過孔和顯示基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制造技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種薄膜中的過孔制作方法， 以及包括該薄膜的顯示基板制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 薄膜晶體管液晶顯不器（ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，簡稱 TFT-IXD)是一種重要的平板顯示設(shè)備。在TFT-IXD面板的陣列基板制備工藝中，不同導(dǎo) 電層通常通過絕緣層中的過孔接觸設(shè)置，來實(shí)現(xiàn)電性連接，例如：共面型薄膜晶體管陣列基 板，其包括依次形成在陣列基板上的有源層圖案1、柵絕緣層20、柵電極2、鈍化層30、源電 極和漏電極（圖中未示出），源電極和漏電極通過貫穿柵絕緣層20和鈍化層30的過孔與有 源層圖案1電性接觸。因此，過孔工藝的優(yōu)劣直接影響到產(chǎn)品的良率以及顯示面板的相關(guān) 性能。
[0003] 圖1至圖4是現(xiàn)有技術(shù)中制作貫穿柵絕緣層20和鈍化層30的過孔的方法，主要 流程是：在鈍化層30上形成光刻膠40 -采用掩膜板對光刻膠40進(jìn)行曝光和顯影處理，形 成開口 3 -通過開口 3對鈍化層30和柵絕緣層20進(jìn)行刻蝕處理，形成過孔4 '，露出有源 層圖案1 -剝離剩余的光刻膠40,工藝參考數(shù)值為：光刻膠40的膜厚為2ym，過孔4 '的 孔徑為4. 5ym。
[0004] 用上述方法在薄膜中形成過孔，會發(fā)生兩種不良：
[0005] 一、如果光刻膠太厚，會曝不透，增加曝光量又導(dǎo)致過曝，過孔的孔徑尺寸過大；
[0006] 二、如果光刻膠太薄，雖然過孔的孔徑尺寸合適，但是無法保證被光刻膠覆蓋的薄 膜部分不被刻蝕。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 本發(fā)明提供一種過孔的制作方法，用以解決現(xiàn)有制作工藝中，光刻膠無法既保證 過孔的孔徑尺寸合適，又起到刻蝕保護(hù)的作用。
[0008] 本發(fā)明還提供一種顯示基板的制作方法，采用上述方法在顯示基板上的薄膜中形 成過孔，以保證產(chǎn)品的性能。
[0009] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例中提供一種薄膜中的過孔制作方法，所述薄 膜設(shè)置在一基板上，所述制作方法包括：
[0010] 在所述薄膜上形成第一光刻膠層，所述薄膜包括過孔制作區(qū)；
[0011] 對所述第一光刻膠層進(jìn)行曝光和顯影處理，形成位于過孔制作區(qū)上的第一開口；
[0012] 形成覆蓋所述第一光刻膠層的第二光刻膠層，所述第二光刻膠層的感光度大于所 述第一光刻膠層的感光度；
[0013] 對所述第二光刻膠層進(jìn)行曝光和顯影處理，至少去除所述第二光刻膠層的位于第 一開口所在區(qū)域的部分，暴露所述過孔制作區(qū)，由保留的第一光刻膠層和保留的第二光刻 膠層形成所述薄膜的刻蝕保護(hù)層；
[0014] 以保留的第一光刻膠層為阻擋，刻蝕所述過孔制作區(qū)的薄膜，形成過孔；
[0015] 剝離剩余的第一光刻膠層和第二光刻膠層。
[0016] 如上所述的制作方法，優(yōu)選的是，所述第一光刻膠層的厚度小于或等于所述第二 光刻膠層的厚度。
[0017] 如上所述的制作方法，優(yōu)選的是，所述第一光刻膠層的曝光量和所述第二光刻膠 層的曝光量相同。
[0018] 如上所述的制作方法，優(yōu)選的是，采用同一掩膜板對所述第一光刻膠層和所述第 二光刻膠層進(jìn)行曝光。
[0019] 如上所述的制作方法，優(yōu)選的是，所述第二光刻膠層包括相鄰且層疊設(shè)置的第一 子光刻膠層和第二子光刻膠層；
[0020] 形成第二光刻膠層的步驟包括：
[0021] 形成覆蓋所述第一光刻膠層的第一子光刻膠層；
[0022] 對所述第一子光刻膠層進(jìn)行曝光和顯影處理，至少去除所述第一子光刻膠層的位 于第一開口所在區(qū)域的部分，形成第二開口；
[0023] 形成覆蓋所述第一子光刻膠層的第二子光刻膠層；
[0024] 對所述第二子光刻膠層進(jìn)行曝光和顯影處理，至少去除所述第二子光刻膠層的位 于第二開口所在區(qū)域的部分，暴露所述過孔制作區(qū)。
[0025] 如上所述的制作方法，優(yōu)選的是，所述第二子光刻膠層的感光度大于所述第一子 光刻膠層的感光度。
[0026] 本發(fā)明實(shí)施例中還提供一種顯示基板的制作方法，所述顯示基板包括一薄膜，所 述薄膜中包括過孔，所述制作方法包括：
[0027] 采用如上所述的制作方法在所述薄膜中形成過孔。
[0028] 如上所述的制作方法，優(yōu)選的是，所述顯示基板為薄膜晶體管顯示基板，所述薄膜 為絕緣層。
