)動方向轉(zhuǎn)動的第2部件14135的結(jié)構(gòu)，隨著第1夾持部件1411-2向X方向的移動，上述第1部件14133移動，伴隨該移動第2部件14135轉(zhuǎn)動，而讓上述第2夾持部件1412向Y方向移動。
該驅(qū)動機構(gòu)1413按以下的方式動作。為了夾持上述片201、202，讓上述第1夾持部件1411以及第2夾持部件1412分別張開時，汽缸14131動作，其輸出軸14137向上述X方向伸出，與該輸出軸14137連接的上述第1夾持部件1411-1首先向X方向移動直到與止擋對接，通過由上述止擋停止第1夾持部件1411-1的移動，然后第1夾持部件1411-2向X方向移動。隨著該第1夾持部件1411-2的移動，如上所述由于第2夾持部件移動機構(gòu)14132的動作而第2夾持部件1412在Y方向移動。這樣，為了讓上述第1夾持部件1411以及第2夾持部件1412分別張開，首先第1夾持部件1411-1移動，然后第1夾持部件1411-2和第2夾持部件1412同時移動。相反，為了夾持上述片201、202而讓上述第1夾持部件1411以及第2夾持部件1412分別合攏時，由于上述汽缸14131的動作，首先第1夾持部件1411-2和第2夾持部件1412同時移動，然后第1夾持部件1411-1移動。
這樣在第1夾持部件1411-2以及第2夾持部件1412、和第1夾持部件1411-1之間，通過設(shè)置在時間上錯開的動作時刻，特別是夾持片201、202時，可以防止給片201、202施加臨時的力。
還有，在本實施例中，由上述焊接臺110、移載裝置140以及控制裝置180構(gòu)成對凸點形成前片201的預(yù)加熱裝置以及后冷卻裝置。還有，在本實施例中，如上所述雖然是由一個控制裝置180進行上述預(yù)加熱裝置以及后冷卻裝置的動作控制，也可以針對上述預(yù)加熱裝置以及后冷卻裝置分別設(shè)置控制其裝置動作的第2控制裝置180-2以及第1控制裝置180-1。進一步，如本實施例那樣的從設(shè)置在載置部件1321上的送氣孔1324噴出由送風(fēng)裝置1325進行了溫度控制的氣體的搬出裝置132、或者如后述的圖11到圖13所示的變形例那樣的在載置部件上設(shè)置絕熱材料的搬出裝置也可以包含在上述后冷卻裝置中。
為此，也可以分別在每套裝置中設(shè)置焊接臺110、移載裝置140以及控制裝置180，各套裝置作為上述預(yù)加熱裝置、上述后冷卻裝置構(gòu)成。還有，在該構(gòu)成中，預(yù)加熱裝置以及后冷卻裝置中所包含的各控制裝置也可以統(tǒng)一成一個。還有，在該構(gòu)成中，后冷卻裝置中也可以包含上述噴出溫度控制后的氣體的搬出裝置132或者設(shè)置絕熱材料的搬出裝置。
以下說明以如上所敘構(gòu)成的本實施例的凸點形成裝置101的動作。還有，該動作由控制裝置180控制，該控制裝置180實行作為本實施例的特征的動作，其詳細如后面所述那樣，在焊接臺110上形成凸點后，在向第2收納容器106收納凸點形成后片202之前至少要實行在溫度控制下冷卻凸點形成后片202的后冷卻動作。還有，在以下的說明中，片201、202雖然是采用3英寸的化合物半導(dǎo)體片為例進行說明，但是，其種類和大小并不限定于此。
為了能從第1收納容器205取出片放入到上述搬入裝置131上的取出位置配置凸點形成前片201，第1升降裝置151動作，升降第1收納容器205。以下，如圖7所示，在第1步(圖中以S表示步驟)，讓搬入裝置131向第1收納容器205移動，由搬入裝置131的可動側(cè)夾持部件1311以及固定側(cè)夾持部件1312夾持上述凸點形成前片201。然后在第2步，將所夾持的片201從第1收納容器205取出搬送。然后在第3步，向由搬入裝置131所夾持的凸點形成前片201的上方移動移載裝置140的支撐部141，驅(qū)動移載裝置140的移動部143讓支撐部141下降，同時驅(qū)動支撐部141的汽缸14131，讓第1夾持部件1411張開并且讓第2夾持部件1412張開。然后，通過上述汽缸14131的動作，讓第1夾持部件1411合攏并且讓第2夾持部件1412合攏，夾持上述凸點形成前片201。然后在第4步，讓支撐部141上升并且由驅(qū)動部142讓支撐部141向上述焊接臺110的上方移動。
在本實施例中，在向焊接臺110上載置凸點形成前片201之前，作為本實施例的特征之一，在第5步，在由支撐部141夾持凸點形成前片201的狀態(tài)下進行凸點形成前片201的預(yù)加熱。如果將常溫狀態(tài)的凸點形成前片201直接載置在焊接臺110上加熱到最高約150℃的焊接用溫度，對溫度變化敏感的化合物半導(dǎo)體片，由于上述焦電效應(yīng)有可能引起電路破壞或者上述龜裂等情況發(fā)生，為了回避這種情況，對片201進行預(yù)加熱。
作為上述預(yù)加熱的具體方法，在本實施例中，采用在已經(jīng)加熱到上述焊接用溫度的焊接臺110的上方，在與焊接臺110對向并非接觸的狀態(tài)下，放置由支撐部141夾持的凸點形成前片201，通過來自焊接臺110的放射熱進行加熱的方法。這樣的預(yù)加熱方法中凸點形成前片201的溫度上升控制可以通過控制焊接臺110與凸點形成前片201之間的間隙尺寸和在該位置上凸點形成前片201的放置時間中至少一個來進行控制，還有，通過上述間隙尺寸和上述放置時間的組合，可以進行圖8以及圖9所述的各種上述溫度上升控制。在圖8所示的曲線，在預(yù)加熱動作過程中保持上述間隙尺寸和上述放置時間不變的情況下，當(dāng)凸點形成前片201的溫度達到平衡狀態(tài)的時刻將凸點形成前片201載置在焊接臺110上加熱到上述焊接用溫度時1段預(yù)加熱類型中的溫度上升曲線。另一方面，圖9為表示，在預(yù)加熱動作過程中讓上述間隙尺寸和上述放置時間變化的情況下的多段預(yù)加熱類型中的溫度上升曲線。還有，如圖8以及圖9所示，t1、t2、t3、t4、t5為預(yù)加熱所用時間，T1、T2、T3、T4為預(yù)加熱動作過程中上述平衡狀態(tài)下的溫度，T為上述焊接用溫度。還有，符號1001所示的溫度上升曲線為本實施例的情況，上述間隙尺寸為4mm，以在到達80℃之前需要90秒的溫度上升率，在該狀態(tài)下保持1～2分鐘，然后載置在焊接臺110上。
