入部分上的有機(jī)發(fā)光層極其薄甚至不能形成的情況，保證了設(shè)于所述陽(yáng)極70上的有機(jī)發(fā)光層71是連續(xù)且膜厚均勻的，從而能夠在所述有機(jī)發(fā)光層71上設(shè)置陰極72后，防止陰極72與陽(yáng)極70之間短路，避免因短路造成的電流集中，保證OLED正常發(fā)光；同時(shí)增加所述連接電極80可改善陽(yáng)極70與TFT90的漏極96之間的接觸阻抗，提高OLED顯示基板的性能。
[0049]請(qǐng)參閱圖3，同時(shí)結(jié)合圖2，本發(fā)明還提供一種OLED顯示基板的制造方法，包括以下步驟:
[0050]步驟1、提供一基板10，在所述基板10上形成TFT90。
[0051 ] 具體的，所述步驟I包括:
[0052]步驟11、在所述基板10上沉積一層緩沖層20，在所述緩沖層20上形成包括溝道區(qū)912、分別設(shè)于所述溝道區(qū)912兩側(cè)的源極區(qū)914與漏極區(qū)916的半導(dǎo)體層91 ;
[0053]步驟12、在所述半導(dǎo)體層91上形成柵極絕緣層30，在所述柵極絕緣層30上形成位于所述溝道區(qū)912上方的柵極94，在所述柵極94與柵極絕緣層30上沉積層間絕緣膜40 ；
[0054]步驟13、對(duì)所述層間絕緣膜40與柵極絕緣層30進(jìn)行圖案化處理，分別在與所述源極區(qū)914、漏極區(qū)916相對(duì)應(yīng)的位置形成貫穿所述層間絕緣膜40與柵極絕緣層30的過(guò)孔；再在所述層間絕緣膜40上形成源極95與漏極96，所述源極95與漏極96分別通過(guò)一過(guò)孔接觸所述源極區(qū)914、漏極區(qū)916。
[0055]步驟2、在所述TFT90上形成鈍化層50，在所述鈍化層50上形成平坦層60。
[0056]步驟3、對(duì)所述平坦層60與鈍化層50進(jìn)行圖案化處理，形成貫穿所述平坦層60與鈍化層50的接觸孔81。
[0057]具體的，所述鈍化層50可以采用含硅的絕緣膜作為材料，優(yōu)選為氮化硅膜或氧化硅膜；所述平坦層60的材料可以選用有機(jī)樹(shù)脂膜，如聚酰亞胺樹(shù)脂膜，丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂膜等，另外也可以選擇無(wú)機(jī)膜；
[0058]所述接觸孔81形成在與所述漏極96相對(duì)應(yīng)的位置，暴露出漏極96的部分表面。
[0059]步驟4、在所述平坦層60上沉積并圖案化連接電極80，使所述連接電極80通過(guò)所述接觸孔81接觸所述TFT90。
[0060]具體的，所述連接電極80的材料為導(dǎo)電性良好的金屬，優(yōu)選鉬、鈦、鋁、銅中的一種或多種的堆棧組合。
[0061]所述連接電極80包括凸出部82、與填充部84 ;所述凸出部82高出所述平坦層60，所述填充部84填充于所述接觸孔81內(nèi)，并接觸所述TFT90的漏極96，與所述TFT90的漏極96形成電性連接。
[0062]步驟5、在所述平坦層60上形成覆蓋所述連接電極80的陽(yáng)極70。
[0063]具體的，所述陽(yáng)極70覆蓋所述連接電極80的凸出部82，與連接電極80形成電性連接。至此，所述連接電極80將陽(yáng)極70與TFT90電性連接在一起。
[0064]所述陽(yáng)極70為透明的導(dǎo)電膜，如ITO導(dǎo)電膜、IZO導(dǎo)電膜等。
[0065]步驟6、依次在所述陽(yáng)極70上形成有機(jī)發(fā)光層71，在所述有機(jī)發(fā)光層71上形成陰極72。
[0066]具體的，所述有機(jī)發(fā)光層71通常包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、及電子注入層。
[0067]至此，完成OLED顯不基板的制造。
[0068]通過(guò)上述方法制得的OLED顯示基板，能夠防止陰極72與陽(yáng)極70之間短路，避免因短路造成的電流集中，保證OLED正常發(fā)光；同時(shí)改善陽(yáng)極70與TFT90的漏極96之間的接觸阻抗，提尚OLED顯不基板的性能。