[0029] 如上所述的制作方法，優(yōu)選的是，所述顯示基板為共面型薄膜晶體管顯示基板，所 述絕緣層包括鈍化層和柵絕緣層；
[0030] 所述制作方法包括：
[0031] 依次形成有源層圖案、柵絕緣層、柵電極和鈍化層；
[0032] 在所述鈍化層中和柵絕緣層中形成過孔，露出有源層圖案；
[0033] 在所述鈍化層上形成源電極和漏電極，所述源電極和漏電極通過所述鈍化層中和 柵絕緣層中的過孔與所述有源層圖案電性接觸。
[0034] 如上所述的制作方法，優(yōu)選的是，所述制作方法還包括：
[0035] 形成緩沖層，在所述緩沖層上依次形成有源層圖案、柵絕緣層、柵電極和鈍化層。
[0036] 本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下：
[0037] 上述技術(shù)方案中，在薄膜中制作過孔時，分兩次形成光刻膠。在先形成的第一光刻 膠層中形成位于過孔制作區(qū)上的開口。在第一光刻膠層中形成開口后，形成第二光刻膠層， 至少去除第二光刻膠層的位于所述開口所在區(qū)域的部分，暴露過孔制作區(qū)，通過所述開口 刻蝕所述薄膜，形成過孔。由于第一光刻膠層厚度較薄，形成的開口孔徑較小，界定的過孔 孔徑也較小。通過設(shè)置第二光刻膠層的感光度大于第一光刻膠層的感光度，可以減小去除 第二光刻膠層時，對第一光刻膠層的開口孔徑產(chǎn)生的影響，保證在薄膜中形成過孔的孔徑 尺寸精度，提高了過孔質(zhì)量。在刻蝕薄膜形成過孔時，保留的第一光刻膠層和保留的第二光 刻膠層形成刻蝕保護(hù)層，能夠保護(hù)非過孔制作區(qū)的薄膜不被刻蝕，保證產(chǎn)品的良率和性能。
【附圖說明】
[0038] 為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可 以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0039] 圖1-圖4表示現(xiàn)有技術(shù)中在薄膜中制作過孔的過程示意圖；
[0040] 圖5-圖10表示本發(fā)明實(shí)施例中在薄膜中制作過孔的過程示意圖；
[0041] 圖11表示本發(fā)明實(shí)施例中在薄膜中制作過孔的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0042] 本發(fā)明提供一種薄膜中的過孔制作方法，所述制作方法分兩次在薄膜上形成光刻 膠。具體為，在先形成的第一光刻膠層中形成位于薄膜的過孔制作區(qū)上的開口。然后在第一 光刻膠層上形成第二光刻膠層，至少去除第二光刻膠層的位于所述開口所在區(qū)域的部分， 暴露薄膜的過孔制作區(qū)，通過所述開口刻蝕所述薄膜，形成過孔。由于第一光刻膠層的厚度 較薄，形成的開口的孔徑較小，界定的過孔孔徑也較小。通過設(shè)置第二光刻膠層的感光度大 于第一光刻膠層的感光度，可以減小去除第二光刻膠層時，對第一光刻膠層的開口孔徑產(chǎn) 生的影響，保證在薄膜中形成過孔的孔徑尺寸精度，提高了過孔質(zhì)量。在刻蝕薄膜形成過孔 時，保留的第一光刻膠層和保留的第二光刻膠層形成刻蝕保護(hù)層，保證了產(chǎn)品的良率和性 能。
[0043] 本發(fā)明的技術(shù)方案尤其適應(yīng)于高分辨率的顯示器件中。其中，薄膜中的過孔由先 形成的第一光刻膠層中的開口界定。
[0044] 在對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)描述之前，先對本發(fā)明中涉及的相關(guān)概念解釋如 下：
[0045] 在半導(dǎo)體器件制造中，需要用選定的圖像、圖形或物體對待處理的薄膜進(jìn)行遮擋， 以控制刻蝕的作用區(qū)域。上述的用于遮擋的具有特定圖像的物體稱為掩膜板。
[0046] 刻蝕，是指用化學(xué)或物理方法有選擇地去除薄膜不需要的部分的過程?？涛g的基 本目的是正確的復(fù)制出掩膜板的圖形?？涛g過程中，保留的光刻膠層不會受到腐蝕源顯著 的侵蝕或刻蝕，可作為掩蔽膜，保護(hù)薄膜中待保留的部分，而未被光刻膠保護(hù)的區(qū)域，則被 選擇性的刻蝕掉。
[0047] 在半導(dǎo)體器件制造中有兩種基本的刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法刻蝕。
[0048] 干法刻蝕利用氣態(tài)中產(chǎn)生的等離子體，通過經(jīng)光刻而開出的光刻膠開口，與暴露 于等離子體中的薄膜進(jìn)行物理和化學(xué)反應(yīng)，刻蝕掉薄膜上暴露的表面材料。其可以獲得極 其精確的特征圖形，也就是尺寸控制精度極佳。
[0049] 濕法刻蝕就是用液體化學(xué)試劑（如酸、堿和溶劑等）以化學(xué)的方式去除薄膜表面 的材料。在通過濕法腐蝕獲得特征圖形時，也要通過經(jīng)光刻開出的光刻膠開口，腐蝕掉露出 的表面材料。
[0050]相對于干法刻蝕，濕法刻蝕具有較高的選擇性和較高的刻蝕效率。
[0051] 在刻蝕中會使用光刻膠來復(fù)制掩膜板上的圖形，并作為刻蝕保護(hù)