為從這樣各種溫度上升控制中選擇適當(dāng)控制的條件，可根據(jù)例如硅片或者化合物半導(dǎo)體片，進一步所謂的該化合物的種類的半導(dǎo)體片的材料和半導(dǎo)體片的厚度尺寸中至少選擇一個。
還有，也可以將上述各種溫度上升控制模式作為預(yù)加熱用程序預(yù)先保存在控制裝置180所包含的記錄部中，根據(jù)所輸入的半導(dǎo)體片的材料和厚度尺寸中的至少一個，控制裝置180自動選擇預(yù)加熱所適合的溫度上升控制，還有，也可以根據(jù)由設(shè)置在支撐部141上的上述溫度測定器1419向控制裝置180提供的、凸點形成前片201的實際溫度信息進行溫度上升控制。
還有，在本實施例中，雖然是利用焊接臺110的熱進行上述預(yù)加熱，但并不限定于此，也可以采用另外設(shè)置的預(yù)加熱用裝置。
還有，在本實施例中雖然是在第5步實行，但并不限定于此，也可以從上述第4步移到以下說明的第6步。
在第6步，和現(xiàn)有的凸點形成裝置同樣，上述移載裝置140將凸點形成前片201載置在加熱了的焊接臺110上，將凸點形成前片201加熱到上述焊接用溫度。然后，由上述X、Y臺122將上述凸點形成頭120分別移動到凸點形成位置上，由凸點形成頭120在上述片201上形成凸點。
在所有需要位置上形成凸點之后，在第7步，由移載裝置140從焊接臺110上夾持上述凸點形成后片202。在第7步之后，在第8步以及第9步中的任一個實行作為本實施例的特征之一的后冷卻。如果將具有上述焊接用溫度的凸點形成后片202直接放置在搬出裝置132的具有常溫的載置部件1321上，則由于從凸點形成后片202要向載置部件1321進行熱傳導(dǎo)，所以對于對溫度變化敏感的化合物半導(dǎo)體片而言，有可能發(fā)生上述龜裂等，為了避免這種情況，需要控制溫度下降，進行片202的冷卻。作為上述后冷卻方法，在本實施例中，有在第8步所實行的、和上述預(yù)加熱同樣由載置裝置140將凸點形成后片202放置在焊接臺110的上方的方法，和在第9步所實行的、由移載裝置140將凸點形成后片202放置在焊接臺110的上方之外的冷卻位置、例如搬出裝置132的載置部件1321的上方等位置的方法。任一方法都可以在凸點形成后，避免凸點形成后片202直接接觸處于常溫狀態(tài)的上述載置部件1321，減緩?fù)裹c形成后片202的溫度下降。還有，后冷卻方法并不限定于這些，也可以采用后述的各種方法。
在第8步所實行的后冷卻動作中，和上述第5步中的預(yù)加熱動作相同通過改變上述間隙尺寸和上述放置時間中至少一個，優(yōu)選改變兩者，例如進行如圖10所示的基本上和上述圖8以及圖9所示溫度上升曲線相反的溫度下降曲線的溫度下降控制。還有，符號1002所示的溫度下降曲線，和上述1段預(yù)加熱類型相同，是在后冷卻動作過程中不改變上述間隙尺寸和上述放置時間情況下的曲線，符號1003所示的溫度下降曲線，和上述多段預(yù)加熱類型相同，是在后冷卻動作過程中改變上述間隙尺寸和上述放置時間情況下的曲線。還有，t6、t7為后冷卻所用時間，T5、T6為后冷卻動作過程中的平衡狀態(tài)下的溫度，T0為常溫。還有，在經(jīng)過上述時間t6、t7的時刻，將凸點形成后片202移載到搬出裝置132的載置部件1321上。
還有，各種溫度下降控制的選擇，和上述預(yù)加熱動作的情況相同，是根據(jù)片201、202的材料和厚度尺寸中的至少一個進行選擇。
還有，和上述預(yù)加熱動作的情況相同，也可以將上述各種溫度下降控制模式作為后冷卻用程序預(yù)先保存在控制裝置180所包含的記錄部中，根據(jù)所輸入的半導(dǎo)體片的材料和厚度尺寸中的至少一個，控制裝置180自動選擇后冷卻所適合的溫度下降控制，還有，也可以根據(jù)由設(shè)置在支撐部141上的上述溫度測定器1419向控制裝置180提供的、凸點形成后片202的實際溫度信息進行溫度上升控制。
還有，在本實施例中，雖然是利用焊接臺110的熱進行上述后冷卻動作，但并不限定于此，也可以采用另外設(shè)置的后冷卻用加熱裝置。
在第9步所實行的后冷卻動作，和上述第8步情況不同，由于不利用從焊接臺110散發(fā)的熱，和上述第8步的情況相比凸點形成后片202的溫度下降速度要快。但是和在凸點形成后直接載置在上述載置部件1321的情況相比沒有向載置部件1321的熱傳導(dǎo)，冷卻速度慢，對于上述化合物半導(dǎo)體片，不會發(fā)生上述龜裂等不良的情況。
在此，說明上述預(yù)加熱動作以及后冷卻動作中的溫度上升速度以及溫度下降速度和半導(dǎo)體片的材料以及板厚之間關(guān)系。
對于硅以及水晶半導(dǎo)體片，和下述材料的情況相比可以進行比較急加熱、急冷卻。對于鋰鉭以及鋰鈮的化合物半導(dǎo)體片，加熱和冷卻時，對于上述龜裂優(yōu)選50℃/分以下的速度，對于切實保障電路動作優(yōu)選3℃/分以下的速度。還有，即使是超過上述3℃/分的速度，也可以充分保障電路動作。還有，對于溫度上升速度，在達到50℃/10秒的速度時，也有出現(xiàn)情況好的現(xiàn)象，而溫度下降控制的控制條件要嚴(yán)格一些。還有，在當(dāng)前狀況下雖然還未確定，砷化鎵的半導(dǎo)體片也可以照準(zhǔn)上述鋰鈦以及鋰鈮的半導(dǎo)體片的情況。
還有，上述板厚和上述溫度上升速度以及溫度下降速度之間的明確關(guān)系到目前為止還沒有被確認(rèn)，但是，如上所述由移載裝置的支撐部夾持時，板厚較薄的片由于上述支撐部的夾持力容易發(fā)生彎曲變形，可以說是不利的。
還有，雖然可以實行第8步和第9步中的任一個，在本實施例中實行的是第9步，但并不限定于此。即根據(jù)上述材料以及板厚，也可以按照第8步之后第9步的順序?qū)嵭械?步和第9步。進一步，在本實施例的載置部件1321中，由于可以如上述那樣由送風(fēng)裝置1325送出溫度控制后的空氣，由上述空氣讓載置部件1321的溫度預(yù)先上升到常溫以上，也可以減緩載置在載置部件1321上凸點形成后片202的溫度下降。因此，采用這樣的結(jié)構(gòu)時，根據(jù)半導(dǎo)體片的上述材料或者上述厚度也可以將從上述第7步移到以下說明的第10步。