[0069]綜上所述，本發(fā)明的OLED顯示基板及其制造方法，通過(guò)設(shè)置連接電極，使陽(yáng)極通過(guò)該連接電極與TFT電性連接，不同于現(xiàn)有技術(shù)中陽(yáng)極通過(guò)凹入電極孔與TFT電性連接，避免了位于陽(yáng)極的凹入部分上的有機(jī)發(fā)光層極其薄甚至不能形成的情況，從而能夠在有機(jī)發(fā)光層上設(shè)置陰極后，防止OLED顯示基板上的陰極與陽(yáng)極之間短路，避免因短路造成的電流集中，保證OLED正常發(fā)光；同時(shí)增加連接電極可改善陽(yáng)極與TFT漏極之間的接觸阻抗，提高OLED顯不基板的性能。
[0070]以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種OLED顯示基板，其特征在于，包括:基板(10)、設(shè)于所述基板(10)上的TFT (90)、設(shè)于所述TFT (90)上的鈍化層(50)、設(shè)于所述鈍化層(50)上的平坦層(60)、設(shè)于所述平坦層￠0)上并接觸所述TFT (90)的連接電極(80)、設(shè)于所述平坦層￠0)上并覆蓋所述連接電極(80)的陽(yáng)極(70)、設(shè)于所述陽(yáng)極(70)上的有機(jī)發(fā)光層(71)、及設(shè)于所述有機(jī)發(fā)光層(71)上的陰極(72); 所述連接電極(80)通過(guò)貫穿所述平坦層￠0)與鈍化層(50)的接觸孔(81)接觸所述TFT (90)； 所述陽(yáng)極(70)通過(guò)所述連接電極(80)與所述TFT(90)電性連接。
2.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示基板，其特征在于，所述連接電極(80)包括凸出部(82)、與填充部(84);所述凸出部(82)高出所述平坦層(60)，并被所述陽(yáng)極(70)覆蓋，與所述陽(yáng)極(70)形成電性連接；所述填充部(84)填充于所述接觸孔(81)內(nèi)，并接觸所述TFT (90)，與所述TFT (90)形成電性連接。
3.如權(quán)利要求1所述的OLED顯示基板，其特征在于，所述連接電極(80)的材料為鉬、鈦、鋁、銅中的一種或多種的堆棧組合。
4.如權(quán)利要求2所述的OLED顯示基板，其特征在于，所述TFT(90)包括:設(shè)于所述基板(10)上的緩沖層(20)、設(shè)于所述緩沖層(20)上的包括溝道區(qū)(912)、分別設(shè)于所述溝道區(qū)(912)兩側(cè)的源極區(qū)(914)與漏極區(qū)(916)的半導(dǎo)體層(91)、設(shè)于所述半導(dǎo)體層(91)上的柵極絕緣層(30)、于所述溝道區(qū)(912)上方設(shè)于所述柵極絕緣層(30)上的柵極(94)、設(shè)于所述柵極(94)上的層間絕緣層(40)、設(shè)于所述源極區(qū)(914)上并貫穿柵極絕緣層(30)和層間絕緣層(40)的源極(95)、及設(shè)于所述漏極區(qū)(916)上并貫穿柵極絕緣層(30)和層間絕緣層(40)的漏極(96) ο
5.如權(quán)利要求4所述的OLED顯示基板，其特征在于，所述接觸孔(81)暴露出所述漏極(96)的部分表面，所述連接電極(80)的填充部(84)通過(guò)所述接觸孔(81)接觸所述TFT (90)的漏極(96)，與所述TFT (90)的漏極(96)電性連接。
