低導(dǎo)通電阻ldmos 的結(jié)構(gòu)及制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及低導(dǎo)通電阻LDM0S的結(jié)構(gòu)及制 作方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 在0. 18iimB⑶工藝中，使用常規(guī)STI(淺槽隔離）作為LDM0S(橫向擴散金屬氧 化物半導(dǎo)體）漂移區(qū)場板介質(zhì)，如圖1所示。
[0003] 作為隔離使用的STI，其深度一般約為3300A，角度約為80度。仿真和實際的硅結(jié) 果表明，LDM0S的導(dǎo)電通路上的Idlin(線性區(qū)電流）受這層STI的影響很大，但是由于STI 的深度和刻蝕角度的限制，LDM0S的耐壓和導(dǎo)通電阻無法做到最優(yōu)化，所以無法實現(xiàn)低導(dǎo)通 電阻的LDM0S。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明要解決的技術(shù)問題之一是提供一種低導(dǎo)通電阻LDM0S的結(jié)構(gòu)，它可以提升 LDM0S的耐壓和導(dǎo)通電阻性能。
[0005] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的低導(dǎo)通電阻LDM0S的漂移區(qū)采用超淺槽隔離結(jié) 構(gòu)，漂移區(qū)兩側(cè)采用常規(guī)淺槽隔離結(jié)構(gòu)。
[0006] 本發(fā)明要解決的技術(shù)問題之二是提供上述結(jié)構(gòu)的低導(dǎo)通電阻LDM0S的制作方法， 其形成淺槽隔離結(jié)構(gòu)的步驟包括：
[0007] 1)用掩膜遮住有源區(qū)，通過光刻刻蝕，在漂移區(qū)兩側(cè)形成常規(guī)淺槽隔離結(jié)構(gòu)的溝 槽；
[0008]2)用掩膜定義超淺槽隔離結(jié)構(gòu)的圖形，通過光刻刻蝕，在漂移區(qū)形成超淺槽隔離 結(jié)構(gòu)的的溝槽；所述超淺槽隔離結(jié)構(gòu)的深度淺于所述常規(guī)淺槽隔離結(jié)構(gòu)的深度；
[0009] 3)在所述常規(guī)淺槽隔離結(jié)構(gòu)和超淺槽隔離結(jié)構(gòu)的溝槽內(nèi)淀積二氧化硅，進行化學(xué) 機械研磨，形成常規(guī)淺槽隔離結(jié)構(gòu)和超淺槽隔離結(jié)構(gòu)。
[0010] 所述超淺槽隔離結(jié)構(gòu)的深度為2000A。
[0011] 所述超淺槽隔離結(jié)構(gòu)的刻蝕角度為70度。
[0012] 本發(fā)明通過在LDM0S結(jié)構(gòu)中引入一層較淺的STI作為LDM0S漂移區(qū)場板介質(zhì)，并 優(yōu)化其刻蝕的深度和角度，使LDM0S的導(dǎo)通電阻性能較常規(guī)STI工藝場板結(jié)構(gòu)的LDM0S的 導(dǎo)通電阻提升了 30%以上。
【附圖說明】
[0013] 圖1是本發(fā)明的帶STI結(jié)構(gòu)的LDM0S的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，STI1為常規(guī)STI，STI2 為超淺STI。
[0014] 圖2?圖3是對本發(fā)明的LDMOS進行STI2深度仿真得到的仿真結(jié)果圖。圖中STI2 的刻蝕角度均為80度。
[0015] 圖4是對本發(fā)明的LDM0S進行STI2角度仿真得到的仿真結(jié)果圖。圖中STI2的深 度均為2500A。
[0016] 圖5?圖7是本發(fā)明在LDM0S中制作STI結(jié)構(gòu)的工藝流程示意圖。
【具體實施方式】
[0017] 為對本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、特點與功效有更具體的了解，現(xiàn)結(jié)合附圖，詳述如下：
[0018] 本發(fā)明的低導(dǎo)通電阻LDM0S的結(jié)構(gòu)如圖1所示，其漂移區(qū)兩側(cè)采用常規(guī)深度的 STI(即STI1)，漂移區(qū)內(nèi)采用深度明顯淺于常規(guī)STI的超淺STI(即STI2)。
[0019] 在制作本發(fā)明的帶STI結(jié)構(gòu)的LDM0S前，本發(fā)明先對30VLDM0S進行了STI2深度 和角度的仿真。
[0020]STI2深度仿真結(jié)果參見表1和圖2、3所示：
[0021] 表1STI2深度仿真結(jié)果
[0022]
【主權(quán)項】
1. 低導(dǎo)通電阻LDMOS的結(jié)構(gòu)，其特征在于，該LDMOS的漂移區(qū)采用超淺槽隔離結(jié)構(gòu)，漂 移區(qū)兩側(cè)采用常規(guī)淺槽隔離結(jié)構(gòu)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的LDMOS的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述超淺槽隔離結(jié)構(gòu)的深度為 2000 A0
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的LDMOS的結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述超淺槽隔離結(jié)構(gòu)的刻蝕 角度為70度。
4. 權(quán)利要求1所述低導(dǎo)通電阻LDMOS的制作方法，其特征在于，該LDMOS的淺槽隔離結(jié) 構(gòu)的形成步驟包括： 1) 用掩膜遮住有源區(qū)，通過光刻刻蝕，在漂移區(qū)兩側(cè)形成常規(guī)淺槽隔離結(jié)構(gòu)的溝槽； 2) 用掩膜定義超淺槽隔離結(jié)構(gòu)的圖形，通過光刻刻蝕，在漂移區(qū)形成超淺槽隔離結(jié)構(gòu) 的的溝槽；所述超淺槽隔離結(jié)構(gòu)的深度淺于所述常規(guī)淺槽隔離結(jié)構(gòu)的深度； 3) 在所述常規(guī)淺槽隔離結(jié)構(gòu)和超淺槽隔離結(jié)構(gòu)的溝槽內(nèi)淀積二氧化硅，進行化學(xué)機械 研磨，形成常規(guī)淺槽隔離結(jié)構(gòu)和超淺槽隔離結(jié)構(gòu)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述超淺槽隔離結(jié)構(gòu)的深度為2000 A。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述超淺槽隔離結(jié)構(gòu)的刻蝕角度為 70度。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種低導(dǎo)通電阻LDMOS的結(jié)構(gòu)，其漂移區(qū)采用超淺槽隔離結(jié)構(gòu)，漂移區(qū)兩側(cè)采用常規(guī)淺槽隔離結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還公開了上述結(jié)構(gòu)的低導(dǎo)通電阻LDMOS的制作方法，其淺槽隔離結(jié)構(gòu)的形成步驟包括：1)用掩膜遮住有源區(qū)，光刻刻蝕，在漂移區(qū)兩側(cè)形成常規(guī)STI的溝槽；2)光刻刻蝕，在漂移區(qū)形成超淺STI的溝槽；3)在溝槽內(nèi)淀積二氧化硅，化學(xué)機械研磨，形成常規(guī)STI和超淺STI。本發(fā)明通過在LDMOS結(jié)構(gòu)中引入一層較淺的STI作為LDMOS漂移區(qū)場板介質(zhì)，并優(yōu)化其刻蝕的深度和角度，使LDMOS的耐壓和導(dǎo)通電阻性能得到了大幅提升。
【IPC分類】H01L29-78, H01L29-06, H01L21-265, H01L21-336
【公開號】CN104538309
【申請?zhí)枴緾N201410853546
【發(fā)明人】邢軍軍
【申請人】上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
【公開日】2015年4月22日
【申請日】2014年12月31日