還有，利用從載置部件1321送出上述溫度控制后的空氣的構(gòu)成，也可以防止上述化合物半導(dǎo)體片中的龜裂等不良現(xiàn)象的發(fā)生。
還有，通過如上述那樣送出溫度控制后空氣，可以控制片202的溫度下降，不用等到由上述后冷卻讓片202的溫度達到平衡，就可以將片202移載在上述載置部件1321上。因此，如果只設(shè)置了一個移載裝置140時，為進行后冷卻動作而從夾持片202可以快速釋放移載裝置140，縮短導(dǎo)引的時間。
在第8步或者第9步之后的第10步中，從移載裝置140向搬出裝置132的載置部件1321移載凸點形成后片202。
在第11步中，由搬出裝置132向第2收納容器206搬送凸點形成后片202，對于由第2升降裝置152設(shè)定成可以收納凸點形成后片202的高度的第2收納容器206，在第12步中，搬出裝置132收納凸點形成后片202。還有，從上述第10步到第12步的動作和現(xiàn)有的動作相同。
如以上所述，依據(jù)本實施例的凸點形成裝置101以及凸點形成方法，不是由焊接臺110直接將凸點形成前片201從常溫加熱到焊接用溫度，經(jīng)過預(yù)加熱動作在控制上升溫度的情況下預(yù)先加熱凸點形成前片201，即使是處理對溫度變化敏感的化合物半導(dǎo)體片，也不會產(chǎn)生由熱電效應(yīng)引起的電路損壞、和由熱變形引起的龜裂等不良情況的現(xiàn)象。進一步，在凸點形成后，不是將凸點形成后片202從焊接用溫度直接載置在常溫的搬出裝置132的載置部件1321上，經(jīng)過后冷卻動作在控制溫度下降的情況下冷卻凸點形成后片202，即使處理上述化合物半導(dǎo)體片，也不會產(chǎn)生上述電路損壞和上述龜裂等不良情況。
作為上述凸點形成裝置101的變形例，也可以采用以下的構(gòu)成。
在上述實施例中，如圖11到圖13所示的搬出裝置251～253那樣，在和凸點形成后片202的接觸部分上，在本實施例中設(shè)置由樹脂材料構(gòu)成的絕熱材料，可延緩比常溫要高的溫度的凸點形成后片202的冷卻。
即，在圖11所示的搬出裝置251中，在金屬制的載置部件2511上設(shè)置絕熱材料2512，不讓凸點形成后片202和載置部件2511直接接觸，并且由樹脂材料構(gòu)成的絕熱材料2512很難將凸點形成后片202的熱傳導(dǎo)給載置部件2511。進一步，讓凸點形成后片202與絕熱材料2512點接觸，讓熱傳導(dǎo)更加困難，在絕熱材料2512上設(shè)置凸出部2513。通過這樣的構(gòu)成，與凸點形成后片202直接載置在金屬制的載置部件1321上的情況相比，可以延緩?fù)裹c形成后片202的溫度下降。
在圖12所示的搬出裝置252中，在上述搬出裝置251的結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，進一步在載置部件2511和絕熱材料2522之間形成空氣層2523。這樣通過形成具有絕熱效果的空氣層2523，容易遮斷從絕熱材料2522向金屬制的載置部件2521的熱傳導(dǎo)，和上述搬出裝置251的情況相比，可以延緩?fù)裹c形成后片202的溫度下降。
還有，如上述的搬出裝置251以及搬出裝置252那樣，在金屬制的載置部件上設(shè)置絕緣材料的理由是因為通過在平面加工容易的金屬制載置部件上制作平滑面，可以讓載置凸點形成后片202的上述絕熱材料的載置面平滑，當(dāng)即使只用絕熱材料也能制成平滑的上述載置面時，也可以采用圖3所示的搬出裝置253那樣只用絕熱材料2531形成凸點形成后片202的載置部件。
還有，在設(shè)置了這樣的絕熱材料的搬出裝置251～253的情況下，如上所述由于可以延緩?fù)裹c形成后片202的冷卻速度，雖然也可以執(zhí)行上述第8步或者第9步，但也可以省略其步驟。
還有，以上述搬出裝置251為例，如圖14所示，上述凸出2513對于絕熱材料2512以及載置部件2511設(shè)置間隙2515進行安裝。因此在搬出裝置251上載置后，凸點形成后片202相對于厚度方向向垂直方向移動時，凸出2513在上述間隙中在上述垂直方向也可以和凸點形成后片202一起移動。因此，凸出固定的情況下，凸點形成后片202進行上述移動時，凸點形成后片202和上述凸出摩擦，上述凸出有可能給凸點形成后片202造成損傷，如上所述通過讓凸點形成后片202和凸出2513共同向同方向移動，可以消除上述損傷。
還有，如圖所示，凸出2512，對于絕熱材料2512，由于在凸點形成后片202的厚度方向也給出間隙2512后設(shè)置，在片202的上述厚度方向上也可以移動。
還有，也可以只對上述凸出2513采用由與絕熱材料2512、2522、2531不同的材料進行制作。
還有，對于凸點形成前片201、以及凸點形成后片202的保溫，為了比上述實施例的情況更好，也可以對于上述移載裝置140設(shè)置保溫裝置。圖15為表示在上述移載裝置140中安裝了上述保溫裝置262的移載裝置261。
保溫裝置262包括蓋板用部件2621和驅(qū)動部2624。蓋板用部件2621為進行上述片201、202的保溫的部件，包括在上述片201、202的厚度方向上將上述片201、202夾持其間并覆蓋具有上述第1夾持部件1411以及第2夾持部件1412的支撐部141的上部蓋2622以及下部擋空氣板2623。上述下部擋空氣板2623由沿被支撐部141夾持的片201、202的直徑方向、由上述驅(qū)動部2624進行左右開閉的2個下部擋空氣板2623-1、2623-2構(gòu)成。為了容易讓來自焊接臺110的熱作用在片201、202上，分別在這些下部擋空氣板2623-1、2623-2上設(shè)置了貫通該下部擋空氣板2623-、2623-2的多個開口2625。
通過設(shè)置這樣構(gòu)成的保溫裝置262，在夾持片201、202的狀態(tài)下關(guān)閉下部擋空氣板2623，如上所述在第5步以及第8步，通過將片201、202放置在焊接臺110的上方，焊接臺110的熱進入到蓋板用部件2621內(nèi)，進行片201、202的保溫。