6.一種OLED顯示基板的制造方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟1、提供一基板(10)、在所述基板(10)上形成TFT(90); 步驟2、在所述TFT (90)上形成鈍化層(50)，在所述鈍化層(50)上形成平坦層(60); 步驟3、對(duì)所述平坦層￠0)與鈍化層(50)進(jìn)行圖案化處理，形成貫穿所述平坦層(60)與鈍化層(50)的接觸孔(81)； 步驟4、在所述平坦層￠0)上沉積并圖案化連接電極(80)，使所述連接電極(80)通過(guò)所述接觸孔(81)接觸所述TFT (90)； 步驟5、在所述平坦層￠0)上形成覆蓋所述連接電極(80)的陽(yáng)極(70); 步驟6、依次在所述陽(yáng)極(70)上形成有機(jī)發(fā)光層(71)，在所述有機(jī)發(fā)光層(71)上形成陰極(72) ο
7.如權(quán)利要求6所述的OLED顯示基板的制造方法，其特征在于，所述步驟I包括: 步驟11、在所述基板(10)上沉積一層緩沖層(20)，在所述緩沖層(20)上形成包括溝道區(qū)(912)、分別設(shè)于所述溝道區(qū)(912)兩側(cè)的源極區(qū)(914)與漏極區(qū)(916)的半導(dǎo)體層(91)； 步驟12、在所述半導(dǎo)體層(91)上形成柵極絕緣層(30)，在所述柵極絕緣層(30)上形成位于所述溝道區(qū)(912)上方的柵極(94)，在所述柵極(94)與柵極絕緣層(30)上沉積層間絕緣膜(40)； 步驟13、對(duì)所述層間絕緣膜(40)與柵極絕緣層(30)進(jìn)行圖案化處理，分別在與所述源極區(qū)(914)、漏極區(qū)(916)相對(duì)應(yīng)的位置形成貫穿所述層間絕緣膜(40)與柵極絕緣層(30)的過(guò)孔；再在所述層間絕緣膜(40)上形成源極(95)與漏極(96)，所述源極(95)與漏極(96)分別通過(guò)一過(guò)孔接觸所述源極區(qū)(914)、漏極區(qū)(916)。
8.如權(quán)利要求6所述的OLED顯示基板的制造方法，其特征在于，所述連接電極(80)包括凸出部(82)、與填充部(84);所述凸出部(82)高出所述平坦層(60)，并被所述陽(yáng)極(70)覆蓋，與所述陽(yáng)極(70)形成電性連接；所述填充部(84)填充于所述接觸孔(81)內(nèi)，并接觸所述TFT (90)，與所述TFT (90)形成電性連接。
9.如權(quán)利要求7所述的OLED顯示基板的制造方法，其特征在于，所述步驟3中所述接觸孔(81)形成在與所述漏極(96)相對(duì)應(yīng)的位置，暴露出漏極(96)的部分表面。
10.如權(quán)利要求6所述的OLED顯示基板的制造方法，其特征在于，所述連接電極(80)的材料為鉬、鈦、鋁、銅中的一種或多種的堆棧組合。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種OLED顯示基板及其制造方法。該OLED顯示基板包括基板(10)、設(shè)于基板(10)上的TFT(90)、設(shè)于所述TFT(90)上的鈍化層(50)、設(shè)于鈍化層(50)上的平坦層(60)、設(shè)于平坦層(60)上并接觸所述TFT(90)的連接電極(80)、設(shè)于平坦層(60)上并覆蓋所述連接電極(80)的陽(yáng)極(70)、設(shè)于陽(yáng)極(70)上的有機(jī)發(fā)光層(71)、及設(shè)于有機(jī)發(fā)光層(71)上的陰極(72)；所述連接電極(80)通過(guò)貫穿所述平坦層(60)與鈍化層(50)的接觸孔(81)接觸所述TFT(90)；所述陽(yáng)極(70)通過(guò)所述連接電極(80)與所述TFT(90)電性連接；能夠防止OLED顯示基板上的陰極與陽(yáng)極之間短路，避免因短路造成的電流集中，保證OLED正常發(fā)光。
【IPC分類(lèi)】H01L27-32, H01L51-56, H01L51-52
【公開(kāi)號(hào)】CN104538421
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410782725
【發(fā)明人】石龍強(qiáng), 劉亞偉
【申請(qǐng)人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司
【公開(kāi)日】2015年4月22日
【申請(qǐng)日】2014年12月16日