進一步，在上述保溫裝置262中可以設(shè)置將進行了溫度控制的支持上述片201、202的保溫的氣體吹向夾持在蓋板用部件2621內(nèi)的片201、202的保溫支持裝置263。還有，在本實施例中，上述氣體為氮氣，為了讓該氮氣沿上述片201、202的表面流動，通過導(dǎo)管2631吹向片201、202。這樣通過吹氣體，可以讓片201、202整體保持均勻的溫度。還有，通過吹入氮氣或者惰性氣體，可以防止對形成在片201、202上的電極的氧化。
進一步，為了在防止上述片201、202的上述龜裂等不良情況的基礎(chǔ)上，并在凸點形成過程中縮短導(dǎo)引時間，可以在上述實施例以及其變形例的構(gòu)成的基礎(chǔ)上增加設(shè)置以下構(gòu)成。
即，在上述那樣的實施例中，移載裝置140雖然只設(shè)置了一個支撐部141，也可以如圖4所示的移載裝置144那樣包括兩個支撐部144-1、144-2，例如右支撐部144-1進行凸點形成前片201的移載，支撐部144-2進行凸點形成后片202的移載，分別獨立進行驅(qū)動。還有，在各支撐部144-1、144-2中，也分別設(shè)置上述溫度測定器1419。
通過這樣的構(gòu)成，上述凸點形成前片201的移載動作和上述凸點形成后片202的移載動作分別由上述各支撐部分擔(dān)，可以縮短導(dǎo)引時間。
進一步，在具有一個移載裝置140的情況下，搬入裝置131以及搬出裝置132中的至少一方上，如圖16所示，可以設(shè)置臨時支撐部件271。還有，設(shè)置在搬入裝置131側(cè)的臨時支撐部件271為第1臨時支撐部件271-1，設(shè)置在搬出裝置132側(cè)的臨時支撐部件271為第2臨時支撐部件271-2。例如以搬入裝置131為例時，第1臨時支撐部件271-1為夾持載置部件1321的U字形，沿載置在上述載置部件1321上的片202的厚度方向，由控制裝置180進行動作控制的驅(qū)動裝置272對其進行升降。這樣通過設(shè)置第1臨時支撐部件271-1，上述載置部件1321和第1臨時支撐部件271-1之間可以進行片201的轉(zhuǎn)移，載置部件1321可以進行下一個凸點形成前片201的取出。因此，可以縮短上述導(dǎo)引時間。這樣的動作和效果對于第2臨時支撐部件271-2的情況也是相同的。
進一步，如圖17所示，在只有一個片201、202的收納容器302的所謂單倉型凸點形成裝置301中，通過包括在上述那樣的臨時支撐部件中進一步設(shè)置裝有加熱器的帶加熱器的臨時支撐部件303、上述臨時支撐部件304、針對上述收納容器302進行片201、202取出放入的搬送裝置305、移載裝置306，例如，可以將由搬送裝置305取出的凸點形成前片201載置在上述帶加熱器臨時支撐部件303上進行上述預(yù)加熱，同時由空出的搬送裝置305進行下一個凸點形成前片201的取出，并且由移載裝置306從焊接臺110向臨時支撐部304移載凸點形成后片202。通過具有這樣的臨時支撐部件，可以并行進行各動作，即使是上述單倉型，也可以縮短導(dǎo)引時間。還有，在這樣的構(gòu)成中，上述帶加熱器的臨時支撐部件303在預(yù)加熱以后，在載置下一個凸點形成前片201之前需要冷卻到大致常溫狀態(tài)，為此優(yōu)選包括適當(dāng)?shù)睦鋮s裝置。
實施例2在以上的說明中，作為例子，雖然對于主要適用化合物半導(dǎo)體片而言不會有太大的問題，但例如對于在水晶基板上形成半導(dǎo)體電路的半導(dǎo)體片(以下稱為水晶半導(dǎo)體片)，進一步存在以下所示問題。還有，在說明的水晶半導(dǎo)體片雖然采用的是直徑為3英寸、厚度為0.3到0.35mm，顯然并不限定于此。
從上述那樣容易在半導(dǎo)體片上形成凸點的觀點來看，上述凸點焊接用溫度，如上所述例如對于硅片約為250℃～270℃，對于鋰鉭片約為150℃，優(yōu)選盡量高溫。雖然對于上述水晶半導(dǎo)體片也不例外，但是在將進行了上述預(yù)加熱的上述水晶半導(dǎo)體片載置在設(shè)定為各種溫度的上述焊接臺上加熱到上述凸點焊接用溫度時，根據(jù)申請人所進行的實驗，呈現(xiàn)出以下現(xiàn)象。即使是將上述焊接臺以5℃/分的升溫速度逐漸加熱，當(dāng)上述焊接臺達到約250度，即圖19所示那樣與上述焊接臺接觸的水晶半導(dǎo)體片211的臺接觸面211b達到上述焊接臺的約250度時，如圖19所示結(jié)果水晶半導(dǎo)體片211彎曲了。還有，當(dāng)上述焊接臺的溫度和載置之前的水晶半導(dǎo)體片211的溫度之間的溫度差約50℃時，如圖19所示結(jié)果水晶半導(dǎo)體片211彎曲了。還有，即使上述溫度差在50℃以下，例如以20℃/分的速度急速加熱時，也會發(fā)生上述彎曲的現(xiàn)象。
還有，作為上述升彎曲的具體值，圖19所示的尺寸I約為2mm。
在這樣的彎曲狀態(tài)下，水晶半導(dǎo)體片211不能吸附在上述焊接臺上，還有，顯然在水晶半導(dǎo)體片211上不可能形成凸點。另一方面，如果強制將這樣彎曲的水晶半導(dǎo)體片211吸附在焊接臺上，則水晶半導(dǎo)體片211會龜裂。
產(chǎn)生上述彎曲的原因，雖然本質(zhì)上可以認(rèn)為是由于水晶半導(dǎo)體片211的物性所致，直接原因是由于在水晶半導(dǎo)體片211中的溫度在其厚度方向是不均勻的。即，水晶半導(dǎo)體片211載置在上述焊接臺上時，水晶半導(dǎo)體片211的上述臺接觸面?zhèn)?11b急速加熱，上述臺接觸面?zhèn)?11b的反面，該水晶半導(dǎo)體片211的電路形成面?zhèn)?11a的溫度上升與上述臺接觸面?zhèn)?11b相比要慢。因此，上述臺接觸面?zhèn)?11b和上述電路形成面?zhèn)?11a之間產(chǎn)生溫度差，結(jié)果該溫度差產(chǎn)生上述彎曲。
為此，在本實施例中，如圖1或者圖18所示，設(shè)置片溫度控制裝置160，使得對于載置在焊接臺110上的水晶半導(dǎo)體片211，將上述電路形成面?zhèn)?11a和上述臺接觸面?zhèn)?11b的溫度差限制在能將該水晶半導(dǎo)體片211的彎曲控制在對于在所載置的水晶半導(dǎo)體片211上形成凸點不產(chǎn)生障礙的片彎曲量、本實施例為50μm的不發(fā)生彎曲溫度范圍內(nèi)。還有，上述片彎曲量是在水晶半導(dǎo)體片211彎曲成凸?fàn)顣r水晶半導(dǎo)體片211吸附在焊接臺110之間的狀態(tài)中圖19所示的[I]所示尺寸所對應(yīng)的量。還有，實際凸點形成時，從進行上述吸附動作后，上述50μm的值變到20μm以下。上述片溫度控制裝置160是為了將上述溫度差控制在上述不發(fā)生彎曲的溫度范圍內(nèi)對載置在焊接臺110上的水晶半導(dǎo)體片211的上述電路形成面?zhèn)?11a進行加熱。還有，對上述臺接觸面?zhèn)?11b進行冷卻。在此，上述不發(fā)生彎曲的溫度范圍，根據(jù)上述實驗結(jié)果為在20℃以內(nèi)。
在片溫度控制裝置160中，作為對上述電路形成面?zhèn)?11a進行加熱的方式，如圖18所詳細表示的那樣設(shè)置加熱吹風(fēng)裝置161。該加熱吹風(fēng)裝置161設(shè)置在焊接臺110的深側(cè)不干擾凸點形成頭120的動作的位置上，對載置在焊接臺110上的水晶半導(dǎo)體片211的上述電路形成面?zhèn)?11a的整個區(qū)域或者大致整個區(qū)域，吹加熱風(fēng)，能將上述溫度差控制在上述不發(fā)生彎曲的溫度范圍之內(nèi)。例如，焊接臺110的溫度設(shè)定到200℃，從加熱吹風(fēng)裝置161送出200℃的加熱風(fēng)約30秒鐘。
還有，加熱吹風(fēng)裝置161的設(shè)置場所，并不限定于上述位置，例如也可以設(shè)置在焊接臺110的前側(cè)。還有，加熱吹風(fēng)裝置161與上述控制裝置180連接，根據(jù)上述加熱風(fēng)的溫度、吹風(fēng)時間、風(fēng)量、風(fēng)速等與焊接臺110的溫度之間的關(guān)系進行控制。
另一方面，在片溫度控制裝置160中，作為對上述臺接觸面?zhèn)?11b進行冷卻的方式，如圖18所詳細表示的那樣可以設(shè)置冷風(fēng)供給裝置162?，F(xiàn)有裝置中，為在焊接臺上吸附半導(dǎo)體片設(shè)置了多個吸附用孔111，這些孔通過空氣通路112與吸附裝置113連通。上述冷風(fēng)供給裝置162通過與上述空氣通路112連接的空氣通路122將上述冷風(fēng)供給上述臺接觸面?zhèn)?11b的整個區(qū)域或者大致整個區(qū)域。還有，在焊接臺110上，由于先前就設(shè)置有確定所載置的半導(dǎo)體片的位置以及支撐用凸部114，由于冷風(fēng)供給裝置162所供給的冷風(fēng)，水晶半導(dǎo)體片211不會從焊接臺110上脫落。這樣的冷風(fēng)供給裝置162與上述控制裝置180連接，根據(jù)上述冷風(fēng)的溫度、供給時間、風(fēng)量、風(fēng)速等與焊接臺110的溫度之間的關(guān)系進行控制。在本實施例中，焊接臺110的溫度設(shè)定到200℃，從冷風(fēng)供給裝置162送出20秒鐘的冷風(fēng)。還有，這時從冷風(fēng)供給裝置162送出之后在到達上述臺接觸面?zhèn)?11b之前，上述冷風(fēng)的溫度為185℃。
還有，作為矯正上述彎曲的方法，本來優(yōu)選設(shè)置對比上述臺接觸面?zhèn)?11b的溫度要低的上述電路形成面?zhèn)?11a進行加熱的上述加熱吹風(fēng)裝置161，但和設(shè)置加熱吹風(fēng)裝置161的情況相比，冷風(fēng)供給裝置162可以利用已經(jīng)設(shè)置的上述空氣通路112而且設(shè)置場所還有可以自由選擇，因此很方便。
以下參照圖20說明以上構(gòu)成的片溫度控制裝置160的動作。還有，圖20所示的動作，是圖7所示的第6步對水晶半導(dǎo)體片211加熱、進行焊接時的動作。還有，在本實施例中，作為片溫度控制裝置160采用上述冷風(fēng)供給裝置162的例子。
在本實施例中，焊接臺110的溫度設(shè)定為200℃。如上所述，由于焊接臺110的溫度和載置在該焊接臺110上的水晶半導(dǎo)體片211之間的溫度差必須在約50℃以內(nèi)，對水晶半導(dǎo)體片211實施上述第5步的預(yù)加熱。該預(yù)加熱在本實施例中實行參照圖8所說明的2段型，首先將水晶半導(dǎo)體片211升溫到100℃，然后加熱到150℃。在該預(yù)加熱結(jié)束時，對于水晶半導(dǎo)體片211，上述電路形成面?zhèn)?11a和上述臺接觸面?zhèn)?11b均為相同的溫度。
然后，在第61步，由上述移載裝置140的支撐部141將上述水晶半導(dǎo)體片211載置在焊接臺110上，這樣在第62步進行上述水晶半導(dǎo)體片211的上述本加熱。通過上述載置，上述臺接觸面?zhèn)?11b急速加熱，雖然水晶半導(dǎo)體片211開始產(chǎn)生上述彎曲，在實行第62步的同時實行第63步。即，上述冷風(fēng)供給裝置162向水晶半導(dǎo)體片211的上述臺接觸面?zhèn)?11b的整個區(qū)域或者大致整個區(qū)域供給20秒鐘冷風(fēng)，抑制上述臺接觸面?zhèn)?11b的溫度上升。因此，上述電路形成面?zhèn)?11a和上述臺接觸面?zhèn)?11b之間的溫度差被限制下述的溫度范圍內(nèi)，即在能將該水晶半導(dǎo)體片211的彎曲控制在對于在所載置的水晶半導(dǎo)體片211上形成凸點不產(chǎn)生障礙的上述片彎曲量的不發(fā)生彎曲溫度范圍內(nèi)。因此，即使一旦產(chǎn)生上述彎曲，也能矯正，水晶半導(dǎo)體片211的彎曲量在上述片彎曲量以內(nèi)。這樣，水晶半導(dǎo)體片211，在本實施例的情況下，被加熱到焊接臺的設(shè)定溫度的200℃的焊接用溫度。
然后在第64步，在進行加熱到上述焊接用溫度后，由上述吸引裝置113的動作將水晶半導(dǎo)體片211吸附在焊接臺110上，由凸點形成頭120在電路形成部分上形成凸點。
以后實行上述第7步以后的動作。
依據(jù)這樣的本實施例，在進行上述本加熱時水晶半導(dǎo)體片211的彎曲被抑制在不對形成凸點產(chǎn)生障礙的片彎曲量以內(nèi)，例如可以達到200℃～250℃的高溫在上述片彎曲量內(nèi)加熱水晶半導(dǎo)體片211，然后，在水晶半導(dǎo)體片211上形成凸點。
如上所述，冷風(fēng)供給裝置162，雖然是對上述臺接觸面?zhèn)?11b的整個區(qū)域或者大致整個區(qū)域均勻供給冷風(fēng)，從更有效地防止上述彎曲的發(fā)生的觀點來看，根據(jù)不同的位置也可以采用不同的溫度和供給量。例如，可以設(shè)置向水晶半導(dǎo)體片211的中央部位供給上述冷風(fēng)的冷風(fēng)供給裝置、和向上述其他部位供給上述冷風(fēng)的冷風(fēng)供給裝置，和上述其他部位的冷風(fēng)相比，上述中央部位的冷風(fēng)的溫度要低，或者風(fēng)量要多。
還有，以上說明中雖然采用的是水晶半導(dǎo)體片211的例子，但并不限定于此，上述實施例2對于使用熱傳導(dǎo)差并且熱膨脹率對于不同的溫度有很大變化的物質(zhì)的半導(dǎo)體片是有效的。
本發(fā)明雖然是參照附圖充分說明了有關(guān)優(yōu)選實施例，但對于該技術(shù)熟練的人而言，明白進行各種變形或者修正。這樣的變形或者修正，只要不超出本發(fā)明權(quán)利要求所規(guī)定的范圍，也應(yīng)認(rèn)為包含在本發(fā)明之中。
權(quán)利要求
1．一種凸點形成方法，是在形成在半導(dǎo)體片上的電路的電極上形成凸點的凸點形成方法，在為形成凸點所進行的所述半導(dǎo)體片的本加熱后的所述半導(dǎo)體片的凸點焊接之后，在將該半導(dǎo)體片收納在收納容器之前，對所述半導(dǎo)體片實施控制所述半導(dǎo)體片的溫度下降的后冷卻動作。
2．根據(jù)權(quán)利要求1所述的凸點形成方法，所述后冷卻動作是在所述凸點焊接結(jié)束后，通過將所述半導(dǎo)體片放置在為在所述半導(dǎo)體片上的電路上所形成的電極上形成凸點所需要的本加熱中，將所述半導(dǎo)體片加熱到凸點焊接用溫度的焊接臺的上方與所述焊接臺成非接觸狀態(tài)來實施的。
3．根據(jù)權(quán)利要求1所述的凸點形成方法，所述后冷卻動作是在所述凸點焊接結(jié)束后，通過將所述半導(dǎo)體片放置在為在所述半導(dǎo)體片上的電路上所形成的電極上形成凸點所需要的本加熱中，將所述半導(dǎo)體片加熱到凸點焊接用溫度的焊接臺的上方之外的冷卻位置上來實施的。
4．根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的凸點形成方法，所述后冷卻動作按照預(yù)先設(shè)定的后冷卻用程序?qū)嵭小?br> 5．根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的凸點形成方法，所述后冷卻動作是邊實際測定所述半導(dǎo)體片的溫度邊實行的。
6．根據(jù)權(quán)利要求2、4、5中任一項所述的凸點形成方法，所述后冷卻動作中的溫度下降是通過改變在所述半導(dǎo)體片上的電路上所形成的電極上形成凸點所需要的本加熱中，將所述半導(dǎo)體片加熱到凸點焊接用溫度的焊接臺和所述半導(dǎo)體片之間的間隙尺寸、和在所述焊接臺的上方與所述焊接臺成非接觸狀態(tài)放置所述半導(dǎo)體片的放置時間中的至少一個來進行控制的。
7．根據(jù)權(quán)利要求6所述的凸點形成方法，所述后冷卻動作中的溫度下降是通過多次改變所述間隙尺寸以及所述放置時間中的至少一個來進行控制的。
8．根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項所述的凸點形成方法，所述后冷卻動作是根據(jù)所述半導(dǎo)體片的材料以及厚度中的至少一個進行控制的。
9．根據(jù)權(quán)利要求1～8中任一項所述的凸點形成方法，其特征是在所述本加熱執(zhí)行之前，對所述半導(dǎo)體片預(yù)先進行預(yù)加熱動作。
10．根據(jù)權(quán)利要求9所述的凸點形成方法，在為在所述半導(dǎo)體片上的電路上所形成的電極上形成凸點所需要的本加熱中，將所述半導(dǎo)體片加熱到凸點焊接用溫度的焊接臺上載置所述半導(dǎo)體片進行所述本加熱時，所述預(yù)加熱動作是將所述半導(dǎo)體片放置在所示焊接臺的上方與所述焊接臺成非接觸狀態(tài)來實施的。
11．根據(jù)權(quán)利要求9或10中所述的凸點形成方法，所述預(yù)加熱動作按照預(yù)先設(shè)定的預(yù)加熱用程序?qū)嵭小?br> 12．根據(jù)權(quán)利要求9或10中所述的凸點形成方法，所述預(yù)加熱動作是邊實際測定所述半導(dǎo)體片的溫度邊實行的。
13．根據(jù)權(quán)利要求10～12中任一項所述的凸點形成方法，所述預(yù)加熱動作中的溫度上升是通過改變在所述半導(dǎo)體片上的電路上所形成的電極上形成凸點所需要的本加熱中將所述半導(dǎo)體片加熱到凸點焊接用溫度的焊接臺和所述半導(dǎo)體片之間的間隙尺寸、和在所述焊接臺的上方與所述焊接臺成非接觸狀態(tài)放置所述半導(dǎo)體片的放置時間中的至少一個來進行控制的。
14．根據(jù)權(quán)利要求13所述的凸點形成方法，所述預(yù)加熱動作中的溫度上升是通過多次改變所述間隙尺寸以及所述放置時間中的至少一個來進行控制的。
15．根據(jù)權(quán)利要求9～14中任一項所述的凸點形成方法，所述預(yù)加熱動作是根據(jù)所述半導(dǎo)體片的材料以及厚度中的至少一個進行控制的。
16．根據(jù)權(quán)利要求9～15中任一項所述的凸點形成方法，在實行所述預(yù)加熱動作和所述后冷卻動作兩者的情況下，所述后冷卻動作中的所述溫度下降控制與所述預(yù)加熱動作中的所述溫度上升控制相比，每單位時間的溫度變化率設(shè)定得要細。
17．根據(jù)權(quán)利要求1～16中任一項所述的凸點形成方法，所述半導(dǎo)體片是化合物半導(dǎo)體片。
18．根據(jù)權(quán)利要求1～17中任一項所述的凸點形成方法，在所述本加熱中將所述半導(dǎo)體片加熱到凸點焊接用溫度的焊接臺上載置所述半導(dǎo)體片之后而在進行所述凸點焊接之前，對于載置在所述焊接臺上的該半導(dǎo)體片，將與所述焊接臺接觸的該半導(dǎo)體片的臺接觸面?zhèn)?211b)中的溫度和與所述臺接觸面對向的該半導(dǎo)體片的電路形成面?zhèn)?211a)中的溫度之間的溫度差，控制在抑制該半導(dǎo)體片的彎曲到不成為凸點形成的障礙的彎曲不發(fā)生溫度范圍內(nèi)。
19．根據(jù)權(quán)利要求18所述的凸點形成方法，所述彎曲不發(fā)生溫度范圍內(nèi)的所述控制是對載置在所述焊接臺上的所述半導(dǎo)體片的所述電路形成面?zhèn)燃訜帷?br> 20．根據(jù)權(quán)利要求19所述的凸點形成方法，所述電路形成面?zhèn)鹊募訜崾窍蛩鲭娐沸纬擅娲等胨鰷囟炔钤谒鰪澢话l(fā)生溫度范圍內(nèi)的溫度的加熱風(fēng)。
21．根據(jù)權(quán)利要求18所述的凸點形成方法，所述彎曲不發(fā)生溫度范圍內(nèi)的所述控制是對載置在所述焊接臺上的所述半導(dǎo)體片的所述臺接觸面?zhèn)壤鋮s。
22．根據(jù)權(quán)利要求21所述的凸點形成方法，所述臺接觸面?zhèn)鹊睦鋮s是向所述臺接觸面吹入所述溫度差在所述彎曲不發(fā)生溫度范圍內(nèi)的溫度的冷卻風(fēng)。
23．根據(jù)權(quán)利要求18～22中任一項所述的凸點形成方法，所述彎曲不發(fā)生溫度范圍為20℃以內(nèi)。
24．根據(jù)權(quán)利要求18～23中任一項所述的凸點形成方法，所述半導(dǎo)體片是以水晶為基板的片。
25．一種凸點形成裝置，是包括載置半導(dǎo)體片并且將所述半導(dǎo)體片本加熱到為在該半導(dǎo)體片的電路上所形成的電極上形成凸點所需要的凸點焊接用溫度的焊接臺(110)、載置在所述焊接臺上在所述半導(dǎo)體片的所述電極上形成所述凸點的凸點形成頭(120)、針對所述焊接臺可以進行裝卸的移載裝置(140)的凸點形成裝置(140)，包括在向所述本加熱后的所述半導(dǎo)體片進行凸點焊接之后，根據(jù)對所述半導(dǎo)體片的溫度下降控制進行所述半導(dǎo)體片的冷卻的后冷卻裝置(110、140、180)。
26．根據(jù)權(quán)利要求25所述的凸點形成裝置，所述后冷卻裝置包括所述焊接臺、所述移載裝置和第1控制裝置(180-1)，是利用所述焊接臺的熱進行所述半導(dǎo)體片的后冷卻動作的裝置，所述第1控制裝置是在加熱到所述凸點焊接用溫度的所述焊接臺的上方所述半導(dǎo)體片與所述焊接臺成非接觸的位置上、放置支撐所述半導(dǎo)體片的所述移載裝置。
27．根據(jù)權(quán)利要求26所述的凸點形成裝置，所述第1控制裝置通過改變所述焊接臺和所述半導(dǎo)體片之間的間隙尺寸和在所述焊接臺的上方放置所述半導(dǎo)體片的放置時間中的至少一個來控制所述半導(dǎo)體片中所述后冷卻動作中的溫度下降。
28．根據(jù)權(quán)利要求27所述的凸點形成裝置，依據(jù)所述第1控制裝置進行的所述后冷卻動作中的溫度下降的控制是通過控制多次改變所述間隙尺寸和所述放置時間中的至少一方來實施的。
29．根據(jù)權(quán)利要求26～28中任一項所述的凸點形成裝置，所述第1控制裝置按照預(yù)先設(shè)定的后冷卻用程序?qū)嵭兴龊罄鋮s動作。
30．根據(jù)權(quán)利要求26～28中任一項所述的凸點形成裝置，包括測定實施所述后冷卻動作的半導(dǎo)體片的溫度的第1溫度測定器(1419)，所述第1控制裝置根據(jù)由所述第1溫度測定器實際測定的所述半導(dǎo)體片的溫度控制所述后冷卻動作。
31．根據(jù)權(quán)利要求26～30中任一項所述的凸點形成裝置，所述第1控制裝置根據(jù)所述半導(dǎo)體片的材料和厚度中至少一方控制所述后冷卻動作。
32．根據(jù)權(quán)利要求25～31中任一項所述的凸點形成裝置，進一步包括在將所述半導(dǎo)體片載置在所述焊接臺上并將所述半導(dǎo)體片加熱到所述凸點焊接用溫度之前對所述半導(dǎo)體片進行預(yù)加熱動作的預(yù)加熱裝置(110、140、180)。
33．根據(jù)權(quán)利要求32所述的凸點形成裝置，所述預(yù)加熱裝置包括所述焊接臺、所述移載裝置和和第2控制裝置(180-2)，是利用所述焊接臺的熱進行所述半導(dǎo)體片的預(yù)加熱動作的裝置，所述第2控制裝置是在加熱到所述凸點焊接用溫度的所述焊接臺的上方所述半導(dǎo)體片與所述焊接臺成非接觸的位置上、放置支撐所述半導(dǎo)體片的所述移載裝置。
34．根據(jù)權(quán)利要求33所述的凸點形成裝置，所述第2控制裝置通過改變所述焊接臺和所述半導(dǎo)體片之間的間隙尺寸和在所述焊接臺的上方放置所述半導(dǎo)體片的放置時間中的至少一方來控制所述半導(dǎo)體片中所述預(yù)加熱動作中的溫度上升。
35．根據(jù)權(quán)利要求34所述的凸點形成裝置，依據(jù)所述第2控制裝置進行的所述預(yù)加熱動作中的溫度上升的控制是通過控制多次改變所述間隙尺寸和所述放置時間中的至少一方來實施的。
36．根據(jù)權(quán)利要求33～35中任一項所述的凸點形成裝置，所述第2控制裝置按照預(yù)先設(shè)定的預(yù)加熱用程序?qū)嵭兴鲱A(yù)加熱動作。
37．根據(jù)權(quán)利要求33～35中任一項所述的凸點形成裝置，包括測定所述預(yù)加熱的半導(dǎo)體片的溫度的第2溫度測定器(1419)，所述第2控制裝置根據(jù)由所述第2溫度測定器實際測定的所述半導(dǎo)體片的溫度控制所述預(yù)加熱動作。
38．根據(jù)權(quán)利要求33～37中任一項所述的凸點形成裝置，所述第2控制裝置根據(jù)所述半導(dǎo)體片的材料和厚度中至少一方控制所述預(yù)加熱動作。
39．根據(jù)權(quán)利要求25～38中任一項所述的凸點形成裝置，進一步包括收納所述半導(dǎo)體片的收納容器(205、206)、對該收納容器進行所述半導(dǎo)體片的搬送同時與所述移載裝置之間進行所述半導(dǎo)體片的交換的搬送裝置(130)。
40．根據(jù)權(quán)利要求39所述的凸點形成裝置，進一步包括支撐由所述搬送裝置從所述收納容器取出的凸點形成前半導(dǎo)體片(201)并與所述移載裝置進行接收放入的第1臨時支撐部件(271-1)、和支撐從所述焊接臺上述移載裝置支撐的凸點形成后半導(dǎo)體片(202)并進行與所述搬送裝置進行接收放入的第2臨時支撐部件(271-2)中的至少一方。
41．根據(jù)權(quán)利要求26～31、33～40中任一項所述的凸點形成裝置，所述移載裝置包括在所述半導(dǎo)體片的周圍大致均勻等間隔配置對所述半導(dǎo)體片不會施加力學(xué)上的應(yīng)力并且不產(chǎn)生熱學(xué)上的溫度梯度的夾持機構(gòu)(1414)。
42．根據(jù)權(quán)利要求39～41中任一項所述的凸點形成裝置，所述收納容器包括收納凸點形成前的凸點形成前半導(dǎo)體片(201)的第2收納容器(205)和收納凸點形成后的凸點形成半導(dǎo)體片(202)的第1收納容器(206)。
43．根據(jù)權(quán)利要求39～42中任一項所述的凸點形成裝置，所述搬送裝置包括載置所述半導(dǎo)體片的載置部件(2511、2512)，該載置部件中至少與所述半導(dǎo)體片接觸的部分包括減緩所述半導(dǎo)體片的溫度下降的絕熱材料(2512、2522)。
44．根據(jù)權(quán)利要求42或43所述的凸點形成裝置，所述搬送裝置包括從所述第1收納容器取出所述凸點形成前半導(dǎo)體片的搬入裝置(131)和從將所述凸點形成后半導(dǎo)體片放入所述第2收納容器的搬出裝置(132)。
45．根據(jù)權(quán)利要求44所述的凸點形成裝置，所述搬送裝置包含在所述后冷卻裝置中，在該搬出裝置中包括將由所述第1控制裝置進行溫度控制的氣體送到所載置的所述凸點形成后半導(dǎo)體片的送風(fēng)裝置(1325)。
46．根據(jù)權(quán)利要求45所述的凸點形成裝置，所述氣體為惰性氣體。
47．根據(jù)權(quán)利要求45所述的凸點形成裝置，所述氣體為氮氣。
48．根據(jù)權(quán)利要求33～47中任一項所述的凸點形成裝置，所述移載裝置包括在實行所述半導(dǎo)體片的所述預(yù)加熱動作以及所述后冷卻動作中至少一方時覆蓋所夾持的所述半導(dǎo)體片進行該半導(dǎo)體片的保溫的開閉自由的蓋板用部件(2621)，在該蓋板用部件上設(shè)置有從所述焊接臺中的熱能進入的開口(2625)。
49．根據(jù)權(quán)利要求48所述的凸點形成裝置，所述移載裝置進一步包括對用所述蓋板用部件所覆蓋的所述半導(dǎo)體片進行溫度控制吹入支持所述半導(dǎo)體片的保溫的氣體的保溫支持裝置(263)。
50．根據(jù)權(quán)利要求40～49中任一項所述的凸點形成裝置，所述移載裝置包括將所述搬入裝置或者所述第1臨時支撐部件所支撐的所述半導(dǎo)體片向所述焊接臺移載的第1移載裝置(144-1)、和將所述半導(dǎo)體片從所述焊接臺向所述第2臨時支撐部件移載的第2移載裝置(144-2)。
51．根據(jù)權(quán)利要求25～50中任一項所述的凸點形成裝置，進一步包括在所述焊接臺上載置所述半導(dǎo)體片后在進行所述凸點焊接前，對載置在所述焊接臺上的該半導(dǎo)體片，將與所述焊接臺接觸的該半導(dǎo)體片的臺接觸面?zhèn)?211b)中的溫度和與所述臺接觸面?zhèn)葘ο虻脑摪雽?dǎo)體片的電路形成側(cè)(211a)中的溫度之間的溫度差，控制在抑制該半導(dǎo)體片的彎曲到不對凸點形成產(chǎn)生障礙的程度的彎曲不發(fā)生溫度范圍內(nèi)的片溫度控制裝置(160)。
52．根據(jù)權(quán)利要求51所述的凸點形成裝置，所述片溫度控制裝置是通過對載置在所述焊接臺上的所述半導(dǎo)體片的所述電路形成面?zhèn)冗M行加熱來達成所述彎曲不發(fā)生溫度范圍內(nèi)的所述控制。
53．根據(jù)權(quán)利要求52所述的凸點形成裝置，所述片溫度控制裝置是通過向所述電路形成面吹入所述溫度差在所述彎曲不發(fā)生溫度范圍內(nèi)的溫度的加熱風(fēng)來進行對所述電路形成面?zhèn)鹊募訜帷?br> 54．根據(jù)權(quán)利要求51所述的凸點形成裝置，所述片溫度控制裝置是通過對載置在所述焊接臺上的所述半導(dǎo)體片的所述臺接觸面?zhèn)壤鋮s來達成所述彎曲不發(fā)生溫度范圍內(nèi)的所述控制。
55．根據(jù)權(quán)利要求54所述的凸點形成裝置，所述片溫度控制裝置是通過向所述臺接觸面吹入所述溫度差在所述彎曲不發(fā)生溫度范圍內(nèi)的溫度的冷卻風(fēng)來進行對所述臺接觸面?zhèn)鹊睦鋮s
56．根據(jù)權(quán)利要求51～55中任一項所述的凸點形成裝置，所述彎曲不發(fā)生溫度范圍為20℃以內(nèi)。
57．根據(jù)權(quán)利要求51～56中任一項所述的凸點形成裝置，所述半導(dǎo)體片是以水晶為基板的片。
全文摘要
提供一種在半導(dǎo)體片上形成凸點時,進行與現(xiàn)有的不同的溫度控制的凸點形成裝置以及在該凸點形成裝置中所實行凸點形成方法。包括焊接臺(110)、移載裝置(140)以及控制裝置(180),在凸點形成后,根據(jù)上述控制裝置的控制在上述焊接臺的上方放置由上述移載裝置所支撐的凸點形成后片(202),控制該片的溫度下降。因此,即使是對溫度變化敏感的化合物半導(dǎo)體片也能防止由熱應(yīng)力引起的龜裂等不良現(xiàn)象的發(fā)生。
文檔編號H01L21/00GK1306674SQ99807558
公開日2001年8月1日 申請日期1999年6月17日 優(yōu)先權(quán)日1998年6月19日
發(fā)明者今西誠, 成田正力, 池谷雅彥, 金山真司, 前貴晴 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社